JP5888152B2 - パラジウムめっき液の劣化状態評価方法、パラジウムめっき方法 - Google Patents
パラジウムめっき液の劣化状態評価方法、パラジウムめっき方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5888152B2 JP5888152B2 JP2012151783A JP2012151783A JP5888152B2 JP 5888152 B2 JP5888152 B2 JP 5888152B2 JP 2012151783 A JP2012151783 A JP 2012151783A JP 2012151783 A JP2012151783 A JP 2012151783A JP 5888152 B2 JP5888152 B2 JP 5888152B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating solution
- palladium plating
- measurement
- palladium
- peak
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/43—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/43—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
1.概要
2.パラジウムめっき液の劣化状態評価方法
2―1.pH調整工程
2−2.DPV測定工程
2−3.評価工程
3.パラジウムめっき方法
4.実施例
4−1.パラジウムめっき液の劣化状態の検出方法の検討
4−2.パラジウムめっき液の劣化状態の定量評価の検討
4−3.電極繰り返し使用時における検出ピーク形状の確認及び再現性の検討
4−4.リードフレームへのめっき処理
本実施の形態に係るパラジウム(Pd)めっき液の劣化状態評価方法は、パラジウムめっき液の劣化状態を評価する方法であり、パラジウムめっき(被膜)の物理的特性の変化を抑制してめっき剥離等の不良の発生を未然に防止することを可能にするものである。
以下、本実施の形態に係るパラジウムめっき液の劣化状態評価方法の各工程について、より詳細に説明する。
pH調整工程S1では、評価対象となるパラジウムめっき液のpHを7.5〜8.2の範囲に調整する。このpH調整工程S1では、次工程のDPV測定の前に、パラジウムめっき液のpHをpH測定計等を用いて計測し、上記範囲内にあるか否かを確認する。そして、上記範囲内でない場合には、アンモニア水や塩酸等のpH調整剤を添加することによってpHを調整する。
DPV測定工程S2では、pH7.5〜8.2の範囲にあるパラジウムめっき液に作用電極を浸漬して、デファレンシャルパルスボルタンメトリー(DPV)による測定を行う。具体的には、作用電極をめっき液に浸漬して、参照電極(基準電極)としての銀/塩化銀(Ag/AgCl)電極を基準に、初期電位を−1.1Vとし、最終電位を−0.4Vとして、この−1.1V〜−0.4Vの範囲で電位(基底電位)を印加走査することにより、その印加した電位に対する電流値を測定する。
Pd2+ + 2e− ⇔ Pd0 0.915V(vs NHE)
続いて、評価工程S3では、DPV測定工程S2にて得られたボルタモグラムに基づいて、測定対象としたパラジウムめっき液の劣化状態を評価する。
次に、本実施の形態に係るパラジウムめっき方法について説明する。
以下に本発明の実施例を説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
[実施例1(1)]
市販のパラジウム(Pd)めっき液(パラブライトSST 日本高純度化学株式会社製)の新規な浴(新浴)と、約1ヶ月間使い込んで劣化している浴(劣化浴)に対して、デファレンシャルパルスボルタンメトリー(DPV)による測定を行った。
比較例1では、実施例1(1)と同様の市販のパラジウムめっき液の新浴と、約1ヶ月間使い込んで劣化している劣化浴に対して、サイクリックボルタンメトリー(CV)による測定を行った。
比較例2では、新浴と劣化浴のそれぞれのパラジウムめっき液のpHを4.0とした状態で、DPV測定を行ったこと以外は、実施例1(1)と同様にして行った。
比較例3では、新浴と劣化浴のそれぞれのパラジウムめっき液のpHを8.8とした状態で、DPV測定を行ったこと以外は、実施例1(1)と同様にして行った。
[実施例2]
実施例2として、実施例1(1)と同様の市販のパラジウムめっき液を使用期間によって3条件用意し、その3つのめっき液に対してDPV測定を行った。条件1は、新規なめっき液からなる浴(新浴)であり、条件2は、2週間使用した後のめっき液からなる浴(2週間使用浴)であり、条件3は、2ヶ月間使用した後のめっき液からなる浴(2カ月間使用浴)である。
[実施例1(2)]
上述した実施例1(1)におけるDPV測定後、用いた作用電極を濃度1.4mol/Lの塩酸溶液に浸し、0〜0.8V(Ag/AgCl電極基準)の範囲で電位を印加して、その作用電極の表面を洗浄(塩酸洗浄)した。
実施例3では、1回目のDPV測定後に作用電極の塩酸洗浄を行わなかったこと以外は、実施例1(2)と同様にして再びDPV測定を行った。
実施例4では、作用電極として白金(Pt)電極を用いたこと以外は、実施例1(2)と同様にして、DPV測定毎に濃度1.4mol/Lの塩酸溶液に浸して0〜0.8V(Ag/AgCl電極基準)の範囲で電位を印加して作用電極表面を塩酸洗浄し、複数回に亘るDPV測定を行った。
実施例5では、作用電極として炭素(C)電極を用いたこと以外は、実施例1(2)と同様にして、DPV測定毎に濃度1.4mol/Lの塩酸溶液に浸して0〜0.8V(Ag/AgCl電極基準)の範囲で電位を印加して作用電極表面を塩酸洗浄し、複数回に亘るDPV測定を行った。
[実施例6]
パラジウムめっきリードフレームの一般的な製造プロセスである、脱脂工程と、酸化膜除去工程と、ニッケルめっき工程と、酸化膜除去工程と、パラジウムめっき工程と、金めっき工程とからなるプロセスにおいて、そのパラジウムめっき工程においては、上述のDPV測定で検出されたピーク強度比がIa/Ib>3となるパラジウムめっき液を使用してめっき処理を行って、リードフレームを製造した。
パラジウムめっきリードフレームの一般的な製造プロセスである、脱脂工程と、酸化膜除去工程と、ニッケルめっき工程と、酸化膜除去工程と、パラジウムめっき工程と、金めっき工程とからなるプロセスにおいて、そのパラジウムめっき工程においては、上述のDPV測定で検出されたピーク強度比がIa/Ib≦3となるパラジウムめっき液を使用してめっき処理を行って、リードフレームを製造した。
Claims (5)
- パラジウムめっき液のpHを7.5〜8.2の範囲に調整するpH調整工程と、
上記pH範囲にあるパラジウムめっき液に作用電極を浸漬して、−1.1V〜−0.4V(Ag/AgCl電極基準)の範囲で電位を印加してデファレンシャルパルスボルタンメトリー(DPV)による測定を行うDPV測定工程と、
上記DPV測定工程にて得られたボルタモグラムに基づいて、−1.1V〜−0.9Vの範囲に検出されるピーク強度(Ia)と、−0.9V〜−0.6Vの範囲に検出されるピーク強度(Ib)から算出される比Ia/Ibにより、上記パラジウムめっき液の劣化状態を評価する評価工程と
を有することを特徴とするパラジウムめっき液の劣化状態評価方法。 - 上記DPV測定工程におけるDPV測定を同一の作用電極を用いて繰り返し行う場合、該DPV測定毎に、上記作用電極を塩酸溶液に浸漬し、0V〜0.8V(Ag/AgCl電極基準)の範囲で電位を印加して該作用電極を洗浄することを特徴とする請求項1に記載のパラジウムめっき液の劣化状態評価方法。
- 上記塩酸溶液の濃度を0.1mol/L〜7.0mol/Lとすることを特徴とする請求項2に記載のパラジウムめっき液の劣化状態評価方法。
- 上記作用電極は、金(Au)電極であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載のパラジウムめっき液の劣化状態評価方法。
- パラジウムめっき液を用いたパラジウムめっき方法において、
上記パラジウムめっき液を用いて被めっき物に対してめっき処理を施すめっき工程と、
上記めっき工程後のパラジウムめっき液の劣化状態を評価する劣化状態評価工程とを有し、
上記劣化状態評価工程は、
上記めっき工程後のパラジウムめっき液のpHを7.5〜8.2の範囲に調整するpH調整工程と、
pH調整したパラジウムめっき液に作用電極を浸漬して、−1.1V〜−0.4V(Ag/AgCl電極基準)の範囲に電位を印加してデファレンシャルパルスボルタンメトリー(DPV)測定を行うDPV測定工程と、
上記DPV測定工程にて得られたボルタモグラムに基づいて、−1.1V〜−0.9Vの範囲に検出されるピーク強度(Ia)と、−0.9V〜−0.6Vの範囲に検出されるピーク強度(Ib)から算出される比Ia/Ibにより上記パラジウムめっき液の劣化状態を評価する評価工程とを含み、
上記劣化状態評価工程における劣化状態の評価に基づいて、上記めっき工程におけるめっき処理に使用するパラジウムめっき液の交換を行うことを特徴とするパラジウムめっき方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012151783A JP5888152B2 (ja) | 2012-07-05 | 2012-07-05 | パラジウムめっき液の劣化状態評価方法、パラジウムめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012151783A JP5888152B2 (ja) | 2012-07-05 | 2012-07-05 | パラジウムめっき液の劣化状態評価方法、パラジウムめっき方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014016169A JP2014016169A (ja) | 2014-01-30 |
JP5888152B2 true JP5888152B2 (ja) | 2016-03-16 |
Family
ID=50110995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012151783A Active JP5888152B2 (ja) | 2012-07-05 | 2012-07-05 | パラジウムめっき液の劣化状態評価方法、パラジウムめっき方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5888152B2 (ja) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4789445A (en) * | 1983-05-16 | 1988-12-06 | Asarco Incorporated | Method for the electrodeposition of metals |
JPS60138451A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Sumitomo Metal Ind Ltd | メツキ液中の不純物定量分析方法 |
US4654126A (en) * | 1985-10-07 | 1987-03-31 | International Business Machines Corporation | Process for determining the plating activity of an electroless plating bath |
US5324400A (en) * | 1992-12-04 | 1994-06-28 | Hughes Aircraft Company | Electrode preconditioning method for a plating bath monitoring process |
US5976344A (en) * | 1996-05-10 | 1999-11-02 | Lucent Technologies Inc. | Composition for electroplating palladium alloys and electroplating process using that composition |
DE60113214T2 (de) * | 2000-11-02 | 2006-06-08 | Shipley Co., L.L.C., Marlborough | Plattierungsbadanalyse |
JP2003129298A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メッキ液評価装置、メッキ液評価方法、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法 |
JP4204359B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2009-01-07 | 株式会社野毛電気工業 | ボンディングワイヤーおよびそれを使用した集積回路デバイス |
JP2004325441A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 分析方法 |
JP2012059846A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Kawamura Sangyo Kk | 半導体製造用粘着フィルム及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-07-05 JP JP2012151783A patent/JP5888152B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014016169A (ja) | 2014-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11634831B2 (en) | Coated articles | |
TWI600773B (zh) | 電氣、電子機器用途之Ag-Pd-Cu-Co合金 | |
JP2013189681A (ja) | 銀めっき材 | |
JP2009173992A (ja) | めっき物の製造方法及び電気めっき方法 | |
CN104152959A (zh) | 镀膜制造方法 | |
US6758960B1 (en) | Electrode assembly and method of using the same | |
JP6620897B2 (ja) | 錫めっき付銅端子材及び端子並びに電線端末部構造 | |
JP5888152B2 (ja) | パラジウムめっき液の劣化状態評価方法、パラジウムめっき方法 | |
CN103597361A (zh) | 电接触构件 | |
JP2018193578A (ja) | 錫めっき付銅端子材及び端子並びに電線端末部構造 | |
JP5740727B2 (ja) | 封孔処理剤および封孔処理方法 | |
JP6574568B2 (ja) | 金属めっき被覆ステンレス材の製造方法 | |
JP2017211217A (ja) | 耐食性の評価方法およびめっき製品の修復方法 | |
TWI545813B (zh) | 熱電材料的表面粗化方法 | |
JP2005163153A (ja) | 無電解ニッケル置換金めっき処理層、無電解ニッケルめっき液、および無電解ニッケル置換金めっき処理方法 | |
US20050236280A1 (en) | Methods for analyzing inorganic components of an electrolytic solution, and /or cleaning an electrochemical analytical cell | |
JP2018505967A (ja) | 金電気めっき溶液及び方法 | |
JP2015089955A (ja) | めっき方法 | |
JP6848022B2 (ja) | 金属めっき被覆ステンレス材の製造方法 | |
US10955439B2 (en) | Electrochemical cleaning of test probes | |
JP2018009203A (ja) | 表面処理材 | |
JP5978439B2 (ja) | 導電部材 | |
JP2016113697A (ja) | 金属めっき被覆ステンレス材の製造方法 | |
CN118621395A (zh) | 应变片的金属基材的电镀铜的方法及应变片的金属基材 | |
JP5879093B2 (ja) | コネクタの製造方法及び銀のめっき方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160119 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5888152 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |