JP2833026B2 - 無電解錫めっき方法 - Google Patents
無電解錫めっき方法Info
- Publication number
- JP2833026B2 JP2833026B2 JP1173229A JP17322989A JP2833026B2 JP 2833026 B2 JP2833026 B2 JP 2833026B2 JP 1173229 A JP1173229 A JP 1173229A JP 17322989 A JP17322989 A JP 17322989A JP 2833026 B2 JP2833026 B2 JP 2833026B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- tin
- copper
- nickel
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子部品に半田付け性を付与するために無
電解錫又は錫合金めっき皮膜を形成する場合などに採用
される無電解錫めっき方法に関する。
電解錫又は錫合金めっき皮膜を形成する場合などに採用
される無電解錫めっき方法に関する。
従来より、プリント基板、チップ部品等の電子部品に
良好な半田付け性を付与するために錫又は錫合金めっき
を施すことが行なわれている。
良好な半田付け性を付与するために錫又は錫合金めっき
を施すことが行なわれている。
この際、電子部品相互がぶつかり合ったりする場合な
どに部品に傷が付くこと及び素材と処理金属の拡散を防
止し、強度アップを計るために部品に下地めっきとして
ニッケルめっきを施すことが望まれ、電子部品にニッケ
ルめっき皮膜を形成した後、その上に錫又は錫合金めっ
きを行なうことが要望される。
どに部品に傷が付くこと及び素材と処理金属の拡散を防
止し、強度アップを計るために部品に下地めっきとして
ニッケルめっきを施すことが望まれ、電子部品にニッケ
ルめっき皮膜を形成した後、その上に錫又は錫合金めっ
きを行なうことが要望される。
従来、このようにニッケル又はニッケル合金めっき皮
膜が形成された被めっき物に錫又は錫合金皮膜を形成す
る方法としては、ペースト法、電気めっき法が採用され
ている。しかし、電子部品においては、最近の部品の細
密化、微小化に伴い、これらの方法では錫又は錫合金皮
膜を均一に形成することが困難である。
膜が形成された被めっき物に錫又は錫合金皮膜を形成す
る方法としては、ペースト法、電気めっき法が採用され
ている。しかし、電子部品においては、最近の部品の細
密化、微小化に伴い、これらの方法では錫又は錫合金皮
膜を均一に形成することが困難である。
このため、錫又は錫合金皮膜を無電解めっき法により
形成することが望まれているが、従来の無電解錫又は錫
合金めっき浴はニッケル又はニッケル合金上には直接析
出反応が開始しないため、無電解めっき法を採用してい
ないのが現状である。
形成することが望まれているが、従来の無電解錫又は錫
合金めっき浴はニッケル又はニッケル合金上には直接析
出反応が開始しないため、無電解めっき法を採用してい
ないのが現状である。
本発明はかかる事情を改善するためになされたもの
で、被めっき物に強度アップ等のために形成したニッケ
ル又はニッケル合金めっき皮膜に対し無電解錫めっきを
施す方法を提供することを目的とする。
で、被めっき物に強度アップ等のために形成したニッケ
ル又はニッケル合金めっき皮膜に対し無電解錫めっきを
施す方法を提供することを目的とする。
本発明者は、上記目的を達成するため種々検討を行な
った結果、被めっき物にニッケル又はニッケル合金めっ
き皮膜を形成した上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成し
て、後述する特定の無電解錫めっき浴を用いて無電解錫
めっきを施すことにより、銅又は銅合金めっき皮膜に対
してはめっき反応がスタートするので、ニッケル又はニ
ッケル合金めっき皮膜上に支障なく無電解錫めっき皮膜
を形成することができ、従って電子部品の細密化、微小
化にも十分対応して良好な半田付け性を付与することが
できると共に、ニッケル、ニッケル合金めっき皮膜の形
成により強度アップを計ることができることを知見し、
本発明をなすに至ったものである。
った結果、被めっき物にニッケル又はニッケル合金めっ
き皮膜を形成した上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成し
て、後述する特定の無電解錫めっき浴を用いて無電解錫
めっきを施すことにより、銅又は銅合金めっき皮膜に対
してはめっき反応がスタートするので、ニッケル又はニ
ッケル合金めっき皮膜上に支障なく無電解錫めっき皮膜
を形成することができ、従って電子部品の細密化、微小
化にも十分対応して良好な半田付け性を付与することが
できると共に、ニッケル、ニッケル合金めっき皮膜の形
成により強度アップを計ることができることを知見し、
本発明をなすに至ったものである。
それ故、本発明は、被めっき物に直接又は下地めっき
皮膜を介してニッケル又はニッケル合金めっき皮膜を形
成した後、その上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成し、
次いで該銅又は銅合金めっき皮膜上に有機スルホン
酸、有機スルホン酸の２価の錫塩、チオ尿素及び水溶性
ジルコニウム塩を含有してなる酸性無電解錫めっき浴、
又は、２価の錫イオンと、有機スルホン酸、有機カル
ボン酸及びホウフッ酸から選ばれる１種以上の酸と、チ
オ尿素と、過塩素酸及び過塩素酸化合物から選ばれる１
種以上の化合物とを含有してなる酸性無電解錫めっき浴
を用いて無電解錫めっきを施すことを特徴とする無電解
錫又は錫合金めっき方法を提供する。
皮膜を介してニッケル又はニッケル合金めっき皮膜を形
成した後、その上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成し、
次いで該銅又は銅合金めっき皮膜上に有機スルホン
酸、有機スルホン酸の２価の錫塩、チオ尿素及び水溶性
ジルコニウム塩を含有してなる酸性無電解錫めっき浴、
又は、２価の錫イオンと、有機スルホン酸、有機カル
ボン酸及びホウフッ酸から選ばれる１種以上の酸と、チ
オ尿素と、過塩素酸及び過塩素酸化合物から選ばれる１
種以上の化合物とを含有してなる酸性無電解錫めっき浴
を用いて無電解錫めっきを施すことを特徴とする無電解
錫又は錫合金めっき方法を提供する。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明は、各種電子部品などに対し適用されるが、そ
の材質は特に制限されず、めっき可能なものであればよ
い。
の材質は特に制限されず、めっき可能なものであればよ
い。
本発明においては、まず被めっき物をその種類に応じ
た前処理を施し、次いで直接又は適宜な下地めっき皮膜
を形成した後、ニッケル又はニッケル合金めっき皮膜を
形成する。この場合、ニッケル，ニッケル合金めっきは
電気めっきでも無電解めっきでもよく、公知のめっき浴
を用いてその通常のめっき条件でめっきを施すことがで
きるが、細密、微小部分に対してめっきを行なう場合は
無電解ニッケル又はニッケル合金めっき法を採用するこ
とが好ましい。なお、ニッケル合金としては、ニッケル
−コバルト，ニッケル−鉄などを挙げることができ、ま
たニッケル又はニッケル合金めっき皮膜の膜厚は通常0.
5〜５μｍである。
た前処理を施し、次いで直接又は適宜な下地めっき皮膜
を形成した後、ニッケル又はニッケル合金めっき皮膜を
形成する。この場合、ニッケル，ニッケル合金めっきは
電気めっきでも無電解めっきでもよく、公知のめっき浴
を用いてその通常のめっき条件でめっきを施すことがで
きるが、細密、微小部分に対してめっきを行なう場合は
無電解ニッケル又はニッケル合金めっき法を採用するこ
とが好ましい。なお、ニッケル合金としては、ニッケル
−コバルト，ニッケル−鉄などを挙げることができ、ま
たニッケル又はニッケル合金めっき皮膜の膜厚は通常0.
5〜５μｍである。
次に、本発明は上記ニッケル又はニッケル合金めっき
皮膜上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成する。この銅、
銅合金めっき皮膜の形成も、電気めっき、無電解めっき
のいずれの方法でもよく、公知のめっき浴を用いてその
通常のめっき条件でめっきすることができるが、細密、
微小部分に対しては無電解めっき法が好適に採用され
る。なお、銅合金としては銅−亜鉛、銅−錫等が挙げら
れる。また、銅、銅合金めっき皮膜は上述したように無
電解錫又は錫合金めっきを置換するものであるから、
銅、銅合金めっき皮膜の膜厚はかかる点から選択され、
無電解錫又は錫合金めっきが置換析出する限り、薄くて
も厚くてもよいが、１〜５μｍとすることが好ましい。
皮膜上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成する。この銅、
銅合金めっき皮膜の形成も、電気めっき、無電解めっき
のいずれの方法でもよく、公知のめっき浴を用いてその
通常のめっき条件でめっきすることができるが、細密、
微小部分に対しては無電解めっき法が好適に採用され
る。なお、銅合金としては銅−亜鉛、銅−錫等が挙げら
れる。また、銅、銅合金めっき皮膜は上述したように無
電解錫又は錫合金めっきを置換するものであるから、
銅、銅合金めっき皮膜の膜厚はかかる点から選択され、
無電解錫又は錫合金めっきが置換析出する限り、薄くて
も厚くてもよいが、１〜５μｍとすることが好ましい。
本発明においては、このようにニッケル又はニッケル
合金めっき皮膜上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成した
後、無電解錫めっきを行なう。
合金めっき皮膜上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成した
後、無電解錫めっきを行なう。
この場合、めっき浴としては、置換又は未置換のアル
カンスルホン酸，ヒドロキシアルカンスルホン酸，ベン
ゼンスルホン酸及びナフタレンスルホン酸から選ばれる
１種以上の有機スルホン酸、これらスルホン酸の２価の
錫塩、チオ尿素、水溶性ジルコニウム塩を含有してなる
無電解錫めっき浴、及び、２価の錫イオンと、有機スル
ホン酸、有機カルボン酸及びホウフッ酸から選ばれる１
種異以上の酸と、チオ尿素と、過塩素酸及び過塩素酸化
合物から選ばれる１種以上の化合物とを含有してなる無
電解錫めっき浴が好適に使用される。
カンスルホン酸，ヒドロキシアルカンスルホン酸，ベン
ゼンスルホン酸及びナフタレンスルホン酸から選ばれる
１種以上の有機スルホン酸、これらスルホン酸の２価の
錫塩、チオ尿素、水溶性ジルコニウム塩を含有してなる
無電解錫めっき浴、及び、２価の錫イオンと、有機スル
ホン酸、有機カルボン酸及びホウフッ酸から選ばれる１
種異以上の酸と、チオ尿素と、過塩素酸及び過塩素酸化
合物から選ばれる１種以上の化合物とを含有してなる無
電解錫めっき浴が好適に使用される。
ここで、前者の浴において、有機スルホン酸として
は、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンス
ルホン酸、２−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン
酸、２−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、クロ
ルプロパンスルホン酸、２−ヒドロキシエタン−１−ス
ルホン酸、２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン酸、
２−ヒドロキシブタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキ
シペンタンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−スルホ
酢酸、２−又は３−スルホプロピオン酸、スルホコハク
酸、スルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスル
ホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニ
トロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサル
チル酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、ｐ−フェノール
スルホン酸などを挙げることができる。
は、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンス
ルホン酸、２−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン
酸、２−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、クロ
ルプロパンスルホン酸、２−ヒドロキシエタン−１−ス
ルホン酸、２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン酸、
２−ヒドロキシブタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキ
シペンタンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−スルホ
酢酸、２−又は３−スルホプロピオン酸、スルホコハク
酸、スルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスル
ホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニ
トロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサル
チル酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、ｐ−フェノール
