JPH11217690A - 電気メッキパラジウム合金組成物及びその組成物を用いる電気メッキ法 - Google Patents
電気メッキパラジウム合金組成物及びその組成物を用いる電気メッキ法Info
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- JPH11217690A JPH11217690A JP10328724A JP32872498A JPH11217690A JP H11217690 A JPH11217690 A JP H11217690A JP 10328724 A JP10328724 A JP 10328724A JP 32872498 A JP32872498 A JP 32872498A JP H11217690 A JPH11217690 A JP H11217690A
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/567—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of platinum group metals
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 混合配位子系におけるパラジウム合金の電気
メッキのための水成の電気メッキ浴を提供する。 【解決手段】 第一の配位子はパラジウムの錯体を形成
し、第二の配位子は他の金属と錯体を形成し２つの金属
のメッキ電位を近い値とするように機能する。パラジウ
ムおよび合金金属は異なる構造で錯体として存在する。
メッキのための水成の電気メッキ浴を提供する。 【解決手段】 第一の配位子はパラジウムの錯体を形成
し、第二の配位子は他の金属と錯体を形成し２つの金属
のメッキ電位を近い値とするように機能する。パラジウ
ムおよび合金金属は異なる構造で錯体として存在する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はパラジウム合金の電
気メッキ技術に関するものであり、より詳しくは、混合
配位子系内でのパラジウムの鉄およびコバルト合金の析
出およびそのプロセスに関するものである。
気メッキ技術に関するものであり、より詳しくは、混合
配位子系内でのパラジウムの鉄およびコバルト合金の析
出およびそのプロセスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気メッキは、基体上にその外観を高
め、その腐食、摩耗、あるいは拡散に対する耐性を改善
し、あるいは保守およびその半田付け性を改善するため
に、被膜を設けるための公知の方法である。電子工業界
においては、銅のような金属を劣化させる過酷な環境に
おいても長期間に亘って信頼性のある低い抵抗、ノイズ
なしの接触を確保するために、貴金属が接点の金属とし
て使用されてきた。貴金属はそのコスト高のために、そ
の所望の特性である耐蝕性あるいは接合性が必要とされ
る場所にのみ使用されており、また特定の領域上に調整
された量で析出をするために電気メッキが有効な方法で
あることが証明されている。
め、その腐食、摩耗、あるいは拡散に対する耐性を改善
し、あるいは保守およびその半田付け性を改善するため
に、被膜を設けるための公知の方法である。電子工業界
においては、銅のような金属を劣化させる過酷な環境に
おいても長期間に亘って信頼性のある低い抵抗、ノイズ
なしの接触を確保するために、貴金属が接点の金属とし
て使用されてきた。貴金属はそのコスト高のために、そ
の所望の特性である耐蝕性あるいは接合性が必要とされ
る場所にのみ使用されており、また特定の領域上に調整
された量で析出をするために電気メッキが有効な方法で
あることが証明されている。
【０００３】コストを低減するための要請が常にあり、
よってパラジウムが金メッキに代用されている。コネク
タおよび接点に対しては、多くのサイクルにおいて信頼
性のある操作を確保するためには硬度および耐摩耗性の
程度を調整することが同様に必要である。ベース金属は
典型的には銅あるいはベリリウム銅合金であり、これは
ピンホールおよび腐食を制限するために、これに３０か
ら１００マイクロインチのニッケルが最初にメッキされ
る。パラジウムは低い接触抵抗を提供するためにニッケ
ル上にメッキされるが、多くのサイクルのコネクタ操作
が予想される用途においてはパラジウム単独では比較的
柔らかい。パラジウム−ニッケル合金は析出物の硬度を
増大させて摩耗性を改善する。しかしながら、品質管理
においては電気メッキの厚さおよび組成を決定するため
に蛍光Ｘ線をしばしば使用される。よって、ニッケルが
下層として電気メッキの構成要素として存在する場合に
は、品質管理がより困難になる。これらの測定は、メッ
キされた部分の耐蝕性および接触信頼性を決定するため
に重要である。ニッケルはまた、特定の人に影響を与え
るアレルギー特性を有している。この結果、析出物の硬
度を増大し、析出物の品質制御を改善し、またそのアレ
ルギーの影響を減じるためにパラジウム−鉄あるいはパ
ラジウム−コバルトをメッキすることがより好ましい用
途が存在する。
よってパラジウムが金メッキに代用されている。コネク
タおよび接点に対しては、多くのサイクルにおいて信頼
性のある操作を確保するためには硬度および耐摩耗性の
程度を調整することが同様に必要である。ベース金属は
典型的には銅あるいはベリリウム銅合金であり、これは
ピンホールおよび腐食を制限するために、これに３０か
ら１００マイクロインチのニッケルが最初にメッキされ
る。パラジウムは低い接触抵抗を提供するためにニッケ
ル上にメッキされるが、多くのサイクルのコネクタ操作
が予想される用途においてはパラジウム単独では比較的
柔らかい。パラジウム−ニッケル合金は析出物の硬度を
増大させて摩耗性を改善する。しかしながら、品質管理
においては電気メッキの厚さおよび組成を決定するため
に蛍光Ｘ線をしばしば使用される。よって、ニッケルが
下層として電気メッキの構成要素として存在する場合に
は、品質管理がより困難になる。これらの測定は、メッ
キされた部分の耐蝕性および接触信頼性を決定するため
に重要である。ニッケルはまた、特定の人に影響を与え
るアレルギー特性を有している。この結果、析出物の硬
度を増大し、析出物の品質制御を改善し、またそのアレ
ルギーの影響を減じるためにパラジウム−鉄あるいはパ
ラジウム−コバルトをメッキすることがより好ましい用
途が存在する。
【０００４】例えば、Ｈｅｐｐｎｅｒ等に付与された米
国特許第４、２４２、１８０号には、パラジウムおよび
パラジウム合金を析出するプロセスおよび一連のメッキ
浴が開示されている。パラジウムは、アミノ酢酸を錯化
剤として使用してジグリシネ−ト パラジウムＩＩ錯体
として存在している。この浴はまた、導電塩、緩衝試
薬、および非パラジウム金属不純物を錯化するためのエ
チレンジアミン−テトラアセティック（tetraactetic）
酸あるいはアンモニア三酢酸、界面活性物質などのよう
な錯化剤を含んでいる。
国特許第４、２４２、１８０号には、パラジウムおよび
パラジウム合金を析出するプロセスおよび一連のメッキ
浴が開示されている。パラジウムは、アミノ酢酸を錯化
剤として使用してジグリシネ−ト パラジウムＩＩ錯体
として存在している。この浴はまた、導電塩、緩衝試
薬、および非パラジウム金属不純物を錯化するためのエ
チレンジアミン−テトラアセティック（tetraactetic）
酸あるいはアンモニア三酢酸、界面活性物質などのよう
な錯化剤を含んでいる。
【０００５】アンモニア含有メッキ浴は、Ｚａｓｈｃｈ
ｉｔａ Ｍｅｔａｌｌｏｖ， Ｖｏｌ．４，Ｎｏ．５，
第５４３−５４７頁，１９６８年、およびＺａｓｈｃｈ
ｉｔａ Ｍｅｔａｌｌｏｖ， Ｖｏｌ．７，Ｎｏ．５，
第６１２−６１３頁，１９７１年のＶｉｎｏｇｒａｄｏ
ｖ等による文献内に記載されている。前者の著作物にお
いては、パラジウム−コバルト合金はパラジウムを［Ｐ
ｄ（ＮＨ３）４］Ｃｌ２の形で含む塩化アミノ電解液内
で析出される。塩化アンモニウムおよび水酸化ナトリウ
ムはｐＨを１０の値に調節するために加えられる。コバ
ルトは［Ｃｏ（ＮＨ３）６］Ｃｌ２の形で加えられる。
Ｐｄ−Ｃｏ合金の耐摩耗性および内部応力は浴内のコバ
ルト濃度の増大とともに鋭く増大する。後者の著作物で
は、Ｋ６Ｃｏ（Ｐ２Ｏ７）Ｏ２から誘導されたピロリン
酸塩錯体の形のコバルトが前者の著作物内の合金の内部
応力を低くするために使用される。ピロリン酸塩電解液
は陰極面をより効率的に湿らせて合金の電流収率を増大
する。１Ａ／ｄｍ２の電流密度を越えると析出物が緩く
より結晶体になる。この提案された浴はまた、ピロリン
酸カリウム、塩化アンモニウム、およびクエン酸アンモ
ニウムを含んでいる。これらの浴は析出物の機械的な特
性を種々の浴条件に対して研究するための使用される
が、これらはｐＨの狭い範囲および低い電流密度で運用
されるために生産環境を維持することが困難である。
ｉｔａ Ｍｅｔａｌｌｏｖ， Ｖｏｌ．４，Ｎｏ．５，
第５４３−５４７頁，１９６８年、およびＺａｓｈｃｈ
ｉｔａ Ｍｅｔａｌｌｏｖ， Ｖｏｌ．７，Ｎｏ．５，
第６１２−６１３頁，１９７１年のＶｉｎｏｇｒａｄｏ
ｖ等による文献内に記載されている。前者の著作物にお
いては、パラジウム−コバルト合金はパラジウムを［Ｐ
ｄ（ＮＨ３）４］Ｃｌ２の形で含む塩化アミノ電解液内
で析出される。塩化アンモニウムおよび水酸化ナトリウ
ムはｐＨを１０の値に調節するために加えられる。コバ
ルトは［Ｃｏ（ＮＨ３）６］Ｃｌ２の形で加えられる。
Ｐｄ−Ｃｏ合金の耐摩耗性および内部応力は浴内のコバ
ルト濃度の増大とともに鋭く増大する。後者の著作物で
は、Ｋ６Ｃｏ（Ｐ２Ｏ７）Ｏ２から誘導されたピロリン
酸塩錯体の形のコバルトが前者の著作物内の合金の内部
応力を低くするために使用される。ピロリン酸塩電解液
は陰極面をより効率的に湿らせて合金の電流収率を増大
する。１Ａ／ｄｍ２の電流密度を越えると析出物が緩く
より結晶体になる。この提案された浴はまた、ピロリン
酸カリウム、塩化アンモニウム、およびクエン酸アンモ
ニウムを含んでいる。これらの浴は析出物の機械的な特
性を種々の浴条件に対して研究するための使用される
が、これらはｐＨの狭い範囲および低い電流密度で運用
されるために生産環境を維持することが困難である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、水素フリ
ーで化学的および電気化学的に安定である、光沢があ
り、接着性があり、および延性がある析出物を提供する
パラジウム合金メッキ浴および方法に対する要求があ
る。この浴はまた、パラジウムが１０％から９５％の範
囲である合金組成の範囲を析出するために十分に可変性
があり、また電気接点のメッキにおいて一般的である巻
き返し式（reel-to-reel）メッキ操作における高速度の
メッキ、および物品装飾におけるラックあるいはバレル
メッキにおいて例証される低速度メッキ操作の両方をで
きるものである。さらに、蛍光Ｘ線の品質管理測定を妨
害することなくベース金属上にニッケルのバリアを採用
している現在の接点／コネクタ技術を維持することが好
ましい。
ーで化学的および電気化学的に安定である、光沢があ
り、接着性があり、および延性がある析出物を提供する
パラジウム合金メッキ浴および方法に対する要求があ
る。この浴はまた、パラジウムが１０％から９５％の範
囲である合金組成の範囲を析出するために十分に可変性
があり、また電気接点のメッキにおいて一般的である巻
き返し式（reel-to-reel）メッキ操作における高速度の
メッキ、および物品装飾におけるラックあるいはバレル
メッキにおいて例証される低速度メッキ操作の両方をで
きるものである。さらに、蛍光Ｘ線の品質管理測定を妨
害することなくベース金属上にニッケルのバリアを採用
している現在の接点／コネクタ技術を維持することが好
ましい。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は混合リガンドシ
ステム、即ち混合配位子系におけるパラジウム合金のメ
ッキに関するものである。第一の配位子は、パラジウム
の錯体を形成し、第二の配位子は、他の合金金属の錯体
を形成し、また合金金属およびパラジウムの電気メッキ
還元電位を、第一の配位子のみを用いた合金金属電気メ
ッキ還元電位とパラジウム電気メッキ還元電位と比較し
て、より近い値となるようにする。。
ステム、即ち混合配位子系におけるパラジウム合金のメ
ッキに関するものである。第一の配位子は、パラジウム
の錯体を形成し、第二の配位子は、他の合金金属の錯体
を形成し、また合金金属およびパラジウムの電気メッキ
還元電位を、第一の配位子のみを用いた合金金属電気メ
ッキ還元電位とパラジウム電気メッキ還元電位と比較し
て、より近い値となるようにする。。
【０００８】パラジウムおよび合金金属は異なる構造で
錯体として存在する。２つの金属の電気メッキ還元電位
