CN101348928B - 镀钯及镀钯合金之高速方法 - Google Patents
镀钯及镀钯合金之高速方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101348928B CN101348928B CN2008100868593A CN200810086859A CN101348928B CN 101348928 B CN101348928 B CN 101348928B CN 2008100868593 A CN2008100868593 A CN 2008100868593A CN 200810086859 A CN200810086859 A CN 200810086859A CN 101348928 B CN101348928 B CN 101348928B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- palladium
- plating
- groove
- ammonia
- high speed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 203
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 238000007747 plating Methods 0.000 title description 71
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 143
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 32
- 239000002585 base Substances 0.000 description 26
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 20
- -1 amino palladium Chemical compound 0.000 description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 17
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000002650 habitual effect Effects 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 6
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 6
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 5
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- AGGKEGLBGGJEBZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylenedisulfotetramine Chemical compound C1N(S2(=O)=O)CN3S(=O)(=O)N1CN2C3 AGGKEGLBGGJEBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 5
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N palladium(2+) Chemical compound [Pd+2] MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010011376 Crepitations Diseases 0.000 description 3
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 3
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 150000003868 ammonium compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 2
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N glycine betaine Chemical compound C[N+](C)(C)CC([O-])=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 2
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N itaconic acid Chemical compound OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 2
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 description 2
- GPNDARIEYHPYAY-UHFFFAOYSA-N palladium(ii) nitrate Chemical compound [Pd+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O GPNDARIEYHPYAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 2
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 2
- 238000000207 volumetry Methods 0.000 description 2
- PSBDWGZCVUAZQS-UHFFFAOYSA-N (dimethylsulfonio)acetate Chemical compound C[S+](C)CC([O-])=O PSBDWGZCVUAZQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDCYWAQPCXBPJA-UHFFFAOYSA-N 1,3-dinitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1 WDCYWAQPCXBPJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDVOLDOITVSJGL-UHFFFAOYSA-N 3,7-dihydroxy-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound O1B(O)OB2OB(O)OB1O2 XDVOLDOITVSJGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001200 Ferrotitanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N Niacin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1 PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 229940111121 antirheumatic drug quinolines Drugs 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- PPBAJDRXASKAGH-UHFFFAOYSA-N azane;urea Chemical compound N.NC(N)=O PPBAJDRXASKAGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003237 betaine Drugs 0.000 description 1
- 150000007516 brønsted-lowry acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007528 brønsted-lowry bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 125000003963 dichloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J diphosphate(4-) Chemical class [O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005246 galvanizing Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000000413 hydrolysate Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000008040 ionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009533 lab test Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229960003512 nicotinic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000001968 nicotinic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- PZKNFJIOIKQCPA-UHFFFAOYSA-N oxalic acid palladium Chemical compound [Pd].OC(=O)C(O)=O PZKNFJIOIKQCPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFLFDJSIZCCYIP-UHFFFAOYSA-L palladium(2+);sulfate Chemical compound [Pd+2].[O-]S([O-])(=O)=O RFLFDJSIZCCYIP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003053 piperidines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002574 poison Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O pyridinium Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L sulfite Chemical compound [O-]S([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940117986 sulfobetaine Drugs 0.000 description 1
- KGYLMXMMQNTWEM-UHFFFAOYSA-J tetrachloropalladium Chemical compound Cl[Pd](Cl)(Cl)Cl KGYLMXMMQNTWEM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/50—Electroplating: Baths therefor from solutions of platinum group metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/567—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of platinum group metals
Abstract
本发明揭示一种镀钯及镀钯合金之高速方法。具体涉及沉积钯及钯合金之高速方法。该高速方法使用水性、具有减少槽中的游离氨之氨基槽。该高速方法可应用在多种基材上，例如电子装置和珠宝上沉积钯和钯合金覆层。
Description
【发明所属之技术领域】
本发明系关于一种使用氨基钯和钯合金镀覆组成物镀覆钯及钯合金之高速方法。更详细言之，本发明系关于一种使用游离氨含量减低的氨基钯和钯合金镀覆组成物镀覆钯及钯合金之高速方法。
【先前技术】
过去数年内金价的急剧增高已在金属镀覆领域中催生出新的方法和设备及尝试使用替代金属诸如钯和其合金，例如，透过连续端子电镀(reel-to-reel plating)。此等镀覆方法的使用需要高速镀覆及高速度需要10安培/平方公分(Amps/dm2)或更高之电流密度。此外，工业界上需要高速镀覆以期在尽可能短的时间内达到金属沉积以使金属镀覆对象的制造更为有效率。高速镀覆设备可以采用喷射镀覆原理(jetplating principle)，其系将镀覆溶液以喷射气流方式喷布到要镀覆的基材之上以提供激烈搅动。激烈搅动也可以不用喷射气流而经由使用泵将溶液非常快速地移动通过要镀覆的基材，或将基材快速地移动通过溶液而激烈搅动。另一种高速镀覆形式为选择性地镀覆。此种选择性镀覆使用专业化的镀覆设备诸如化学或机械屏蔽，其将金属沉积物限制到特定要求的部位，而将其它部位保持成没有金属。
已有进行尝试使用各种镀槽以高速镀覆设备镀覆钯和其合金；不过，所得沉积物不是烧焦就是呈暗灰色或彼等成为亮到半光泽且会受到高度应力并展现出只有在高倍显微镜下才能看出的表面微裂痕。此等裂痕可在沉积物从镀覆槽出来时看到或彼等在沉积物静置于室温下一天或更长之后才能看出。关于裂痕已有大量的文献。其可归因于氢与钯的共沉积。在氢从沉积物发散掉之后，裂痕即出现。工业界渴望从10至100安培/平方公分或更高的可用电流密度在高速镀覆中得到无裂痕的钯和钯合金沉积物。此外，工业界渴望具有高耐磨性、高抗蚀性、低电阻及良好可焊性的钯及钯合金，诸如作为电气接触点的覆层者。
为了从镀覆程序达到具有所需性质的钯或钯合金沉积物，必须加上许多程序参数。此等参数包括，但不限于，槽组成、槽温、镀覆中的搅动速率和槽pH值。要达到最优程序的特定参数可能要广泛地依靠，是否取决于程序为低速镀覆或高速镀覆。许多种钯和钯合金镀覆程序使用氨作为金属的配位基(ligand)。氨基程序较无氨程序具有更多优点。此等优点包括：1)相对于其它类型的配位基，诸如多元胺型配位基，其没有来自有机配位基的有害分解产物；2)高延展性沉积物；和3)钯氨盐比无氨程序所需的许多特异的钯盐更经济且易于取得。
此等氨基程序可从低酸性到高碱性pH范围，例如从pH为6到更高的pH下操作。于槽操作中，会从槽以氨蒸气形式散逸出游离氨。此会变更槽的pH值且使其不稳定而严重地损及槽的性能。此在高速镀覆时特别具有问题性，其比低速镀覆有较快的镀覆速率及更激烈的槽搅动，因而造成更大的游离氨之流失速率。而且，在高温镀覆或在镀覆中温度增高时(此为高速镀覆之典型现象)，会造成氨从槽中流失，因而使镀覆程序不稳定。氨基镀覆程序需要定期补充氨以便维持程序的稳定性和最优操作。典型地，系将游离氨含量保持在50克/升至150克/升，更佳为100克/升。不过，氨的补充是困难的。氨时常系经由在镀槽中添加铵盐来补充，例如使用硫酸盐基溶液的硫酸铵；不过，此会导致镀槽中阴离子的蓄积，促成槽内成分的盐析而急剧地缩减槽的寿命。也可以将氨气体和氢氧化铵添加到槽内；不过，此等化合物处置起来不方便且有问题。两者对于使用彼等的工人都回呈现严重的有害且有毒的危险。于槽中加入更多的游离氨，氨的流失愈大，因而对环境有危险性。据此，工业界渴望一种游离氨含量减低的高速镀覆方法。
于高速镀覆中，例如连续端子之电镀，氨流失更大，如此需要更大的氨补充速率，因而增加维持稳定镀覆程序之困难性。而且，当高速镀覆时槽的高温和快速搅动会进一步增加氨的流失且使槽不稳定。氨的快速流失会导致不稳定的槽和不良的程序性能。此会减低程序的整体效率及增加镀覆成本。
US 5,415,685揭示一种氨基钯镀覆组成物和方法。该专利宣称该氨基钯镀覆组成物系稳定的且同时提供比习用程序在更宽的镀层厚度范围内有更白的钯沉积物。该专利中所述方法为一种低速方法，使用的电流密度从0.1安培/平方呎(Amps/ft2)至50安培/平方呎(0.01安培/平方公分至5安培/平方公分)。此等方法不适合于要强制采用高速镀覆以达到经济效率的工业界。据此，有需要一种从氨基槽镀覆钯及钯合金之高速方法。
【发明内容】
一方面，一种方法包括：a)提供一种组成物，基本上其系由一或多种钯、铵离子和尿素之来源所组成；b)用该组成物接触一基材；及c)产生至少10安培/平方公分的电流密度以便在该基材上沉积钯。
于另一方面，一种方法包括：a)提供一种组成物，基本上其系由一或多种钯来源、一或多种合金金属、铵离子和尿素之来源所组成；b)用该组成物接触一基材；及c)产生至少10安培/平方公分的电流密度以便在该基材上沉积钯合金。
该高速方法提供稳定的钯和钯合金槽且消除添加硫酸铵、氢氧化铵、氨气或其它铵化合物来补充槽中之游离氨含量的需要。如此，可除掉添加此等化合物到镀槽的危害和其它缺点。该高速方法相对于许多习用高速钯和钯合金程序亦可以减低槽中游离氨的量。据此，可减低氨蒸气含量。
该高速方法可在基材上于高电流密度下提供亮的、延展性且无裂痕的钯和钯合金沉积物。该高速方法可用在需要钯和钯合金覆层的任何基材上镀覆钯及钯合金。此等基材包括电子组件以及珠宝。电子组件可包括需要高耐磨耗性，高抗蚀性及低接触电阻和良好可焊性之电气接触点。
如在本说明书中从头到尾所用者，除非文中有清楚地不同指明，否则下列缩写具有下列意义：℃＝摄氏度；g＝克；mg＝毫克；L＝升；mL＝毫升；Amp＝安培；dm＝公分＝分米；μm＝微米(microns＝micrometer)；且rpm＝每分钟转数。
术语“沉积”，“镀覆”和“电镀”在本说明书中从头到尾都可交换使用。术语“烧焦(burnt)”意指晦暗或粗劣的面饰。术语“亮”意指光学反射性面饰。术语“可延展(ductile)”或“延展性(ductility)”为金属沉积物在扭曲，诸如弯曲或拉伸中对龟裂的抗性。“金属转换率(Metal turn over)(MTO)”＝总沉积钯克数除溶液中的钯含量克数。除非有不同的表明，否则所有的量都是重量百分比。所有数值范围都是内含性者且可以用任何顺序组合，除了逻辑上认为此种数值范围之总和要限制在100％。
该等方法为高速电镀法，用以在游离氨含量少之沉积钯及钯合金，因而减少在高速电镀和激烈槽搅动中产生的氨蒸气。典型地，电镀槽中的游离氨为少于50克/升。游离氨减少也提供对环境更为友善性的槽，因为相对于许多传统氨基槽，其在电镀中产生较少的氨蒸气。令人不喜且恼人的氨臭味可被消除或至少可减低。此外，持续蒸发出的氨在控制pH值上会造成显著的困难。于传统氨基槽中，系以计量的氨量连续地添加以维持最优之pH。典型地，系使用硫酸铵，氢氧化铵和氨气体。此等化合物都是难以处置的，是有害的且对工作人员有危险性。另外，于槽中添加此等化合物时常会引起槽成分的盐析，因而损及槽效能。该等高速方法可消除在镀槽中添加此等化合物之需要。
在槽中包含尿素系为了经由补充减少的游离氨而稳定该槽及防止因氨的流失所致的pH变化。高速电镀槽具有6至10，典型地，从7至8的pH范围。在槽中包括尿素可消除经由添加铵化合物或氨来补充氨之需要。尿素比氨或铵化合物更容易处置。尿素为弱错合剂且于氨基镀槽中添加大量尿素不会有害地影响钯和钯合金沉积物的微结构。另外，不会有限制到槽寿命的分解产物蓄积。此外，尿素的水解产物之一为氨且此氨可用来补充游离氨的流失，并帮助维持所需求之pH和槽稳定性。尿素系以使尿素和槽中游离氨的总量在槽中为从100克/升至150克/升之量。
有很多种钯化合物可用为高速电镀法中的钯来源，但其限制条件为彼等要与该高速程序和其它槽成分为可兼容。此等钯化合物包括，但不限于，以氨为错合剂的钯错合物离子化合物。此等化合物包括，但不限于，二氯二胺钯(II)，二硝基二胺钯(II)，氯化四胺钯(II)，硫酸四胺钯(II)，四氯钯酸四胺钯，碳酸四胺钯和碳酸氢四胺钯。其它的钯来源包括，但不限于，二氯化钯，二溴化钯，硫酸钯，硝酸钯，一氧化钯-水合物，醋酸钯，丙酸钯，草酸钯和甲酸钯。可以将一或多种钯来源在槽中混合在一起。典型地，于槽中使用氨钯错合物。于槽中加入足量的一或多种钯来源以提供10克/升至50克/升供沉积用的钯，较佳为从20克/升至40克/升的钯。
氨可经由水溶性铵盐添加到槽中。此等铵盐包括，但不限于，卤化铵，例如氯化铵和溴化铵，硫酸铵和硝酸铵。氨来源系以足量添加到槽中以提供其量低于50克/升，较佳从10克/升至45克/升，更佳从15克/升至35克/升的游离氨。
可以添加到高速电镀槽中以形成钯合金的合金金属包括，但不限于，镍、钴、铁和锌中的一或多者。合金可为二元合金或三元合金。典型地，合金是二元合金者例如钯/镍，钯/钴和钯/锌。更典型地，二元合金为钯/镍。典型地，三元合金为钯/镍/锌。于槽中可加入一或多种水溶性盐形式的合金金属。此等盐类包括，但不限于，卤化物、硫酸盐、亚硫酸盐、磷酸盐、焦磷酸盐、硝酸盐和与有机酸的盐类，例如醋酸盐、丙酸盐、草酸盐和甲酸盐。典型地，使用卤化物和硫酸盐。足量的一或多种合金金属盐经添加到槽中以提供合金金属量为0.1克/升至15克/升，较佳为从1克/升至10克/升的合金金属离子。
以该高速方法制造的钯合金系稳定者。稳定性意指合金组成物在宽广电流密度以及槽的pH变化、温度起伏和槽搅动速率下都实质地维持固定。二元合金中钯的重量范围从50重量％至90重量％，其余为合金金属。用为电气接触上的覆层之此等二元合金的一个例子为钯/镍(80重量％/20重量％)。三元合金中钯的重量范围系在从40重量％至80重量％范围内，其余为等比例或不等比例的两种合金金属。
用于该高速方法中的钯电镀槽，基本上，系由一或多种钯来源、铵离子、游离氨和尿素所组成。当该槽用于沉积钯合金之时，系将一或多种合金金属离子加到该槽内。以该高速方法沉积的钯及钯合金系亮者，无裂痕且可粘附到基材上。
于槽中也可以加入一或多种习用添加剂。此等习用添加剂包括，但不限于，缓冲剂，增亮剂，界面活性剂及彼等的混合物。在槽中此等添加剂可用惯用之量。
可包括一或多种不会损及槽效能之界面活性剂。典型地，此等界面活性剂包括，但不限于，非离子界面活性剂、阳离子界面活性剂和阴离子界面活性剂。此等界面活性剂的例子如聚乙二醇、烷基季铵盐和经磺酸基丙基化之烷基烷氧基化物(sulfopropylated alkylalkoxylates)。
缓冲剂包括，但不限于，一或多种下列者：醋酸、硼酸、碳酸、柠檬酸、四硼酸、顺丁烯二酸、衣康酸和彼等的盐。也可以包括其它惯用的水溶性酸作为缓冲剂。
可也在槽中加入矿酸和碱来帮助维持pH值。此等矿酸包括硫酸、盐酸、和硝酸。碱包括，但不限于，氢氧化钠和氢氧化钾。典型地，使用硫酸或氢氧化钠。
适当的增亮剂为可提供明亮的钯或钯合金沉积物。此等增亮剂包括惯用的有机增亮剂。此等有机增亮剂包括，但不限于，丁二醯亚胺、顺丁烯二醯亚胺、喹啉、经取代喹啉、啡啉、和经取代啡啉及彼等的季化衍生物，吡啶和其衍生物，例如吡啶羧酸、吡啶羧酸胺、和多元吡啶例如联吡啶，烟碱酸和其衍生物，吡啶烷基磺酸内铵盐(pyridinium alkyl sulfobetaine)，哌啶和其衍生物，哌和其衍生物，吡和其衍生物及彼等的混合物。典型地，在高速槽中所用增亮剂为具有含氮杂环系环的有机增亮剂，不过，要排除芳族磺醯胺类。更典型地，所用该等增亮剂为吡啶衍生物，吡衍生物或彼等的混合物。
由于以该高速方法沉积的钯及钯合金典型地为无裂痕者，因此通常从槽中排除应力减低剂。此等应力减低剂的一例子为芳族磺醯胺类。一种用为应力减低剂的典型芳族磺醯胺类为糖精(糖精)。
槽温度可用惯用的加热装置予以维持。槽温度范围为从40至70℃，较佳从50至60℃。将槽温度维持在该范围内，特别是在该范围的较高值，系十分合宜的因为随着温度的增高，离开该槽的氨蒸气之量也会增加。据此，温度维持系重要者。
该高速电镀法使用从10安培/平方公分或更高者之电流密度。典型地，该电流密度的范围系从10安培/平方公分至100安培/平方公分，较佳从20安培/平方公分至80安培/平方公分。此等电流密度系使用惯用的整流器予以控制。
可以使用惯用的高速镀覆装置来电镀钯金属和钯金属合金。典型地，钯及钯合金系使用连续端子电镀装置予以电镀；不过，可维持高速镀覆速率的任何装置都可以使用。
惯用的不溶性阳极可以用于该高速方法。不溶性阳极的例子包括，但不限于，镀铂钛、混合氧化物镀覆钛和不锈钢。此外，可以使用如在US 2006/0124451中所述之有遮蔽设计的上述材料作为阳极。
阴极包括可用钯或钯合金镀覆的任何基材。通常，钯或钯合金系经沉积铜、铜合金或镀镍-铜等基材之上。此等基材可为需要高耐磨耗性，高抗蚀性，低接触电阻，高延展性和良好可焊性的电接触点。电接触点的例子为导线架和电连接。包括此等电接触点的电子装置，但不限于，印刷电路板，半导体装置，光电子装置，电子组件和汽车组件。此外，该高速方法可用来沉积钯或钯合金于太阳能电池装置所用组件上和珠宝以及可接受钯或钯合金覆层的任何对象。
以该高速方法沉积的钯和钯合金覆层的厚度可以变更且取决于基材的功能。通常，该厚度系从0.1微米至100微米。典型地，该厚度系从0.5微米至20微米。
沉积速率系决定于所用的电流密度。通常，该速率可从1微米/分至30微米/分。例如，钯/镍合金可在10安培/平方公分下以3微米/分镀覆且在60安培/平方公分下以18微米/分镀覆。
【实施方式】
下面诸实施例意欲用来进一步阐明该高速方法，但无意用来限制本发明的范围。
实施例1(比较例)
制备下列惯用的钯/镍合金水性、氨基组成物来沉积钯/镍合金(80/20％重量/重量)：
表1
| 成分 | 量(克/升) |
| 钯以Pd(NH3)4SO4计 | 15 |
| 镍以NiSO4计 | 6 |
| 硼酸 | 26 |
| 游离NH3以(NH4)2SO4计 | 35 |
| 含氮杂环增亮剂 | 0.1 |
| NH4OH | 足量以达到pH |
将该氨基钯/镍合金组成物加到1000毫升烧杯中，于电镀中使用磁搅拌器维持组成物的搅动。阳极为镀铂钛的不溶性阳极且阴极为黄铜基材。
组成物温度系维持在50℃且pH为7.2。电镀系在10安培/平方公分的高电流密度中进行。该实验经进行到钯金属达到20MTO为止。
槽中游离氨系于最初的5MTOs中每一MTO进行分析，然后减低到每3到5MTOs之频率。槽中氨含量系使用得自Metrohm的809TitrandoTM以pH滴定法监测。经观察到当起始低游离氨浓度为35克/升就开始沉积之后，该槽在化学上不稳定。槽不稳定现象可由烧杯底部形成白色沉淀物而觉察出。为了维持槽的稳定性和操作且达到亮且具延展性的沉积物，乃将该白色沉淀物从槽中过滤移除，且经由添加硫酸铵将游离氨含量增加到100克/升。于电镀中可察觉到氨的强烈臭味。此外，在电镀中流失的游离氨必须补充以维持稳定的pH。除了透过Pd(NH3)4SO4补充添加的氨量之外，于槽中每克所镀钯要加入3-4克由氨气体和NH4OH形式的氨。需要100克/升的氨浓度以维持槽的稳定性。虽然仍可镀出亮且具延展性的沉积物，不过其稳定性会在20MTO内起变化且除了添加3-4克的氨/克所镀钯以补充槽和维持槽稳定性之外，还需要清除白色沉淀物。
实施例2
制备下面的钯/镍合金水性、氨基组成物用以沉积亮且具延展性的钯/镍合金(80/20％重量/重量)：
表2
| 成分 | 量(克/升) |
| 钯以Pd(NH3)4SO4计 | 15 |
| 镍以NiSO4计 | 6 |
| 硼酸 | 26 |
| 游离NH3以(NH4)2SO4计 | 35 |
| 尿素 | 100 |
| 含氮杂环增亮剂 | 0.1 |
| NH4OH | 足量以达到pH |
将该氨基钯/镍合金组成物加到1000毫升烧杯中，于电镀中使用磁搅拌器维持组成物的搅动。阳极为镀铂钛的不溶性阳极且阴极为黄铜基材。
组成物温度系维持在50℃且pH为7.2。电镀系在10安培/平方公分的高电流密度中进行。该实验经进行到钯金属达到20MTO为止。
槽中游离氨系于最初的5MTOs中每一MTO进行分析，然后减低到每3到5MTOs之频率。槽中氨含量系使用得自Metrohm的809TitrandoTM以pH滴定法监测。尿素含量系使用得自Mattson Instruments的Genesis II FTIR SpectrometerTM予以分析。电镀槽分析显示在整个电镀过程(针对钯的20金属转化)中，氨/铵含量和pH都维持稳定。没有可察觉的白色沉淀物。尿素补充为0.7至0.8克/克所沉积的钯金属。
使用该氨-基/尿素电镀组成物可消除在电镀中使用不需要的和有害化合物例如NH4OH和氨气体来补充氨之需要。相对于实施例1的槽，在电镀中可以容易地维持低游离氨含量。此外，有毒蒸气也因低游离氨含量而减少。此外，尿素补充的频率和量也比实施例1使用NH4OH和氨气体的氨补充来得低，因而提供比惯用的方法更经济且具成本效用性的方法。
重复此方法，除了槽的pH为8之外。其结果与在pH为7.2者实质相同。
实施例3
重复实施例2中所述钯/镍方法，除了添加到电镀组成物中的尿素之量为80克/升。尿素补充速率为0.7至0.8克/克在黄铜基材上沉积的钯金属之外。于整个电镀中，槽都是稳定者。此方法的效能与实施例2者相同。在黄铜基材上沉积亮且具延展性的钯/镍合金。
实施例4
制备下面的钯/镍合金水性、氨基组成物用以沉积亮且具延展性的钯/镍合金(80/20％重量/重量)：
表3
| 成分 | 量(克/升) |
| 钯以Pd(NH3)4SO4计 | 25 |
| 镍以NiSO4计 | 10 |
| 硼酸 | 26 |
| 游离NH3以(NH4)2SO4计 | 35 |
| 尿素 | 80 |
| 含氮杂环增亮剂 | 02 |
将该氨基钯/镍合金组成物加到1000毫升烧杯中。阴极为转动的用亮镍预镀过的圆柱。于镀覆中，阴极系以1000rpm转动。在电镀中，该氨基组成物的pH系维持在7.2且温度为50℃。电镀系在20安培/平方公分的电流密度中进行。在电镀程序中，该槽系稳定者。钯/镍沉积物皆为亮、具延展性且粘附到光泽镍上。
将上述方法以相同的参数重复两次，除了彼等分别在40安培/平方公分和60安培/平方公分的电流密度下完成之外。其结果与在20安培/平方公分所得相同。在镍上以高电流密度沉积出亮且具延展性的钯/镍沉积物且粘附到镍上。
实施例5
用实施例4中所述水性、氨基钯/镍组成物电镀四个光泽镍镀覆的黄铜基材。每一基材系用该组成物以不同的电流密度镀覆。电流密度分别为20安培/平方公分，40安培/平方公分，60安培/平方公分和80安培/平方公分。镀覆组成物的pH为7.2，温度为50℃。该高速方法系使用经设计用于实验室试验所用的喷射镀覆设备来进行。该镀覆组成物系以800升/小时的流速施加到基材上。在光泽镍镀覆的黄铜基材上之所有钯/镍沉积物都是亮、具延展性且粘附到基材上。
实施例6
制备下面的水性、氨基钯金属组成物用以在铜基材上沉积钯覆层：
表4
| 成分 | 量(克/升) |
| 钯以[Pd(NH3)4]Cl2计 | 10 |
| 游离NH3以(NH4)Cl计 | 30 |
| 硼酸 | 20 |
| 尿素 | 100 |
| 含氮杂环增亮剂 | 0.2 |
将该水性、氨基钯组成物使用如实施例5中所述喷射镀覆设备沉积在铜基材上。该组成物的pH系维持在8且组成物的温度系维持在40℃。电流密度为20安培/平方公分。该槽预期在电镀中系稳定者。在基材上所得钯覆层之结果如预期为半光泽且无裂痕。
实施例7
制备下面的水性、氨基钯/钴合金组成物用以在铜基材上沉积钯/钴合金：
表5
| 成分 | 量(克/升) |
| 钯以[Pd(NH3)4]Cl2计 | 10 |
| 钴以CoSO4计 | 5 |
| 游离NH3以NH4Cl计 | 30 |
| 尿素 | 90 |
| 硼酸 | 20 |
| 含氮杂环增亮剂 | 1 |
该水性、氨基钯合金组成物系使用如实施例5中所述喷射镀覆设备沉积在铜基材上。槽的pH系维持在7.5且温度维持在60℃。电流密度为90安培/平方公分。该槽被预期在电镀中系稳定者。钯/钴沉积物是如预期为光泽且无裂痕者。
实施例8
使用下面的水性、氨基钯/锌合金组成物在铜/锡合金基材上沉积钯锌合金：
表6
| 成分 | 量(克/升) |
| 钯以[Pd(NH3)4]Cl2计 | 15 |
| 锌以ZnSO4计 | 5 |
| 游离NH3以(NH4)2SO4计 | 40 |
| 柠檬酸 | 15 |
| 尿素 | 100 |
| 含氮杂环增亮剂 | 0.3 |
该水性、氨基钯合金组成物系使用如实施例5中所述喷射镀覆设备沉积在铜/锡合金基材上。组成物的pH系维持在7且组成物的温度维持在60℃。电流密度为30安培/平方公分。该槽被预期在电镀中系稳定者。在铜/锡合金上沉积出光泽且无裂痕的钯/锌合金。
实施例9
使用下面的水性、氨基钯/镍/锌合金组成物在铜基材上沉积钯/镍/锌合金：
表7
| 成分 | 量(克/升) |
| 钯以Pd(NH3)4SO4计 | 20 |
| 镍以NiSO4计 | 5 |
| 锌以ZnSO4计 | 1 |
| 游离NH3以(NH4)2SO4计 | 40 |
| 尿素 | 70 |
| 柠檬酸 | 15 |
| 含氮杂环增亮剂 | 0.5 |
该水性、氨基钯合金组成物系使用如实施例5中所述喷射镀覆设备沉积在铜基材上。组成物的pH系维持在7且组成物的温度维持在60℃。电流密度为85安培/平方公分。该槽被预期在电镀中系稳定者。钯/镍/锌合金如被预期为光泽且无裂痕者。
Claims (8)
1.一种镀钯的高速方法，其包括：
a)制备一组合物，其包含一种或多种钯来源，铵离子和尿素，该组合物具有低于50克/升的游离氨浓度，并且组合物中所含的尿素的量为使尿素和游离氨的总量从100克/升至150克/升；
b)将一基材与该组合物接触；且
c)产生一至少10安培/平方分米的电流密度以便在该基材上沉积钯。
2.如权利要求1所述的方法，其中该电流密度为从10安培/平方分米至100安培/平方分米。
3.如权利要求1所述的方法，其中该组合物还包含一种或多种酸或其盐。
4.如权利要求1所述的方法，其中该组合物还包含一种或多种增亮剂。
5.一种镀钯合金的高速方法，其包括：
a)制备一组合物，其包含一种或多种钯来源，一种或多种合金金属来源，铵离子和尿素，该组合物具有低于50克/升的游离氨浓度，并且组合物中所含的尿素的量为使尿素和游离氨的总量从100克/升至150克/升；
b)将一基材与该组合物接触；且
c)产生一至少10安培/平方分米的电流密度以便在该基材上沉积钯合金。
6.如权利要求5所述的方法，其中该电流密度为从10安培/平方分米至100安培/平方分米。
7.如权利要求5所述的方法，其中该组合物还包含一种或多种酸或其盐。
8.如权利要求5所述的方法，其中该组合物还包含一种或多种增亮剂。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US96139307P | 2007-07-20 | 2007-07-20 | |
| US60/961,393 | 2007-07-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101348928A CN101348928A (zh) | 2009-01-21 |
| CN101348928B true CN101348928B (zh) | 2012-07-04 |
Family
ID=39942904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008100868593A Active CN101348928B (zh) | 2007-07-20 | 2008-03-17 | 镀钯及镀钯合金之高速方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090038950A1 (zh) |
| EP (1) | EP2017373B1 (zh) |
| CN (1) | CN101348928B (zh) |
| TW (1) | TWI391533B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8500983B2 (en) * | 2009-05-27 | 2013-08-06 | Novellus Systems, Inc. | Pulse sequence for plating on thin seed layers |
| DE102010011269B4 (de) * | 2009-11-10 | 2014-02-13 | Ami Doduco Gmbh | Verfahren zum Abscheiden einer für das Drahtbonden geeigneten Palladiumschicht auf Leiterbahnen einer Schaltungsträgerplatte und Verwendung eines Palladiumbades in dem Verfahren |
| CN101838830B (zh) * | 2010-05-07 | 2012-08-15 | 厦门大学 | 一种电镀钯镍合金的电解液 |
| US9385035B2 (en) | 2010-05-24 | 2016-07-05 | Novellus Systems, Inc. | Current ramping and current pulsing entry of substrates for electroplating |
| CN105401182B (zh) * | 2015-10-14 | 2017-06-23 | 佛山科学技术学院 | 一种在不锈钢上电镀厚钯的镀液配方及其电镀方法 |
| CN105543913A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-05-04 | 盈昌集团有限公司 | 钯钴合金电镀液及用其电镀眼镜框架的工艺 |
| GB202020071D0 (en) | 2020-12-18 | 2021-02-03 | Johnson Matthey Plc | Electroplating solutions |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3458409A (en) * | 1964-10-12 | 1969-07-29 | Shinichi Hayashi | Method and electrolyte for thick,brilliant plating of palladium |
| JPS4733176B1 (zh) * | 1967-01-11 | 1972-08-23 | ||
| CH479715A (fr) * | 1967-09-08 | 1969-10-15 | Sel Rex Corp | Procédé de placage électrolytique de palladium, et bain pour la mise en oeuvre de ce procédé |
| CH572989A5 (zh) * | 1973-04-27 | 1976-02-27 | Oxy Metal Industries Corp | |
| US3925170A (en) * | 1974-01-23 | 1975-12-09 | American Chem & Refining Co | Method and composition for producing bright palladium electrodepositions |
| US3920526A (en) * | 1974-03-12 | 1975-11-18 | Ibm | Process for the electrodeposition of ductile palladium and electroplating bath useful therefor |
| GB1495910A (en) * | 1975-10-30 | 1977-12-21 | Ibm | Method and bath for electroplating palladium on an articl |
| JPS5267961A (en) * | 1975-12-03 | 1977-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | Electrode formation of semiconductor unit |
| US4066517A (en) * | 1976-03-11 | 1978-01-03 | Oxy Metal Industries Corporation | Electrodeposition of palladium |
| US4098656A (en) * | 1976-03-11 | 1978-07-04 | Oxy Metal Industries Corporation | Bright palladium electroplating baths |
| US4100039A (en) * | 1976-11-11 | 1978-07-11 | International Business Machines Corporation | Method for plating palladium-nickel alloy |
| US4092225A (en) * | 1976-11-17 | 1978-05-30 | Amp Incorporated | High efficiency palladium electroplating process, bath and composition therefor |
| DE2657925A1 (de) * | 1976-12-21 | 1978-06-22 | Siemens Ag | Ammoniakfreies, waessriges bad zur galvanischen abscheidung von palladium bzw. palladiumlegierungen |
| JPS5929118B2 (ja) * | 1980-09-19 | 1984-07-18 | セイコーエプソン株式会社 | パラジウム・ニツケル合金メツキ液 |
| US4297177A (en) * | 1980-09-19 | 1981-10-27 | American Chemical & Refining Company Incorporated | Method and composition for electrodepositing palladium/nickel alloys |
| US4545868A (en) * | 1981-10-06 | 1985-10-08 | Learonal, Inc. | Palladium plating |
| US4622110A (en) * | 1981-10-06 | 1986-11-11 | Learonal, Inc. | Palladium plating |
| US4454010A (en) * | 1982-08-30 | 1984-06-12 | At & T Bell Laboratories | Palladium plating procedure |
| US4552628A (en) * | 1982-09-09 | 1985-11-12 | Engelhard Corporation | Palladium electroplating and bath thereof |
| GB2171721B (en) * | 1985-01-25 | 1989-06-07 | Omi Int Corp | Palladium and palladium alloy plating |
| US4545869A (en) * | 1985-01-29 | 1985-10-08 | Omi International Corporation | Bath and process for high speed electroplating of palladium |
| US4564426A (en) * | 1985-04-15 | 1986-01-14 | International Business Machines Corporation | Process for the deposition of palladium-nickel alloy |
| US4673472A (en) * | 1986-02-28 | 1987-06-16 | Technic Inc. | Method and electroplating solution for deposition of palladium or alloys thereof |
| US4849303A (en) * | 1986-07-01 | 1989-07-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Alloy coatings for electrical contacts |
| US4911798A (en) * | 1988-12-20 | 1990-03-27 | At&T Bell Laboratories | Palladium alloy plating process |
| US4911799A (en) * | 1989-08-29 | 1990-03-27 | At&T Bell Laboratories | Electrodeposition of palladium films |
| JPH05271980A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-19 | Yazaki Corp | パラジウム−ニッケル合金メッキ液 |
| JPH0711475A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-13 | Kojima Kagaku Yakuhin Kk | パラジウムめっき液 |
| US5415685A (en) * | 1993-08-16 | 1995-05-16 | Enthone-Omi Inc. | Electroplating bath and process for white palladium |
| TW340139B (en) * | 1995-09-16 | 1998-09-11 | Moon Sung-Soo | Process for plating palladium or palladium alloy onto iron-nickel alloy substrate |
| US5976344A (en) * | 1996-05-10 | 1999-11-02 | Lucent Technologies Inc. | Composition for electroplating palladium alloys and electroplating process using that composition |
| US6251249B1 (en) * | 1996-09-20 | 2001-06-26 | Atofina Chemicals, Inc. | Precious metal deposition composition and process |
| US7566390B2 (en) | 2004-12-15 | 2009-07-28 | Lam Research Corporation | Wafer support apparatus for electroplating process and method for using the same |
-
2008
- 2008-03-17 CN CN2008100868593A patent/CN101348928B/zh active Active
- 2008-07-14 TW TW097126599A patent/TWI391533B/zh active
- 2008-07-21 EP EP08160839.0A patent/EP2017373B1/en active Active
- 2008-07-21 US US12/220,037 patent/US20090038950A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2017373A2 (en) | 2009-01-21 |
| TWI391533B (zh) | 2013-04-01 |
| US20090038950A1 (en) | 2009-02-12 |
| CN101348928A (zh) | 2009-01-21 |
| EP2017373A3 (en) | 2013-09-11 |
| TW200923140A (en) | 2009-06-01 |
| EP2017373B1 (en) | 2018-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101348928B (zh) | 镀钯及镀钯合金之高速方法 | |
| CN1922343B (zh) | 用于电镀锌-镍三元的和更高的合金的电镀液，系统和方法及其电镀产品 | |
| KR101502804B1 (ko) | Ｐｄ 및 Ｐｄ-Ｎｉ 전해질 욕조 | |
| EP0512724B1 (en) | Acidic palladium strike bath | |
| TWI441945B (zh) | Ｎｉ－Ｐ層系統及其製備方法 | |
| US9297087B2 (en) | Acidic gold alloy plating solution | |
| JP6370380B2 (ja) | 銀−パラジウム合金の電着のための電解質、及びその析出方法 | |
| EP2634292B1 (en) | Method of preventing silver tarnishing | |
| US9435046B2 (en) | High speed method for plating palladium and palladium alloys | |
| JP5583896B2 (ja) | パラジウムおよびパラジウム合金の高速めっき方法 | |
| EP3312308A1 (en) | Nickel plating solution | |
| EP0059452B1 (en) | Palladium and palladium alloys electroplating procedure | |
| EP3686319A1 (en) | Indium electroplating compositions and methods for electroplating indium on nickel | |
| EP0892087A2 (en) | Electroplating of low-stress nickel | |
| US20060254923A1 (en) | Low hydrogen embrittlement (LHE) zinc-nickel plating for high strength steels (HSS) | |
| DE102011114931B4 (de) | Verfahren zur selektiveren, elektrolytischen Abscheidung von Gold oder einer Goldlegierung | |
| KR101491980B1 (ko) | 팔라듐 및 팔라듐 합금의 고속 도금 방법 | |
| EP1162289A1 (en) | Palladium electroplating bath and process for electroplating | |
| JPH0347988A (ja) | 電極損傷度合いの小さい電気亜鉛系めっき鋼板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |