JP4811880B2 - 艶消し金属層を堆積するための電解液および工程 - Google Patents

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Description

本発明は基板上に乳濁液および/あるいは分散液形成物または湿潤剤から構成される電解液から艶消し金属層を堆積するための電解液及び工程に関する。
基板上に金属層の製造において目的は一般的に平滑で高い光沢のある被覆をむしろ得ることである。しかし、特別な応用においては、光沢がなく艶消し金属被覆を得ることがしばしば望まれる。その理由は被覆の光学的外観およびまた技術的性質、すなわちこのような被覆の輝きのないことである。基板上の艶消し堆積金属層の応用の分野はこれらの被覆の輝きのないことが特に重要である例えば宝石工業、家具類工業、自動車工業、また光学および精密工業である。従来の技術でコバルト層と同様に艶消しの堆積されたニッケルあるいはニッケル合金層が知られている。このような電位的にアレルギーを引き起こす金属の堆積は多くの分野で致命的ではないけれども、宝石工業分野あるいはまた台所器具や台所用品の分野においてこれらの金属を避けることが望ましい。光学あるいは精密工業の分野において多くの異なる金属の艶消し金属層の堆積はそれぞれの金属の異なる性質のため望まれる。付け加えると、広い範囲に亘る堆積金属層の艶消しの程度を調節することが望まれる。
基板上に艶消し金属層の堆積するための工程の電解液を提供し、この方法により種々の金属が多くの異なる基板上に異なる艶消しの程度で堆積することが本発明の目的である。
この目的は湿潤剤からなる電解質により達成され、電解質はCr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Re、Pt、Au、Biあるいはこれらの金属の合金からなるグループから選択される少なくとも1つの金属を堆積するための金属を含んでいること、湿潤剤は以下の一般式(I)を持つ化合物:
CHCHO(CHCHO)H (
=F(CFCFで、ここでX=6から15そしてn=2から10あるいは、
ポリアルキレン酸化物置換の第4級アンモニウム化合物であること、そして湿潤剤はミクロ乳濁液および/あるいは分散液を形成することを特徴としている。
工程に関して、目的は基板上に艶消し金属を電気的に堆積する工程により解決され、基板は本発明に従う電解液と対電極からなるガルヴァーニ浴内の電源に接続され、基板上に金属層を堆積するに適した電圧が基板と対電極の間にかけられる。
電解液中のミクロ乳濁液の形成は対応する電解液から多くの異なる金属の艶消しの堆積に適していることが発見された。さらに、堆積するための多くの異なる金属の電解液中のミクロ乳濁液の形成のために、ポリアルキレングリコール(複数)あるいはこれらの誘導体、フッ化あるいはペルフッ化疎水性の鎖を持つ湿潤剤およびポリアルキレン酸化物鎖によって置換された第4級アンモニウム化合物が適していることが発見された。これらの化合物は広い範囲の多くの異なる金属の電解質中の乳濁液の製造に使用できそして独立して使用できる。
ポリアルキレングリコールが乳濁液および/あるいは分散液の形成体として使用されるなら、異なるパーセントの親水性および疎水性構造で、望ましくは、ポリエチレンとポリプロピレングリコールからなる特別なポリマーが均一構造のポリマーとして添加に適していることが分かった。この場合において、なかでも平均分子量に依存する堆積金属層の艶消しの程度を決めるのは親水性および疎水性構造のパーセントであり、そこでは平均分子量は>200g/mol、高いパーセントの疎水性構造では望ましくは200から2000g/molであり、そしてさらに高いパーセントの親水性構造を持つポリマーに対しては望ましくは>4000g/molが通常適している。
ッ化物あるいはペルフッ化物の湿潤剤の平均分子量は、本発明に従えば、約550と約1000g/molの間であり、望ましくは約700と約1000g/molの間である。この場合において、また平均分子量は艶消しの程度に影響を持っている。
本発明に従う電解液から金属層の堆積に適した他の型の湿潤剤は望ましくは次の一般式に従うポリアルキレン酸化物置換第4級アンモニウム化合物であり、
Figure 0004811880
ここで、少なくとも一つのR、R、RあるいはR基はポリアルキレン酸化物の置換基でそして残りの基は独立して同じかあるいは異なる直鎖か側鎖の飽和あるいは不飽和のCからC18のアルキル鎖でXはハロゲン陰イオン、硫酸陰イオンあるいはCからCの炭酸陰イオンである。特に一般式2の第4級のアンモニウム化合物が適していることがわかり、RおよびRはCからC12で、望ましくはC10アルキル側鎖、RはCからCで、望ましくはCアルキル側鎖、Rは一般式[CH-CH-O]Hに一致し、n=1から5、そしてXはCからCの炭酸陰イオンである。
電解液に添加される第4級アンモニウム化合物の平均分子量は、本発明に従えば、約200と約1000g/molの間で、望ましくは約400と約500g/molの間で、さらに望ましくは約450と約460g/molの間である。