が第一の配位子のみを用いた場合と比較してより近い値
となるので、広い範囲の電流密度で１０％から９５％の
範囲で一貫して安定な合金組成が達成される。この浴は
高速および低速のメッキ操作に適用性がある。
錯体として存在する。２つの金属の電気メッキ還元電位
が第一の配位子のみを用いた場合と比較してより近い値
となるので、広い範囲の電流密度で１０％から９５％の
範囲で一貫して安定な合金組成が達成される。この浴は
高速および低速のメッキ操作に適用性がある。
【０００９】パラジウム錯体に対してはアンモニアある
いは有機アミンが配位子として使用される。第二の配位
子は、酢酸、マロン酸、グルタル酸、およびエチレンジ
アミン四酢酸（ＥＤＴＡ）を含むモノ−、ジ−、テトラ
−カルボン酸からなるグループから選択される。合金金
属はメッキ層を硬化するために使用され、これにより電
気接点に対する耐摩耗性が提供される。第ＶＩＩＩ族か
らのいずれかのベース金属の追加はパラジウムを硬化に
寄与する。本明細書に記載された浴は、工業的な利用に
おいて化学的および電気化学的に十分に安定であり、ま
た広い範囲の陰極電流密度で操作され連続またはラック
メッキ操作に適しているので、有用である。１０から９
５パーセントのパラジウムを含む合金はこれらの浴から
析出される。
いは有機アミンが配位子として使用される。第二の配位
子は、酢酸、マロン酸、グルタル酸、およびエチレンジ
アミン四酢酸（ＥＤＴＡ）を含むモノ−、ジ−、テトラ
−カルボン酸からなるグループから選択される。合金金
属はメッキ層を硬化するために使用され、これにより電
気接点に対する耐摩耗性が提供される。第ＶＩＩＩ族か
らのいずれかのベース金属の追加はパラジウムを硬化に
寄与する。本明細書に記載された浴は、工業的な利用に
おいて化学的および電気化学的に十分に安定であり、ま
た広い範囲の陰極電流密度で操作され連続またはラック
メッキ操作に適しているので、有用である。１０から９
５パーセントのパラジウムを含む合金はこれらの浴から
析出される。
【００１０】本発明の一実施形態においてコバルトが合
金金属である。本発明の他の実施形態において、鉄が合
金金属である。本発明の別の実施形態において、ルテニ
ウム、ロジウムあるいはイリジウムが合金金属である。
金金属である。本発明の他の実施形態において、鉄が合
金金属である。本発明の別の実施形態において、ルテニ
ウム、ロジウムあるいはイリジウムが合金金属である。
【００１１】本方法はこれらの層の析出について説明さ
れている。これらおよび他の特徴および特長は以下の好
ましい実施形態の詳細な説明を考慮してより良く理解さ
れるものである。
れている。これらおよび他の特徴および特長は以下の好
ましい実施形態の詳細な説明を考慮してより良く理解さ
れるものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】パラジウム合金の付着あるいは析
出を、広範囲の電流密度にわたって安定して行なうこと
のできるパラジウムメッキ浴を提供するために、本発明
は、混合リガンドシステム、即ち混合配位子系を用い
る。この混合配位子系は、パラジウムと錯体を形成する
第一の配位子と、選択された合金ベース金属即ち合金の
母材と錯体を形成する第二の配位子とを少なくとも含
む。この合金ベース金属は、パラジウム析出層を強化し
て、コネクタ用途に用いた場合における耐摩耗性を向上
させるためや、腐食防止や装飾用途に用いた場合におけ
るコストの低下をさせるために用いられる。第二の配位
子は、選択された合金ベース金属のメッキ電位とパラジ
ウムのメッキ電位とが、第一の配位子のみを用いた場合
と比較して、より近い値となるように選択される。一例
として、ベース金属は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃ
ｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びイ
リジウム（Ｉｒ）のうちの少なくとも一つである。
出を、広範囲の電流密度にわたって安定して行なうこと
のできるパラジウムメッキ浴を提供するために、本発明
は、混合リガンドシステム、即ち混合配位子系を用い
る。この混合配位子系は、パラジウムと錯体を形成する
第一の配位子と、選択された合金ベース金属即ち合金の
母材と錯体を形成する第二の配位子とを少なくとも含
む。この合金ベース金属は、パラジウム析出層を強化し
て、コネクタ用途に用いた場合における耐摩耗性を向上
させるためや、腐食防止や装飾用途に用いた場合におけ
るコストの低下をさせるために用いられる。第二の配位
子は、選択された合金ベース金属のメッキ電位とパラジ
ウムのメッキ電位とが、第一の配位子のみを用いた場合
と比較して、より近い値となるように選択される。一例
として、ベース金属は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃ
ｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びイ
リジウム（Ｉｒ）のうちの少なくとも一つである。
【００１３】ある種の合金メタル、例えば鉄やコバルト
は、従来の電気メッキ浴、例えばニッケルに適している
電気メッキ浴を行なった場合、満足できる析出層は得ら
れない場合が多かった。これは、コバルトとニッケルと
の化学特性の差異に起因するものである。例えば、ニッ
ケルとコバルトとは、周期表においては近い位置にある
が、その特性や、錯体の構造は異る。ニッケルの安定な
酸化状態は＋２であるが、コバルトは、二つの酸化状
態、即ち＋２、＋３の状態がメッキ浴内に共存する傾向
がある。ニッケルは、平面的で配位数４の錯体を形成す
るが、コバルトは、配位数６の八面体形状の錯体を好ん
でとる。ニッケルは、窒素含有配位子に対して強い親和
性を有し、コバルトは、酸素を含有する配位子と好んで
結合する。これら結合親和性の差異によって、パラジウ
ム／ニッケル及びパラジウム／コバルト合金析出におけ
る電気メッキ化学的組成の選定における主な相違点が定
まる。
は、従来の電気メッキ浴、例えばニッケルに適している
電気メッキ浴を行なった場合、満足できる析出層は得ら
れない場合が多かった。これは、コバルトとニッケルと
の化学特性の差異に起因するものである。例えば、ニッ
ケルとコバルトとは、周期表においては近い位置にある
が、その特性や、錯体の構造は異る。ニッケルの安定な
酸化状態は＋２であるが、コバルトは、二つの酸化状
