KR101582507B1

KR101582507B1 - 산성 금 합금 도금 용액

Info

Publication number: KR101582507B1
Application number: KR1020150021979A
Authority: KR
Inventors: 유타카 모리이; 마사노리 오리하시
Original assignee: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨
Priority date: 2007-06-06
Filing date: 2015-02-13
Publication date: 2016-01-19
Also published as: US9303326B2; US8357285B2; US20120048740A1; KR20150022969A; JP5317433B2; US20090014335A1; US20120055802A1; EP2014801A2; US9297087B2; KR101576807B1; CN101333671B; KR20080107319A; JP2008303420A; TW200912048A; TWI468556B; EP2014801A3; CN101333671A; EP2014801B1

Abstract

본 발명은 시안화금, 코발트 이온, 헥사메틸렌 테트라민 및 특정 광택제를 함유하는 금 도금 용액을 사용하여 높은 침착 선택성을 가진 금 도금 용액을 제공하는 금 합금 도금 용액 및 그의 도금 방법에 관한 것이다.

Description

산성 금 합금 도금 용액{An Acidic Gold Alloy Plating Solution}

본 발명은 산성 금 합금 도금 용액에 관한 것이다.

최근, 금의 우수한 전기적 특성 및 내식성 때문에, 금 도금은 전자 부품, 예를 들어, 접촉 터미널의 표면을 보호하기 위하여 전자 디바이스 및 전자 부품에서 광범위하게 사용되고 있다. 금 도금은 반도체 요소의 전극 터미널을 위한 표면 처리, 플라스틱 필름에서 형성된 리드 (lead), 또는 전자 부품, 예를 들어, 전자 디바이스에 연결하는 커넥터를 위한 표면 처리로써 사용된다. 금 도금될 수 있는 물질은 금속, 플라스틱, 세라믹 및 반도체 등을 포함한다.

표면 처리로 사용된 금 도금 필름은 사용하는 특성에 따라 내식성, 내마모성 및 전기 전도성을 가져야 하기 때문에 전자 디바이스를 연결하는 커넥터는 경질 금 도금을 사용한다. 금 코발트 합금 도금 및 금 니켈 합금 도금 등은 오랜 기간 동안 경질 금 도금으로 공지되었다 (예: DE 1111897 및 JP 60-155696). 일반적으로, 구리 또는 구리 합금은 커넥터와 같은 전자 부품용 기재로 사용되었다. 그러나, 금이 구리의 표면에 침착될 때, 구리는 금 필름내로 확산될 것이다. 따라서, 금 도금이 구리를 위한 표면 처리로써 수행될 때, 일반적으로 니켈 도금이 구리 표면상에 구리 기재용 장벽층으로 수행된다. 일반적으로, 그 후 금 도금은 니켈 도금층의 표면에 수행된다.

커넥터와 같은 전자 부품상에 국소 경질 금 도금을 수행하기 위한 표준 방법은 스팟 도금 (spot plating), 액체 표면을 제어하는 도금, 랙 도금 (rack plating) 및 배럴 도금 (barrel plating) 등을 포함한다.

그러나, 통상적인 금 도금 용액으로는 고전류밀도로 전해 도금을 하는 도중에 문제가 있는데, 이는 소위 번 (burn)이 침착되는 금 필름상에서 발생하기 때문이다. 또한, 통상적인 금 도금 용액으로는 국소 도금이 전자 부품의 금 도금 필름이 요구되는 영역에 수행될 때, 금 또는 금 합금이 또한 이러한 영역의 주변 부분, 즉, 금 도금 필름이 필요하지 않은 영역에 침착되는 문제가 있다.

원하지 않는 부분에 금이 이렇게 침착되는 것을 방지하기 위해, 다양한 기술이 제시되었다. 본 발명자들은 불필요한 금 침착이 헥사메틸렌 테트라민을 첨가제로 가진 산성 금 코발트 도금 배스를 사용하여 제어될 수 있고, 이미 특허에 적용이 되었음을 발견하였다 (참고: JP 2006-224465). 이들 기술을 이용하여, 불필요한 금 침착은 제어될 수 있으나, 침착되는 금 도금 필름의 광택을 추가로 향상시키고, 침착 속도를 향상시키고, 좋은 도금이 가능한 전류밀도 범위를 향상시키기 위한 요구가 있다.

본 발명의 목적은 커넥터의 표면상에 금 도금 필름으로서의 특성을 유지하고, 고전류밀도에서 상대적으로 두꺼운 금 도금 필름을 침착시키며, 원하지 않는 영역에서 침착을 억제하면서 원하는 영역에 금 도금 필름을 침착시키는 산성 금 합금 도금 용액 및 금 합금 도금 방법을 제공하는 것이고, 이는 금 도금 필름의 침착 속도를 향상시키고, 광범위한 전류밀도에 걸친 도금을 가능하게 한다.

상기 언급된 문제점들을 해결하기 위해 금 도금 용액에 대해 예의 연구 결과로써, 본 발명자들은 커넥터와 같은 전기 부품에 요구되는 내식성, 내마모성 및 전기 전도성을 가진 금 합금 도금이 불필요한 부분에서 금 합금 도금 필름의 침착을 억제하면서 형성될 수 있고, 도금 발명을 위한 작업 조건을 향상시키며, 약산 조건에서 금 코발트 합금 도금 용액을 유지하고, 헥사메틸렌테트라민 및 특정 광택제를 첨가함으로써 금 합금 도금 필름의 필름 침착 속도를 향상시키는 것을 발견하고, 본 발명을 달성하게 되었다.

본 발명에 따른 산성 금 합금 도금 용액을 사용하여 도금의 광택성 및 침착 속도를 향상시킬 수 있으며, 개선된 전자 부품을 제조할 수 있다.

본 발명의 일면은 시안화금 또는 그의 염, 코발트 이온, 킬레이트제, 헥사메틸렌 테트라민, 광택제 및 필요에 따라 pH 조절제를 함유하는 산성 금 합금 도금 용액을 제공하고, 여기에서, 상기 도금 용액의 광택제는 카복실기 또는 하이드록실기를 가진 질소 원자 함유 화합물, 또는 카복실기를 가진 황 원자 함유 화합물이다.

또한, 본 발명은 시안화금 또는 그의 염, 코발트 이온, 킬레이트제, 헥사메틸렌 테트라민, 카복실기 또는 하이드록실기를 가진 질소 원자 함유 화합물 또는 카복실기를 가진 황 원자 함유 화합물 및 필요에 따라, pH 조절제를 함유하는 산성 금 합금 도금 용액을 사용하는 전해 도금에 의한 금 합금 도금 방법을 제공한다.

또한, 본 발명은 커넥터의 접촉 영역상에 니켈 도금을 수행한 후, 니켈 필름상에 금 합금 도금을 수행함으로써, 금 합금 도금 필름을 가진 커넥터를 제조하는 방법을 제공하고, 여기에서, 상기 금 합금 도금은 시안화금 또는 그의 염, 코발트 이온, 킬레이트제, 헥사메틸렌 테트라민 및 카복실기 또는 하이드록실기를 가진 질소 원자 함유 화합물, 또는 카복실기를 가진 황 원자 함유 화합물을 함유하는 산성 금 합금 도금 용액을 사용하는 전해 도금이다.

본 발명의 산성 금 합금 도금 용액은 광범위한 전류밀도를 사용할 수 있고, 특히, 고전류밀도에서라도 우수한 광택을 가진 금 합금 도금 필름을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 산성 금 합금 도금 용액은 고전류밀도에서 상대적으로 안전한 금 합금 도금 필름을 유발할 수 있다. 본 발명의 산성 금 합금 도금 용액을 사용하여, 이들 침착을 증가시키고, 좋은 광택을 가진 금 합금 도금 필름을 광범위한 도금 작업을 통해 형성시킬 수 있다.

본 발명의 산성 금 합금 도금 용액을 사용하여, 커넥터와 같은 전기 부품에 요구되는 내식성, 내마모성 및 전기 전도성을 가진 금 합금 도금 필름을 형성할 때, 금은 도금 필름이 원하지 않는 영역에서의 침착을 억제하면서 원하는 위치에 침착되도록 한다. 즉, 본 발명의 금 합금 도금 용액 또는 방법은 우수한 침착 선택성을 갖는다. 도금 필름이 필요없는 영역에서 도금 필름의 침착을 억제하는 것은 금속의 불필요한 소비를 억제하고, 경제적 관점에서 유리하다.

본 발명의 산성 금 합금 도금 용액은 시안화금 또는 그의 염, 코발트 이온, 킬레이트제, 헥사메틸렌 테트라민, 광택제를 함유하고, 필요에 따라 pH 조절제를 또한 함유할 수 있다. 본 발명의 산성 금 합금 도금 용액은 산성으로 유지되고, 바람직하게, pH는 3 내지 6 사이로 유지된다.

본 발명의 필수적인 성분인 금 이온 공급원의 예는 시안화금 염, 예를 들어, 시안화금, 금 (I) 시안화칼륨, 금 (II) 시안화칼륨 및 금 시안화암모늄 등을 포함한다. 시안화금 또는 그의 염은 독립적으로, 또는 두개 이상의 배합으로 사용될 수 있다. 또한, 기타 통상의 공지된 금 이온 공급원이 배합으로 사용될 수 있다. 통상의 공지된 금 이온 공급원의 예는, 금 (I) 염화칼륨, 금 (I) 염화나트륨, 금 (II) 염화칼륨, 금 (II) 염화나트륨, 금 포타슘 티오설페이트, 금 소듐 티오설페이트, 금 포타슘 티오설파이트 및 금 소듐 티오설파이트 등을 포함하고, 그의 두개 이상의 배합이 사용될 수 있다. 시안화금 염 및 특히, 금 (I) 시안화칼륨은 본 발명의 도금 용액에서 사용하기에 바람직하다.

도금 용액에 첨가되는 이들 금 이온 공급원의 양은 일반적으로, 금으로 계산되어, 1 g/L 내지 20 g/L의 범위, 바람직하게는 3 g/L 내지 16 g/L의 범위이다.

본 발명에 사용되는 코발트 이온 공급원은 본 발명의 도금 용액에서 용해되는 임의의 코발트 화합물일 수 있고, 예로는 코발트 설페이트, 염화 코발트, 코발트 카보네이트, 코발트 설파메이트 및 코발트 글루코네이트 및 그의 두개 이상의 배합을 포함한다. 무기 코발트 염 및 특히, 염기성 코발트 카보네이트가 본 발명의 도금 용액에서 사용하기에 바람직하다.

도금 용액에 첨가되는 이들 코발트 이온의 양은 일반적으로, 코발트로 계산되어, 0.05 g/L 내지 3 g/L의 범위, 바람직하게는 0.1 g/L 내지 1 g/L의 범위이다.

본 발명에서 사용될 수 있는 킬레이트제는 일반적으로 금 도금 용액에서 킬레이트제로 사용되는 통상의 공지된 화합물일 수 있다. 예로는, 시트르산, 포타슘 시트레이트, 소듐 시트레이트, 타르타르산, 옥살산, 숙신산, 아디프산, 말산, 락트산 및 벤조산 등과 같은 카복실기, 예를 들어, 카복실산 및 그의 염을 함유하는 화합물 및 분자중에 포스포네이트기 또는 그의 염을 가진 포스포네이트기 함유 화합물 등을 포함한다. 포스포네이트기를 함유하는 화합물의 예는 분자중에 복수의 포스포네이트기를 가진 화합물, 예를 들어, 아미노트리메틸렌 포스폰산, 1-하이드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 에틸렌디아민 테트라메틸렌 포스폰산, 디에틸렌트리아민 펜타메틸렌 포스폰산 및 알칼리 금속 염 또는 그의 암모늄염을 포함한다. 또한, 질소 화합물, 예를 들어, 암모니아 또는 에틸렌 디아민은 카복실기를 함유하는 화합물과 함께 보조 킬레이트제로 사용될 수 있다. 킬레이트제는 또한, 두개 이상의 화합물의 배합일 수 있다. 본 발명에서, 이후에 기술될 광택제로 사용되는 카복실기 또는 하이드록실기를 가진 질소 원자 함유 화합물 또는 카복실기를 가진 황 원자 함유 화합물이 있고, 이들은 또한, 착화력 (complexing capability)을 갖는다. 그러나, 본 명세서의 킬레이트제는 카복실기 또는 하이드록실기를 가진 질소 원자 함유 화합물 또는 카복실기를 가진 황 함유 화합물을 포함하지 않는다.

도금 용액에 첨가된 이들 킬레이트제의 양은 일반적으로, 0.1 g/L 내지 300 g/L의 범위, 바람직하게는 1 g/L 내지 200 g/L의 범위이다.

본 발명에서 사용된 헥사메틸렌 테트라민은 도금 용액에 일반적으로, 0.05 g/L 내지 10 g/L의 범위, 바람직하게는 0.1 g/L 내지 5 g/L의 범위로 첨가된다.

본 발명에서 사용될 수 있는 광택제는 카복실기 또는 하이드록실기를 가진 질소 원자 화합물 또는 카복실기를 가진 황 함유 화합물이다. 카복실기를 가진 질소 원자 함유 화합물의 예는 아미노산, 예를 들어, 중성 아미노산, 산성 아미노산 또는 염기성 아미노산; 카복실기를 함유하는 피리딘 화합물, 예를 들어, 피리딘 카복실산 (예: 2-피리딘 카복실산, 3-피리딘 카복실산 및 4-피리딘 카복실산) 및 그의 염; 및 또한, 이미노이아세트산; 니트릴로트리아세트산; 디에틸렌트리아민 펜타아세트산; 및 에틸렌디아민 테트라아세트산을 포함한다. 중성 아미노산의 예는, 알라닌, 글리신, 분지된 아미노산, 예를 들어, 발린 및 류신, 황 함유 아미노산, 예를 들어, 시스틴, 아미드 아미노산, 예를 들어, 아스파라긴 또는 글루타민, 지방족 아미노산, 예를 들어, 세린과 같은 하이드록시아미노산; 방향족 아미노산, 예를 들어, 페닐알라닌, 티로신 및 트립토판 및 이미노산을 포함한다. 염기성 아미노산의 예는 리신 및 아르기닌 등을 포함한다. 산성 아미노산의 예는 아스파라긴산 및 글루탐산 등을 포함한다. 하이드록실기를 가진 질소 함유 화합물의 예는 알칸올아민, 예를 들어, 메탄올아민, 에탄올아민, 프로판올아민 및 이소프로판올아민, 디알칸올아민, 예를 들어, 디메탄올아민, 디에탄올아민, 디프로판올아민, 디이소프로판올아민 및 디부탄올아민, 트리알칸올아민, 예를 들어, 트리메탄올아민 및 트리에탄올아민 및 아미노디올 화합물, 예를 들어, 아미노메탄디올, 아미노에탄디올 등을 포함한다. 카복실기를 가진 황 원자 함유 화합물의 예는 티오락트산, 티오디아세트산 및 티오말산 등을 포함한다. 광택제는 독립적으로, 또는 두개 이상의 배합으로 사용될 수 있다.

도금 용액에 첨가되는 광택제의 양은 일반적으로, 0.01 g/L 내지 50 g/L의 범위, 바람직하게는 0.1 g/L 내지 10 g/L의 범위이다.

본 발명의 산성 금 합금 도금 용액의 pH는 산성 영역으로 조절되었다. 바람직하게, pH는 3 내지 6의 범위이다. 더욱 바람직하게, pH는 3.5 내지 5의 범위로 조절되었다. 도금 용액의 pH는 알칼리 금속 하이드록시드, 예를 들어, 포타슘 하이드록시드, 또는 산성 물질, 예를 들어, 시트르산 또는 인산 등을 첨가함으로써 조절될 수 있다. 특히, pH 완충 효과를 가진 화합물은 바람직하게는 본 발명의 금 합금 도금 용액에 첨가된다. 시트르산, 타르타르산, 옥살산, 숙신산, 인산 및 아황산 및 그의 염은 pH 완충 효과를 가지는 화합물로 사용될 수 있다. pH 완충 효과를 가지는 이들 화합물을 첨가함으로써, 도금 용액의 pH는 정상 (steady) 레벨로 유지될 수 있고, 도금 작업은 장기간 동안 수행될 수 있다.

본 발명의 금 합금 도금 용액은 통상의 공지된 방법에 따라 사용하거나, 또는 상기 언급된 성분으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 도금 용액은 상기 언급된 양의 시안화금 또는 그의 염, 코발트 이온 공급원, 킬레이트제, 헥사메틸렌테트라민 및 광택제를 물에 동시에, 또는 개별적으로 첨가하고, 혼합한 후, pH 조절제 및 필요에 따라 pH 완충제를 첨가하여 pH를 조절함으로써 수득될 수 있다.

또한, 전도성 향상제, 항진균제 및 계면활성제 등이 또한 본 발명의 금 합금 도금 용액에 본 발명의 목적 및 효과로부터 이탈하지 않은 정도로 첨가될 수 있다.

본 발명의 금 합금 도금을 수행할 때, 도금 용액의 온도는 20 ℃ 내지 80 ℃의 범위, 바람직하게는 30 ℃ 내지 60 ℃의 범위여야 한다. 전류밀도는 0.1 내지 80 A/dm²의 범위일 수 있다. 특히, 본 발명의 도금 용액은 바람직하게는 10 내지 70 A/dm²의 범위, 더욱 바람직하게는 30 내지 50 A/dm²의 범위의 전류밀도를 사용한다. 양극은 바람직하게, 불용성 양극이다. 바람직하게, 금 합금 도금 용액은 전해 금 합금 도금을 수행하면서 혼합된다.

본 발명의 금 합금 도금 용액을 사용하는 커넥터 제조 방법은 통상의 공지된 방법일 수 있다. 커넥터와 같은 전자 부품상에 국소 경질 금 합금 도금을 수행하기 위한 표준 방법은 스팟 도금, 액체 표면을 제어하는 도금, 랙 도금 및 배럴 도금 등을 포함한다.

금 합금 도금 공정을 커넥터의 최종 표면에 수행할 때, 중간 금속 층, 예를 들어, 니켈 도금에 의해 제조된 니켈 필름은 바람직하게, 커넥터 부품의 표면상에 형성된다. 금 합금 도금 필름은 전도성 층, 예를 들어, 본 발명의 금 합금 도금 용액 및 스팟 전해 도금 방법을 사용하여 니켈 필름상에서 형성될 수 있다.

실시예 1-8

하기 물질로 구성된 금 코발트 도금 용액을 물질 베이스 배스 (base bath)로 제조하였다.

금 (I) 시안화칼륨 15 g/L (금으로 10 g/L)

염기성 코발트 카보네이트 1.16 g/L (코발트로 0.5 g/L)

트리 포타슘 시트레이트 모노하이드레이트 116 g/L

시트르산 무수물 66.11 g/L

헥사메틸렌테트라민 0.5 g/L

물 (탈이온수) 잔량

상기 도금 용액의 pH를 포타슘 하이드록시드를 사용하여 4.3으로 조절하였다.

실시예 1

상기 언급된 베이스 배스의 pH를 조절하기 전, 0.5 g/L의 니코틴산 (3-피리딘카복실산)을 광택제로 첨가하여, 실시예 1의 금 코발트 도금 배스를 제조한 후, pH를 4.3으로 조절하였다.

실시예 2 내지 8

하기 표 1에 나타낸 화합물을 니코틴산 대신에, 나타낸 농도로 첨가하는 것을 제외하고는 금 코발트 도금 용액을 실시예 1과 유사하게 제조하였다.

비교예 1

통상적인 경질 도금 용액의 실시예로서, 상기 언급된 베이스 배스의 헥사메틸렌 테트라민을 첨가하지 않는 것을 제외하고는, 베이스 배스로 동일한 금 코발트 도금 용액을 제조하였다.

비교예 2 내지 4

이미다졸을 표 1에 나타낸 양으로, 니코틴산 대신 첨가하는 것을 제외하고는 실시예 1과 유사하게 금 코발트 도금 용액을 제조하였다.

비교예 5 내지 7

표 1에 나타낸 화합물을 비교예 1의 금 코발트 도금 용액에 나타낸 농도로 첨가하여 금 코발트 도금 용액을 제조하였고, 그 후, pH를 4.3으로 조절하였다.

실시예 9 내지 11

1, 3 또는 5 g/L의 글리신을 실시예 1의 금 코발트 도금 용액에 추가로 첨가하여 구체예를 제조하고, 그 후, pH를 4.3으로 조절하였다.

헐 셀 테스트 ( Hull Cell Test )

헐 셀 테스트를 베이스 배스, 실시예 1 내지 11 및 비교예 1 내지 7에서 수행하였다.

백금을 입힌 티탄 (platinum clad titanium)을 불용성 양극으로, 그리고 니켈 도금 구리 헐 셀 패널 (니켈 도금 두께 0.1 ㎛)을 음극으로 사용하여, 양극 및 음극 사이에 2 암페어 (2 A)의 전류를 1분간 배스 온도 60 ℃에서 적용하여, 음극 흔들기 (cathode rocker)를 4 m/min의 속도로 교반하면서 헐 셀 테스트를 수행하였다.

헐 셀 패널상의 외관의 관찰 결과를 표 1에 나타내었다. 형광 X-선 마이크로필름 막후계 (thickness meter) (SII 제조 SFT-9400)를 사용하여 왼쪽 가장자리 (전류밀도가 높은 쪽) 1 cm의 위치로부터 헐 셀 패널의 바닥으로부터 1 cm의 위치에 1 cm의 간격으로 오른쪽 (전류밀도가 낮은 쪽)으로 총 9개의 위치 (왼쪽으로부터의 순서로 1 내지 9로 번호를 매김)에서 도금 필름을 측정하였다. 단위를 마이크로미터 (㎛)로 나타내었다.

표 1

표 2

표 1에서 볼 수 있듯이, 헐 셀 테스트의 결과로부터, 본 발명의 도금 용액은 넒은 광택 범위를 갖고, 높은 전류밀도에서라도 좋은 도금 필름을 분명하게 형성하였다. 또한, 표 2에 나타낸 바와 같이, 도금 침착이 낮은 전류밀도 영역에서 열악하다는 것을 확인하였다. 도금 침착이 낮은 전류밀도 부분에서 열악하기 때문에, 도금 필름의 침착은 침착을 원하지 않는 영역에서 발생하지 않을 것이고, 이는 도금 침착 선택성이 우수하다는 것을 의미한다.

스팟 도금 테스트 ( Spot plating test )

니켈 플레이트상에 베이스 필름으로 니켈 도금을 침착시킨 구리 플레이트를 도금용 물체로 제조하였다. 금 코발트 합금 도금 필름의 침착 선택성을 확인하기 위해, 실리콘 고무로 제조된 마스크를 구리 플레이트의 전체 표면상에 형성하고, 마스크의 중심 영역에서 원 (직경 10 mm)을 잘라내어 니켈 필름을 노출시켰다. 그러나, 에폭시 수지로 만들어진 0.5 mm 두께의 플레이트를 원형 개구부 영역 (가장자리로부터 1.5 mm) 근처에서 니켈 도금 층 및 마스크 층 사이에 삽입함으로써 원형 개구부의 가장자리를 따라 마스크 층 및 니켈 도금층 사이에 틈 (gap)을 형성하였다. 따라서, 도금할 물체를 도금 용액중에 담글 때, 도금 용액은 마스크 층 및 니켈 도금 층 사이의 틈으로 침투할 수 있었다. 마스크 층은 틈 영역의 위에 존재하기 때문에, 틈 영역은 전해 도중 개구부 영역보다 더 낮은 전류밀도를 가졌다.

상기 언급한 도금용 물체를 상기 언급한 실시예 7 내지 10 및 비교예 1에 다라 제조한 도금 용액중에 담근 후, 표 3에 나타낸 전류밀도에서 펌프로 교반하면서 배스 온도 60 ℃에서 백금을 입힌 티탄을 불용성 양극으로 사용하여 금 합금 도금을 수행하였다. 도금 시간은 각 경우에 2초였다. 침착시킨 도금의 외관을 시각적으로 확인하고, 결과를 표 3에 나타내었다. 이때, 금 코발트 합금 도금 필름을 도금용 물체의 원형 개구부 영역에서 0.3 내지 0.5 ㎛의 두께로 형성하였다. 마스크가 없는, 도금용 물체의 개구부 영역에서 떨어져 있는 영역에서의 침착 양을 도금 필름의 침착 선택성으로 측정하였다. 원형 개구부의 가장자리 (틈을 형성한 영역)로부터 0.5 mm 위치에 침착시킨 도금의 두께를 형광 X-선 마이크로필름 막후계 (SII 제조 SFT-9400)를 사용하여 측정하였다. 결과를 표 4에 나타내었다. 단위를 마이크로미터로 나타내었다 (㎛).

표 3

표 4

상기 언급된 구체예에서 나타낸 바와 같이, 본 발명의 산성 금 합금 도금 용액을 사용하여 전해 도금을 수행할 때, 광택 경질 금 합금 도금 필름을 광범위한 전류밀도에 걸쳐 원하는 위치, 특히, 높은 전류밀도 영역에 침착시킬 수 있고, 원하지 않는 영역에서 금 합금 도금 필름의 침착을 억제시킬 수 있고, 따라서, 증가한 침착 선택성을 가진 경질 금 합금 도금 필름을 제공할 수 있다.

Claims

시안화금 또는 그의 염; 코발트 이온; 킬레이트제; 헥사메틸렌 테트라민; 및 카복실기 또는 하이드록실기를 가진 질소 원자 함유 화합물, 또는 카복실기를 가진 황 원자 함유 화합물;을 함유하는 산성 금 합금 도금 용액을 제공하는 단계;
전기 부품을 제공하는 단계;
상기 전기 부품을 상기 산성 금 합금 도금 용액에 담그는 단계; 및
10 내지 70 A/dm²의 범위의 전류밀도에서 상기 전기 부품상에 금 합금을 전기도금하는 단계;를 포함하는,
전해 도금에 의하여 금 합금 도금 필름을 형성하는 방법.
제1항에 있어서, 도금 용액의 pH가 3 내지 6의 범위인 방법.
커넥터의 접촉 영역상에 니켈 도금을 수행하는 단계, 및
상기 니켈 도금상에 금 합금 도금을 수행하는 단계를 포함하며,
상기 금 합금 도금은, 10 내지 70 A/dm²의 범위의 전류밀도에서 시안화금 또는 그의 염; 코발트 이온; 킬레이트제; 헥사메틸렌 테트라민; 및 카복실기 또는 하이드록실기를 가진 질소 원자 함유 화합물, 또는 카복실기를 가진 황 원자 함유 화합물;을 함유하는 산성 금 합금 도금 용액을 사용하는 전해 도금인 것을 특징으로 하는,
금 합금 도금 필름으로 형성된 커넥터의 제조 방법.
제3항에 있어서, 전류밀도가 30 내지 50 A/dm²의 범위인 방법.
제3항에 있어서, 헥사메틸렌 테트라민이 0.05 g/L 내지 10 g/L의 범위의 양인 방법.
제3항에 있어서, 전해 도금이 스팟 도금인 방법.
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