JPS6029483A - 純金メッキ液 - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は純金メッキ液に関するものである。
金メッキはICリードフレーム、プリント基板等電気・
電子機器部品用のメッキとして広く採用されており、そ
の需要は益々拡大されつつある。そして従来よシ幾つか
の金メッキ液が提供されてきている。しかし従来の金メ
ッキ液に於いては光沢のおる析出物を得るために殆んど
のものが金属光沢剤例えばコバルト、ニッケル。
電子機器部品用のメッキとして広く採用されており、そ
の需要は益々拡大されつつある。そして従来よシ幾つか
の金メッキ液が提供されてきている。しかし従来の金メ
ッキ液に於いては光沢のおる析出物を得るために殆んど
のものが金属光沢剤例えばコバルト、ニッケル。
インジウム等の添加が不可欠なものであった。
これらの光沢剤を添加すると非常に光沢のある析出物を
得ることができるが9反面これら光沢剤として添加され
た金属が若干量詳しく Ho、 i〜1.0チ程度共析
してしまい析出物の硬度は上がるが析出物自体は逆にも
ろくなり電気接点やコネクター等に金メッキを施した場
合にはメッキ後の成形加工でクラックやはがれが生じた
シ。
得ることができるが9反面これら光沢剤として添加され
た金属が若干量詳しく Ho、 i〜1.0チ程度共析
してしまい析出物の硬度は上がるが析出物自体は逆にも
ろくなり電気接点やコネクター等に金メッキを施した場
合にはメッキ後の成形加工でクラックやはがれが生じた
シ。
またこの微量の共析金属は熱処理時などで析出物の表面
が酸化され易くその分接触時の通電性を劣化させたりし
ていた。
が酸化され易くその分接触時の通電性を劣化させたりし
ていた。
更に金メッキは一般に他のメッキに比べて均一電着性に
欠は厚付けがしにくいものであシ。
欠は厚付けがしにくいものであシ。
そのメッキ液は長時間飲用すると被メッキ物や治具、ラ
ック等の溶解に因シ有害金属が混入し易く汚染され易い
ので新しいメッキ液と交換する頻度が高まシネ経済なも
のでらシ、しかも一度汚染されてしまうとその混入金属
が全析出物にも悪影響を与える等の問題点があった。
ック等の溶解に因シ有害金属が混入し易く汚染され易い
ので新しいメッキ液と交換する頻度が高まシネ経済なも
のでらシ、しかも一度汚染されてしまうとその混入金属
が全析出物にも悪影響を与える等の問題点があった。
本発明はこのような従来の金メッキ液の問題点を解決す
べく開発された金メッキ液であって。
べく開発された金メッキ液であって。
共析金属を含まずに純金で光沢がらり60μm程度まで
の暉付け」の析出物を得ることができ。
の暉付け」の析出物を得ることができ。
しかもメッキ液に混入した金属イオンの影響を受けにく
い純金メッキ液を提供せんとするものである。
い純金メッキ液を提供せんとするものである。
本発明に係る純金メッキ液は上記目的を達成するために
金をシアン化金カリウムの形で含有し、更にホスホン酸
、エチレンアミン及びエチレンジアミン4酢酸のす°ト
リウム塩を添加した以下本発明の詳細な説明する。
金をシアン化金カリウムの形で含有し、更にホスホン酸
、エチレンアミン及びエチレンジアミン4酢酸のす°ト
リウム塩を添加した以下本発明の詳細な説明する。
本発明に係る純金メッキ液は、先ず金をシアン化金カリ
ウムの形でメッキ液に加えられるものでアシ、シアン化
金カリウムとしてはシアン化第1金カリウムが最も好ま
しく、金の量としては5〜507/ノで好ましくは10
〜s o 7’tt存在させることができる。
ウムの形でメッキ液に加えられるものでアシ、シアン化
金カリウムとしてはシアン化第1金カリウムが最も好ま
しく、金の量としては5〜507/ノで好ましくは10
〜s o 7’tt存在させることができる。
そして、更に、この純金メッキ液は液中に1往気伝導性
を付与し、また電解中のpHを安定させる役目をするホ
スホン酸を含有する。ホスホン酸としてに1−ヒドロキ
シエチリデン−1,1−ジホスホン酸〔三菱モンサント
化成jm製商品名デイクエスト20103及び同200
0,2006.2041を採用でき、これらのいずれか
を50〜20097)含めるものである。
を付与し、また電解中のpHを安定させる役目をするホ
スホン酸を含有する。ホスホン酸としてに1−ヒドロキ
シエチリデン−1,1−ジホスホン酸〔三菱モンサント
化成jm製商品名デイクエスト20103及び同200
0,2006.2041を採用でき、これらのいずれか
を50〜20097)含めるものである。
加えて、析出物の光沢を向上させるためにエチレンアミ
ンを添加するものである。このエチレンアミンは析出物
の結晶を微aにして光沢を保つもので9手チレンジアミ
ン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、
テトラエチレンペンタミンを意図するもので、これらの
いずれかを10〜1soy/J添加する。
ンを添加するものである。このエチレンアミンは析出物
の結晶を微aにして光沢を保つもので9手チレンジアミ
ン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、
テトラエチレンペンタミンを意図するもので、これらの
いずれかを10〜1soy/J添加する。
また、エチレンジアミン4酢酸のナトリウム塩を1〜5
01/ノ添加させるもので、メッキ液を長い間使用した
時に混入する鉛、銅、ニッケル、鉄等の金属イオンの悪
影響の防止を意図するものである。
01/ノ添加させるもので、メッキ液を長い間使用した
時に混入する鉛、銅、ニッケル、鉄等の金属イオンの悪
影響の防止を意図するものである。
以上のような組成の純金メッキ液を用いて電解メッキす
るには、pHを5〜1oに維持することが望ましく、液
温に40〜70℃が好適で。
るには、pHを5〜1oに維持することが望ましく、液
温に40〜70℃が好適で。
電流密度は静止浴の場合0.1〜2.OA/dn?で。
ジェット噴流による高速メッキの場合tl 2.0〜2
0 h/an?が好ましい。
0 h/an?が好ましい。
(実施例1)
金(シアン化第1金カリウムとして) 10?/ノ1−
ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸 100
f/ノトリエチレンテトラミン 5o1/ノ エチレンジアミン4酢酸2ナトリウム 51/ノpH(
水酸化カリウムにそ) I)H6,s温度 60 ’C 電流密度 0.4 h/dn? 朋 メッキ時間 2o分 テストピースは真鍮板に予め光沢ニッケルを10μm施
し、更に金ストライク〔日本エレクトロプレイティング
・エンジニャース仔゛υ製商品名オーロボンドによる〕
を施して鏡面光沢の外観を呈しているものとし、このテ
ストピースを上記条件の純金メッキ液で浸漬メッキした
。
ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸 100
f/ノトリエチレンテトラミン 5o1/ノ エチレンジアミン4酢酸2ナトリウム 51/ノpH(
水酸化カリウムにそ) I)H6,s温度 60 ’C 電流密度 0.4 h/dn? 朋 メッキ時間 2o分 テストピースは真鍮板に予め光沢ニッケルを10μm施
し、更に金ストライク〔日本エレクトロプレイティング
・エンジニャース仔゛υ製商品名オーロボンドによる〕
を施して鏡面光沢の外観を呈しているものとし、このテ
ストピースを上記条件の純金メッキ液で浸漬メッキした
。
上記条件にて得られた析出物は鏡面光沢の外観を保って
おり、メッキ前とメッキ後の重量差よシ析出効率を計算
すると116yy71分であシ、電流効率が95チある
ことが判った。この析出物をクロセクションにょシ断面
を観察したところ平均で5μmあシ理論値とほぼ合致し
た。
おり、メッキ前とメッキ後の重量差よシ析出効率を計算
すると116yy71分であシ、電流効率が95チある
ことが判った。この析出物をクロセクションにょシ断面
を観察したところ平均で5μmあシ理論値とほぼ合致し
た。
また同様の条件にてメッキ時間を45分及び。
150分行った各々のテストピースの4辺をサンドペー
パーで注意深くけずり、素地の真鍮を露出させ、1:1
硝酸にて徐々に素地及び光沢ニッケルを溶解したところ
、各々表裏とも鏡面光沢のある2枚の完全なる長方形の
析出金の箔が得られた。この箔の厚さをマイクロメータ
ーで測定したところ前者(メッキ時間45分)2枚は約
10μm、後者(メッキ時間130分)2枚は約30μ
mあることが判った。このことは実用上数10ミクロン
の厚さまで鏡面光沢を保ちほぼ理論通シにメッキの厚さ
が得られしかも析出物にクラック(キレン)が生じない
ことを示している。
パーで注意深くけずり、素地の真鍮を露出させ、1:1
硝酸にて徐々に素地及び光沢ニッケルを溶解したところ
、各々表裏とも鏡面光沢のある2枚の完全なる長方形の
析出金の箔が得られた。この箔の厚さをマイクロメータ
ーで測定したところ前者(メッキ時間45分)2枚は約
10μm、後者(メッキ時間130分)2枚は約30μ
mあることが判った。このことは実用上数10ミクロン
の厚さまで鏡面光沢を保ちほぼ理論通シにメッキの厚さ
が得られしかも析出物にクラック(キレン)が生じない
ことを示している。
(実施例2)
金(シアン化第1金カリウムとして) 5017ノ1−
ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸 100
2/ノテトラエチレンベンタミン 50?/ノエチレン
ジアミン4酢酸2ナトリウム 5y/ノpH(水酸化カ
リウムにて) I)H7,0温度 60℃ 電流密度 10A/dy# 債 拌 ノズルによる メッキ液の噴射 メ\−7′+時間 20秒 メッキに用いた被メッキ物は実施例1と同じ条件のもの
である。この被メッキ物に対して上記条件で噴射メッキ
を施したところ得られた析出物は光沢がち92μmの厚
さがあシ理論値とほぼ合致したものであった。また同様
の条件にてスヘ/キ時間を50秒として行ったところ5
μmの厚さの光沢ある析出物が得られた。
ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸 100
2/ノテトラエチレンベンタミン 50?/ノエチレン
ジアミン4酢酸2ナトリウム 5y/ノpH(水酸化カ
リウムにて) I)H7,0温度 60℃ 電流密度 10A/dy# 債 拌 ノズルによる メッキ液の噴射 メ\−7′+時間 20秒 メッキに用いた被メッキ物は実施例1と同じ条件のもの
である。この被メッキ物に対して上記条件で噴射メッキ
を施したところ得られた析出物は光沢がち92μmの厚
さがあシ理論値とほぼ合致したものであった。また同様
の条件にてスヘ/キ時間を50秒として行ったところ5
μmの厚さの光沢ある析出物が得られた。
(実施例6)
金(シアン化第」金カリウムとして) 10v/i1−
ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホンg1 10
0 f/ 、(!。
ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホンg1 10
0 f/ 、(!。
トリエチレンテトラミン 50グ/)
pH(水酸化カリウムにて) I)H7,0温 度 6
5℃ 電流密度 ロ’ A/dyu” 攪 拌 ′グネチ″′〃 −ラにて中程度 ^\ンN時間 40分 メッキ用に用いた被メッキ物は実施例1と同じ条件のも
ので、この被メッキ物に対して上記条件で浸漬メッキを
行なったところ得られた析出物は9μmの厚さからシ外
観は鏡面光沢を呈したクラックのない良好な析出状態で
あった。
5℃ 電流密度 ロ’ A/dyu” 攪 拌 ′グネチ″′〃 −ラにて中程度 ^\ンN時間 40分 メッキ用に用いた被メッキ物は実施例1と同じ条件のも
ので、この被メッキ物に対して上記条件で浸漬メッキを
行なったところ得られた析出物は9μmの厚さからシ外
観は鏡面光沢を呈したクラックのない良好な析出状態で
あった。
この液に不純金属として鉛(Pb)をクエン酸鉛で入れ
てこの液の鉛(pb)の濃度を5 ppmにして同条件
で1゛0分間メッキしたところ外観が光沢のない黄金色
となった。この液にさらに5’i/iのエチレンジアミ
ン4酢哉2ナトリウムを加え。
てこの液の鉛(pb)の濃度を5 ppmにして同条件
で1゛0分間メッキしたところ外観が光沢のない黄金色
となった。この液にさらに5’i/iのエチレンジアミ
ン4酢哉2ナトリウムを加え。
同様にメッキしたところ鏡面光沢の外観を呈した析出物
を得fc o さらに鉛の影響を見るために10 pp
mづつ鉛の濃度を上ける毎にメッキしたところ60 p
pmになっても完全な鏡面光沢をfi5た。このことか
ら加えられたエチレンジアミン4酢酸にこの液組成では
不純金玩でらる鉛の影響を徐くことに極めて効果がめる
と判明した。
を得fc o さらに鉛の影響を見るために10 pp
mづつ鉛の濃度を上ける毎にメッキしたところ60 p
pmになっても完全な鏡面光沢をfi5た。このことか
ら加えられたエチレンジアミン4酢酸にこの液組成では
不純金玩でらる鉛の影響を徐くことに極めて効果がめる
と判明した。
以上説明したように9本発明に係る純金メッキ液は50
μm程度までの厚付けが可11コで、′iた不純共析物
を含まない純金で光沢のある析出物を得ることができる
という効果があるので、ICリードフレーム、クエン・
−:コネクター、接点プリント基板等の電気・電子機器
部品用として最適である。また、メッキ液に混入した不
純金属の影響を受けずらいので、新しいメッキ液と交換
する回数も少なくて済み経済的であるという効果もある
。
μm程度までの厚付けが可11コで、′iた不純共析物
を含まない純金で光沢のある析出物を得ることができる
という効果があるので、ICリードフレーム、クエン・
−:コネクター、接点プリント基板等の電気・電子機器
部品用として最適である。また、メッキ液に混入した不
純金属の影響を受けずらいので、新しいメッキ液と交換
する回数も少なくて済み経済的であるという効果もある
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)金をシアン化金カリウムの形で含有し、更にホス
ホン酸、エチレンアミン及びエチレンジアミン4酢酸の
ナトリウム塩を添加して成る純金メッキ液。 (2)シアン化金カリウムを5〜6Ω2/ノ含有させた
特許請求の範囲第1項記載の純金メッキ液。 (8) ホスホン酸の添加量が50〜200 f/ノで
ある特許請求の範囲第1項又は第2項のいずれかに記載
の純金メッキ液。 (4)エチレンアミンの添加量が10〜150 ’/ノ である特許請求の範囲第1乃至第3項のいずれかに記載
の純金メッキ液。 (5)エチレンジアミン4酢酸のナトリウム塩の添加量
が1〜soy/Aである特許請求の範囲第1乃至第4項
のいずれかに記載の純金メッキ液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13988283A JPS6029483A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 純金メッキ液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13988283A JPS6029483A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 純金メッキ液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6029483A true JPS6029483A (ja) | 1985-02-14 |
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Cited By (6)
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---|---|---|---|---|
JPH02247397A (ja) * | 1989-02-24 | 1990-10-03 | Degussa Ag | ボンデイング可能な純金皮膜を電析するための浴 |
JPH0377328A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5080763A (en) * | 1989-06-06 | 1992-01-14 | Fujitsu Limited | Method of forming conductor lines of a semiconductor device |
WO2006129806A1 (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Honda Motor Co., Ltd. | 燃料電池用セパレータ及びその製造方法 |
JP2009007656A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Japan Pure Chemical Co Ltd | 電解金めっき液及びそれを用いて得られた金皮膜 |
CN105669430A (zh) * | 2016-03-10 | 2016-06-15 | 昆明理工大学 | 一种一步合成镀金用柠檬酸金钾的方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56108892A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-28 | Electroplating Eng Of Japan Co | Plating solution with pure gold |
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1983
- 1983-07-29 JP JP13988283A patent/JPS6029483A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56108892A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-28 | Electroplating Eng Of Japan Co | Plating solution with pure gold |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02247397A (ja) * | 1989-02-24 | 1990-10-03 | Degussa Ag | ボンデイング可能な純金皮膜を電析するための浴 |
US5080763A (en) * | 1989-06-06 | 1992-01-14 | Fujitsu Limited | Method of forming conductor lines of a semiconductor device |
JPH0377328A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO2006129806A1 (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Honda Motor Co., Ltd. | 燃料電池用セパレータ及びその製造方法 |
DE112006001385B4 (de) * | 2005-06-03 | 2012-06-28 | Honda Motor Co., Ltd. | Separator für eine Brennstoffzelle und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4971979B2 (ja) * | 2005-06-03 | 2012-07-11 | 本田技研工業株式会社 | 燃料電池用セパレータ及びその製造方法 |
JP2009007656A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Japan Pure Chemical Co Ltd | 電解金めっき液及びそれを用いて得られた金皮膜 |
CN105669430A (zh) * | 2016-03-10 | 2016-06-15 | 昆明理工大学 | 一种一步合成镀金用柠檬酸金钾的方法 |
Also Published As
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