態、即ち＋２、＋３の状態がメッキ浴内に共存する傾向
がある。ニッケルは、平面的で配位数４の錯体を形成す
るが、コバルトは、配位数６の八面体形状の錯体を好ん
でとる。ニッケルは、窒素含有配位子に対して強い親和
性を有し、コバルトは、酸素を含有する配位子と好んで
結合する。これら結合親和性の差異によって、パラジウ
ム／ニッケル及びパラジウム／コバルト合金析出におけ
る電気メッキ化学的組成の選定における主な相違点が定
まる。
【００１４】より優れた電気メッキ浴を提供するため
に、ある種の金属における電気メッキ還元電位を、ｐＨ
８．０においてアンモニア／硫酸アンモニウム混合物を
バックグラウンド電解質としてサイクリックボルタンメ
トリーを静止電極にかけることで測定した。最大電流に
おける電位を、電気メッキ還元電位とみなした。サイク
リックボルタンメトリーを用いて、パラジウムとニッケ
ルとの電気メッキ還元電位を、アンモニア／アンモニウ
ム水溶液Ｐｄ／Ｎｉ合金電気メッキ系において第二の配
位子の一つを加える前後でそれぞれ測定した。アンモニ
アは、第一の配位子として作用した。最初に、パラジウ
ムとニッケルとの電気メッキ還元電位を、第一の配位子
のみが存在する条件下で測定した。次に、サイクリック
ボルタンメトリーを用いて、パラジウムとニッケルとの
電着還元電位を、アンモニア／アンモニウム水溶液Ｐｄ
／Ｎｉ合金電気メッキ系において、第二の配位子の一つ
を加えた後に測定した。ここでも、アンモニアは第一の
配位子として作用した。
に、ある種の金属における電気メッキ還元電位を、ｐＨ
８．０においてアンモニア／硫酸アンモニウム混合物を
バックグラウンド電解質としてサイクリックボルタンメ
トリーを静止電極にかけることで測定した。最大電流に
おける電位を、電気メッキ還元電位とみなした。サイク
リックボルタンメトリーを用いて、パラジウムとニッケ
ルとの電気メッキ還元電位を、アンモニア／アンモニウ
ム水溶液Ｐｄ／Ｎｉ合金電気メッキ系において第二の配
位子の一つを加える前後でそれぞれ測定した。アンモニ
アは、第一の配位子として作用した。最初に、パラジウ
ムとニッケルとの電気メッキ還元電位を、第一の配位子
のみが存在する条件下で測定した。次に、サイクリック
ボルタンメトリーを用いて、パラジウムとニッケルとの
電着還元電位を、アンモニア／アンモニウム水溶液Ｐｄ
／Ｎｉ合金電気メッキ系において、第二の配位子の一つ
を加えた後に測定した。ここでも、アンモニアは第一の
配位子として作用した。
【００１５】サイクリックボルタンメトリーを用い、パ
ラジウムとコバルトとの電気メッキ還元電位を、アンモ
ニア／アンモニウムＰｄ／Ｃｏ合金電気メッキ系内にお
いて数種の相異なる第二の配位子一つを加える前後にお
いて測定した。アンモニアは、第一の配位子として作用
した。最初に、パラジウムとコバルトとの電気メッキ還
元電位を、第一の配位子の存在下で測定した。次に、サ
イクリックボルタンメトリーを用いて、パラジウムとコ
バルトの電着還元電位を、同じアンモニア／アンモニウ
ムＰｄ／Ｎｉ合金電気メッキ系において、数種の第二の
配位子の内の一つを加えた後に測定した。ここでも、ア
ンモニアは、第一の配位子として作用した。その結果を
表１に示す。なお、この表は、アンモニア／アンモニウ
ム系内の金属の析出電位に対する第二の配位子の添加影
響を表すものである。
ラジウムとコバルトとの電気メッキ還元電位を、アンモ
ニア／アンモニウムＰｄ／Ｃｏ合金電気メッキ系内にお
いて数種の相異なる第二の配位子一つを加える前後にお
いて測定した。アンモニアは、第一の配位子として作用
した。最初に、パラジウムとコバルトとの電気メッキ還
元電位を、第一の配位子の存在下で測定した。次に、サ
イクリックボルタンメトリーを用いて、パラジウムとコ
バルトの電着還元電位を、同じアンモニア／アンモニウ
ムＰｄ／Ｎｉ合金電気メッキ系において、数種の第二の
配位子の内の一つを加えた後に測定した。ここでも、ア
ンモニアは、第一の配位子として作用した。その結果を
表１に示す。なお、この表は、アンモニア／アンモニウ
ム系内の金属の析出電位に対する第二の配位子の添加影
響を表すものである。
【００１６】
【表１】
【００１７】ニッケル及びコバルトの双方ともに、錯体
のない系では、パラジウムに比較してアノードより即ち
陽極よりの電位で析出し、その結果、析出において、合
金リッチでパラジウムが少なくなっている。パラジウム
／ニッケル合金またはパラジウム／コバルト合金を析出
させるには、合金ベース金属の還元（メッキ）電位を、
パラジウムの還元電位に近い値にもっていくことが必要
である。そのための非常に一般的な手法としては、より
アノードよりの電位で析出される、合金のベース金属を
錯体とし、これにより、そのベース金属の還元電位を、
陰極寄り即ちアノードから離れる方向にもっていくこと
である。
のない系では、パラジウムに比較してアノードより即ち
陽極よりの電位で析出し、その結果、析出において、合
金リッチでパラジウムが少なくなっている。パラジウム
／ニッケル合金またはパラジウム／コバルト合金を析出
させるには、合金ベース金属の還元（メッキ）電位を、
パラジウムの還元電位に近い値にもっていくことが必要
である。そのための非常に一般的な手法としては、より
アノードよりの電位で析出される、合金のベース金属を
錯体とし、これにより、そのベース金属の還元電位を、
陰極寄り即ちアノードから離れる方向にもっていくこと
である。
【００１８】パラジウム／ニッケル合金のメッキでは、
アンモニアは、パラジウム及びニッケルに対して非常に
よく用いられる配位子であり、広範囲の電流密度にて電
気メッキされた場合に安定した合金組成を提供する。合
金中の各金属の割合は、双方の金属に対しての限界電流
の比によって決定され、最終的には、溶液中の各金属の
濃度によって決定される。上記表１に示されるように、
酸素を含有する第二の配位子、例えば酢酸塩やクエン酸
塩等を添加しても、電気メッキパラメータや合金析出に
対して影響は与えない。
アンモニアは、パラジウム及びニッケルに対して非常に
よく用いられる配位子であり、広範囲の電流密度にて電
気メッキされた場合に安定した合金組成を提供する。合
金中の各金属の割合は、双方の金属に対しての限界電流
の比によって決定され、最終的には、溶液中の各金属の
濃度によって決定される。上記表１に示されるように、
酸素を含有する第二の配位子、例えば酢酸塩やクエン酸
塩等を添加しても、電気メッキパラメータや合金析出に
対して影響は与えない。
【００１９】ニッケルとは異り、コバルトは、アンモニ
アとは強固な錯体を形成することはなく、また、パラジ
ウム／コバルト／アンモニア系内では、コバルトは、好
適には、コバルトリッチな合金を生成し、かつ、電流密
度の範囲にわたって、変動の大きな合金組成を生成す
る。表１に示されるように、酸素を含有する配位子、例
えばカルボン酸（マロン酸、グルタル酸等）は、コバル
トと強固な錯体を形成する。これにより、第二の配位子
がない場合と比較すると、コバルトの電気メッキ還元電
位と、パラジウムの電気メッキ還元電位とは、互いに近
づいており、パラジウム／コバルト合金の析出のための
優れた系が提供される。パラジウム／ニッケルメッキ溶
液では、アンモニアが双方の金属の配位子となっていて
他の錯体系が単に溶液の伝導率を高めるために用いられ
ている。これに対し、パラジウム／コバルト合金におい
ては、混合配位子系が、メッキ浴のための優れた溶液と
なっている。
アとは強固な錯体を形成することはなく、また、パラジ
ウム／コバルト／アンモニア系内では、コバルトは、好
適には、コバルトリッチな合金を生成し、かつ、電流密
度の範囲にわたって、変動の大きな合金組成を生成す
る。表１に示されるように、酸素を含有する配位子、例
えばカルボン酸（マロン酸、グルタル酸等）は、コバル
トと強固な錯体を形成する。これにより、第二の配位子
がない場合と比較すると、コバルトの電気メッキ還元電
位と、パラジウムの電気メッキ還元電位とは、互いに近
づいており、パラジウム／コバルト合金の析出のための
優れた系が提供される。パラジウム／ニッケルメッキ溶
液では、アンモニアが双方の金属の配位子となっていて
他の錯体系が単に溶液の伝導率を高めるために用いられ
ている。これに対し、パラジウム／コバルト合金におい
ては、混合配位子系が、メッキ浴のための優れた溶液と
なっている。
【００２０】概して、表１から、アンモニア／アンモニ
ウム系においては、パラジウムとニッケルとのＰｄ／Ｎ
ｉメッキ浴内における電気メッキ還元電位は、第二の配
位子が浴に加えられても変化しない。これに対し、同じ
く表１から、Ｐｄ／Ｃｏ電気メッキ浴内におけるパラジ
ウムとコバルトとの還元電位は、配位子が浴に添加され
ると、互いに近づいていく。
ウム系においては、パラジウムとニッケルとのＰｄ／Ｎ
ｉメッキ浴内における電気メッキ還元電位は、第二の配
位子が浴に加えられても変化しない。これに対し、同じ
く表１から、Ｐｄ／Ｃｏ電気メッキ浴内におけるパラジ
ウムとコバルトとの還元電位は、配位子が浴に添加され
ると、互いに近づいていく。
【００２１】コバルト電気メッキ電位は、陰極寄り、ア
ノードから離れる方向に変化している。酸素を含有する
配位子は、一般に、安定している。好適な配位子の一例
としては、カルボン酸及びその誘導体例えば酢酸塩、ク
エン酸塩、マロン酸、グルタル酸、クエン酸、酒石酸、
シュウ酸、グリシン、及びエチレンジアミン４酢酸等が
挙られるが、これらに限定されるものではない。更に、
この明細書中では、第二の配位子を少なくとも一種類加
えることが意図されていることが、当業者に理解されよ
う。パラジウムとベース金属との錯体は、以下の化学反
応により形成される。 ＰｄＡ＋ＮＨ3 （過剰）＝［Ｐｄ（ＮＨ3 ）4 ］Ａ＋ＮＨ3 （過剰）…（１） ただし、（１）式において、ＮＨ3 は、有機アミンによ
り置換可能である。 ＭＡ＋Ｌn-（過剰）＝［ＭＬｘ］2-xn＋Ｌn-（過剰）＋Ａ2- …（２） ただし、上記（１）式、（２）式において、アニオンＡ
は、硫酸塩、ハロゲン化物（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、硝
酸塩、窒化物、酢酸塩（アセテート）、リン酸塩、スル
ホン酸塩（ｓｕｌｆａｍａｔｅ）とすることができる。
ノードから離れる方向に変化している。酸素を含有する
配位子は、一般に、安定している。好適な配位子の一例
としては、カルボン酸及びその誘導体例えば酢酸塩、ク
エン酸塩、マロン酸、グルタル酸、クエン酸、酒石酸、
シュウ酸、グリシン、及びエチレンジアミン４酢酸等が
挙られるが、これらに限定されるものではない。更に、
この明細書中では、第二の配位子を少なくとも一種類加
えることが意図されていることが、当業者に理解されよ
う。パラジウムとベース金属との錯体は、以下の化学反
応により形成される。 ＰｄＡ＋ＮＨ3 （過剰）＝［Ｐｄ（ＮＨ3 ）4 ］Ａ＋ＮＨ3 （過剰）…（１） ただし、（１）式において、ＮＨ3 は、有機アミンによ
り置換可能である。 ＭＡ＋Ｌn-（過剰）＝［ＭＬｘ］2-xn＋Ｌn-（過剰）＋Ａ2- …（２） ただし、上記（１）式、（２）式において、アニオンＡ
は、硫酸塩、ハロゲン化物（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、硝
酸塩、窒化物、酢酸塩（アセテート）、リン酸塩、スル
ホン酸塩（ｓｕｌｆａｍａｔｅ）とすることができる。
【００２２】また、（２）式において、Ｍは、合金のベ
ース金属であり、より詳細には、鉄、コバルト、ルテニ
ウム、ロジウム、及びイリジウムの内から選択される。
更に、アンモニアは、パラジウムの配位子であり、Ｌ
は、合金のベース金属の配位子であり、モノカルボン
酸、ジカルボン酸、及びテトラカルボン酸から選択され
る。これらは、酢酸、マロン酸、グルタル酸、又はエチ
レンジアミン４酢酸として良く知られている。浴内の配
位子の濃度は、浴内の合金ベース金属塩の濃度に依存す
る。配位子の濃度は、少なくとも、浴内のベース金属塩
の濃度以上であることが好ましい。合金ベース金属の濃
度は、析出される合金の組成に依存する（重量比で１０
％〜９５％Ｐｄ）。本発明の一実施形態では、合金ベー
ス金属塩の濃度は、約０．０１〜約１モル／リットル、
第二の配位子の濃度は、約０．０４〜約２モル／リット
ルであり、第二の配位子の濃度は、合金ベース金属塩よ
り過剰な濃度となっている。
ース金属であり、より詳細には、鉄、コバルト、ルテニ
ウム、ロジウム、及びイリジウムの内から選択される。
更に、アンモニアは、パラジウムの配位子であり、Ｌ
は、合金のベース金属の配位子であり、モノカルボン
酸、ジカルボン酸、及びテトラカルボン酸から選択され
る。これらは、酢酸、マロン酸、グルタル酸、又はエチ
レンジアミン４酢酸として良く知られている。浴内の配
位子の濃度は、浴内の合金ベース金属塩の濃度に依存す
る。配位子の濃度は、少なくとも、浴内のベース金属塩
の濃度以上であることが好ましい。合金ベース金属の濃
度は、析出される合金の組成に依存する（重量比で１０
％〜９５％Ｐｄ）。本発明の一実施形態では、合金ベー
ス金属塩の濃度は、約０．０１〜約１モル／リットル、
第二の配位子の濃度は、約０．０４〜約２モル／リット
ルであり、第二の配位子の濃度は、合金ベース金属塩よ
り過剰な濃度となっている。
【００２３】浴は、選択された合金ベース金属塩を、式
（２）の配位子溶液と化学量論比で混合し、その後に、
パラジウム−アミノ錯体を添加する。浴内のパラジウム
塩のモル濃度は、０．０１〜０．５モル／リットルより
大きく、その最大範囲は、溶液における濃度限界に依存
する。
（２）の配位子溶液と化学量論比で混合し、その後に、
パラジウム−アミノ錯体を添加する。浴内のパラジウム
塩のモル濃度は、０．０１〜０．５モル／リットルより
大きく、その最大範囲は、溶液における濃度限界に依存
する。
【００２４】浴の緩衝能と伝導率とを向上するために、
適切な周知の試薬、例えばアンモニウム塩が加えられ
る。アンモニウム塩（通常硫酸塩、フッ化物、塩化物、
臭化物、ヨウ化物、硝酸塩、亜硝酸化物、酢酸塩、リン
酸塩及びスルホン酸塩（sulfamate ））であり、その濃
度範囲は、この場合、０．０１Ｍ〜２．０Ｍとして用い
られる。
適切な周知の試薬、例えばアンモニウム塩が加えられ
る。アンモニウム塩（通常硫酸塩、フッ化物、塩化物、
臭化物、ヨウ化物、硝酸塩、亜硝酸化物、酢酸塩、リン
酸塩及びスルホン酸塩（sulfamate ））であり、その濃
度範囲は、この場合、０．０１Ｍ〜２．０Ｍとして用い
られる。
【００２５】浴のｐＨは、水酸化アンモニウムを添加す
るか、Ｈ2 ＳＯ4 のような強酸を加えることで、３〜１
０となるように調整される。浴の温度及び典型的な電流
密度は、以下の試験例に示される。アノード物質は、白
金または白金化チタンとすることもできる。
るか、Ｈ2 ＳＯ4 のような強酸を加えることで、３〜１
０となるように調整される。浴の温度及び典型的な電流
密度は、以下の試験例に示される。アノード物質は、白
金または白金化チタンとすることもできる。
【００２６】本発明に係る浴または溶液によるメッキプ
ロセスには、以下のステップが含まれる。 （ａ） 電気メッキ浴に、このメッキ浴内に配置された
カソードを通じて、プロセスのタイプ（例えば、ラック
式または連続式）に応じて１０ｍＡ／ｃｍ2 より大きい
電流密度で電流を流すステップ。 （ｂ） パラジウムでメッキをするための露出表面を有
した物体を、上述の浴内に配置して、この露出表面に所
望の厚さのパラジウム合金層が成長するに十分な時間に
わたって維持するステップ。実施例 本発明の特徴は、以下の好適実施例の一例を通じて、更
に明瞭となる。その他の実施例も、これらの試験例や明
細書の記載から、本発明の趣旨及び範囲に属すること
は、当業者には明らかである。なお、合金の比率は、重
量％で、また、濃度はモル濃度で示し、化学記号の略称
は、上述の式（１）、（２）で用いたのと同様としてい
る。実施例１ 高速メッキ用の７０Ｐｄ／３０Ｃｏ合金の電気メッキ浴
を用いた。これは、コネクタ接点等の電気部品の巻き返
し式連続供給において通常用いられるものである。な
お、上記コネクタ接点は、通常、ニッケルによりメッキ
されたベリリウム銅が用いられる。この浴により、光沢
のある水素フリーで延性のある、ヌープ硬度が５５０〜
６５０ＫＨＮ５０の析出物が得られた。
ロセスには、以下のステップが含まれる。 （ａ） 電気メッキ浴に、このメッキ浴内に配置された
カソードを通じて、プロセスのタイプ（例えば、ラック
式または連続式）に応じて１０ｍＡ／ｃｍ2 より大きい
電流密度で電流を流すステップ。 （ｂ） パラジウムでメッキをするための露出表面を有
した物体を、上述の浴内に配置して、この露出表面に所
望の厚さのパラジウム合金層が成長するに十分な時間に
わたって維持するステップ。実施例 本発明の特徴は、以下の好適実施例の一例を通じて、更
に明瞭となる。その他の実施例も、これらの試験例や明
細書の記載から、本発明の趣旨及び範囲に属すること
は、当業者には明らかである。なお、合金の比率は、重
量％で、また、濃度はモル濃度で示し、化学記号の略称
は、上述の式（１）、（２）で用いたのと同様としてい
る。実施例１ 高速メッキ用の７０Ｐｄ／３０Ｃｏ合金の電気メッキ浴
を用いた。これは、コネクタ接点等の電気部品の巻き返
し式連続供給において通常用いられるものである。な
お、上記コネクタ接点は、通常、ニッケルによりメッキ
されたベリリウム銅が用いられる。この浴により、光沢
のある水素フリーで延性のある、ヌープ硬度が５５０〜
６５０ＫＨＮ５０の析出物が得られた。
【００２７】約７２アンペア−秒の電流がこの浴に印加
され、１μｍ厚の析出が得られた。 ［（ＰｄＮＨ3 ）4 ］Ｃｌ2 ［Ｐｄ］＝０．３８Ｍ ＣｏＣｌ2 ［Ｃｏ］＝０．１７Ｍ （ＮＨ4 ）Ｃｌ ０．３８Ｍ マロン酸 ０．６Ｍ ｐＨ ７〜９ 温度 ３５〜６５℃ 電流密度 ５０〜７００ｍＡ／ｃｍ2 実施例２ 低速メッキ用の７０Ｐｄ／３０Ｃｏ合金の電気メッキ浴
を用いた。これは、ラック装着式の物品に対して通常用
いられるものである。 ［（ＰｄＮＨ3 ）4 ］ＳＯ4 ［Ｐｄ］＝０．１９Ｍ ＣｏＳＯ4 ［Ｃｏ］＝０．０８Ｍ （ＮＨ4 ）ＳＯ4 ０．３８Ｍ グルタル酸 ０．３Ｍ ｐＨ ８〜９ 温度 ３０〜４５℃ 電流密度 １０〜１００ｍＡ／ｃｍ2 実施例３ 高速メッキ用の５０Ｐｄ／５０Ｃｏ合金の電気メッキ浴
を用いた。 ［（ＰｄＮＨ3 ）4 ］ＳＯ4 ［Ｐｄ］＝０．３８Ｍ Ｃｏ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 ［Ｃｏ］＝０．３５Ｍ ＣＨ3 ＣＯＯ（ＮＨ4 ） ０．２Ｍ マロン酸 ０．２Ｍ ｐＨ ７〜９ 温度 ４５〜６５℃ 電流密度 ５０〜５００ｍＡ／ｃｍ2 実施例４ 高速メッキ用の９０Ｐｄ／１０Ｃｏ合金の電気メッキ浴
を用いた。 [(ＰｄＮＨ3 ) 4 ](ＮＯ3 ) 2 ［Ｐｄ］＝０．３８Ｍ ＣｏＳＯ4 ［Ｃｏ］＝０．０６Ｍ （ＮＨ4 ）Ｃｌ ０．３８Ｍ ＥＤＴＡ ０．２５Ｍ ｐＨ ７〜９ 温度 ４５〜６５℃ 電流密度 ３００〜７００ｍＡ／ｃｍ2
され、１μｍ厚の析出が得られた。 ［（ＰｄＮＨ3 ）4 ］Ｃｌ2 ［Ｐｄ］＝０．３８Ｍ ＣｏＣｌ2 ［Ｃｏ］＝０．１７Ｍ （ＮＨ4 ）Ｃｌ ０．３８Ｍ マロン酸 ０．６Ｍ ｐＨ ７〜９ 温度 ３５〜６５℃ 電流密度 ５０〜７００ｍＡ／ｃｍ2 実施例２ 低速メッキ用の７０Ｐｄ／３０Ｃｏ合金の電気メッキ浴
を用いた。これは、ラック装着式の物品に対して通常用
いられるものである。 ［（ＰｄＮＨ3 ）4 ］ＳＯ4 ［Ｐｄ］＝０．１９Ｍ ＣｏＳＯ4 ［Ｃｏ］＝０．０８Ｍ （ＮＨ4 ）ＳＯ4 ０．３８Ｍ グルタル酸 ０．３Ｍ ｐＨ ８〜９ 温度 ３０〜４５℃ 電流密度 １０〜１００ｍＡ／ｃｍ2 実施例３ 高速メッキ用の５０Ｐｄ／５０Ｃｏ合金の電気メッキ浴
を用いた。 ［（ＰｄＮＨ3 ）4 ］ＳＯ4 ［Ｐｄ］＝０．３８Ｍ Ｃｏ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 ［Ｃｏ］＝０．３５Ｍ ＣＨ3 ＣＯＯ（ＮＨ4 ） ０．２Ｍ マロン酸 ０．２Ｍ ｐＨ ７〜９ 温度 ４５〜６５℃ 電流密度 ５０〜５００ｍＡ／ｃｍ2 実施例４ 高速メッキ用の９０Ｐｄ／１０Ｃｏ合金の電気メッキ浴
を用いた。 [(ＰｄＮＨ3 ) 4 ](ＮＯ3 ) 2 ［Ｐｄ］＝０．３８Ｍ ＣｏＳＯ4 ［Ｃｏ］＝０．０６Ｍ （ＮＨ4 ）Ｃｌ ０．３８Ｍ ＥＤＴＡ ０．２５Ｍ ｐＨ ７〜９ 温度 ４５〜６５℃ 電流密度 ３００〜７００ｍＡ／ｃｍ2
【００２８】上述の実施形態は、変形及び修正が可能で
ある。例えば、本明細書の教示によれば、種々の試験例
１−４において、他の合金金属、例えばＦｅ，Ｉｒ，Ｒ
ｈ，Ｒｕを用いてＰｄ合金を析出させてもよい。勿論、
合金金属は、上述の金属のみに限られるものではない。
上述の析出溶液は、低電流効率のメッキ用途やプロセス
（例えばストライキ浴：strike bath ）、低金属濃度、
低ｐＨ値においても、用いることができる。
ある。例えば、本明細書の教示によれば、種々の試験例
１−４において、他の合金金属、例えばＦｅ，Ｉｒ，Ｒ
ｈ，Ｒｕを用いてＰｄ合金を析出させてもよい。勿論、
合金金属は、上述の金属のみに限られるものではない。
上述の析出溶液は、低電流効率のメッキ用途やプロセス
（例えばストライキ浴：strike bath ）、低金属濃度、
低ｐＨ値においても、用いることができる。
【００２９】第一の配位子に加えて、別の配位子を更に
一つ以上添加することも、本発明の範囲内のものであ
る。本発明は、上記実施形態に加えて、当業者によって
他の形態で用いることも可能である。
一つ以上添加することも、本発明の範囲内のものであ
る。本発明は、上記実施形態に加えて、当業者によって
他の形態で用いることも可能である。
フロントページの続き (72)発明者 イリナ ボグスラヴスキー アメリカ合衆国 07981 ニュージャーシ ィ，ホイッパニー，ノースクレスト テラ ス 1608 (72)発明者 ヘインリッヒ カール ストラスチル アメリカ合衆国 07901 ニュージャーシ ィ，サミット，ニューイングランド アヴ ェニュー 105
Claims (26)
- 【請求項１】 水性パラジウム電気メッキ浴において、 パラジウム電気メッキ還元電位を有するパラジウム塩お
よび合金金属メッキ還元電位を有する合金金属塩を含ん
でなり、および混合配位子系を含んでなり、前記混合配
位子系は前記パラジウム塩と錯体を形成する第一の配位
子および前記合金金属塩と錯体を形成する第二の配位子
を含んでなり、前記第二の配位子は、前記第一の配位子
のみの存在下における前記合金金属電気メッキ還元電位
と前記パラジウム電気メッキ還元電位と比較して、前記
合金金属電気メッキ還元電位と前記パラジウム電気メッ
キ還元電位とがより近づくように選択される、電気メッ
キ浴。 - 【請求項２】 前記合金金属塩がコバルトおよび鉄から
なるグループから選択されるベース金属を含み、および
前記第二の配位子が酸素を含有する配位子である、請求
項１記載の電気メッキ浴。 - 【請求項３】 前記合金金属塩がコバルトおよび鉄から
なるグループから選択されるベース金属を含み、および
前記第二の配位子がモノ−、ジ−およびポリカルボン酸
およびそれらの誘導体からなるグループから選択され
る、請求項１記載の電気メッキ浴。 - 【請求項４】 前記合金金属塩がコバルトおよび鉄から
なるグループから選択されるベース金属を含み、および
前記第二の配位子が酢酸塩、クエン酸塩、マロン酸、グ
ルタル酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、エチレンジア
ミン、グリシンおよびエチレンジアミン四酢酸塩からな
るグループから選択される、請求項１記載の電気メッキ
浴。 - 【請求項５】 前記メッキ浴内の前記パラジウム塩の濃
度が０．０１ｍｏｌ／ｌより大きい、請求項１記載の電
気メッキ浴。 - 【請求項６】 前記第一の配位子が、アンモニア、モノ
−、ジ−あるいはポリアミン類およびそれらの誘導体か
らなるグループから選択される、請求項１記載の電気メ
ッキ浴。 - 【請求項７】 前記第一の配位子が、アンモニウム塩の
濃度が０．０１から２．０ｍｏｌ／ｌの範囲であるアン
モニア／アンモニウム塩混合物内に存在するアンモニア
である、請求項１記載の電気メッキ浴。 - 【請求項８】 前記メッキ浴内の合金金属塩が０．０１
から１．０ｍｏｌ／ｌの範囲である、請求項１記載の電
気メッキ浴。 - 【請求項９】 第二の配位子が０．０４から２．０の範
囲である前記メッキ浴内の濃度を有している、請求項１
記載の電気メッキ浴。 - 【請求項１０】 浴が３．０から１０．０の範囲のｐＨ
を有している、請求項１記載の電気メッキ浴。 - 【請求項１１】 浴が２５から６５℃の範囲に維持され
る温度を有している、請求項１記載の電気メッキ浴。 - 【請求項１２】 陰極がメッキ浴内に配置されており、
前記陰極において電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ2 より大き
く維持されている、請求項１記載の電気メッキ浴。 - 【請求項１３】 パラジウム合金の水成の電気メッキ浴
において、 パラジウム電気メッキ還元電位を有するパラジウム塩お
よび合金金属メッキ還元電位を有する合金金属塩を含ん
でなり、および混合配位子系を含んでなり、前記混合配
位子系は前記パラジウム塩と錯体を形成する第一の配位
子および前記合金金属塩と錯体を形成する第二の配位子
を含んでなり、前記第二の配位子は、前記第一の配位子
のみの存在下における前記合金金属電気メッキ還元電位
と前記パラジウム電気メッキ還元電位と比較して、前記
合金金属電気メッキ還元電位を前記パラジウム電気メッ
キ還元電位により近づけるように選択される、電気メッ
キ浴。 - 【請求項１４】 前記合金金属塩がコバルトおよび鉄か
らなるグループから選択されるベース金属を含み、およ
び前記第二の配位子が酸素を含有する配位子である、請
求項１３記載の電気メッキ浴。 - 【請求項１５】 前記合金金属塩がコバルトおよび鉄か
らなるグループから選択されるベース金属を含み、およ
び前記第二の配位子がモノ−、ジ−およびポリカルボン
酸およびそれらの誘導体からなるグループから選択され
る、請求項１３記載の電気メッキ浴。 - 【請求項１６】 前記合金金属塩がコバルトおよび鉄か
らなるグループから選択されるベース金属を含み、およ
び第二の配位子が酢酸塩、クエン酸塩、マロン酸、グル
タル酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、グリシンおよび
エチレンジアミン四酢酸塩からなるグループから選択さ
れる、請求項１３記載の電気メッキ浴。 - 【請求項１７】 前記パラジウム塩が前記メッキ浴内で
０．０１ｍｏｌ／ｌより大きいパラジウムイオン濃度を
生成する、請求項１３記載の電気メッキ浴。 - 【請求項１８】 前記第一の配位子が、アンモニア、モ
ノ−、ジ−あるいはポリアミン類およびそれらの誘導体
からなるグループから選択される、請求項１３記載の電
気メッキ浴。 - 【請求項１９】 前記第一の配位子が、アンモニウム塩
の濃度が０．０１から２．０ｍｏｌ／ｌの範囲であるア
ンモニア／アンモニウム塩混合物内に存在するアンモニ
アである、請求項１３記載の電気メッキ浴。 - 【請求項２０】 パラジウム合金の水成の電気メッキ浴
において、 パラジウム電気メッキ還元電位を有するパラジウム塩お
よび合金金属メッキ還元電位を有する合金金属塩を含ん
でなり、および混合配位子系を含んでなり、前記混合配
位子系は前記パラジウム塩と錯体を形成する第一の配位
子および第二の配位子を含んでなり、前記第二の配位子
が、前記合金金属塩と錯体を形成し、前記第一の配位子
のみの存在下における前記合金金属電気メッキ還元電位
と比較して前記合金金属電気メッキ還元電位を負の、よ
り小さい陽極方向のものにするように選択される、電気
メッキ浴。 - 【請求項２１】 前記合金ベース金属塩がコバルトおよ
び鉄からなるグループから選択されるベース金属を含
み、および前記第二の配位子が酸素を含有する配位子で
ある、請求項２０記載の電気メッキ浴。 - 【請求項２２】 前記合金ベース金属塩がコバルトおよ
び鉄からなるグループから選択されるベース金属を含
み、および前記第二の配位子がモノ−、ジ−およびポリ
カルボン酸およびそれらの誘導体からなるグループから
選択される、請求項２０記載の電気メッキ浴。 - 【請求項２３】 前記合金ベース金属塩がコバルトおよ
び鉄からなるグループから選択されるベース金属を含
み、および前記第二の配位子が酢酸塩、クエン酸塩、マ
ロン酸、グルタル酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、エ
チレンジアミン、グリシンおよびエチレンジアミン四酢
酸塩からなるグループから選択される、請求項２０記載
の電気メッキ浴。 - 【請求項２４】 前記パラジウム塩が前記メッキ浴内で
０．０１ｍｏｌ／ｌより大きいパラジウムイオン濃度を
生成する、請求項２０記載の電気メッキ浴。 - 【請求項２５】 前記第一の配位子が、アンモニア、モ
ノ−、ジ−あるいはポリアミン類およびそれらの誘導体
からなるグループから選択される、請求項２０記載の電
気メッキ浴。 - 【請求項２６】 前記第一の配位子が、アンモニウム塩
の濃度が０．０１から２．０ｍｏｌ／ｌの範囲であるア
ンモニア／アンモニウム塩混合物内に存在するアンモニ
アである、請求項２０記載の電気メッキ浴。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/974,120 US5976344A (en) | 1996-05-10 | 1997-11-19 | Composition for electroplating palladium alloys and electroplating process using that composition |
| US08/974120 | 1997-11-19 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002107478A Division JP2002317294A (ja) | 1997-11-19 | 2002-04-10 | 電気メッキパラジウム合金組成物及びその組成物を用いる電気メッキ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11217690A true JPH11217690A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=25521618
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10328724A Pending JPH11217690A (ja) | 1997-11-19 | 1998-11-19 | 電気メッキパラジウム合金組成物及びその組成物を用いる電気メッキ法 |
| JP2002107478A Pending JP2002317294A (ja) | 1997-11-19 | 2002-04-10 | 電気メッキパラジウム合金組成物及びその組成物を用いる電気メッキ法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002107478A Pending JP2002317294A (ja) | 1997-11-19 | 2002-04-10 | 電気メッキパラジウム合金組成物及びその組成物を用いる電気メッキ法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5976344A (ja) |
| EP (1) | EP0921212A1 (ja) |
| JP (2) | JPH11217690A (ja) |
| KR (1) | KR19990045291A (ja) |
| SG (1) | SG89270A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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