JPH0422990B2 - - Google Patents
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- JPH0422990B2 JPH0422990B2 JP59103720A JP10372084A JPH0422990B2 JP H0422990 B2 JPH0422990 B2 JP H0422990B2 JP 59103720 A JP59103720 A JP 59103720A JP 10372084 A JP10372084 A JP 10372084A JP H0422990 B2 JPH0422990 B2 JP H0422990B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/567—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of platinum group metals
-
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/627—Electroplating characterised by the visual appearance of the layers, e.g. colour, brightness or mat appearance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
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Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 発明の目的
産業上の利用分野
この発明は高純度パラジウム・ニツケル合金メ
ツキ、特に電子部品のメツキとして好適な、析出
物中のニツケル含有比率の低い高純度パラジウ
ム・ニツケル合金メツキ液及び方法に関する。
ツキ、特に電子部品のメツキとして好適な、析出
物中のニツケル含有比率の低い高純度パラジウ
ム・ニツケル合金メツキ液及び方法に関する。
従来の技術
一般にパラジウムを含むメツキは、電気特性に
優れていること、そして金メツキなどの貴金属メ
ツキに比べて価格が安いことなどが広く知られて
いる。しかし、他の金属を含まない純粋のパラジ
ウムメツキは、析出物中に水素を吸蔵し易いため
内部応力が高くなつてクラツクが入り易くなつて
しまうという宿命的性質を有するために、例えば
特公昭46−25604号公報、特公昭47−18201号公
報、特公昭47−33177号公報、特公昭47−33178号
公報に示されている如く、従来よりニツケルを共
析させるパラジウム・ニツケル合金メツキが広く
利用されている。このパラジウム・ニツケル合金
メツキにより得られる析出物は、純粋のパラジウ
ムメツキと比べて、光沢性があるとともに水素吸
蔵が少なくて伸展性があり、従つてクラツクが非
常に少なく厚付け可能で密着性のある析出物を得
ることができるものである。
優れていること、そして金メツキなどの貴金属メ
ツキに比べて価格が安いことなどが広く知られて
いる。しかし、他の金属を含まない純粋のパラジ
ウムメツキは、析出物中に水素を吸蔵し易いため
内部応力が高くなつてクラツクが入り易くなつて
しまうという宿命的性質を有するために、例えば
特公昭46−25604号公報、特公昭47−18201号公
報、特公昭47−33177号公報、特公昭47−33178号
公報に示されている如く、従来よりニツケルを共
析させるパラジウム・ニツケル合金メツキが広く
利用されている。このパラジウム・ニツケル合金
メツキにより得られる析出物は、純粋のパラジウ
ムメツキと比べて、光沢性があるとともに水素吸
蔵が少なくて伸展性があり、従つてクラツクが非
常に少なく厚付け可能で密着性のある析出物を得
ることができるものである。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような従来のパラジウム・
ニツケル合金メツキにあつては、析出物中のニツ
ケル含有比率が高い（15％以上）ため、上記のよ
うな長所の反面、硝酸などの薬品におかされやす
く、電子部品など高品質のメツキが要求される分
野へは利用し難いものであつた。
ニツケル合金メツキにあつては、析出物中のニツ
ケル含有比率が高い（15％以上）ため、上記のよ
うな長所の反面、硝酸などの薬品におかされやす
く、電子部品など高品質のメツキが要求される分
野へは利用し難いものであつた。
しかしながら本発明者は種々の実験により析出
物中のニツケル含有比率が15％以下であると上記
不具合を解消できるとの知見を得た。
物中のニツケル含有比率が15％以下であると上記
不具合を解消できるとの知見を得た。
この発明はこのような従来技術に着目し上記知
見に基づいてなされたもので、パラジウム・ニツ
ケル合金メツキ本来の特性を損なうことなく、硝
酸などの薬品に対し純パラジウムメツキ同等の耐
薬品性のある析出物を得ることのできる高純度パ
ラジウム・ニツケル合金メツキのメツキ液及びそ