スルホン酸などを挙げることができる。
上記有機スルホン酸の使用量は、めっき浴１当り20
〜300g、特に50〜150gとすることが好ましく、また２価
の錫塩は錫イオンとして10〜50g、特に10〜30gとするこ
とが好ましい。この場合、有機スルホン酸と２価の錫イ
オンとの割合は１〜10:1、特に３〜7:1程度とすること
が好適である。なお、有機スルホン酸の２価の錫塩は、
過剰の有機スルホン酸を用い、これに他の２価の錫塩を
添加して、めっき浴中で有機スルホン酸の２価の錫塩を
形成することができる。
〜300g、特に50〜150gとすることが好ましく、また２価
の錫塩は錫イオンとして10〜50g、特に10〜30gとするこ
とが好ましい。この場合、有機スルホン酸と２価の錫イ
オンとの割合は１〜10:1、特に３〜7:1程度とすること
が好適である。なお、有機スルホン酸の２価の錫塩は、
過剰の有機スルホン酸を用い、これに他の２価の錫塩を
添加して、めっき浴中で有機スルホン酸の２価の錫塩を
形成することができる。
また、前者の浴において、チオ尿素の使用量はめっき
浴１当り30〜130g、特に50〜110gとすることが好まし
い。更に、該浴には水溶性ジルコニウム塩が添加される
が、水溶性ジルコニウム塩の添加により均一で微細な粒
子の析出皮膜を形成することができる。この場合、水溶
性ジルコニウム塩としては硝酸ジルコニウム、ジルコニ
ウムアセチルアセトネート等を用いることができ、その
使用量はジルコニウムイオンとして10〜1000mg/、特
に50〜200mg/とすることが有効である。
浴１当り30〜130g、特に50〜110gとすることが好まし
い。更に、該浴には水溶性ジルコニウム塩が添加される
が、水溶性ジルコニウム塩の添加により均一で微細な粒
子の析出皮膜を形成することができる。この場合、水溶
性ジルコニウム塩としては硝酸ジルコニウム、ジルコニ
ウムアセチルアセトネート等を用いることができ、その
使用量はジルコニウムイオンとして10〜1000mg/、特
に50〜200mg/とすることが有効である。
なお、このめっき浴は酸性であり、特にpH0.2〜1.5、
より望ましくは0.5〜0.9であることが好ましい。また、
このめっき浴を用いて無電解錫めっきを行なう場合、そ
の温度は60〜90℃、特に65〜80℃が好ましく、このめっ
き浴を使用することにより、均一で微密な粒子からなる
緻密な皮膜を形成することができる。
より望ましくは0.5〜0.9であることが好ましい。また、
このめっき浴を用いて無電解錫めっきを行なう場合、そ
の温度は60〜90℃、特に65〜80℃が好ましく、このめっ
き浴を使用することにより、均一で微密な粒子からなる
緻密な皮膜を形成することができる。
一方、後者の浴において、有機スルホン酸としては上
述したものと同様のものが使用でき、また有機カルボン
酸としては、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、コハク酸、
グルコン酸などが使用される。
述したものと同様のものが使用でき、また有機カルボン
酸としては、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、コハク酸、
グルコン酸などが使用される。
これら酸の使用量は、特に制限されないが、20〜300g
/、特に50〜150g/とすることが好ましく、また酸と
２価の錫イオンとの割合は１〜10:1、特に３〜7:1とす
ることが好適である。なお、２価の錫イオンを供給する
錫源としては種々選択し得、例えば酸化錫，塩化錫，硫
酸錫、更に有機スルホン酸錫，有機カルボン酸錫，ホウ
フッ化錫などを挙げることができる。なお、浴中の２価
の錫イオン量は10〜50g/、特に10〜30g/とすること
が好ましい。
/、特に50〜150g/とすることが好ましく、また酸と
２価の錫イオンとの割合は１〜10:1、特に３〜7:1とす
ることが好適である。なお、２価の錫イオンを供給する
錫源としては種々選択し得、例えば酸化錫，塩化錫，硫
酸錫、更に有機スルホン酸錫，有機カルボン酸錫，ホウ
フッ化錫などを挙げることができる。なお、浴中の２価
の錫イオン量は10〜50g/、特に10〜30g/とすること
が好ましい。
更に、この浴にはチオ尿素が添加されるが、その使用
量はめっき浴１当り30〜130g、特に50〜110gとするこ
とが好ましい。また、上記の成分に加え、過塩素酸又は
過塩素酸化合物が添加され、これによりめっき浴が安定
化されると共に、析出速度がアップするものである。こ
の場合、過塩素酸化合物としては、過塩素酸アンモニウ
ム、過塩素酸ナトリウム、過塩素酸カリウム、過塩素酸
リチウム、過塩素酸テトラエチルアンモニウム、過塩素
酸テトラブチルアンモニウム等が用いられる。これら過
塩素酸、過塩素酸化合物の使用量は１〜300g/、特に1
0〜180g/とすることが好ましい。
量はめっき浴１当り30〜130g、特に50〜110gとするこ
とが好ましい。また、上記の成分に加え、過塩素酸又は
過塩素酸化合物が添加され、これによりめっき浴が安定
化されると共に、析出速度がアップするものである。こ
の場合、過塩素酸化合物としては、過塩素酸アンモニウ
ム、過塩素酸ナトリウム、過塩素酸カリウム、過塩素酸
リチウム、過塩素酸テトラエチルアンモニウム、過塩素
酸テトラブチルアンモニウム等が用いられる。これら過
塩素酸、過塩素酸化合物の使用量は１〜300g/、特に1
0〜180g/とすることが好ましい。
なお、このめっき浴は酸性であり、特にpH0.1〜1.5で
あることが好ましい。また、このめっき浴を用いて無電
解錫めっきを行なう場合、その温度は40〜75℃、特に65
〜70℃が好ましい。この酸性無電解錫めっき浴は安定
で、不溶性錫化合物が生成し難く、また析出速度が大き
いものである。
あることが好ましい。また、このめっき浴を用いて無電
解錫めっきを行なう場合、その温度は40〜75℃、特に65
〜70℃が好ましい。この酸性無電解錫めっき浴は安定
で、不溶性錫化合物が生成し難く、また析出速度が大き
いものである。
次に、実施例により本発明を具体的に説明するが、本
発明は下記の実施例に制限されるものではない。
発明は下記の実施例に制限されるものではない。
〔実施例１〕 常法により前処理したプリント基板に下記組成の電気
ニッケルめっき浴を用いてニッケルめっき皮膜を形成し
た後、下記組成の無電解銅めっき浴を用いて銅めっき皮
膜を形成し、更にその上に下記組成の無電解錫めっき浴
を用いて錫めっき皮膜を形成した。
ニッケルめっき浴を用いてニッケルめっき皮膜を形成し
た後、下記組成の無電解銅めっき浴を用いて銅めっき皮
膜を形成し、更にその上に下記組成の無電解錫めっき浴
を用いて錫めっき皮膜を形成した。
電気ニッケルめっき 組 成 硫酸ニッケル 280g/ 塩化ニッケル 40g/ ホウ酸 40g/ 市販一次光沢剤 10ml/ 市販二次光沢剤 1ml/ pH 4.2 めっき条件 陰極電流密度 2A/dm2 温 度 50℃ 時 間 ８分 膜 厚 ３μｍ 無電解銅めっき 組 成 硫酸銅 5g/ ロシェル塩 25g/ 水酸化ナトリウム 5g/ ホルマリン 10ml/ 1,10−フェナントロリン 10mg/ pH 12 めっき条件 温 度 50℃ 時 間 20分 膜 厚 ３μｍ 無電解錫めっき 組 成 メタンスルホン酸錫（２価の錫イオンとして） 10g/ メタンスルホン酸 100g/ チオ尿素 80g/ 硝酸ジルコニウム 100mg/ pH 0.8 めっき条件 温 度 70℃ 時 間 10分 膜 厚 １μｍ 以上のめっき工程において、銅めっき皮膜上に無電解
錫めっき皮膜が容易に析出した。これに対し、ニッケル
めっき皮膜上には直接無電解錫めっき皮膜が析出しなか
った。
錫めっき皮膜が容易に析出した。これに対し、ニッケル
めっき皮膜上には直接無電解錫めっき皮膜が析出しなか
った。
なお、得られた無電解錫めっき皮膜の外観は均一な銀
白色を示し、顕微鏡で観察したところ、粒子は微細で均
一であった。
白色を示し、顕微鏡で観察したところ、粒子は微細で均
一であった。
〔実施例２〕 常法により前処理したチップコンデンサに下記組成の
無電解ニッケルめっき浴を用いてニッケルめっき皮膜を
形成した後、下記組成の無電解銅めっき浴を用いて銅め
っき皮膜を形成し、更にその上に下記組成の無電解錫め
っき浴を用いて錫めっき皮膜を形成した。
無電解ニッケルめっき浴を用いてニッケルめっき皮膜を
形成した後、下記組成の無電解銅めっき浴を用いて銅め
っき皮膜を形成し、更にその上に下記組成の無電解錫め
っき浴を用いて錫めっき皮膜を形成した。
無電解ニッケルめっき 組 成 硫酸ニッケル 30g/ 次亜リン酸ナトリウム 20g/ クエン酸ナトリウム 20g/ グリシン 20g/ Pb 1mg/ pH 4.5 めっき条件 温 度 90℃ 時 間 10分 膜 厚 ３μｍ 無電解銅めっき 組 成 硫酸銅 5g/ ロシェル塩 25g/ 水酸化ナトリウム 5g/ ホルマリン 10ml/ 1,10−フェナントロリン 10mg/ pH 12 めっき条件 温 度 50℃ 時 間 20分 膜 厚 ３μｍ 無電解錫めっき 組 成 ホウフッ化錫（Sn2+として） 20g/ ホウフッ酸 50g/ チオ尿素 80g/ 過塩素酸アンモニウム 10g/ pH 0.2 めっき条件 温 度 70℃ 時 間 10分 膜 厚 １μｍ 以上のめっき工程において、銅めっき皮膜上に無電解
錫めっき皮膜が容易に析出した。これに対し、ニッケル
めっき皮膜上には直接無電解錫めっき皮膜が析出しなか
った。
錫めっき皮膜が容易に析出した。これに対し、ニッケル
めっき皮膜上には直接無電解錫めっき皮膜が析出しなか
った。
なお、得られた無電解錫めっき皮膜の外観は均一な銀
白色を示し、顕微鏡で観察したところ、粒子は微細で均
一であった。
白色を示し、顕微鏡で観察したところ、粒子は微細で均
一であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−1666（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−214454（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−11807（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−3694（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−142067（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−217478（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−197580（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−61073（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−290775（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−290774（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−184279（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−230833（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−185759（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−146872（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 28/00 - 30/00 C23C 18/00 - 20/08 C25D 5/00 - 5/56
Claims (2)
- 【請求項１】被めっき物に直接又は下地めっき皮膜を介
してニッケル又はニッケル合金めっき皮膜を形成した
後、その上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成し、次いで
該銅又は銅合金めっき皮膜上に、有機スルホン酸、有機
スルホン酸の２価の錫塩、チオ尿素及び水溶性ジルコニ
ウム塩を含有してなる酸性無電解錫めっき浴を用いて無
電解錫めっきを施すことを特徴とする無電解錫めっき方
法。 - 【請求項２】被めっき物に直接又は下地めっき皮膜を介
してニッケル又はニッケル合金めっき皮膜を形成した
後、その上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成し、次いで
該銅又は銅合金めっき皮膜上に、２価の錫イオンと、有
機スルホン酸、有機カルボン酸及びホウフッ酸から選ば
れる１種以上の酸と、チオ尿素と、過塩素酸及び過塩素
酸化合物から選ばれる１種以上の化合物とを含有してな
る酸性無電解錫めっき浴を用いて無電解錫めっきを施す
ことを特徴とする無電解錫めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173229A JP2833026B2 (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 無電解錫めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173229A JP2833026B2 (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 無電解錫めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0339488A JPH0339488A (ja) | 1991-02-20 |
| JP2833026B2 true JP2833026B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=15956541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1173229A Expired - Fee Related JP2833026B2 (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 無電解錫めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2833026B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102011107A (zh) * | 2010-12-24 | 2011-04-13 | 杭州东方表面技术有限公司 | 可获取高可焊性镀层的化学镀镍磷合金溶液 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100467896B1 (ko) * | 1995-12-18 | 2005-05-13 | 올린 코포레이션 | 구리기판,주석피복층및전기도금된차단층을포함하는피복재 |
| JP5155139B2 (ja) * | 1995-12-18 | 2013-02-27 | オリン コーポレイション | 錫被覆電気コネクタ |
| JPH10134869A (ja) * | 1996-10-30 | 1998-05-22 | Yazaki Corp | 端子材料および端子 |
| JPH11135226A (ja) * | 1997-10-27 | 1999-05-21 | Harness Syst Tech Res Ltd | 嵌合型接続端子の製造方法 |
| DE19954613A1 (de) | 1999-11-12 | 2001-05-17 | Enthone Omi Deutschland Gmbh | Verfahren zur stromlosen Verzinnung von Kupfer oder Kupferlegierungen |
| JP3350026B2 (ja) | 2000-08-01 | 2002-11-25 | エフシーエム株式会社 | 電子部品用材料、電子部品用材料の接続方法、ボールグリッドアレイ型電子部品およびボールグリッドアレイ型電子部品の接続方法 |
| JP4514012B2 (ja) * | 2001-01-19 | 2010-07-28 | 古河電気工業株式会社 | めっき材料とその製造方法、それを用いた電気・電子部品 |
| DE60211808T2 (de) | 2001-07-31 | 2006-10-19 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.), Kobe | Plattierte Kupferlegierung und Verfahren zu ihre Herstellung |
| JP3562719B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2004-09-08 | 矢崎総業株式会社 | 端子 |
| JP4046642B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2008-02-13 | 財団法人くまもとテクノ産業財団 | ウイスカの発生を防止した電子部品用金属材料 |
| JP3109812U (ja) | 2004-12-28 | 2005-06-02 | 株式会社プレーリードッグ | カップ付きケーキ型タオル製装飾品 |
| JP4027368B2 (ja) | 2004-12-28 | 2007-12-26 | 株式会社プレーリードッグ | ケーキ型タオル製装飾品の製造方法 |
| JP5278988B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2013-09-04 | 石原薬品株式会社 | 無電解スズメッキ浴及び電子部品の無電解スズメッキ方法 |
| JP6803566B2 (ja) * | 2015-10-28 | 2020-12-23 | 国立大学法人信州大学 | 銅三次元ナノ構造体の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS563694A (en) * | 1979-06-23 | 1981-01-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture of copper plated aluminum terminal |
| JPS5611807A (en) * | 1979-07-10 | 1981-02-05 | Nippon Mining Co | Ironnbase alloy for lead wire material |
| JPS591666A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 錫又は錫合金の連続メツキ方法 |
| JPS61214454A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-24 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体装置用ボンデイングワイヤ |
| JPS62142067A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-25 | Hitachi Cable Ltd | 半田との合金層形成の少ない複合材 |
-
1989
- 1989-07-05 JP JP1173229A patent/JP2833026B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102011107A (zh) * | 2010-12-24 | 2011-04-13 | 杭州东方表面技术有限公司 | 可获取高可焊性镀层的化学镀镍磷合金溶液 |
| CN102011107B (zh) * | 2010-12-24 | 2012-07-11 | 杭州东方表面技术有限公司 | 可获取高可焊性镀层的化学镀镍磷合金溶液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0339488A (ja) | 1991-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2833026B2 (ja) | 無電解錫めっき方法 | |
| US4169171A (en) | Bright electroless plating process and plated articles produced thereby | |
| US3969199A (en) | Coating aluminum with a strippable copper deposit | |
| US4628165A (en) | Electrical contacts and methods of making contacts by electrodeposition | |
| KR20070026832A (ko) | 주석계 도금 피막 및 그 형성 방법 | |
| US3870526A (en) | Electroless deposition of copper and copper-tin alloys | |
| USRE30434E (en) | Electroless tin and tin-lead alloy plating baths | |
| CN114892225A (zh) | 用于在镍镀层上电镀金的镀液和在镍镀层上电镀金的方法和镀金件与应用 | |
| US3637474A (en) | Electrodeposition of palladium | |
| US5391402A (en) | Immersion plating of tin-bismuth solder | |
| US4411965A (en) | Process for high speed nickel and gold electroplate system and article having improved corrosion resistance | |
| US3963455A (en) | Electrodeposited gold plating | |
| CN113416989A (zh) | 一种镀银工艺及镀银件 | |
| EP1116804B1 (en) | Tin-indium alloy electroplating solution | |
| CA1162505A (en) | Process for high speed nickel and gold electroplate system | |
| JPH0730458B2 (ja) | 亜鉛又は亜鉛系めっき材料の黒色化処理方法 | |
| US4082621A (en) | Plating method with lead or tin sublayer | |
| US4436595A (en) | Electroplating bath and method | |
| US3674516A (en) | Electroless codeposition of nickel alloys | |
| JP2654715B2 (ja) | 無電解錫及び錫・鉛合金めっき浴並びにめっき方法 | |
| JP2518118B2 (ja) | 無電解錫又は錫・鉛合金めっき液及び無電解錫又は錫・鉛合金めっき方法 | |
| US4470886A (en) | Gold alloy electroplating bath and process | |
| JPH02217478A (ja) | 無電解錫めっき浴及び無電解錫めっき方法 | |
| JP2770639B2 (ja) | 無電解錫又は錫・鉛合金めっき方法 | |
| JPH0565660A (ja) | 無電解銅ニツケル合金めつき方法およびこれに用いるめつき液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |