JPS5824509B2 - 銀パラジウム合金メツキ液及び銀パラジウム合金メツキ方法 - Google Patents
銀パラジウム合金メツキ液及び銀パラジウム合金メツキ方法Info
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- JPS5824509B2 JPS5824509B2 JP5998380A JP5998380A JPS5824509B2 JP S5824509 B2 JPS5824509 B2 JP S5824509B2 JP 5998380 A JP5998380 A JP 5998380A JP 5998380 A JP5998380 A JP 5998380A JP S5824509 B2 JPS5824509 B2 JP S5824509B2
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- palladium
- plating
- cyanide
- palladium alloy
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は銀パラジウム合金のメッキ液及び同合金のメッ
キ方法に関する。
キ方法に関する。
従来銀メッキはその導電性の良好なため電気工業関係に
広く利用され、また装飾用その他にも利用されているが
、通常の銀メッキは酸化され易いこと、硫化され易いこ
とからメッキ表面の耐食性、耐変色性を持たせるためt
こ後処理として、クロメート処理、ロジウムメッキ、白
金メッキ等を施すことが従来必要とされている。
広く利用され、また装飾用その他にも利用されているが
、通常の銀メッキは酸化され易いこと、硫化され易いこ
とからメッキ表面の耐食性、耐変色性を持たせるためt
こ後処理として、クロメート処理、ロジウムメッキ、白
金メッキ等を施すことが従来必要とされている。
特に電気接点用の銀糸材料としては、従来銀メッキでは
良好な耐久性を得ることが困難であり、例えば銀パラジ
ウム合金材をはり合わせ或いはクラッドしたものが用い
られている。
良好な耐久性を得ることが困難であり、例えば銀パラジ
ウム合金材をはり合わせ或いはクラッドしたものが用い
られている。
これをメッキ法により形成できれば、その工業的、経済
的効果は計り知れないものがある。
的効果は計り知れないものがある。
然し、従来のパラジウムメッキ浴としては、塩化系パラ
ジウム浴は可能であったが、シアン化系パラジウム浴で
は、電着不可能とされていた。
ジウム浴は可能であったが、シアン化系パラジウム浴で
は、電着不可能とされていた。
一方銀メツキ浴lこおいては、塩素イオンの存在は不溶
性AgC11の析出ないし沈殿により生ずる弊害のため
最も有害とされており、そのため、従来は銀パラジウム
系のメッキは困難ないし不可能視されていたものである
。
性AgC11の析出ないし沈殿により生ずる弊害のため
最も有害とされており、そのため、従来は銀パラジウム
系のメッキは困難ないし不可能視されていたものである
。
本発明は、上述の従来技術の困難を除去、解決し耐食性
及び耐変色性に優れた新規な銀パラジウム系合金メッキ
液及び同合金メッキ方法を提供することを目的とする。
及び耐変色性に優れた新規な銀パラジウム系合金メッキ
液及び同合金メッキ方法を提供することを目的とする。
即ち、本発明の銀パラジウム合金メッキ液は、シアン化
パラジウムアルカリとしてのパラジウム1−50 1〜30ji/l及び遊離シアン化アルカリ0,1〜3
0 0 i/13を含有する水溶液から成ることを特
徴とする。
パラジウムアルカリとしてのパラジウム1−50 1〜30ji/l及び遊離シアン化アルカリ0,1〜3
0 0 i/13を含有する水溶液から成ることを特
徴とする。
さらに、本発明のメッキ方法は、上記メッキ液番こ必要
に応じ塩素を含有しない…調整剤を付加的に添加し弱酸
性ないしアルカリ性においてメッキ処理することを特徴
とする。
に応じ塩素を含有しない…調整剤を付加的に添加し弱酸
性ないしアルカリ性においてメッキ処理することを特徴
とする。
以下、本発明に2いて詳述する。
本発明のメッキ浴は、シアン浴とし、パラジウムはシア
ン化パラジウムアルカリ、好ましくはシアン化パラジウ
ムカリとして、銀はシアン化銀アルカリ、好ましくはシ
アン化銀カリウムとして含有し、さらに遊離シアン化ア
ルカリを含有して本質土酸る。
ン化パラジウムアルカリ、好ましくはシアン化パラジウ
ムカリとして、銀はシアン化銀アルカリ、好ましくはシ
アン化銀カリウムとして含有し、さらに遊離シアン化ア
ルカリを含有して本質土酸る。
従来パラジウムメッキ浴として用いられている塩化系パ
ラジウムを用いることなく、ノタラジウムを銀量様シア
ン化アルカリ化合物として含有することにより、本発明
はAgC1の析出、沈殿生成の問題を生じない安定な銀
、パラジウム混合液を得ることができた。
ラジウムを用いることなく、ノタラジウムを銀量様シア
ン化アルカリ化合物として含有することにより、本発明
はAgC1の析出、沈殿生成の問題を生じない安定な銀
、パラジウム混合液を得ることができた。
特にシアン化系パラジウムは、単独では電着不可能であ
るが、銀との混合液としたことにより銀とパラジウムが
合金化して共析することが本発明により明らかとなった
ものである。
るが、銀との混合液としたことにより銀とパラジウムが
合金化して共析することが本発明により明らかとなった
ものである。
本メツキ液中のシアン化パラジウムアルカリとしてのパ
ラジウム濃度は1〜509/lとする。
ラジウム濃度は1〜509/lとする。
その下限は実際上のメッキ効果ないし効率lこより定ま
り、上限は主として経済的理由による。
り、上限は主として経済的理由による。
シアン化銀アルカリとしての銀のメッキ液中濃度の下限
Lji/1.も実際上の効果ないし効率から定まり上限
濃度の30i/11は経済的理由から定まる。
Lji/1.も実際上の効果ないし効率から定まり上限
濃度の30i/11は経済的理由から定まる。
なお、シアン化アルカリはメッキ浴の安定剤および析出
物の光沢剤として作用しシアン化アルカリ(遊離)とし
ては、好ましくは、シアン化カリを用い、その含有量は
0.1〜300 jJ/lとする。
物の光沢剤として作用しシアン化アルカリ(遊離)とし
ては、好ましくは、シアン化カリを用い、その含有量は
0.1〜300 jJ/lとする。
遊離シアン化アルカリは浴を弱酸性とする場合0.1g
/13で良く、鏡面光沢メッキを得るには濃度が高い方
が好ましく、その効果は300 g/11までである。
/13で良く、鏡面光沢メッキを得るには濃度が高い方
が好ましく、その効果は300 g/11までである。
メッキ液のpHは必要番こ応し弱酸性〜アルカリ性の範
囲に適宜塩素を含有しないpH調整剤により調整する。
囲に適宜塩素を含有しないpH調整剤により調整する。
但しpH14に近いとき6却H調整剤は用いなくてもよ
い。
い。
凡そpH6〜pH14の範囲内でpHの上昇と共番こ析
出物中の銀濃度が上昇する。
出物中の銀濃度が上昇する。
pHが約6より下になるとシアン化銀アルカリの分解番
こよりシアン化銀の沈殿物の生成が起りメッキ液失調と
なる。
こよりシアン化銀の沈殿物の生成が起りメッキ液失調と
なる。
なお浴温は30〜70℃の範囲で行うことができる。
この範囲は必ずしも限定的なものでなく、下限はメッキ
速度等の観点から、また上限は、一般的に用いられる塩
化ビニル製等の装置の耐熱性等の観点からして主として
規定されるものであ4本発明においては、析出合金の組
成は主としてメッキ液中の金属イオン濃度によって調整
するが、電流密度、pH及び浴温を適宜調整すること(
こよっても、上記析出合金の組成をコントロールするこ
とが可能である。
速度等の観点から、また上限は、一般的に用いられる塩
化ビニル製等の装置の耐熱性等の観点からして主として
規定されるものであ4本発明においては、析出合金の組
成は主としてメッキ液中の金属イオン濃度によって調整
するが、電流密度、pH及び浴温を適宜調整すること(
こよっても、上記析出合金の組成をコントロールするこ
とが可能である。
析出物の色調は白色を有し光沢性も安定している。
なお、pH調整剤としては、塩素を含有しないもの例え
ばクエン酸、酒石酸、酢酸、スルファミン酸等を用いる
ことが好ましい。
ばクエン酸、酒石酸、酢酸、スルファミン酸等を用いる
ことが好ましい。
本発明において、メッキ厚は適宜調整され1〜10μの
ものは自由に得られる。
ものは自由に得られる。
以上詳述の通り、本発明(こより、従来困難であった銀
パラジウム合金のメッキが可能となり、銀メッキに固有
の欠点とされていた耐食性、耐変色性の不足を解決でき
た。
パラジウム合金のメッキが可能となり、銀メッキに固有
の欠点とされていた耐食性、耐変色性の不足を解決でき
た。
本発明の銀パラジウム合金メッキを施した材料は、電気
接点、特に微小接点として、優れた導電性及び耐食件数
に有用であり、その他装飾用、工業用に広汎な用途を提
供するものである。
接点、特に微小接点として、優れた導電性及び耐食件数
に有用であり、その他装飾用、工業用に広汎な用途を提
供するものである。
以下、本発明の実施例を示す。
実施例 1
シアン化パラジウムカリウムの形で、パラジウム10.
0,9/l、シアン化銀カリウムの形で銀2.59/l
、遊離シアン化カリウム200 g/lをイオン交換水
に溶解してメッキ液を調整し、メッキ条件として浴温5
0℃、pH14、電流密度2A/dm”rこおいてニッ
ケル下地メッキ板を陰極とし、陽極を白金メッキチタン
板として5分間通電し、メッキ処理を行った。
0,9/l、シアン化銀カリウムの形で銀2.59/l
、遊離シアン化カリウム200 g/lをイオン交換水
に溶解してメッキ液を調整し、メッキ条件として浴温5
0℃、pH14、電流密度2A/dm”rこおいてニッ
ケル下地メッキ板を陰極とし、陽極を白金メッキチタン
板として5分間通電し、メッキ処理を行った。
その結果電着厚み3μの銀パラジウム合金メッキ膜が析
出した。
出した。
メッキ析出層の合金品位は銀80重量%、パラジウム2
0重量%であった。
0重量%であった。
表面は銀の白い色調を示し、H2Sガス5容量%含有の
雰囲気中において24時間曝気の結果変色は認められな
かった。
雰囲気中において24時間曝気の結果変色は認められな
かった。
実施例 2
シアン化パラジウムカリウムの形でのパラジウム10g
/l、シアン化銀カリウムの形での銀2.59/l、シ
アン化カリウム0.IS/lをイオン交換水に溶解し、
さらにクエン酸を適当量添加してpH6,0のメッキ液
を得た。
/l、シアン化銀カリウムの形での銀2.59/l、シ
アン化カリウム0.IS/lをイオン交換水に溶解し、
さらにクエン酸を適当量添加してpH6,0のメッキ液
を得た。
実施例1と同様の陰極、陽極を配し、メッキ条件として
、浴温30QC1電流密度I A/d rtlにおいて
、2.5分間通電メッキ処理を行い、電着厚み1.5μ
のメッキ層を形成した。
、浴温30QC1電流密度I A/d rtlにおいて
、2.5分間通電メッキ処理を行い、電着厚み1.5μ
のメッキ層を形成した。
生成メッキ層の組成は、重量比で銀67%、パラジウム
33%であり、白い光沢を示した。
33%であり、白い光沢を示した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 シアン化パラジウムアルカリとしてのパラジウム1
−50 の銀1〜30jj/l及び遊離シアン化アルカリ0、1
〜3 0 0 fl/lを含有する水溶液から成る銀パ
ラジウム合金電気メツキ液。 2 シアン化パラジウムアルカリとしてのパラジウム1
〜5og7i,シアン化銀アルカリとしての銀1〜3
0 p/l及び遊離シアン化アルカリ’0. 1〜30
01/lを含有する水溶液から成るメッキ液を使用して
pH6〜14、浴温度30〜70℃の範囲で電気メツキ
処理することを特徴とする銀パラジウム合金メッキ方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5998380A JPS5824509B2 (ja) | 1980-05-08 | 1980-05-08 | 銀パラジウム合金メツキ液及び銀パラジウム合金メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5998380A JPS5824509B2 (ja) | 1980-05-08 | 1980-05-08 | 銀パラジウム合金メツキ液及び銀パラジウム合金メツキ方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56156790A JPS56156790A (en) | 1981-12-03 |
JPS5824509B2 true JPS5824509B2 (ja) | 1983-05-21 |
Family
ID=13128908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5998380A Expired JPS5824509B2 (ja) | 1980-05-08 | 1980-05-08 | 銀パラジウム合金メツキ液及び銀パラジウム合金メツキ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5824509B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6230778B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2017-11-15 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置用電解銀めっき液 |
JP5687667B2 (ja) * | 2012-08-21 | 2015-03-18 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | シアン系金−パラジウム合金めっき液及びめっき方法 |
US8877630B1 (en) * | 2013-11-12 | 2014-11-04 | Chipmos Technologies Inc. | Semiconductor structure having a silver alloy bump body and manufacturing method thereof |
JP6318613B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2018-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用リードフレーム又は基板に用いられるめっき液、並びに、それを用いて製造されるリードフレーム又は基板、及びその製造方法、及びそれを備える発光装置 |
-
1980
- 1980-05-08 JP JP5998380A patent/JPS5824509B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS56156790A (en) | 1981-12-03 |
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