のメツキ方法を提供することを目的としている。
見に基づいてなされたもので、パラジウム・ニツ
ケル合金メツキ本来の特性を損なうことなく、硝
酸などの薬品に対し純パラジウムメツキ同等の耐
薬品性のある析出物を得ることのできる高純度パ
ラジウム・ニツケル合金メツキのメツキ液及びそ
のメツキ方法を提供することを目的としている。
(ロ) 発明の構成
問題点を解決するための手段
この発明に係る高純度パラジウム・ニツケル合
金メツキ液は、パラドスアンミンクロライドとし
て加えられたパラジウムを少なくとも５ｇ／、
及びニツケルを0.5〜５ｇ／、硫酸アンモニウ
ムを10〜100ｇ／、ホルミルベンゼンスルホン
酸ソーダを0.1〜５ｇ／含有したものである。
金メツキ液は、パラドスアンミンクロライドとし
て加えられたパラジウムを少なくとも５ｇ／、
及びニツケルを0.5〜５ｇ／、硫酸アンモニウ
ムを10〜100ｇ／、ホルミルベンゼンスルホン
酸ソーダを0.1〜５ｇ／含有したものである。
また、この発明に係る高純度パラジウム・ニツ
ケル合金メツキ方法は、前記高純度パラジウム・
ニツケル合金メツキ液を、PH６〜８に調整して、
析出物中のニツケル含有比率が１〜15％になるよ
うに施すものである。
ケル合金メツキ方法は、前記高純度パラジウム・
ニツケル合金メツキ液を、PH６〜８に調整して、
析出物中のニツケル含有比率が１〜15％になるよ
うに施すものである。
作 用
少なくとも５ｇ／のパラジウムをパラドスア
ンミンクロライドとして加えないと、メツキにい
わゆる「ヤケ」の現象が生じてしまう。従つて光
沢性があるとともに水素吸蔵が少なくて伸展性が
あり、クラツクが非常に少なく厚付け可能で密着
性のある析出物を得ることができるというパラジ
ウム・ニツケル合金メツキ本来の作用を損なうこ
とになつてしまう。またパラジウムは５ｇ／以
上であればいくら多くいれても構わない。
ンミンクロライドとして加えないと、メツキにい
わゆる「ヤケ」の現象が生じてしまう。従つて光
沢性があるとともに水素吸蔵が少なくて伸展性が
あり、クラツクが非常に少なく厚付け可能で密着
性のある析出物を得ることができるというパラジ
ウム・ニツケル合金メツキ本来の作用を損なうこ
とになつてしまう。またパラジウムは５ｇ／以
上であればいくら多くいれても構わない。
そしてニツケルはパラジウムの場合と同様に析
出物のニツケル含有比率を少なくとも１％以上と
するために0.5ｇ／以上加える。そして析出物
のニツケル含有比率を15％以内に抑えるためにニ
ツケルの添加量は５ｇ／未満でなければならな
い。
出物のニツケル含有比率を少なくとも１％以上と
するために0.5ｇ／以上加える。そして析出物
のニツケル含有比率を15％以内に抑えるためにニ
ツケルの添加量は５ｇ／未満でなければならな
い。
硫酸アンモニウムはニツケルの共析比率が１〜
15％の場合の光沢性を改善させるために必要で、
その添加量は少なくとも10ｇ／以上であり、
100ｇ／より多くは必要でない。
15％の場合の光沢性を改善させるために必要で、
その添加量は少なくとも10ｇ／以上であり、
100ｇ／より多くは必要でない。
そして、ホルミルベンゼンスルホン酸ソーダは
析出物の表面外観を均一にし、光沢の「むら」
「しみ」の発生を防止するために必要で添加量と
しては少なくとも0.1ｇ／以上で、５ｇ／よ
り多くは実用上必要でない。
析出物の表面外観を均一にし、光沢の「むら」
「しみ」の発生を防止するために必要で添加量と
しては少なくとも0.1ｇ／以上で、５ｇ／よ
り多くは実用上必要でない。
メツキ液のPHは、ほぼ中性の６〜８に保つのが
必須で、PH６以下では析出物が黒味をおび脆い状
態になり、PH８以上では、良好な析出物が得られ
るものの、PHを上昇させていくと次第にメツキ液
中のアンモニウム塩のアンモニウムが遊離してア
ンモニウム臭が強くなり作業性が悪くなるもので
ある。
必須で、PH６以下では析出物が黒味をおび脆い状
態になり、PH８以上では、良好な析出物が得られ
るものの、PHを上昇させていくと次第にメツキ液
中のアンモニウム塩のアンモニウムが遊離してア
ンモニウム臭が強くなり作業性が悪くなるもので
ある。
実施例
以下に代表的な実施例を示す。
実施例 １
メツキ液の組成：
パラドスアンミンクロライド
15ｇ／（Pdとして） 塩化ニツケル ２ｇ／（Niとして） 塩化アンモニウム 50ｇ／ スルフアミン酸アンモニウム 80ｇ／ 硫酸アンモニウム 40ｇ／ ホルミルベンゼンスルホン酸ソーダ １ｇ／ メツキ条件： アンモニア又は硫酸により PH7.0 温 度 50℃ 撹 拌 マグネチツクスターラにて中程度 陽 極 チタンに白金メツキした不溶性アノード 被メツキ物真鍮板（２×４cm）に光沢ニツケルを
約10μメツキし鏡面光沢に仕上げた上に金スト
ライクを施したテストピース 電流密度 1A／ｄm2 時 間 20分間 尚、組成中の塩化アンモニウム、スルフアミン
酸アンモニウムはメツキ液に導電性を付与するた
めのものであり、これらの他にリン酸アンモニウ
ム等の無機塩あるいはクエン酸アンモニウム等の
有機酸塩の１種又は２種以上の混合で用いられ、
その添加量としては50〜200ｇ／が適当である。
前述のように、メツキ液のPHは、ほぼ中性の６〜
８に保つのが必須で、PH６以下では析出物が黒味
をおび脆い状態になる。PH８以上においては、良
好な析出物が得られるものの、PHを上昇させてい
くと次第にメツキ液中のアンモニウム塩のアンモ
ニウムが遊離してアンモニウム臭が強くなり作業
性が悪くなるものである。
15ｇ／（Pdとして） 塩化ニツケル ２ｇ／（Niとして） 塩化アンモニウム 50ｇ／ スルフアミン酸アンモニウム 80ｇ／ 硫酸アンモニウム 40ｇ／ ホルミルベンゼンスルホン酸ソーダ １ｇ／ メツキ条件： アンモニア又は硫酸により PH7.0 温 度 50℃ 撹 拌 マグネチツクスターラにて中程度 陽 極 チタンに白金メツキした不溶性アノード 被メツキ物真鍮板（２×４cm）に光沢ニツケルを
約10μメツキし鏡面光沢に仕上げた上に金スト
ライクを施したテストピース 電流密度 1A／ｄm2 時 間 20分間 尚、組成中の塩化アンモニウム、スルフアミン
酸アンモニウムはメツキ液に導電性を付与するた
めのものであり、これらの他にリン酸アンモニウ
ム等の無機塩あるいはクエン酸アンモニウム等の
有機酸塩の１種又は２種以上の混合で用いられ、
その添加量としては50〜200ｇ／が適当である。
前述のように、メツキ液のPHは、ほぼ中性の６〜
８に保つのが必須で、PH６以下では析出物が黒味
をおび脆い状態になる。PH８以上においては、良
好な析出物が得られるものの、PHを上昇させてい
くと次第にメツキ液中のアンモニウム塩のアンモ
ニウムが遊離してアンモニウム臭が強くなり作業
性が悪くなるものである。
そしてこのような組成、条件のパラジウム・ニ
ツケル合金メツキにより得られた析出物は、もと
のテストピースの外観（金ストライクした外観）
と同等以上の鏡面光沢があり、メツキ厚も3μあ
り、良好な密着性を有したものであつた。同様の
メツキ液で電流密度3A／ｄm2とし７分間メツキ
した場合も光沢ある厚さ3μの良好な析出物が得
られた。
ツケル合金メツキにより得られた析出物は、もと
のテストピースの外観（金ストライクした外観）
と同等以上の鏡面光沢があり、メツキ厚も3μあ
り、良好な密着性を有したものであつた。同様の
メツキ液で電流密度3A／ｄm2とし７分間メツキ
した場合も光沢ある厚さ3μの良好な析出物が得
られた。
実施例 ２
メツキ液の組成：実施例１と同じ
メツキ条件：PH、温度、撹拌、陽極、実施例１と
同じ 被メツキ物真鍮板（２×４cm）に光沢ニツケルを
約10μメツキし鏡面光沢に仕上げたテストピー
ス。（金ストライクメツキを施さず。） 電流密度 1A／ｄm2、3A／ｄm2 時 間 35分、12分 この実施例においては上記に示すように、メツ
キ液は実施例１と同じものを用い、テストピース
は金ストライクを施さずに光沢ニツケルメツキを
施したものに直接パラジウム・ニツケル合金メツ
キを電流密度1A／ｄm2で35分、電流密度3A／ｄ
m2で12分間行つた。この実施例で金ストライクメ
ツキを施さなかつたのは、ニツケルメツキしたテ
ストピースの表面を若干不活性にしてパラジウ
ム・ニツケル合金のメツキ被膜の密着を故意に悪
くすることによりパラジウム・ニツケル合金メツ
キ被膜をメツキ後の分析のために容易に離脱させ
易くしたものである。この実施例で得られた析出
物は元のニツケルメツキによる表面より若干劣る
が光沢のある均一な外観を呈した。この２つのテ
ストピースの４側面をサンドペーパーで削つたと
ころ各々表裏２枚のパラジウム・ニツケル合金被
膜（シート）がテストピースから離脱された。こ
の被膜をマイクロメータで測定したところそれぞ
れ約5μの厚さを示した。この被膜の一部を王水
にて溶解し、析出物のニツケル含有比率を分析し
たところ各々3.5％、4.3％となつた。この析出物
の耐薬品性を比較するために本発明により得られ
たメツキ被膜とは別に、日本エレクトロプレイテ
イング・エンジニヤース(株)製のメツキ液「パラデ
ツクス（商品名）」により得られたニツケル含
有比率が20％のメツキ被膜と、同じく「パラデツ
クス（商品名）」によるニツケルを含有しない
純パラジウムのメツキ被膜を用意し、これらに濃
硝酸をスポイトにて滴下し、２分後の様子を観察
したところ純パラジウムと本発明による被膜はほ
とんど変化しなかつたが、ニツケル含有比率20％
の被膜の方は、濃硝酸にて黄褐色となり被膜は素
地が露出するほど溶解されていた。
同じ 被メツキ物真鍮板（２×４cm）に光沢ニツケルを
約10μメツキし鏡面光沢に仕上げたテストピー
ス。（金ストライクメツキを施さず。） 電流密度 1A／ｄm2、3A／ｄm2 時 間 35分、12分 この実施例においては上記に示すように、メツ
キ液は実施例１と同じものを用い、テストピース
は金ストライクを施さずに光沢ニツケルメツキを
施したものに直接パラジウム・ニツケル合金メツ
キを電流密度1A／ｄm2で35分、電流密度3A／ｄ
m2で12分間行つた。この実施例で金ストライクメ
ツキを施さなかつたのは、ニツケルメツキしたテ
ストピースの表面を若干不活性にしてパラジウ
ム・ニツケル合金のメツキ被膜の密着を故意に悪
くすることによりパラジウム・ニツケル合金メツ
キ被膜をメツキ後の分析のために容易に離脱させ
易くしたものである。この実施例で得られた析出
物は元のニツケルメツキによる表面より若干劣る
が光沢のある均一な外観を呈した。この２つのテ
ストピースの４側面をサンドペーパーで削つたと
ころ各々表裏２枚のパラジウム・ニツケル合金被
膜（シート）がテストピースから離脱された。こ
の被膜をマイクロメータで測定したところそれぞ
れ約5μの厚さを示した。この被膜の一部を王水
にて溶解し、析出物のニツケル含有比率を分析し
たところ各々3.5％、4.3％となつた。この析出物
の耐薬品性を比較するために本発明により得られ
たメツキ被膜とは別に、日本エレクトロプレイテ
イング・エンジニヤース(株)製のメツキ液「パラデ
ツクス（商品名）」により得られたニツケル含
有比率が20％のメツキ被膜と、同じく「パラデツ
クス（商品名）」によるニツケルを含有しない
純パラジウムのメツキ被膜を用意し、これらに濃
硝酸をスポイトにて滴下し、２分後の様子を観察
したところ純パラジウムと本発明による被膜はほ
とんど変化しなかつたが、ニツケル含有比率20％
の被膜の方は、濃硝酸にて黄褐色となり被膜は素
地が露出するほど溶解されていた。
実施例 ３
実施例１のメツキ液のニツケル添加量を、１
ｇ／、３ｇ／、５ｇ／、10ｇ／にして、
先の実施例と同様の方法でメツキを行い、ニツケ
ルの添加量と析出被膜のニツケル含有比率との関
係及び被膜の耐薬品性を比較してみた。得られた
被膜の外観は全て光沢のある良好なものであつ
た。そして被膜のニツケル含有比率を分析したと
ころ、順に1.5％、5.5％、15％、17.5％であつた。
また、これらの被膜を実施例２と同様にスポイト
にて濃硝酸を滴下したところ、ニツケル含有比率
17.5％のものだけ２分後には滴下された部分が濃
硝酸にて黄褐色となり、被膜は素地が露出する程
溶解された。
ｇ／、３ｇ／、５ｇ／、10ｇ／にして、
先の実施例と同様の方法でメツキを行い、ニツケ
ルの添加量と析出被膜のニツケル含有比率との関
係及び被膜の耐薬品性を比較してみた。得られた
被膜の外観は全て光沢のある良好なものであつ
た。そして被膜のニツケル含有比率を分析したと
ころ、順に1.5％、5.5％、15％、17.5％であつた。
また、これらの被膜を実施例２と同様にスポイト
にて濃硝酸を滴下したところ、ニツケル含有比率
17.5％のものだけ２分後には滴下された部分が濃
硝酸にて黄褐色となり、被膜は素地が露出する程
溶解された。
実施例 ４
また上記のメツキ組成・条件で、電子部品であ
るコネクターにパラジウム・ニツケル合金メツキ
を施したところ、電気特性及び耐薬品性共に優れ
たコネクターを得ることができた。そして、この
パラジウム・ニツケル合金メツキを施したコネク
ターに、金メツキ及び金合金メツキをそれぞれ施
したところ、純金メツキとほぼ同等の優れた電気
特性及び耐薬品性を示した。
るコネクターにパラジウム・ニツケル合金メツキ
を施したところ、電気特性及び耐薬品性共に優れ
たコネクターを得ることができた。そして、この
パラジウム・ニツケル合金メツキを施したコネク
ターに、金メツキ及び金合金メツキをそれぞれ施
したところ、純金メツキとほぼ同等の優れた電気
特性及び耐薬品性を示した。
(ハ) 効果
この発明に係る高純度パラジウム・ニツケル合
金メツキ液及び方法は以上説明してきた如き内容
のものなので、光沢性があるとともに水素吸蔵が
少なくて伸展性があり、従つてクラツクが非常に
少なく厚付け可能で密着性のある析出物を得るこ
とができるというパラジウム・ニツケル合金メツ
キ本来の特性を有すると同時に、その析出物は硝
酸などの薬品に対する耐薬品性を有し電子部品な
どのメツキに非常に有利であるという効果があ
る。
金メツキ液及び方法は以上説明してきた如き内容
のものなので、光沢性があるとともに水素吸蔵が
少なくて伸展性があり、従つてクラツクが非常に
少なく厚付け可能で密着性のある析出物を得るこ
とができるというパラジウム・ニツケル合金メツ
キ本来の特性を有すると同時に、その析出物は硝
酸などの薬品に対する耐薬品性を有し電子部品な
どのメツキに非常に有利であるという効果があ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ パラドスアンミンクロライドとして加えられ
たパラジウムを少なくとも５ｇ／、及びニツケ
ルを0.5〜５ｇ／、硫酸アンモニウムを10〜100
ｇ／、ホルミルベンゼンスルホン酸ソーダを
0.1〜５ｇ／含有したことを特徴とする高純度
パラジウム・ニツケル合金メツキ液。 ２ パラドスアンミンクロライドとして加えられ
たパラジウムを少なくとも５ｇ／、及びニツケ
ルを0.5〜５ｇ／、硫酸アンモニウムを10〜100
ｇ／、ホルミルベンゼンスルホン酸ソーダを
0.1〜５ｇ／含有した高純度パラジウム・ニツ
ケル合金メツキ液を、PH６〜８に調整して、析出
物中のニツケル含有比率が１〜15％になるように
施すことを特徴とする高純度パラジウム・ニツケ
ル合金メツキ方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103720A JPS60248892A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 高純度パラジウム・ニッケル合金メッキ液及び方法 |
| EP19850902643 EP0183852A4 (en) | 1984-05-24 | 1985-05-23 | HIGH-PURITY PALLADIUM-NICKEL ALLOY PLATING BATH, METHOD, AND ITEMS COATED WITH THIS ALLOY, AND ITEMS COATED WITH GOLD OR GOLD ALLOY. |
| US06/824,693 US4699697A (en) | 1984-05-24 | 1985-05-23 | High-purity palladium-nickel alloy plating solution and process |
| PCT/JP1985/000285 WO1985005381A1 (en) | 1984-05-24 | 1985-05-23 | High-purity palladium-nickel alloy plating bath, process therefor and alloy-covered articles and gold- or gold alloy-covered articles of alloy-covered articles |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103720A JPS60248892A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 高純度パラジウム・ニッケル合金メッキ液及び方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60248892A JPS60248892A (ja) | 1985-12-09 |
| JPH0422990B2 true JPH0422990B2 (ja) | 1992-04-21 |
Family
ID=14361520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59103720A Granted JPS60248892A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 高純度パラジウム・ニッケル合金メッキ液及び方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4699697A (ja) |
| EP (1) | EP0183852A4 (ja) |
| JP (1) | JPS60248892A (ja) |
| WO (1) | WO1985005381A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2186597B (en) * | 1986-02-17 | 1990-04-04 | Plessey Co Plc | Electrical contact surface coating |
| DE3809139A1 (de) * | 1988-03-18 | 1989-09-28 | Lpw Chemie Gmbh | Verwendung einer palladium/nickel-legierungsschicht als zwischenschicht zwischen einem nichtkorrosionsbestaendigen oder wenig korrosionsbestaendigen metallischen grundmaterial und einer nach dem pvd-verfahren aufgebrachten beschichtung |
| US4895771A (en) * | 1988-06-14 | 1990-01-23 | Ab Electronic Components Limited | Electrical contact surface coating |
| FR2638174B1 (fr) * | 1988-10-26 | 1991-01-18 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Procede de protection de surface de pieces metalliques contre la corrosion a temperature elevee, et piece traitee par ce procede |
| US5178745A (en) * | 1991-05-03 | 1993-01-12 | At&T Bell Laboratories | Acidic palladium strike bath |
| KR970067816A (ko) * | 1996-03-26 | 1997-10-13 | 이대원 | 집적회로용 리드프레임 및 그 제조방법 |
| GB2349391A (en) * | 1999-04-27 | 2000-11-01 | Mayfair Brassware Limited | Outer gold coated article |
| CN102098880B (zh) * | 2011-02-18 | 2012-12-26 | 深南电路有限公司 | 一种印刷线路板的表面处理方法 |
| CN102802364B (zh) * | 2012-09-11 | 2014-11-05 | 深圳市和美精艺科技有限公司 | 一种在印刷电路板的导电层中设置金属钯层的方法及其层状结构 |
| CN106480439A (zh) * | 2016-11-29 | 2017-03-08 | 江苏澳光电子有限公司 | 一种化学镀镍钯合金渡液及其应用 |
| CN113699566B (zh) * | 2021-09-28 | 2023-07-04 | 万明电镀智能科技(东莞)有限公司 | 耐阳极电解腐蚀的钯镍组合镀层及其电镀方法 |
| CN113737236B (zh) * | 2021-09-28 | 2023-06-16 | 万明电镀智能科技(东莞)有限公司 | 一种高耐蚀性复合镀层及其制备方法和应用 |
| CN113699565B (zh) * | 2021-09-28 | 2023-07-04 | 万明电镀智能科技(东莞)有限公司 | 高耐蚀性钯镍合金镀层及其电镀方法和钯镍镀层电镀液 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB958685A (en) * | 1960-10-11 | 1964-05-21 | Automatic Telephone & Elect | Improvements in or relating to palladium plating |
| JPS4733176B1 (ja) * | 1967-01-11 | 1972-08-23 | ||
| JPS4733177B1 (ja) * | 1967-05-08 | 1972-08-23 | ||
| CH572989A5 (ja) * | 1973-04-27 | 1976-02-27 | Oxy Metal Industries Corp | |
| JPS5677352A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-25 | Seiko Epson Corp | Exterior decorative parts for pocket watch |
| JPS5929118B2 (ja) * | 1980-09-19 | 1984-07-18 | セイコーエプソン株式会社 | パラジウム・ニツケル合金メツキ液 |
| JPS5760090A (en) * | 1980-09-29 | 1982-04-10 | Nisshin Kasei Kk | Supplying method for palladium to palladium-nickel alloy plating solution |
| JPS5861296A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-12 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 時計用外装部品 |
| DE3227723C1 (de) * | 1982-07-24 | 1984-03-15 | LPW-Chemie GmbH, 4040 Neuss | Verfahren zum galvanischen Abscheiden einer Palladium/Nickel-Legierung |
-
1984
- 1984-05-24 JP JP59103720A patent/JPS60248892A/ja active Granted
-
1985
- 1985-05-23 EP EP19850902643 patent/EP0183852A4/en not_active Withdrawn
- 1985-05-23 US US06/824,693 patent/US4699697A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-05-23 WO PCT/JP1985/000285 patent/WO1985005381A1/ja not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60248892A (ja) | 1985-12-09 |
| EP0183852A4 (en) | 1986-07-17 |
| WO1985005381A1 (en) | 1985-12-05 |
| EP0183852A1 (en) | 1986-06-11 |
| US4699697A (en) | 1987-10-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |