JPS61238994A - パラジウム‐ニツケル合金の析出のための方法 - Google Patents
パラジウム‐ニツケル合金の析出のための方法Info
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- JPS61238994A JPS61238994A JP61052751A JP5275186A JPS61238994A JP S61238994 A JPS61238994 A JP S61238994A JP 61052751 A JP61052751 A JP 61052751A JP 5275186 A JP5275186 A JP 5275186A JP S61238994 A JPS61238994 A JP S61238994A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/567—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of platinum group metals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基体上へのパラジウム−ニッケル合金を電着
によって析出させることに関する。
によって析出させることに関する。
特K、本発明は析出した合金の組成を再現可能なやり方
で制御することができる電着方法を提供することに関す
る。本発明は、広い操作−L b:L密度範囲にわたっ
て光輝性をもつ(むらのないサテン状光沢外観の)析出
物、を提供することに特に関する。加えて本発明は、こ
の目的のための電気メッキ浴に関する。
で制御することができる電着方法を提供することに関す
る。本発明は、広い操作−L b:L密度範囲にわたっ
て光輝性をもつ(むらのないサテン状光沢外観の)析出
物、を提供することに特に関する。加えて本発明は、こ
の目的のための電気メッキ浴に関する。
種々の回路接点を作るのに使用される電気部品は小さい
、安定な接触抵抗を保有するものでなければならず、こ
れは接点金属が良導体でかつ時間とともに実質的に劣化
しない場合にのみ保証され得る。金および白金族の金属
のような貴金属は電気接点を腐食から保護するのに使用
でき、同時にハンダ付は性と低荷重における小さい電気
接触抵抗をもたらす。このような被覆材は比較的小さな
化学反応性を有し、かつ耐酸化性である。しかしながら
、このような被覆材は非常に高価である。
、安定な接触抵抗を保有するものでなければならず、こ
れは接点金属が良導体でかつ時間とともに実質的に劣化
しない場合にのみ保証され得る。金および白金族の金属
のような貴金属は電気接点を腐食から保護するのに使用
でき、同時にハンダ付は性と低荷重における小さい電気
接触抵抗をもたらす。このような被覆材は比較的小さな
化学反応性を有し、かつ耐酸化性である。しかしながら
、このような被覆材は非常に高価である。
このような被覆材の低価格の代替物が提唱されてきた。
一つの特に良い例はパラジウム−ニッケル合金である。
これはカリクチオ、ジュニア(Caricchio、
Jr、)その他に対する米国特許第4.100,039
号に開示された方法に従ってメッキできる。米国特許第
4,100,039号に開示された方法は、全く適切な
ものであるとはいえ、これはいくつかの欠点をともなう
。特にメッキした合金中のパラジウムの量は、浴の使用
と老化によって所望のものより多くなる傾向がある。ま
た、むらのないサテン状光沢外観をもつ被膜を得る九め
には、米国特許第4,100,039号に開示され次組
成に亜硫酸イオンを含有させる。さらに、米国特許第4
,100,039号に開示された方法に従って作った被
膜中により高いニッケル濃度を得るととは非常に困難で
ある。
Jr、)その他に対する米国特許第4.100,039
号に開示された方法に従ってメッキできる。米国特許第
4,100,039号に開示された方法は、全く適切な
ものであるとはいえ、これはいくつかの欠点をともなう
。特にメッキした合金中のパラジウムの量は、浴の使用
と老化によって所望のものより多くなる傾向がある。ま
た、むらのないサテン状光沢外観をもつ被膜を得る九め
には、米国特許第4,100,039号に開示され次組
成に亜硫酸イオンを含有させる。さらに、米国特許第4
,100,039号に開示された方法に従って作った被
膜中により高いニッケル濃度を得るととは非常に困難で
ある。
本発明によれば、パラジウム−ニッケル合金が比較的高
速度で再現可能に析出させることができる。加えて、本
発明によれば析出した合金の組成は米国特許第4.1
D CLD 59号に開示された浴と比較してより簡単
に制御でき、かつ浴の老化による変化に対しての感受性
がより小さい。
速度で再現可能に析出させることができる。加えて、本
発明によれば析出した合金の組成は米国特許第4.1
D CLD 59号に開示された浴と比較してより簡単
に制御でき、かつ浴の老化による変化に対しての感受性
がより小さい。
加えて、本発明は浴および/または操作条件のある種の
パラメーターを変化させることによって析出した合金の
組成をよりたやすく変化させることを可能とする。本発
明は、米国特許第4.110,039号に開示された方
法と比較して、より高いニッケル濃度をもつ被膜をより
たやすく得ることを可能とする。加えて、本発明の浴は
従来のパラジウム−ニッケル電気メッキ浴はどに注意深
いある種のパラメーターの調整を必要としない。
パラメーターを変化させることによって析出した合金の
組成をよりたやすく変化させることを可能とする。本発
明は、米国特許第4.110,039号に開示された方
法と比較して、より高いニッケル濃度をもつ被膜をより
たやすく得ることを可能とする。加えて、本発明の浴は
従来のパラジウム−ニッケル電気メッキ浴はどに注意深
いある種のパラメーターの調整を必要としない。
特に本発明は、下記の組成からなるバラジクムーニッケ
ル合金の析出の之めの水性電気メッキ浴に関する。
ル合金の析出の之めの水性電気メッキ浴に関する。
(a) 塩化/ミラドサミン(palladosam
ine chloride )から生じる約9〜約15
/i/lのパラジウムイオン、 (b) 約10〜約24 g/lのニッケルイオン、
(C) 約10〜約s o i7tの硫酸アンモニウ
ム、(d) 約10〜約5 a y7tの塩化アンモ
ニウム、および (e) pH’を約7.0〜約8.6にし、かつパラ
ジウムとニッケルの金属イオン金可溶化して可溶性アン
モニア錯体にするのに充分な盆の水酸化アンモニウム。
ine chloride )から生じる約9〜約15
/i/lのパラジウムイオン、 (b) 約10〜約24 g/lのニッケルイオン、
(C) 約10〜約s o i7tの硫酸アンモニウ
ム、(d) 約10〜約5 a y7tの塩化アンモ
ニウム、および (e) pH’を約7.0〜約8.6にし、かつパラ
ジウムとニッケルの金属イオン金可溶化して可溶性アン
モニア錯体にするのに充分な盆の水酸化アンモニウム。
加えて本発明は、基体にパラジウム−ニッケル合金を析
出するための方法に関する。この方法は、上述した水性
電気メッキ浴に陽極を浸漬し、被覆すべき基体を浴中に
陽極と間隔を置いた関係で浸漬することからなる。メッ
キ電流は浴に印加され浴の温度はメッキ中約15.6℃
(約60″F)〜約62.2℃(約90″F)に維持さ
れる。
出するための方法に関する。この方法は、上述した水性
電気メッキ浴に陽極を浸漬し、被覆すべき基体を浴中に
陽極と間隔を置いた関係で浸漬することからなる。メッ
キ電流は浴に印加され浴の温度はメッキ中約15.6℃
(約60″F)〜約62.2℃(約90″F)に維持さ
れる。
〔発明を実施するための最善の各種の態様〕本発明によ
れば、水性電気メッキ浴は塩化パラドサミンから生じる
パラジウムイオンを約9〜約1511/l、好ましくは
約10〜約12.5V、!含有する。メッキ浴は、さら
にニッケルイオンを約10〜約2411/l、好ましく
は約12〜約2011/を含有する。ニッケルイオン源
はスルファミン酸ニックル、塩化ニッケル、硫酸ニッケ
ルなどのニッケル塩でありうるものである。所望によっ
てはこれらの塩の混合物も使用できる。
れば、水性電気メッキ浴は塩化パラドサミンから生じる
パラジウムイオンを約9〜約1511/l、好ましくは
約10〜約12.5V、!含有する。メッキ浴は、さら
にニッケルイオンを約10〜約2411/l、好ましく
は約12〜約2011/を含有する。ニッケルイオン源
はスルファミン酸ニックル、塩化ニッケル、硫酸ニッケ
ルなどのニッケル塩でありうるものである。所望によっ
てはこれらの塩の混合物も使用できる。
本発明によるメッキ浴は、また硫駿アンモニウム金約1
0〜約s o i7t 、好ましくは約25〜約501
1/l 、および塩化アンモニウムを約10〜約s o
i7t、好ましくは約20〜約s o i7を含有す
る。硫酸アンモニウムと塩化アンモニウムの両方の塩を
使用することが本発明の実施に当って重要である。アン
モニウム塩の特別の組み合わせを使用することによって
、得られた被覆析出物はむらのないサテン状の光沢外観
をなす光輝性あるものである。これは、米国特許第4.
100.039号にこのよつな目的のために開示された
亜硫酸塩のような光沢剤ま次はウブテグ27 (Upt
egraff)に対する米国特許第4.464060号
で提唱されている各種の有機光沢剤の添加を必要とせず
に遂行される。このような光沢剤を用いないでも、なお
かつ光沢光輝性の被覆を得られることは、従来技術で提
唱された光沢剤は使用量をモニターしかつ管理または調
整するのが困難なので特に重要な利点である。例えば、
従来技術の浴中の光沢剤レベルのわずかな変化は析出物
にかなりの変化をもたらす。
0〜約s o i7t 、好ましくは約25〜約501
1/l 、および塩化アンモニウムを約10〜約s o
i7t、好ましくは約20〜約s o i7を含有す
る。硫酸アンモニウムと塩化アンモニウムの両方の塩を
使用することが本発明の実施に当って重要である。アン
モニウム塩の特別の組み合わせを使用することによって
、得られた被覆析出物はむらのないサテン状の光沢外観
をなす光輝性あるものである。これは、米国特許第4.
100.039号にこのよつな目的のために開示された
亜硫酸塩のような光沢剤ま次はウブテグ27 (Upt
egraff)に対する米国特許第4.464060号
で提唱されている各種の有機光沢剤の添加を必要とせず
に遂行される。このような光沢剤を用いないでも、なお
かつ光沢光輝性の被覆を得られることは、従来技術で提
唱された光沢剤は使用量をモニターしかつ管理または調
整するのが困難なので特に重要な利点である。例えば、
従来技術の浴中の光沢剤レベルのわずかな変化は析出物
にかなりの変化をもたらす。
本発明の電気メッキ浴はまた。pHを約7.0〜約8.
5、好ましくは約17〜約8.1にするための水酸化ア
ンモニウムの十分なtk金含有る。
5、好ましくは約17〜約8.1にするための水酸化ア
ンモニウムの十分なtk金含有る。
水酸化アンモニウムはメッキ浴中でパラジウムとニッケ
ルの金属イオンを可溶化して可溶性のアンモニア錯体に
する。水酸化アンモニウムは、好ましくは約25 wt
%〜約30 wt%のアンモニアを含有する濃縮水溶液
として加える。
ルの金属イオンを可溶化して可溶性のアンモニア錯体に
する。水酸化アンモニウムは、好ましくは約25 wt
%〜約30 wt%のアンモニアを含有する濃縮水溶液
として加える。
本発明において選択される諸パラメータの観点から、メ
ッキ層はニッケルの含有量が増加したものであるが、こ
れはニッケルがこの合金全構成する金属のうちの安い方
のものであるので望ましい。本発明の浴は従来のニッケ
ルーパラジウムメッキ浴に比較してより少ない量のアン
モニアガスを含み、それ故アンモニウムイオン−に対す
るアンモニアガスの割9合がより小さい。
ッキ層はニッケルの含有量が増加したものであるが、こ
れはニッケルがこの合金全構成する金属のうちの安い方
のものであるので望ましい。本発明の浴は従来のニッケ
ルーパラジウムメッキ浴に比較してより少ない量のアン
モニアガスを含み、それ故アンモニウムイオン−に対す
るアンモニアガスの割9合がより小さい。
メッキ浴中のアンモニウムイオンに対するアンモニアの
この割合は、いかなる型の錯体がニッケルと形成される
かを支配する。例えばアンモニアガスの量が多くなれば
、形成される錯体はアンモニアイオンの量のより少ない
場合ではニッケルテトラアミ/であるのに比べて、ニッ
ケルへキサアミンである。アンモニアの量のより少い錯
体(6個のアミン基とは対照的に4個のアミノ基)はよ
り容易に析出する傾向があるので、この割合は重要にな
る。本発明の浴中のアンモニウムイオンに対するアンモ
ニアガスの割合は約0.1より小さく、好ましくは約0
.05より小さい。ニッケルは従来のメッキ浴と比較し
てより容易に析出するのみならず、浴はより安定である
。従来の浴の緩衝作用は系から抜は出てしまう傾向のあ
るアンモニアガスによってなされているので、浴を本発
明の浴と比較してどちらかというと不安定にする。本発
明の浴は揮発によって抜は出さない硫酸塩イオン系によ
って緩衝されている。
この割合は、いかなる型の錯体がニッケルと形成される
かを支配する。例えばアンモニアガスの量が多くなれば
、形成される錯体はアンモニアイオンの量のより少ない
場合ではニッケルテトラアミ/であるのに比べて、ニッ
ケルへキサアミンである。アンモニアの量のより少い錯
体(6個のアミン基とは対照的に4個のアミノ基)はよ
り容易に析出する傾向があるので、この割合は重要にな
る。本発明の浴中のアンモニウムイオンに対するアンモ
ニアガスの割合は約0.1より小さく、好ましくは約0
.05より小さい。ニッケルは従来のメッキ浴と比較し
てより容易に析出するのみならず、浴はより安定である
。従来の浴の緩衝作用は系から抜は出てしまう傾向のあ
るアンモニアガスによってなされているので、浴を本発
明の浴と比較してどちらかというと不安定にする。本発
明の浴は揮発によって抜は出さない硫酸塩イオン系によ
って緩衝されている。
米国特許第4,100,039号に開示された好ましい
一範囲と比較して本発明におけるpl(範囲を用いると
、米国特許第4,100,039号の提唱に従ったもの
で観察される変化と比較して、メッキされた組成物中の
変化はより少ない。特にメッキされた層の組成は本発明
において要求される好ましい範囲にわたってpHi変化
させても約2%変っただけである。他方米国特許第4,
100,039号に従ってp!(全豹8.8〜約95の
間で変化させると析出した合金の変化は約8チになる。
一範囲と比較して本発明におけるpl(範囲を用いると
、米国特許第4,100,039号の提唱に従ったもの
で観察される変化と比較して、メッキされた組成物中の
変化はより少ない。特にメッキされた層の組成は本発明
において要求される好ましい範囲にわたってpHi変化
させても約2%変っただけである。他方米国特許第4,
100,039号に従ってp!(全豹8.8〜約95の
間で変化させると析出した合金の変化は約8チになる。
したがって、本発明は析出した層に相当の影響金及ぼす
ことなく、本発明で使用する好ましい聞範囲にわたって
実施できる。したがって−は1本発明で必要とされる範
囲内に維持することが必要なだけで、範囲それ自体内で
厳密に調整しなくてよい。さらに米国特許第4,100
,039号の浴中のアンモニウムイオン(塩化アンモニ
ウムおよび/またはスルファミン酸アンモニウム)の量
の変化は、本発明の浴中の塩化アンモニウムおよび/ま
たは硫酸アンモニウムの変化に比べて、析出した合金に
より大きな変化をもたらす。
ことなく、本発明で使用する好ましい聞範囲にわたって
実施できる。したがって−は1本発明で必要とされる範
囲内に維持することが必要なだけで、範囲それ自体内で
厳密に調整しなくてよい。さらに米国特許第4,100
,039号の浴中のアンモニウムイオン(塩化アンモニ
ウムおよび/またはスルファミン酸アンモニウム)の量
の変化は、本発明の浴中の塩化アンモニウムおよび/ま
たは硫酸アンモニウムの変化に比べて、析出した合金に
より大きな変化をもたらす。
これは特に重要である。なぜなら、メッキの工程が進行
するにつれ、浴を再生するためのパラジウムおよび/ま
たはニッケルの添加は、塩化物、硫酸塩またはスルファ
ミン酸塩の濃度の変化を引き起こすからである。それゆ
え、本発明で可能となった析出層の変化が少なくなるこ
とはこれらの諸物質の濃度変化を考慮すればきわめて好
ましい。
するにつれ、浴を再生するためのパラジウムおよび/ま
たはニッケルの添加は、塩化物、硫酸塩またはスルファ
ミン酸塩の濃度の変化を引き起こすからである。それゆ
え、本発明で可能となった析出層の変化が少なくなるこ
とはこれらの諸物質の濃度変化を考慮すればきわめて好
ましい。
本発明に従ってメッキできる部品の例およびメッキ装置
は、米国特許第4,100,039号に充分に開示され
ており、その開示を引用によってここに包含させる。
は、米国特許第4,100,039号に充分に開示され
ており、その開示を引用によってここに包含させる。
本発明のメッキ方法は、本発明の水性電気メッキ浴への
陽極の浸漬と被覆すべき基体の浴への浸ffを含む。基
体は陽極と間隔をおいた関係で置かれる。基体は導電性
の基体で、パラジウム−ニッケル合金メッキの前に通常
のニッケルメッキ方法でニッケルのような金属でメッキ
しておくことができる。いくつかの適当な基体の例は、
ニッケル、銅、および銅ベリリウム合金である。本発明
によるメッキは、約15.6℃〜約62.2℃(約60
″F〜約90″F)、好ましくは26.9℃〜約27.
8℃(75″F〜約82″F)の温度で実施する。メッ
キ中は温度が32.2℃(90”F)を越えないことが
重要である。
陽極の浸漬と被覆すべき基体の浴への浸ffを含む。基
体は陽極と間隔をおいた関係で置かれる。基体は導電性
の基体で、パラジウム−ニッケル合金メッキの前に通常
のニッケルメッキ方法でニッケルのような金属でメッキ
しておくことができる。いくつかの適当な基体の例は、
ニッケル、銅、および銅ベリリウム合金である。本発明
によるメッキは、約15.6℃〜約62.2℃(約60
″F〜約90″F)、好ましくは26.9℃〜約27.
8℃(75″F〜約82″F)の温度で実施する。メッ
キ中は温度が32.2℃(90”F)を越えないことが
重要である。
加えて、メッキは約0.11〜6.5 Amp/dm2
(約1〜約607ンにア平方フィート)、好ましくは
約2.2〜6.5 Amp/dm2 (約20〜約60
アンズア平方フイート)のような広い電流密度範囲にわ
たって実施できる。メッキは通常はメンキした膜の厚さ
が約16〜約65.5μ(約30〜約250マイクロイ
ンチ)となるように実施する。例えば約1.1 Amp
/dm2 (約10アンペア平方フイート)の電流密度
のメッキは1分車ジ約五3μ(約16マイクロインチ)
で進行する。
(約1〜約607ンにア平方フィート)、好ましくは
約2.2〜6.5 Amp/dm2 (約20〜約60
アンズア平方フイート)のような広い電流密度範囲にわ
たって実施できる。メッキは通常はメンキした膜の厚さ
が約16〜約65.5μ(約30〜約250マイクロイ
ンチ)となるように実施する。例えば約1.1 Amp
/dm2 (約10アンペア平方フイート)の電流密度
のメッキは1分車ジ約五3μ(約16マイクロインチ)
で進行する。
加えて、メッキ中電気メッキ浴とメッキすべき基体は攪
拌することが望ましい。例えば、基体全ラックに固着し
、かつラックを適当な駆動装置で水平に前後に運動させ
、これによってラックを攪拌することによって基体は攪
拌することができる。電気メツキ溶液は適当なポンプ装
置で攪拌できる。メッキタンクはまた、回路を完成する
次めに陽極を含む。メッキ後、メッキした基体は脱イオ
ン温水中で洗浄し、そして、例えば強制エアーオーブン
中で約5〜10分間乾燥する。
拌することが望ましい。例えば、基体全ラックに固着し
、かつラックを適当な駆動装置で水平に前後に運動させ
、これによってラックを攪拌することによって基体は攪
拌することができる。電気メツキ溶液は適当なポンプ装
置で攪拌できる。メッキタンクはまた、回路を完成する
次めに陽極を含む。メッキ後、メッキした基体は脱イオ
ン温水中で洗浄し、そして、例えば強制エアーオーブン
中で約5〜10分間乾燥する。
本発明によるメッキ析出物は良好な耐食性、硬さおよび
延性?示し、かつ接触を通じての低い電気抵抗を与える
ものである。加えて、本発明の方法は、被膜の析出およ
び/またはその品質に障害となる大量の水素の発生をと
もなわずに相当の「過電圧」全許容することが注目され
る。上述したとおりの本発明の方法は比較的高電流密度
を用いて実施できるのでメッキ速度が早まり、これによ
って生産効率を向上させる。
延性?示し、かつ接触を通じての低い電気抵抗を与える
ものである。加えて、本発明の方法は、被膜の析出およ
び/またはその品質に障害となる大量の水素の発生をと
もなわずに相当の「過電圧」全許容することが注目され
る。上述したとおりの本発明の方法は比較的高電流密度
を用いて実施できるのでメッキ速度が早まり、これによ
って生産効率を向上させる。
本発明の浴は、粉塵および空気で運ばれる粒子のような
まわりから混入する不純物のレベルの増加に耐えられ、
メッキプロセスの障害とならないことがさらに注目され
る。
まわりから混入する不純物のレベルの増加に耐えられ、
メッキプロセスの障害とならないことがさらに注目され
る。
本発明に従って調製された析出された合金は、パラジウ
ム対ニッケルの重量比が約50 二50〜約95:5、
好ましくは約70:30〜約80 :20となるように
調整できる。
ム対ニッケルの重量比が約50 二50〜約95:5、
好ましくは約70:30〜約80 :20となるように
調整できる。
下記の非限定的実施例は本発明をさらに例証するために
示したものである。
示したものである。
実施例 1
塩化パラドサミンから生じるパラジウムイオン約109
/lを塩化ニッケルから生じるニッケルイオン約141
171 、塩化アンモニウム約30i7t、硫酸アンモ
ニウム約401/lおよびphi約794にする濃水酸
化アンモニウム(N)f5約28wt% )と−緒に添
加して電気メッキ浴を調製した。浴は約23.9℃〜、
FI27.8℃(約75″F〜約827)の温度に維持
し、メッキを約10アンペア平方フイートの電流密度で
約10分間実施し九メッキの間、陰極ラックヘッドの適
当な往復動によってラックを動揺させ、加えて、ポンプ
によってメッキ浴を攪拌した。約63.0μ(約130
マイクロインチ)の厚みのむらのなめパラジウム−ニッ
ケル合金被膜は走査電子顕微鏡によるエネルギー分散X
線分光法で測定してメッキ合金中のパラジウムは約61
チ、ニッケルは約39膚の比率であることが分った。被
膜は光輝性のサテン状のむらのない被膜であった。
/lを塩化ニッケルから生じるニッケルイオン約141
171 、塩化アンモニウム約30i7t、硫酸アンモ
ニウム約401/lおよびphi約794にする濃水酸
化アンモニウム(N)f5約28wt% )と−緒に添
加して電気メッキ浴を調製した。浴は約23.9℃〜、
FI27.8℃(約75″F〜約827)の温度に維持
し、メッキを約10アンペア平方フイートの電流密度で
約10分間実施し九メッキの間、陰極ラックヘッドの適
当な往復動によってラックを動揺させ、加えて、ポンプ
によってメッキ浴を攪拌した。約63.0μ(約130
マイクロインチ)の厚みのむらのなめパラジウム−ニッ
ケル合金被膜は走査電子顕微鏡によるエネルギー分散X
線分光法で測定してメッキ合金中のパラジウムは約61
チ、ニッケルは約39膚の比率であることが分った。被
膜は光輝性のサテン状のむらのない被膜であった。
実施例 2
…を約ZOにする量の水酸化アンモニウムを加えること
を除いて実施例1を繰返した。合金の組成は、パラジウ
ム約74wt%、ニッケル約26 wtチを含有してい
た。
を除いて実施例1を繰返した。合金の組成は、パラジウ
ム約74wt%、ニッケル約26 wtチを含有してい
た。
実施例 5
phi約7.6にする童の水酸化アンモニウムを加える
ことを除いて実施例1金繰り返し、パラジウム約72
wt%、ニッケル約28 wt% k含有する合金とな
った。
ことを除いて実施例1金繰り返し、パラジウム約72
wt%、ニッケル約28 wt% k含有する合金とな
った。
実施例 4
pHを約17にする量の水酸化アンモニウムを加えるこ
とを除いて実施例1金繰り返した。得られる合金は、パ
ラジウム約62 wt%、ニッケル約38 wtチを含
有していた。
とを除いて実施例1金繰り返した。得られる合金は、パ
ラジウム約62 wt%、ニッケル約38 wtチを含
有していた。
実施例 5
pHk約8.1にする量の水散化アンモニウムを加える
ことを除いて実施例1金繰り返した。得られる析出物は
パラジウム約60 wt%、ニッケル約40 wt%全
含有していた。
ことを除いて実施例1金繰り返した。得られる析出物は
パラジウム約60 wt%、ニッケル約40 wt%全
含有していた。
比較例 6
聞ヲ約8.4にするために水酸化アンモニウムを加える
ことを除いて実施例1金繰り返した。
ことを除いて実施例1金繰り返した。
得られる析出物はパラジウム約70 wt%、ニッケル
約30 wt%全含有していた。
約30 wt%全含有していた。
比較例 7
pHヲ約8゜65にするために水酸化アンモニウムを加
えることを除いて実施例1を繰り返した。
えることを除いて実施例1を繰り返した。
得られる析出物はパラジウム約78 wt%、ニッケル
約22 wt% を含有していた。
約22 wt% を含有していた。
比較例 8
pH全約90にするために水酸化アンモニラ2ムを加え
ることを除いて実施例1を繰り返した。
ることを除いて実施例1を繰り返した。
得られる析出物はパラジウム約88 wt%、ニッケル
約12 wt% k含有していた。
約12 wt% k含有していた。
比較例 9
pI″l全約94にするために水酸化アンモニウムを加
えることを除いて実施例1を繰ジ返した。
えることを除いて実施例1を繰ジ返した。
得られる析出物はパラジウム約90 wt%、ニッケル
約10 wt% f含有していた。
約10 wt% f含有していた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)a)塩化パラドサミンから生じる約9〜約15g/
lのパラジウムイオン b)約10〜約24g/lのニッケルイオン c)約10〜約50g/lの硫酸アンモニウム d)約10〜約50g/lの塩化アンモニウムおよび e)pHを約7.0〜約8.3とし、かつパラジウムと
ニッケルの金属イオンを可溶化して可溶性のアンモニア
錯体とするのに充分な水酸化アンモニウム からなるパラジウム−ニッケル合金をメッキするための
水性電気メッキ浴。 2)上記pHが約7.7〜約8.1である特許請求の範
囲第1項記載の水性電気メッキ浴。 3)約10g/lのパラジウムイオンが使用される特許
請求の範囲第1項記載の水性電気メッキ浴。 4)約14g/lのニッケルイオンからなる特許請求の
範囲第1項記載の水性電気メッキ浴。 5)ニッケルイオン源が塩化ニッケルである特許請求の
範囲第1項記載の水性電気メッキ浴。 6)約40g/lの硫酸アンモニウムからなる特許請求
の範囲第1項記載の水性電気メッキ浴。 7)約30g/lの塩化アンモニウムからなる特許請求
の範囲第1項記載の水性電気メッキ浴。 8)約10g/lのパラジウムイオン、約14g/lの
ニッケルイオン、約40g/lの硫酸アンモニウム、約
30g/lの塩化アンモニウム、pHを約7.7〜約8
.1にするのに充分な量の水酸化アンモニウムからなる
特許請求の範囲第1項記載の水性電気メッキ浴。 9)ニッケルイオンがスルフアミン酸ニッケル、塩化ニ
ッケル、硫酸ニッケルおよびこれらの混合物からなる群
から選択したニッケル塩から生じるものである特許請求
の範囲第1項記載の水性電気メッキ浴。 10)a)1)塩化パラドサミンから生じる約9〜約1
5g/lのパラジウムイオン 2)約10〜約24g/lのニッケルイオン 3)約10〜約50g/lの硫酸アンモニウム 4)約10〜約50g/lの塩化アンモニウム、および 5)pHを約7.0〜約8.3とし、かつパラジウムと
ニッケルの金属イオンを可溶性のアンモニア錯体とする
のに充分な水酸化アンモニウムからなる水性浴に陽極を
置き、 b)被覆すべき基体をこの浴中にこの陽極とは間隔を置
いた関係で浸漬し、 c)この浴にメッキ電流を印加し、 d)メッキ中にこの浴を約15.6℃〜約32.2℃(
約60°F〜約90°F)の温度に保つことからなる、 基体上へパラジウム−ニッケル合金を析出させるための
方法。 11)メッキ電流が約0.11〜約6.5Amp/dm
^2(約1〜約60アンペア平方フィート)である特許
請求の範囲第10項記載の方法。 12)メッキ電流が約2.2〜6.5Amp/dm^2
(約20〜約60アンペア平方フィート)である特許請
求の範囲第10項記載の方法。 13)ニッケルイオンがスルフアミン酸ニッケル、塩化
ニッケル、硫酸ニッケル、およびこれらの混合物からな
る群から選択したニッケル塩から生じるものである特許
請求の範囲第10項記載の方法。 14)メッキ中の浴温が約23.9℃〜約27.8℃(
約75°F〜約82°F)である特許請求の範囲第10
項記載の方法。 15)基体が導電性基体である特許請求の範囲第10項
記載の方法。 16)メッキ中に、メッキ浴および基体の両方を撹拌す
ることを含む特許請求の範囲第10項記載の方法。 17)基体がニッケル、銅および銅−ベリリウム合金か
らなる群から選択される金属から製作されたものである
特許請求の範囲第10項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/723,371 US4564426A (en) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | Process for the deposition of palladium-nickel alloy |
US723371 | 1985-04-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61238994A true JPS61238994A (ja) | 1986-10-24 |
JPS6332875B2 JPS6332875B2 (ja) | 1988-07-01 |
Family
ID=24905953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61052751A Granted JPS61238994A (ja) | 1985-04-15 | 1986-03-12 | パラジウム‐ニツケル合金の析出のための方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4564426A (ja) |
EP (1) | EP0198355B1 (ja) |
JP (1) | JPS61238994A (ja) |
CA (1) | CA1269343A (ja) |
DE (1) | DE3675967D1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4778574A (en) * | 1987-09-14 | 1988-10-18 | American Chemical & Refining Company, Inc. | Amine-containing bath for electroplating palladium |
US5688336A (en) * | 1988-05-03 | 1997-11-18 | Millard, Jr.; James B. | Method for removal of water soluble polymers |
DE19512888A1 (de) * | 1995-04-06 | 1996-10-10 | Vacuumschmelze Gmbh | Verfahren zur elektrolytischen Beschichtung von Seltene Erden enthaltenden Dauermagneten mit minimaler Oberflächenschädigung |
CN1117179C (zh) * | 1999-09-30 | 2003-08-06 | 上海交通大学 | 电刷镀钯镍合金及稀土钯镍合金镀层的工艺 |
US20040088003A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-05-06 | Leung Jeffrey C. | Barbed suture in combination with surgical needle |
US20040118699A1 (en) * | 2002-10-02 | 2004-06-24 | Applied Materials, Inc. | Homogeneous copper-palladium alloy plating for enhancement of electro-migration resistance in interconnects |
CN101348928B (zh) * | 2007-07-20 | 2012-07-04 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 镀钯及镀钯合金之高速方法 |
US20110147225A1 (en) | 2007-07-20 | 2011-06-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | High speed method for plating palladium and palladium alloys |
DE102018133244A1 (de) | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Umicore Galvanotechnik Gmbh | Nickel-Amin-Komplex mit reduzierter Tendenz zur Bildung schädlicher Abbauprodukte |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4100039A (en) * | 1976-11-11 | 1978-07-11 | International Business Machines Corporation | Method for plating palladium-nickel alloy |
US4487665A (en) * | 1980-12-17 | 1984-12-11 | Omi International Corporation | Electroplating bath and process for white palladium |
DE3108467C2 (de) * | 1981-03-06 | 1983-05-26 | Langbein-Pfanhauser Werke Ag, 4040 Neuss | Verwendung eines Acetylenamins und/oder eines Aminoalkohols in einem Bad zur galvanischen Abscheidung einer Palladium/Nickel-Legierung |
DE3108466C2 (de) * | 1981-03-06 | 1983-05-26 | Langbein-Pfanhauser Werke Ag, 4040 Neuss | Verwendung eines Acetylenalkohols in einem Bad zur galvanischen Abscheidung einer Palladium/Nickel-Legierung |
-
1985
- 1985-04-15 US US06/723,371 patent/US4564426A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-01-27 CA CA000500434A patent/CA1269343A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-03-12 JP JP61052751A patent/JPS61238994A/ja active Granted
- 1986-04-04 DE DE8686104602T patent/DE3675967D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-04-04 EP EP86104602A patent/EP0198355B1/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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CA1269343A (en) | 1990-05-22 |
DE3675967D1 (de) | 1991-01-17 |
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US4564426A (en) | 1986-01-14 |
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