JPH0474883A - ルテニウム合金メッキ方法 - Google Patents
ルテニウム合金メッキ方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電子部品や触媒等に利用されるルテニウム−
モリブデン合金膜の製造方法に関するものである。
モリブデン合金膜の製造方法に関するものである。
（従来技術とその問題点）
従来、ルテニウムは耐摩耗性、耐蝕性にすぐれた特性を
有し、さらに金にくらべ安価であることから電子部品な
どの材料への電気メッキ金属として使用されている。
有し、さらに金にくらべ安価であることから電子部品な
どの材料への電気メッキ金属として使用されている。
ルテニウムの電気メッキ方法は塩化ルテニウムとスルフ
ァミン酸の酸性浴を用いて電気メッキする方法が行われ
ているが、該ルテニウムメッキ被膜は内部応力が大きい
ため密着性に欠ける点と厚付けが困難なこと、さらに、
金にくらべ安価ではあるが貴金属であるため比較的高価
であるので、省貴金属化の要求は常に要望されている。
ァミン酸の酸性浴を用いて電気メッキする方法が行われ
ているが、該ルテニウムメッキ被膜は内部応力が大きい
ため密着性に欠ける点と厚付けが困難なこと、さらに、
金にくらべ安価ではあるが貴金属であるため比較的高価
であるので、省貴金属化の要求は常に要望されている。
（発明の目的）
本発明は、上記従来の欠点を解決するために成されたち
のて、ルテニウムとモリブデンの合金メッキ被膜を形成
することにより密着性を向上し、厚付けを可能とし、さ
らに省貴金属化が得られるというルテニウム合金メッキ
の方法を提供することを目的とするものである。
のて、ルテニウムとモリブデンの合金メッキ被膜を形成
することにより密着性を向上し、厚付けを可能とし、さ
らに省貴金属化が得られるというルテニウム合金メッキ
の方法を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、塩化ルテニウムとスルファミン酸とモリブデ
ン酸塩から成るルテニウム合金メッキ浴を用いて、電気
メッキすることを特徴とするルテニウム合金メッキの方
法で、前記ルテニウム合金メッキ浴の塩化ルテニウム濃
度が０． ５〜１０ｇ／ｌ、スルファミン酸濃度が１０
〜３０ｇ／Ｉ！、モリブデン酸塩の濃度が５〜３０ ｇ
／ｌ！であるルテニウム合金メッキの方法で、前記電気
メッキの条件が電流密度０． ５〜５０ｍＡ／ａｎ？、
浴温度が５０〜８０℃、て行うことを特徴とするルテニ
ウム合金メッキの方法である。
ン酸塩から成るルテニウム合金メッキ浴を用いて、電気
メッキすることを特徴とするルテニウム合金メッキの方
法で、前記ルテニウム合金メッキ浴の塩化ルテニウム濃
度が０． ５〜１０ｇ／ｌ、スルファミン酸濃度が１０
〜３０ｇ／Ｉ！、モリブデン酸塩の濃度が５〜３０ ｇ
／ｌ！であるルテニウム合金メッキの方法で、前記電気
メッキの条件が電流密度０． ５〜５０ｍＡ／ａｎ？、
浴温度が５０〜８０℃、て行うことを特徴とするルテニ
ウム合金メッキの方法である。
以下、本発明について詳細を説明する。
ルテニウムとモリブデン合金メッキを行うために用いる
メッキ浴は、塩化ルテニウム２ ｇ／１前後の濃度にス
ルファミン酸を１０〜３０ ｇ／（２の濃度範囲で加え
、モリブデン酸ナトリウムを５〜３０ｇ／ｌの濃度範囲
で加えアンモニア水を加えてｐＨ＝１前後に調節したも
のを用いる。
メッキ浴は、塩化ルテニウム２ ｇ／１前後の濃度にス
ルファミン酸を１０〜３０ ｇ／（２の濃度範囲で加え
、モリブデン酸ナトリウムを５〜３０ｇ／ｌの濃度範囲
で加えアンモニア水を加えてｐＨ＝１前後に調節したも
のを用いる。
前記スルファミン酸の濃度を１０〜３０ｇ／ｆとするの
は、１０ ｇ／ｌ以下ではメッキ後の色に光沢がなく、
３０ ｇｉｌ！以上では厚付けできないからである。
は、１０ ｇ／ｌ以下ではメッキ後の色に光沢がなく、
３０ ｇｉｌ！以上では厚付けできないからである。
また、モリブデン酸ナトリウムの濃度を５〜３０ｇ／（
２とするのは、５ｇ／Ａ以下ではルテニウム−モリブデ
ン合金メッキ被膜が剥離し易く密着性が十分でなく、３
０ ｇ／Ｉ！以上ではモリブデン量が多すぎるためルテ
ニウム単独の特性と同等以上のルテニウム合金メッキ被
膜が得られなくなるからである。
２とするのは、５ｇ／Ａ以下ではルテニウム−モリブデ
ン合金メッキ被膜が剥離し易く密着性が十分でなく、３
０ ｇ／Ｉ！以上ではモリブデン量が多すぎるためルテ
ニウム単独の特性と同等以上のルテニウム合金メッキ被
膜が得られなくなるからである。
以上の説明によるメッキ浴を用いて、電気メッキする方
法は、該電気メッキ条件として、電流密度０ 、 ５〜
３０ ｍＡ／ｃｎｆ、電気量５０〜６００Ｃ／ ｃＪ、
浴温度を５０〜８０℃で電気メッキすることで目的とす
る、密着性のよい、厚付はメッキを可能とし、モリブデ
ン含有率を２．５〜２０重量％のルテニウム−モリブデ
ン合金被膜を形成できるものである。
法は、該電気メッキ条件として、電流密度０ 、 ５〜
３０ ｍＡ／ｃｎｆ、電気量５０〜６００Ｃ／ ｃＪ、
浴温度を５０〜８０℃で電気メッキすることで目的とす
る、密着性のよい、厚付はメッキを可能とし、モリブデ
ン含有率を２．５〜２０重量％のルテニウム−モリブデ
ン合金被膜を形成できるものである。
なお、光沢性、密着性やクラック発生の抑制に添加剤と
して千オ尿素、チオ硫酸ナトリウム又は亜セレン酸の１
種以上を０．２〜２．０ｇ／Ａ添加すると効果が得られ
るものである。添加する量が０． ２ｇ／１．以下では
無添加のものと変わりなく２．０ｇ／ｌ以上ではルテニ
ウムやモリブデンの電着性が悪くなるからである。
して千オ尿素、チオ硫酸ナトリウム又は亜セレン酸の１
種以上を０．２〜２．０ｇ／Ａ添加すると効果が得られ
るものである。添加する量が０． ２ｇ／１．以下では
無添加のものと変わりなく２．０ｇ／ｌ以上ではルテニ
ウムやモリブデンの電着性が悪くなるからである。
以下、本発明に係わる実施例を記載するが、該実施例は
本発明を限定するものではない。
本発明を限定するものではない。
（実施例１）
塩化ルテニウム２ｇ／１７、スルファミン酸１４ｇ／ｌ
と濃度を一定にし、モリブデン酸ナトリウムの添加濃度
を１０．３０．５０．１００．２００ｇ ／ １７の５
種のメッキ浴をｐＨ＝１に硫酸をくわえ調節し、陽極に
白金板（４ｃｔ＆）、陰極に銅板（４ｄ）を前辺て電解
研磨、脱脂、酸処理して、電気メッキ条件として、電流
密度３７．５ｍＡ／ｄ、電気量３００Ｃ／ｃｏ’ｆ、浴
温度を７０℃で行ったところ、モリブデン酸ナトリウム
の添加濃度が３０ ｇ／ｌ！以下のものは、厚み５瞥の
黒色のなめらかな被膜を形成でき、テープを用いてのビ
ールテストではまったく剥がれることがな（，５０ｇ／
ｒ以上のものは剥離したり、パウダー状になってしまっ
た。
と濃度を一定にし、モリブデン酸ナトリウムの添加濃度
を１０．３０．５０．１００．２００ｇ ／ １７の５
種のメッキ浴をｐＨ＝１に硫酸をくわえ調節し、陽極に
白金板（４ｃｔ＆）、陰極に銅板（４ｄ）を前辺て電解
研磨、脱脂、酸処理して、電気メッキ条件として、電流
密度３７．５ｍＡ／ｄ、電気量３００Ｃ／ｃｏ’ｆ、浴
温度を７０℃で行ったところ、モリブデン酸ナトリウム
の添加濃度が３０ ｇ／ｌ！以下のものは、厚み５瞥の
黒色のなめらかな被膜を形成でき、テープを用いてのビ
ールテストではまったく剥がれることがな（，５０ｇ／
ｒ以上のものは剥離したり、パウダー状になってしまっ
た。
また、銅に電気メッキしたルテニウム合金被膜をＸ線回
折で解析したところルテニウムのブロードなピークが現
れた。
折で解析したところルテニウムのブロードなピークが現
れた。
さらに、ルテニウム合金被膜を溶解してＩＣＰ分析した
ところ、モリブデン含有率が１０重量％、１２重量％、
１０重量％、１０重量％、８重量％であった。
ところ、モリブデン含有率が１０重量％、１２重量％、
１０重量％、１０重量％、８重量％であった。
（実施例２）
塩化ルテニウム２ ｇ／ｌ、モリブデン酸ナトリウム５
０ｇ／ｌとして、スルファミン酸の添加濃度を１４．２
０．４０．１００ｇ／７の４種として、それぞれ硫酸を
加えてｐ）（〜１とし、メッキ浴を調節し、実施例１と
同様のメッキ条件でメッキしたところ、１４ ｇ／Ａで
は５ρ１．１４ｇ／ｌでは５ｐｒｒでクラックのない黒
味を帯びた光沢のある被覆が得られた。しかし、それ以
上のスルファミン酸の濃度では、厚みは同程度であるが
、りラックを生じた。
０ｇ／ｌとして、スルファミン酸の添加濃度を１４．２
０．４０．１００ｇ／７の４種として、それぞれ硫酸を
加えてｐ）（〜１とし、メッキ浴を調節し、実施例１と
同様のメッキ条件でメッキしたところ、１４ ｇ／Ａで
は５ρ１．１４ｇ／ｌでは５ｐｒｒでクラックのない黒
味を帯びた光沢のある被覆が得られた。しかし、それ以
上のスルファミン酸の濃度では、厚みは同程度であるが
、りラックを生じた。
実施例１と同様の操作で得たルテニウム−モリブデン合
金被膜と塩化ルテニウムとスルファミン酸の浴を用いて
メッキし得られたルテニウム単独のメッキ被膜のそれぞ
れ同じ厚みのものを、分極測定装置でアノード溶解テス
トをしたところ溶解は認められなかった。
金被膜と塩化ルテニウムとスルファミン酸の浴を用いて
メッキし得られたルテニウム単独のメッキ被膜のそれぞ
れ同じ厚みのものを、分極測定装置でアノード溶解テス
トをしたところ溶解は認められなかった。
（実施例３）
実施例１と同じメッキ浴組成にそれぞれチオ尿素、チオ
硫酸ナトリウム、亜セレン酸を０．２ｇ／ｌ、２．０ｇ
／ｌ、２０ ｇ／ｌ！の３種類の濃度を加えて、メッキ
条件も実施例１と同様に行ったところ、２０ ｇ／１２
添加したものは、ルテニウム、モリブデンが電着されず
、０．２ｇ／ｌ及び２．０ｇ／ｌのものはそれぞれ実施
例１のものより光沢があり、折り曲げ試験でも実施例１
のものよりよく、メッキ中の水素発生が抑制されていた
。
硫酸ナトリウム、亜セレン酸を０．２ｇ／ｌ、２．０ｇ
／ｌ、２０ ｇ／ｌ！の３種類の濃度を加えて、メッキ
条件も実施例１と同様に行ったところ、２０ ｇ／１２
添加したものは、ルテニウム、モリブデンが電着されず
、０．２ｇ／ｌ及び２．０ｇ／ｌのものはそれぞれ実施
例１のものより光沢があり、折り曲げ試験でも実施例１
のものよりよく、メッキ中の水素発生が抑制されていた
。
（発明の効果）
以上の説明で明らかのように、本発明の方法によれば、
従来法では得られない、厚付けを可能とし、密着性のよ
いメッキ被膜を得る二とができ、しかもメッキが困難で
あったモリブデンとルテニウムの合金メッキ被膜を形成
させることができ、ルテニウム単独のメッキ被膜と同等
以上の特性が得られ、しかも省貴金属化が可能となると
いう画期的な方法であり、ルテニウム−モリブデン合金
メッキ被膜を電子部品や触媒に限定される二となく装飾
材料等にも広く利用されることが期待されるものである
。
従来法では得られない、厚付けを可能とし、密着性のよ
いメッキ被膜を得る二とができ、しかもメッキが困難で
あったモリブデンとルテニウムの合金メッキ被膜を形成
させることができ、ルテニウム単独のメッキ被膜と同等
以上の特性が得られ、しかも省貴金属化が可能となると
いう画期的な方法であり、ルテニウム−モリブデン合金
メッキ被膜を電子部品や触媒に限定される二となく装飾
材料等にも広く利用されることが期待されるものである
。
田中貴金属工業株式会社
津留 壽昭
柳ケ瀬 健次部
柳ケ瀬 勉
小林 繁夫
Claims (3)
- （１）塩化ルテニウムとスルファミン酸とモリブデン酸
塩から成るルテニウム合金メッキ浴を用いて、電気メッ
キすることを特徴とするルテニウム合金メッキ方法。 - （２）前記ルテニウム合金メッキ浴の塩化ルテニウム濃
度が０．５〜１０ｇ／ｌ、スルファミン酸濃度が１０〜
３０ｇ／ｌ、モリブデン酸塩の濃度が５〜３０ｇ／ｌで
ある請求項１に記載のルテニウム合金メッキ方法。 - （３）前記電気メッキの条件が電流密度０．５〜５０ｍ
Ａ／ｃｍ＾２、浴温度が５０〜８０℃、で行うことを特
徴とする請求項１および２に記載のルテニウム合金メッ
キ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18824590A JPH0474883A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | ルテニウム合金メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18824590A JPH0474883A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | ルテニウム合金メッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474883A true JPH0474883A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16220326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18824590A Pending JPH0474883A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | ルテニウム合金メッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0474883A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010522277A (ja) * | 2007-03-28 | 2010-07-01 | ユミコア ガルヴァノテヒニク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電解質、並びに黒ルテニウムの装飾用の及び技術的な層を堆積するための方法 |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP18824590A patent/JPH0474883A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010522277A (ja) * | 2007-03-28 | 2010-07-01 | ユミコア ガルヴァノテヒニク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電解質、並びに黒ルテニウムの装飾用の及び技術的な層を堆積するための方法 |
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