JPH0575837B2 - - Google Patents

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JPH0575837B2
JPH0575837B2 JP1233094A JP23309489A JPH0575837B2 JP H0575837 B2 JPH0575837 B2 JP H0575837B2 JP 1233094 A JP1233094 A JP 1233094A JP 23309489 A JP23309489 A JP 23309489A JP H0575837 B2 JPH0575837 B2 JP H0575837B2
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JP
Japan
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group
silver
bath
plating
sulfonic acid
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JP1233094A
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Seiji Masaki
Tetsuya Kondo
Koji Yamakawa
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Daiwa Kasei Kenkyusho KK
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Daiwa Kasei Kenkyusho KK
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  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野] 本発明は、銀塩、ヨウ化カリウム及び水酸化カ
リウムを含有する水溶液に添加剤としてスルフア
ニル酸誘導体を添加してなる非シアン銀めつき浴
に関する。 [従来技術とその問題点] 銀めつきは、古くから装飾用として、近年では
航空機部品、電子工業部品などにも広く用いられ
ている。 従来、実用化されている銀めつき浴のほとんど
はシアンイオンを含むいわゆるシアン塩を主成分
とする系統のものであつた。このめつき浴からは
外観が均一電着性が良好な微細結晶の優れためつ
き皮膜が形成される。しかし周知の通り、シアン
イオンは強い毒性があり、安全な作業環境の維
持、排水の処理など多くの難点がある。そこでシ
アンイオンを含まない銀めつき浴の開発が強く望
まれている。 シアンイオンを含まない銀めつき浴の例とし
て、硝酸銀浴、スルフアミン酸銀浴、塩化銀浴及
びチオシアン酸銀浴があげられる。しかし、これ
らの浴について比較したが、いずれもシアンイオ
ンを含む浴から得られるめつき皮膜よりも著しく
性能の落ちるものであることが判つた。すなわ
ち、めつき膜がもろかつたり、表面が樹脂状ない
し凹凸状を呈して一様性を欠くなどの欠点があ
り、これまで工業的な規模で利用されたものでは
ない。最近、チオシアン酸イオンを主成分とし、
これにトリエタノールアミンを含有しためつき浴
が特開昭54−155132号に記載されている。この浴
から得られためつき外観は、シアン浴に比べると
粒子が粗く、つき回り性も劣つている。また、ヨ
ウ化銀にゼラチンを添加した浴(Batashev &
Kitaichik)が報告されているが、外観は淡黄
色系となり、シアン浴に比べて粒子が粗く、低電
流密度部のつき回り性がきわめて悪い。 [問題を解決するための手段] 本発明は、上述の問題点に鑑み発明されたもの
で、シアン浴に代えて環境及び公害対策上問題の
少ない銀塩−ヨウ化カリウム浴を用いることによ
つて、上述した問題を生じることなしに、粒子が
微細で密着性及び均一電着性良好なめつきが得ら
れる非シアン銀めつきを提供することを目的とす
る。 以下、本発明の構成について述べる。 本発明に従う非シアン銀めつき浴は、下記の一
般式(a)及び(b)で示される有機スルホン酸の銀塩、
硝酸銀及び塩化銀よりなる群から選択される銀塩
と、ヨウ化カリウムと、水酸化カリウムとを含有
する水溶液に添加剤として下記の一般式(c)で示さ
れるスルフアニル酸誘導体を添加してなる非シア
ン銀めつき浴である。 (a) 一般式 (R1o−R−SO3H [ここで、RはC1〜5のアルキル基を表し、R1
は水酸基、アリール基、アルキルアリール基、
カルボキシル基又はスルホン酸基を表し、そし
てアルキル基の任意の位置にあつてよく、nは
0〜3の整数を表す] で示される脂肪族有機スルホン酸。 (b) 一般式
【式】 [ここで、R2は水酸基、アルキル基、アリー
ル基、アルキルアリール基、カルボキシル基又
はスルホン酸基を表し、mは0〜3の整数を表
す] で示される芳香族有機スルホン酸。 (c) 一般式
【式】 [ここで、Rbは水素、C1〜4のアルキル基又は
フエニル基、Raは水素又はC1〜4のアルキル基、
Rcは水素又は水酸基、Aはフエニレン基を表
す] で示されるスルフアニル酸誘導体。 本発明の非シアンめつき浴に用いられる上記(a)
及び(b)の有機スルホン酸の中でも、特に重要なも
のは2−ヒドロキシエタンスルホン酸、2−ヒド
ロキシプロパンスルホン酸、メタンスルホン酸、
2−カルボキシエタンスルホン酸、スルホコハク
酸、ベンゼンスルホン酸及びp−フエノールスル
ホン酸である。銀塩の濃度は金属イオンに換算し
て2〜200g/、好ましくは5〜100g/であ
る。 錯化剤として用いるヨウ化カリムウの濃度は、
200〜600g/、好ましくは300〜450g/であ
る。 水酸化カリウムは液のPH調整剤として用いら
れ、PH範囲としては1〜11、好ましくは3〜6で
ある。 以上の浴からでも、ある程度銀白色のめつき皮
膜は得られるが、結晶粒子が粗く密着性や均一電
着性が著しく悪い。今回、上記一般式(c)で示され
たスルフアニル酸誘導体を添加することによつ
て、極めて良好な性能を有するめつき皮膜が得ら
れ、特許出願に至つたものである。スルフアニル
酸誘導体の中でも、特に重要なものはN−(3−
ヒドロキシブチリデン)−p−スルフアニル酸、
N−ブチリデンスルフアニル酸、N−シンナモイ
リデンスルフアニル酸である。添加濃度は0.5〜
30g/、好ましくは3〜10g/である。 さらに、浴温は常温から約80℃までの広い温度
範囲でめつきが可能であり、高速度めつきにも適
している。通常のシアン浴では150μm程度まで
厚付けすると表面が粗くなつてくるが、本発明の
浴からは200μmでも良好な外観を呈した。また、
このめつき浴の電流効率はほとんど100%であり、
また銀めつきの析出速度は同温度のシアン浴を用
いる場合と同じかもしくはそれ以上である。 本発明によつて得られるめつき膜の硬さは、シ
アン浴から得られるめつき膜とほぼ同程度の硬さ
を有している。また、シアン浴と比べて、本発明
の浴の特徴的かつ有利な点は、銅及び銅合金表面
を有する品物にめつきする際に銀の置換反応がほ
とんど起こらないことである。この置換反応が起
こると、密着不良の原因となる。したがつて、シ
アン浴でも置換反応が起こるため、予めストライ
クめつきを施しているが、本発明のめつき浴では
ストラツクめつきの必要性が全くいらないため、
経済的にも大変有利である。 [実施例] 次に、本発明を実施例について説明するが、本
発明はこれら数例によつて限定されるものではな
い。 本発明の浴を用いた場合のめつき工程は次のご
とくである。 銅板→バフ研磨→ベンジン脱脂→電解脱脂→水
洗→5%メタンスルホン酸→水洗→銀めつき→水
洗→5%第三リン酸ナトリウム(室温、30秒)→
水洗→乾燥 本発明の浴は多量のヨウ化カリウムを使用して
いるため、めつき後表面にヨウ化銀が付着し空気
中で酸化されてやや黄色を帯びることがあるが、
約20%のヨウ化カリウム液で後処理することによ
つて酸化皮膜を除去することが可能となつた。 実施例 1 下記組成を有する非シアン銀めつき浴を調製し
た。 銀イオン(メタンスルホン酸銀の水溶液として添
加) 10g/ ヨウ化カリウム 330g/ N−(3−ヒドロキシブチリデン)−p−スルフア
ニル酸 5g/ PH(水酸化カリウムで調製) 5.0 得られためつき浴を用いてハルセル試験を行つ
た。ハルセル試験条件は総電流0.5A、時間10分、
温度50℃でスターラー撹拌を行つた。アノードに
は銀板を、カソードには0.3×70×100mmの銅板を
用いた。以下、各実施例及び比較例浴からの外観
観察、裏面のつき回り性、均一電着性について評
価した。 実施例 2 下記組成を有する非シアン銀めつき浴を調製し
た。 銀イオン(2−ヒドロキシプロパンスルホン酸銀
の水溶液として添加) 10g/ ヨウ化カリウム 330g/ N−(3−ヒドロキシブチリデン)−p−スルフア
ニル酸 10g/ PH(水酸化カリウムで調製) 5.0 実施例 3 下記組成を有する非シアン銀めつき浴を調製し
た。 銀イオン(スルホコハク酸銀の水溶液として添
加) 10g/ ヨウ化カリウム 330g/ N−(3−ヒドロキシブチリデン)−p−スルフア
ニル酸 3g/ PH(水酸化カリウムで調製) 5.0 実施例 4 下記組成を有する非シアン銀めつき浴を調製し
た。 銀イオン(p−フエノールスルホン酸銀の水溶液
として添加) 7.5g/ ヨウ化カリウム 300g/ N−ブチリデンスルフアニル酸 5g/ PH(水酸化カリウムで調製) 4.5 実施例 5 下記組成を有する非シアン銀めつき浴を調製し
た。 銀イオン(ベンゼンスルホン酸銀の水溶液として
添加) 5g/ ヨウ化カリウム 300g/ N−シンナモイリデンスルフアニル酸 35g/ PH(水酸化カリウムで調製) 5.5 実施例 6 下記組成を有する非シアン銀めつき浴を調製し
た。 銀イオン(2−カルボキシエタンスルホン酸銀の
水溶液として添加) 12g/ ヨウ化カリウム 400g/ N−(3−ヒドロキシブチリデン)−p−スルフア
ニル酸 5.5g/ PH(水酸化カリウムで調製) 5.0 実施例 7 下記組成を有する非シアン銀めつき浴を調製し
た。 銀イオン(2−ヒドロキシエタンスルホン酸銀の
水溶液として添加) 20g/ ヨウ化カリウム 450g/ N−ブチリデンスルフアニル酸 5g/ PH(水酸化カリウムで調製) 4.8 実施例 8 下記組成を有する非シアン銀めつき浴を調製し
た。 銀イオン(硝酸銀の水溶液として添加)30g/ ヨウ化カリウム 500g/ N−(3−ヒドロキシブチリデン)−p−スルフア
ニル酸 5g/ PH(水酸化カリウムで調製) 3.0 実施例 9 下記組成を有する非シアン銀めつき浴を調製し
た。 銀イオン(塩化銀の水溶液として添加)20g/ ヨウ化カリウム 330g/ N−(3−ヒドロキシブチリデン)−p−スルフア
ニル酸 5g/ PH(水酸化カリウムで調製) 5.0 比較例 1 下記組成を有する非シアン銀めつき浴を調製し
た。 銀イオン(メタンスルホン酸銀の水溶液として添
加) 10g/ ヨウ化カリウム 330g/ PH(水酸化カリウムで調製) 5.0 比較例 2 下記組成を有するシアン銀めつき浴を調製し
た。 シアン化銀(AgCN) 36g/ シアン化カリウム(KCN) 60g/ 炭酸カリウム(K2CO3) 45g/ 以上の各めつき浴から得られたハルセル試験結
果を表1にまとめた。
【表】 ハルセル外観は高電流部(3A/dm2)、中電流
部(1A/dm2)、低電流部(0.5A/dm2)にわけ
てシアン浴よりも微細な結晶粒子は◎、シアン浴
と同程度を○、シアン浴よりもやや大きい粒子を
△、かなり粗大なものを×として電子顕微鏡にて
観察し評価した。裏面のつき回り性は全面銀で覆
われたものをA、約50%覆われたものをB、約10
%覆われたものをC、無電着部のあるものをDと
した。また均一電着性はハルセル板の高電流部及
び低電流部の4カ所を蛍光X線膜厚計により膜厚
を測定し、測定点に対する電流密度を式(1)により
求め、各測定点の間で膜厚比、電流密度比を算出
し式(2)のFieldの式により均一電着性を求めた。 Dk=I×(5.447−5.596LogL) ……(1) I:総電流(A)、L:高電流部からの距離(cm)、
Dk:L部分の電流密度 T=L−M/(L+M−2) ……(2) T:均一電着性、L:一時電流密度比、M:厚
さ比 尚、比較例2のシアン浴は銅板に予めストライ
ク銀めつきを施した。または実施例1〜3及び比
較例1〜2の浴の電流効率、密着性及び硬度測定
結果を表2に示す。
【表】 電流効率の測定は、試料にφ2mmの銅棒を用い、
80mmだけめつきし、めつき前後の重量差から求め
た。 密着性は0.3×30×30mmの銅板を用い、平均膜
厚10μmの銀めつきを施し、試験片の角を90°、2
回折曲げ拡大鏡にて剥離の状態を観察し、○は剥
離なし、△は僅かに剥離、×は完全剥離として評
価した。 硬度測定は0.3×15×15mmの銅板を用い、約
200μmの厚めつきを行つてビツカース硬度計に
て測定した。 また、実施例1、比較例1及び比較例2のめつ
き浴から得られた皮膜表面の走査型電子顕微鏡写
真をそれぞれ第1図、第2図及び第3図に示し
た。この結果から明らかなように、本発明の浴か
らのものはシアン浴よりもむしろ微細結晶であ
る。 実施例10及び比較例3〜7 下記の組成を有する非シアン銀めつき浴を調製
し、これを基本浴とする。 基本浴 銀イオン(メタンスルホン酸銀の水溶液として添
加) 30g/ ヨウ化カリウム 500g/ PH(水酸化カリウムで調製) 5.0 浴の温度 50℃ 上記の基本浴に下記の各種有機酸及び塩類を添
加し、ハルセル試験によりストレート実験を行つ
た。 有機酸及び塩類 実施例10 : N−(3−ヒドロキシブチリデン)−p−スルフア
ニル酸 5g/ 比較例 3 スルフアニル酸 5g/ 比較例 4 クエン酸カリウム 20g/ 比較例 5 フエノールスルホン酸 3.7ml/ 比較例 6 フエノールスルホン酸 3.7ml/ +エトキシナフタリンスルホン酸 0.2g/ 比較例 7 基本浴のみ ハルセル条件並びにそのハルセル外観の観察及
び裏面のつき回り性、均一電着性についての評価
は前記したものと同じであつた。密着性の評価
は、0.2×20×20mmの大きさの銅板に銀めつきを
約10μmの厚さで施し、エツジ部をペンチで90度
に2回折り曲げ、拡大鏡で剥離の状態を評価し
た。全く異常なしは○、やや剥離が見られるのは
△、完全な剥離を×とした。 得られた結果を下記の表3に要約する。
【表】
【表】 [発明の効果] 以上、説明したように、この発明はシアンイオ
ンを全く含まないので作業環境並びに排水処理の
面から大きなメリツトがあり、シアン浴からのも
のよりむしろ結晶が微細であり、かつ密着性、均
一電着性及び硬度においてシアン浴と遜色ない銀
皮膜が得られたので、電子部品や航空機部品に充
分使用できる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例1のめつき浴から得
られためつき皮膜の金属組織を示す走査型顕微鏡
写真である。第2図は、スルフアニル酸誘導体添
加剤を含有しない比較例1のめつき浴から得られ
ためつき皮膜の金属組織を示す走査型電子顕微鏡
写真である。第3図は、比較例2のシアン浴から
得られためつき皮膜の金属組織を示す走査型電子
顕微鏡写真である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 下記の一般式(a)及び(b)で示される有機スルホ
    ン酸の銀塩、硝酸銀及び塩化銀よりなる群から選
    択される銀塩と、ヨウ化カリウムと、水酸化カリ
    ウムとを含有する水溶液に添加剤として下記の一
    般式(c)で示されるスルフアニル酸誘導体を添加し
    てなる非シアン銀めつき浴: (a) 一般式 (R1o−R−SO3H [ここで、RはC1〜5のアルキル基を表し、R1
    は水酸基、アリール基、アルキルアリール基、
    カルボキシル基又はスルホン酸基を表し、そし
    てアルキル基の任意の位置にあつてよく、nは
    0〜3の整数を表す] で示される脂肪族有機スルホン酸、 (b) 一般式 【式】 [ここで、R2は水酸基、アルキル基、アリー
    ル基、アルキルアリール基、カルボキシル基又
    はスルホン酸基を表し、mは0〜3の整数を表
    す] で示される芳香族有機スルホン酸、 (c) 一般式 【式】 [ここで、Rbは水素、C1〜4のアルキル基又は
    フエニル基、Raは水素又はC1〜4のアルキル基、
    Rcは水素又は水酸基、Aはフエニレン基を表
    す] で示されるスルフアニル酸誘導体。
JP1233094A 1988-12-16 1989-09-11 非シアン銀めっき浴 Granted JPH02290993A (ja)

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JPH08104993A (ja) * 1994-10-04 1996-04-23 Electroplating Eng Of Japan Co 銀めっき浴及びその銀めっき方法
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