さらに本発明に従った電解液へのポリテトラフルオロエチレン粒子の添加は堆積した艶消し金属層の性質に影響を持つ。従って、ポリテトラフルオロエチレン粒子を添加して含む本発明に従った電解液からの艶消し金属層の堆積において、ポリテトラフルオロエチレン粒子の添加のない本発明に従う電解液から堆積した艶消し表面と比較して表面は感触性に関して相当柔らかでそして指のプリント(触れることは自由)に明らかに低い感受性を示すことが明白である。
添加したポリテトラフルオロエチレン粒子の平均粒子直径は約10から約1000nm、望ましくは、約100から約300nmの範囲であることが発見された。
本発明に従って、ポリテトラフルオロエチレン粒子は約0.1と1000mg/Lの間、望ましくは、約0.5と5mg/Lの間の濃度で添加される。
次の実施例は本発明に従う電解液の実施態様と同様に本発明に従う工程を示すが本発明はこれらの実施例の実施態様に制約されるものではない。
参考例1)
次の組成を持つCu電解液:
55g/L Cu2+
66g/L HSO
100mg/L Cl
200mg/L bis−(3−sulfopropyl)−disulfide,disodium salt が
分子質量900g/molを持つ2g/Lのポリプロピレングリコールと混合された。メッキを10分間、5A/dmそして35℃、陰極を2m/分で動かしながら角のあるシートで行った。空気移動は要求しない。驚くべきことに、高いそして低い電流密度領域で均一な真珠光沢が得られた。少量の有機光沢剤のため電流中断の間付着の問題はなくその後付着層は酸性の青銅電解液からあるいは3価のクロム電解液から堆積できた。真珠光沢効果の艶消しの程度はポリマーの濃度によって制御できる。セライト(Celite)の1回の濾過により全ての真珠光沢の輝度物は除去される。
参考例2)
実施例1に記述したパラメーターを使用したとき、安定し均一な真珠光沢効果が26℃で実施例1に記述したポリプロピレングリコールの代わりに次のブロックポリマー構造を持つポリアルキレングコール300mg/Lを添加して得られる:
HO−(CH−CH−O)−(CH−CH(CH)−O)−(CH−CH−O)−H
平均分子量は分子質量の20%であるポリエチレン酸化物の分率(x+z)の1700g/molである。
参考例3)
次の組成を持つ青銅電解液において:
12g/L Cu(II)
2g/L Sn(II)
10g/L メタンスルホン酸
2g/L ハイドロキノン
電流密度2A/dm、25℃そして陰極移動1m/分で分子質量5000g/molで分率20%のポリプロピレン酸化物で実施例2に示されるブロックポリマー構造を持つ5mg/Lポリアルキレングリコールで均一な真珠光沢効果がまた得られた。
(実施例4)
次の組成を持つワット電解液において:
440g/L 硫酸ニッケル
30g/L ホウ酸
40g/L 塩化ニッケル
5g/L サッカリンナトリウム塩
700g/molの平均分子量をもつ、次式でX=5およびY=10で特徴づけられる主な組成の湿潤剤であるCF置換ポリエチレングリコール10g/Lの添加により、均一な艶消し効果が52℃の温度、pH値4.2、電流密度5A/dm、陰極移動2m/分で10分後に均一な艶消し効果が得られた。
F-(CF-CF)-(CH-CH-O)-H
(実施例5)
実施例4において、CF置換ポリエチレングリコールをポリエチレングリコールで置換されたアンモニウム化合物で置き換えると、均一な艶消し効果が実施例4よりも異なる構造を持って得られた。例えば、真珠光沢効果を持つニッケルメッキ真鍮シートが実施例4と同様のワット電解液に8mg/Lのdidecylmethylpoly−(oxethyl)anmmonium propionateの添加によって得られた。
(実施例6)
実施例5で製造されたポリエチレングリコール置換アンモニウム塩の乳濁液は1mL/LのPTFE懸濁液(Zonyl TE3367−N、Dupont)が添加され、それにより層の異なった構造と性質が得られた。
かくして製造された表面は強い疎水性の埃をはねつける効果を示した。

Claims (8)

  1. 湿潤剤からなる電解液から基板上に艶消し金属層を堆積するための電解液であって、
    電解液はCr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Re、Pt、Au、Biあるいはこれらの金属の合金からなるグループから選択された少なくとも1つの金属を堆積するための金属を含んでいること、湿潤剤は次の一般式(式1)で表される化合物:
    CH CH O(CH CH O) (式1)
    =F(CF CF で、ここでX=6から15そしてn=2から10
    あるいはポリアルキレン酸化物置換の第4級アンモニウム化合物であること、前記湿潤剤がミクロ乳濁液および/あるいは分散液を形成すること。
  2. 前記一般式(式1)で表される化合物の湿潤剤の平均分子量は550と1000g/molの間である請求項の電解液。
  3. 湿潤剤として使用されるポリアルキレン酸化物置換第4級アンモニウム化合物は次の一般式(式2)で表される化合物を含む:
    Figure 0004811880
    少なくとも一つのR、R、RあるいはR基はポリアルキレン酸化物の置換体でそして残りの基は独立して同じかあるいは異なる直鎖か側鎖の飽和あるいは不飽和のCからC18のアルキル鎖でそしてXはハロゲン陰イオン、硫酸陰イオンあるいはCからCの炭酸陰イオンである請求項1の電解液。
  4. およびRはCから 12 はCからC、R は一般式[CH−CH−O]H、n=1から5に一致し、そしてXはCからCの炭酸陰イオンである請求項の電解液。
  5. 前記ポリアルキレン酸化物置換の第4級アンモニウム化合物の湿潤剤の平均分子量は200から1000g/molの間である請求項7の電解液。
  6. 電解液は平均粒子直径が10から1000nmであるポリテトラフルオロエチレン粒子を追加して含む請求項1〜5の何れか一つである電解液。
  7. 電解液は0.1から1000mg/Lの間の濃度でポリテトラフルオロエチレン粒子を含む請求項の電解液。
  8. 基板が請求項1から請求項の一つに従う電解液を含むガルヴァーニ浴内の電源と対極に接続されそして基板上に金属層を堆積するに適した電圧が基板と対電極の間に適用される基板上に艶消し金属層を電解的に堆積する工程。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2143828B1 (en) 2008-07-08 2016-12-28 Enthone, Inc. Electrolyte and method for the deposition of a matt metal layer
US7951600B2 (en) 2008-11-07 2011-05-31 Xtalic Corporation Electrodeposition baths, systems and methods
EP2568063A1 (en) * 2011-09-09 2013-03-13 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Low internal stress copper electroplating method
US20130220819A1 (en) * 2012-02-27 2013-08-29 Faraday Technology, Inc. Electrodeposition of chromium from trivalent chromium using modulated electric fields
KR20150131346A (ko) * 2013-03-15 2015-11-24 엔쏜 인코포레이티드 플루오로중합체 나노입자로 은의 전착
CN103382564B (zh) * 2013-07-18 2016-10-05 华南理工大学 金属表面超疏水钴镀层及其制备方法
KR101636361B1 (ko) * 2014-07-31 2016-07-06 주식회사 에이피씨티 과불소화알킬 계면활성제를 함유하는 솔더범프용 주석합금 전기도금액
GB2534120A (en) * 2014-11-28 2016-07-20 Daido Ind Bearings Europe Ltd Bismuth-based composite coating for overlay applications in plain bearings
AT516876B1 (de) * 2015-03-09 2016-11-15 Ing W Garhöfer Ges M B H Abscheidung von dekorativen Palladium-Eisen-Legierungsbeschichtungen auf metallischen Substanzen
JP6631349B2 (ja) 2015-03-26 2020-01-15 三菱マテリアル株式会社 アンモニウム塩を用いためっき液
CN105648490B (zh) * 2016-01-07 2017-08-15 东南大学 一种无低表面能物质改性的超疏水表面及其制备方法
CN105862093B (zh) * 2016-05-26 2018-03-06 安庆师范大学 一种离子液体中电镀Ni‑Cr‑PTFE复合镀层的方法
CN109652829B (zh) * 2019-01-04 2021-07-09 中国计量大学 一种无稀土Bi基磁性电镀液及其制备方法
CN109680310B (zh) * 2019-01-04 2020-07-07 中国计量大学 一种镍锑电镀液及其制备方法
FR3092589A1 (fr) * 2019-02-08 2020-08-14 Aveni Electrodéposition d’un alliage de cobalt et utilisation en microélectronique
CN110714212B (zh) * 2019-10-12 2021-04-30 常州大学 一种水溶液体系中由氯化镍一步法制备超疏水镍薄膜的方法
AT523922B1 (de) * 2020-09-08 2022-01-15 Iwg Ing W Garhoefer Ges M B H Elektrolytbad für Palladium-Ruthenium-Beschichtungen

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5020934A (ja) * 1973-06-01 1975-03-05
JPS5856038B2 (ja) * 1975-07-28 1983-12-13 ソニー株式会社 酸性Ni電気メッキ浴
JPH0320492A (ja) * 1989-03-24 1991-01-29 Lpw Chem Gmbh 光沢ニッケル浴或は光沢ニッケル合金浴からつや消し塗装を析出させる際の暗色沈積を回避するための、少なくとも1種類の有機スルフィン酸及び/或は少なくとも1種類の有機スルフィン酸アルカリ金属塩を含有する剤
JPH0339495A (ja) * 1989-07-04 1991-02-20 C Uyemura & Co Ltd サテンニッケル又はニッケル合金めっき浴及びめっき方法
JP2001089897A (ja) * 1999-07-16 2001-04-03 Toto Ltd めっき製品
JP2001125413A (ja) * 1999-10-27 2001-05-11 Shinwa Denki Kk 電子写真用定着ロ−ラ−及びその製造法
JP2001226798A (ja) * 2000-02-14 2001-08-21 Osaka Gas Co Ltd 摺動部材
JP2006508238A (ja) * 2002-05-23 2006-03-09 アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 酸めっき浴およびサテンニッケル皮膜の電解析出法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3839166A (en) * 1967-05-16 1974-10-01 Henkel & Cie Gmbh Method for obtaining nickel deposits with satin finish
US3839165A (en) * 1967-08-26 1974-10-01 Henkel & Cie Gmbh Nickel electroplating method
US3787294A (en) * 1971-12-07 1974-01-22 S Kurosaki Process for producing a solid lubricant self-supplying-type co-deposited metal film
FR2190940A1 (en) 1972-06-28 1974-02-01 Rhone Poulenc Sa Additives for tinplating baths - contg diethers and surfactants
US4444630A (en) * 1977-07-11 1984-04-24 Richardson Chemical Company Acid bright zinc plating
US4381228A (en) * 1981-06-16 1983-04-26 Occidental Chemical Corporation Process and composition for the electrodeposition of tin and tin alloys
AU559896B2 (en) * 1983-06-10 1987-03-26 Omi International Corp. Electrolytic copper depositing processes
EP0494563B1 (fr) * 1991-01-07 1995-06-21 Elf Atochem S.A. Procédé d'électroextraction du zinc
US5401590A (en) * 1992-12-07 1995-03-28 Duracell Inc. Additives for electrochemical cells having zinc anodes
JP3263750B2 (ja) * 1993-12-08 2002-03-11 奥野製薬工業株式会社 酸性銅めっき浴及びこれを使用するめっき方法
DE19540011C2 (de) * 1995-10-27 1998-09-10 Lpw Chemie Gmbh Verfahren zur galvanischen Abscheidung von blendfreien Nickel- oder Nickellegierungsniederschlägen
US5667659A (en) * 1996-04-04 1997-09-16 Handy & Harman Low friction solder electrodeposits
DE69933545T2 (de) * 1998-02-24 2007-06-21 Asahi Glass Co., Ltd. Wässrige Polytetrafluorethylendispersionszusammensetzung
US6491806B1 (en) * 2000-04-27 2002-12-10 Intel Corporation Electroplating bath composition
DE10025552C1 (de) * 2000-05-19 2001-08-02 Atotech Deutschland Gmbh Saures galvanisches Nickelbad und Verfahren zum Abscheiden eines satinglänzenden Nickel- oder Nickellegierungsüberzuges
US7074315B2 (en) * 2000-10-19 2006-07-11 Atotech Deutschland Gmbh Copper bath and methods of depositing a matt copper coating
US6776893B1 (en) * 2000-11-20 2004-08-17 Enthone Inc. Electroplating chemistry for the CU filling of submicron features of VLSI/ULSI interconnect
JP2004515918A (ja) * 2000-12-04 2004-05-27 株式会社荏原製作所 基板処理装置及びその方法
JP2002317298A (ja) 2001-04-17 2002-10-31 Inax Corp 撥水性サテンめっき製品及びその製造方法
US20030066756A1 (en) * 2001-10-04 2003-04-10 Shipley Company, L.L.C. Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate
US6726827B2 (en) * 2002-01-17 2004-04-27 Lucent Technologies Inc. Electroplating solution for high speed plating of tin-bismuth solder
JP4249438B2 (ja) * 2002-07-05 2009-04-02 日本ニュークローム株式会社 銅―錫合金めっき用ピロリン酸浴
US20050072683A1 (en) * 2003-04-03 2005-04-07 Ebara Corporation Copper plating bath and plating method
JP4603812B2 (ja) * 2003-05-12 2010-12-22 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 改良されたスズめっき方法
CN100348780C (zh) * 2004-03-16 2007-11-14 天津大学 脉冲镀镍基纳米复合镀层的方法及设备
TWI400365B (zh) * 2004-11-12 2013-07-01 Enthone 微電子裝置上的銅電沈積

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5020934A (ja) * 1973-06-01 1975-03-05
JPS5856038B2 (ja) * 1975-07-28 1983-12-13 ソニー株式会社 酸性Ni電気メッキ浴
JPH0320492A (ja) * 1989-03-24 1991-01-29 Lpw Chem Gmbh 光沢ニッケル浴或は光沢ニッケル合金浴からつや消し塗装を析出させる際の暗色沈積を回避するための、少なくとも1種類の有機スルフィン酸及び/或は少なくとも1種類の有機スルフィン酸アルカリ金属塩を含有する剤
JPH0339495A (ja) * 1989-07-04 1991-02-20 C Uyemura & Co Ltd サテンニッケル又はニッケル合金めっき浴及びめっき方法
JP2001089897A (ja) * 1999-07-16 2001-04-03 Toto Ltd めっき製品
JP2001125413A (ja) * 1999-10-27 2001-05-11 Shinwa Denki Kk 電子写真用定着ロ−ラ−及びその製造法
JP2001226798A (ja) * 2000-02-14 2001-08-21 Osaka Gas Co Ltd 摺動部材
JP2006508238A (ja) * 2002-05-23 2006-03-09 アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 酸めっき浴およびサテンニッケル皮膜の電解析出法

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