CN101400830A - 电解质和用于无光泽金属膜沉积的方法 - Google Patents

电解质和用于无光泽金属膜沉积的方法 Download PDF

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Abstract

本项发明为一种电解质，以及用含有乳化剂和/或分散剂或湿润剂的电解质在坯上沉积为无光泽金属膜的方法。按照本项发明，大量金属通过在电解液中的乳化和/或分散，借助掺杂聚烷基氧化物或其衍生物、含有氟化或经氟化产生的疏水链的湿润剂或聚烷基氧化物取代的四价铵化合物，可呈现不同的光泽度。此外，可向电解质中添加聚四氟乙烯颗粒以改变沉积金属层的表面属性。

Description

电解质和用于无光泽金属膜沉积的方法
技术领域：
本项发明为一种电解质，以及用含有乳化剂和/或分散剂或湿润剂的电解质在坯上沉积为无光泽金属膜的方法。
背景技术：
一般来说，沉积金属膜的过程会使形成的表层尽可能平滑、闪亮。但根据用途的不同，在很多情况下不需要金属膜闪闪发亮，而是希望其无光泽。这一方面表现在该金属膜的光学外观上，另一方面表现在其技术属性上，即这层金属膜的防反光性。无光泽金属膜沉积的应用领域不但包括首饰加工工业、钢筋加工业、汽车加工工业，而且还包括光学或精密仪器加工工业，这一领域中尤其要求金属膜具备防反光的属性。已知目前的技术水平可以生产不反光的镍或者镍合金层以及钴金属膜。在很多领域中将这些会潜在引起过敏反应的金属分离出来并无争议，但在首饰加工工业或厨房用具制造业中却要避免使用这些金属。在光学或精密仪器加工工业中要求按各种金属的不同属性沉积出不同金属的防反光膜。此外还要求将金属膜的不反光程度控制在较大范围之内。
发明内容：
本发明的目的在于，提供电解质和在坯上形成防反光金属膜的工艺方法，采用这一方法可在不同的坯上沉积形成具有不同的无光泽度金属膜。
通过这种电解质可以实现该目的，这种电解质含有乳化剂和/或分散剂或湿润剂，其能在坯上沉积为无光泽金属膜。溶剂中含有的这种电解质的特点是，电解质中含有的金属离子是下列金属离子的一种或多种：铝、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、硒、钼、钌、铑、钯、银、镉、铟、锡、锑、碲、钨、铼、铂、金、铊、铅、铋，乳化剂和/或分散剂为取代的和未取代的聚烷基氧化物或其衍生物，湿润剂含有氟化或经氟化产生的疏水链，或者可用聚四氟乙烯取代的四价铵化合物，电解质、乳化剂和/或分散剂或湿润剂形成微乳化液和/或微离散液。
实现这一目的要提供一种在坯上电解沉淀形成无光泽金属膜的方法，该方法将坯置于电镀槽中，电镀槽中含有本发明中提及的电解质和负电极，接上电源，电解质和负电极之间产生适合在坯上形成金属膜的电压。
我们发现，电解质中形成微乳化环境适合从相应电解质中获取不同的金属，并使之形成不反光金属膜。我们还发现，为在不同的待沉淀金属电解质中形成微乳化环境，聚烷基乙二醇或其衍生物、含有氟化或经氟化产生的不溶于水的链式分子的湿润剂、聚烷基氧化链取代的四价铵化合物都是适用的。这说明调制不同金属盐电解质乳浊液时可加入多种成分，也可只加入其中一种。
在聚烷基乙二醇用作乳化剂和/或者离散剂的情况下，除同类聚合物外，含有不同百分比的亲水和疏水结构的聚合物应首选聚乙烯乙二醇和聚丙烯乙二醇。这种情况下亲水和疏水结构的百分比与平均分子量共同决定沉积金属膜的不反光度，其中平均摩尔质量大于200克/摩尔，疏水结构百分比高的聚合物首选200克/摩尔至2000克/摩尔，更优的选择为大于4000克/摩尔的亲水结构百分比高的聚合物。
使用氟化或者经氟化产生的溶剂时，溶剂分子式通常如下
RfCH2CH2O(CH2CH2O)xH      (化学式1)
Rf＝F(CF2CF2)n，其中X＝6至15，n＝2至10为宜。本发明中涉及的氟化或经氟化产生的湿润剂的平均分子量约在550克/摩尔至1000克/摩尔之间；建议值为700克/摩尔至1000克/摩尔之间。这里平均分子量对反光度也有影响。
适用于本发明的另一种溶剂为聚烷基氧化物取代的四价铵化合物，推荐的分子式为
Figure A200680053729D00061
(分子式2)
其中R1、R2、R3或者R4至少一种为聚烷基氧化取代物，其余的可以是相同或不同的直线型或者分支型、饱和或者不饱和的C1至C18烷基链，X-为卤化物、硫酸根离子或者C1至C6的碳酸根离子。我们证实，符合分子式2的四胺基尤其适合，对其来说，R1和R2在C8和C12之间，首选C10烷基侧链，R3在C1和C3之间，首选C1烷基侧链，R4符合一般分子式[CH2-CH2-O]nH，其中n＝1到5，X-为C2至C4的碳酸根离子。
该项发明中向电解质中添加的四胺基化合物的平均分子量约在200至1000克/摩尔，优选区间为400至600克/摩尔，更加优选的为450至460克/摩尔。
此外我们还证实，向电解质中添加聚四氟乙烯颗粒对形成的不反光金属膜的属性也有影响。添加聚四氟乙烯颗粒的流程中产生的金属膜比不添加聚四氟乙烯颗粒时形成的金属膜的表面明显软很多，手指摸过后留下的痕迹也更不明显。
我们证实，向电解质中添加聚四氟乙烯粒子的直径约在10至1000毫微米之间，优选区间为100至300毫微米。
聚四氟乙烯粒子多为0.1至1000毫克/升，优选区间为0.5至5毫克/升。
具体实施方式：
下面列举的例子指明了发明中所述的电解质的构成以及发明中所述方法的实施，但本发明并不局限于这些例子。
例1
组成如下的铜电解质：
55克/升Cu2+
66克/升H2SO4
100毫克/升Cl-
200毫克/升 二-(3-磺丙基)-二硫化物，二钠盐
加入900克/摩尔的2克/升的聚丙二醇。在角板上以5安/平方分米和35摄氏度的条件电镀十分钟，在电镀过程中负电极每分钟移动两米。
不需要通风。令人惊讶的是，使用不同的电流密度时都会出现完全相同的珍珠光泽效果。加入最小量的有机光泽添加剂在断电时也不会出现附着强度问题，最后都可从酸性青铜电解液中或者从三价钴电解液中沉积获得金属附着膜。可以通过浓缩聚合物来控制珍珠光泽效果的反光度。通过简单的过滤即可去除所有的珍珠光泽添加剂。
例2
使用例1中的参数，在26摄氏度、添加300毫克/升的聚丙二醇以及下述分子结构，不添加例1中所述的聚丙二醇，可出现稳定的、相同的珍珠光泽效果：
HO-(CH2-CH2-O)X-(CH2-CH(CH3)-O)y-(CH2-CH2-O)zH
平均分子量为1700克/摩尔，其中聚乙烯氧化物比例(x+z)占分子量的百分之二十。
例3
组成如下的青铜电解质：
12克/升Cu(II)
2克/升Sn(II)
100克/升甲基磺胺酸
2克/升对苯二酚
添加例2中的聚合物分子，分子量为5000克/摩尔，浓度为5毫克/升，聚乙烯氧化物占20％，电流密度为2安/平方分米，25摄氏度，负电极每分钟移动1米，所得珍珠光泽效果相同。
例4
组成如下的瓦特电解质：
440g/l硫酸镍
30g/l硼酸
40g/l氯化镍
5g/l糖化钠
52摄氏度，保持10分钟，pH值4.2，电流密度为5安/平方分米，负电极每分钟移动2米，添加下述CF聚乙烯乙二醇作为湿润剂，浓度为10毫克/升，平均分子量700克/摩尔，其中主要成分中X＝5，Y＝10，
F-(CF2-CF2)x-(CH2-CH2-O)y-H
可获得相同的不反光效果。
例5
将例4中的CF2聚乙烯乙二醇替换为聚丙二醇胺，可得到相同不反光效果，其结构不同于例4中。像瓦兹-电解质中添加8毫克/升的聚双癸烷基二甲基(乙酮)胺中和剂(类似于例4)可获得珠光镀镍黄铜板。
例6
向例5中的聚乙烯乙二醇胺盐乳浊液中添加1毫升/升的PTFE悬浊液(Zonyl TE3667-N，Dupont)。将出现不同的构造和膜属性。
这样产生的表面具有很强的疏水防污效果。

Claims (11)

1.一种含有乳化剂和/或分散剂或湿润剂的电解质，能在坯上沉积为无光泽金属膜，其特征在于，
电解质中含有的金属离子是下列金属离子的一种或多种：铝、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、硒、钼、钌、铑、钯、银、镉、铟、锡、锑、碲、钨、铼、铂、金、铊、铅、铋，乳化剂和/或分散剂为取代的和未取代的聚烷基氧化物或其衍生物，湿润剂含有氟化或经氟化产生的疏水链，或者聚烷基氧化物取代的四价铵化合物，电解质、乳化剂和/或分散剂或者湿润剂形成微乳化液和/或者微离散液。
2.权利要求1所述电解质，其中聚乙烯氧化物、聚丙烯氧化物、聚丙烯-聚乙烯氧化聚合物或上述物质的混合物作为乳化和/或者离散剂。
3.权利要求2所述电解质，其中乳化和/或者离散剂的平均分子量大于200克/摩尔，疏水结构百分比高的聚合物首选200克/摩尔至2000克/摩尔，更优的选择为大于4000克/摩尔的亲水结构百分比高的聚合物。
4.权利要求1所述电解质，其中氟化或者经氟化产生的溶剂的分子式通常为
RfCH2CH2O(CH2CH2O)xH
Rf＝F(CF2CF2)n，其中X＝6至15，n＝2至10。
5.权利要求4所述电解质，其中溶剂的平均分子量约在550至1000克/摩尔之间，首选区间为700至1000克/摩尔。
6.权利要求1所述电解质，其中作为溶剂添加的聚烷基氧化键四复合胺，推荐的分子式为
Figure A200680053729C00021
其中R1、R2、R3或者R4至少一种为聚烷基氧化取代物，其余的可以是相同或不同的直线型或者分支型、饱和或者不饱和的C1至C18烷基链，X-为卤化物、硫酸根离子或者C1至C6的碳酸根离子。
7.权利要求6所述电解质，其中R1和R2为C8至C12，首选C10烷基侧链，R3为C1至C3，首选C1烷基侧链，R4的分子式为[CH2-CH2-O]nH，其中n＝1到5，X-为C2至C4的碳酸根离子。
8.权利要求7所述电解质，其中溶剂的平均分子量约在200至1000克/摩尔之间，首选区间为400至500克/摩尔，区间450至460克/摩尔更为优先。
9.前述任一权利要求所述电解质，该电解质含有聚四氟乙烯粒子，其平均直径约在10至1000毫微米之间，首选区间为100至300毫微米。
10.权利要求9所述电解质，其中含有聚四氯乙烯分子，浓度为0.1至1000毫克/升，首选0.5至5毫克/升。
11.一种在坯上电解沉积生成不反光金属膜的工艺方法，其特征在于：将坯置于含有权利要求1至10任何之一所述的电解质的电解池中，负电极与电源相连，负电极与坯件间产生适于在坯件上沉积金属膜的电压。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102995075A (zh) * 2011-09-09 2013-03-27 罗门哈斯电子材料有限公司 低内应力的铜电镀方法
CN105316711A (zh) * 2014-07-31 2016-02-10 Apct株式会社 包含全氟烷基表面活性剂的焊料凸点用锡合金电镀液
CN105862093A (zh) * 2016-05-26 2016-08-17 安庆师范大学 一种离子液体中电镀Ni-Cr-PTFE复合镀层的方法
CN109680310A (zh) * 2019-01-04 2019-04-26 中国计量大学 一种镍锑电镀液及其制备方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2143828B1 (en) * 2008-07-08 2016-12-28 Enthone, Inc. Electrolyte and method for the deposition of a matt metal layer
US7951600B2 (en) 2008-11-07 2011-05-31 Xtalic Corporation Electrodeposition baths, systems and methods
US20130220819A1 (en) * 2012-02-27 2013-08-29 Faraday Technology, Inc. Electrodeposition of chromium from trivalent chromium using modulated electric fields
WO2014144180A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Enthone Inc. Electrodeposition of silver with fluoropolymer nanoparticles
CN103382564B (zh) * 2013-07-18 2016-10-05 华南理工大学 金属表面超疏水钴镀层及其制备方法
GB2534120A (en) * 2014-11-28 2016-07-20 Daido Ind Bearings Europe Ltd Bismuth-based composite coating for overlay applications in plain bearings
AT516876B1 (de) * 2015-03-09 2016-11-15 Ing W Garhöfer Ges M B H Abscheidung von dekorativen Palladium-Eisen-Legierungsbeschichtungen auf metallischen Substanzen
JP6631349B2 (ja) 2015-03-26 2020-01-15 三菱マテリアル株式会社 アンモニウム塩を用いためっき液
CN105648490B (zh) * 2016-01-07 2017-08-15 东南大学 一种无低表面能物质改性的超疏水表面及其制备方法
CN109652829B (zh) * 2019-01-04 2021-07-09 中国计量大学 一种无稀土Bi基磁性电镀液及其制备方法
CN110714212B (zh) * 2019-10-12 2021-04-30 常州大学 一种水溶液体系中由氯化镍一步法制备超疏水镍薄膜的方法
AT523922B1 (de) * 2020-09-08 2022-01-15 Iwg Ing W Garhoefer Ges M B H Elektrolytbad für Palladium-Ruthenium-Beschichtungen

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3839166A (en) * 1967-05-16 1974-10-01 Henkel & Cie Gmbh Method for obtaining nickel deposits with satin finish
US3839165A (en) * 1967-08-26 1974-10-01 Henkel & Cie Gmbh Nickel electroplating method
US3787294A (en) * 1971-12-07 1974-01-22 S Kurosaki Process for producing a solid lubricant self-supplying-type co-deposited metal film
FR2190940A1 (en) * 1972-06-28 1974-02-01 Rhone Poulenc Sa Additives for tinplating baths - contg diethers and surfactants
DE2327881B2 (de) * 1973-06-01 1978-06-22 Langbein-Pfanhauser Werke Ag, 4040 Neuss Verfahren zur galvanischen Abscheidung mattglänzender Nickel- bzw. Nickel/Kobalt-Niederschläge
JPS5856038B2 (ja) * 1975-07-28 1983-12-13 ソニー株式会社 酸性Ｎｉ電気メッキ浴
US4444630A (en) * 1977-07-11 1984-04-24 Richardson Chemical Company Acid bright zinc plating
US4381228A (en) * 1981-06-16 1983-04-26 Occidental Chemical Corporation Process and composition for the electrodeposition of tin and tin alloys
AU559896B2 (en) * 1983-06-10 1987-03-26 Omi International Corp. Electrolytic copper depositing processes
DE3909811A1 (de) 1989-03-24 1990-09-27 Lpw Chemie Gmbh Verwendung von zumindest einer organischen sulfinsaeure und/oder von zumindest einem alkalisalz einer organischen sulfinsaeure als mittel ...
JP2626065B2 (ja) * 1989-07-04 1997-07-02 上村工業株式会社 サテンニッケル又はニッケル合金めっき浴及びめっき方法
DE69110652T2 (de) * 1991-01-07 1996-02-01 Atochem Elf Sa Verfahren zur Elektrogewinnung von Zink.
US5401590A (en) * 1992-12-07 1995-03-28 Duracell Inc. Additives for electrochemical cells having zinc anodes
JP3263750B2 (ja) * 1993-12-08 2002-03-11 奥野製薬工業株式会社 酸性銅めっき浴及びこれを使用するめっき方法
DE19540011C2 (de) * 1995-10-27 1998-09-10 Lpw Chemie Gmbh Verfahren zur galvanischen Abscheidung von blendfreien Nickel- oder Nickellegierungsniederschlägen
US5667659A (en) * 1996-04-04 1997-09-16 Handy & Harman Low friction solder electrodeposits
WO1999043750A1 (fr) * 1998-02-24 1999-09-02 Asahi Glass Fluoropolymers Co. Ltd. Composition de dispersion de polytetrafluorethylene aqueuse
JP2001089897A (ja) * 1999-07-16 2001-04-03 Toto Ltd めっき製品
JP2001125413A (ja) * 1999-10-27 2001-05-11 Shinwa Denki Kk 電子写真用定着ロ−ラ−及びその製造法
JP2001226798A (ja) * 2000-02-14 2001-08-21 Osaka Gas Co Ltd 摺動部材
US6491806B1 (en) * 2000-04-27 2002-12-10 Intel Corporation Electroplating bath composition
DE10025552C1 (de) * 2000-05-19 2001-08-02 Atotech Deutschland Gmbh Saures galvanisches Nickelbad und Verfahren zum Abscheiden eines satinglänzenden Nickel- oder Nickellegierungsüberzuges
AU2002215939A1 (en) * 2000-10-19 2002-04-29 Atotech Deutschland Gmbh Copper bath and method of depositing a matt copper coating
US6776893B1 (en) * 2000-11-20 2004-08-17 Enthone Inc. Electroplating chemistry for the CU filling of submicron features of VLSI/ULSI interconnect
JP2004515918A (ja) * 2000-12-04 2004-05-27 株式会社荏原製作所 基板処理装置及びその方法
JP2002317298A (ja) * 2001-04-17 2002-10-31 Inax Corp 撥水性サテンめっき製品及びその製造方法
EP1308541A1 (en) * 2001-10-04 2003-05-07 Shipley Company LLC Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate
US6726827B2 (en) * 2002-01-17 2004-04-27 Lucent Technologies Inc. Electroplating solution for high speed plating of tin-bismuth solder
DE10222962A1 (de) * 2002-05-23 2003-12-11 Atotech Deutschland Gmbh Saurer galvanischer Badelektrolyt und Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung satinglänzender Nickelniederschläge
JP4249438B2 (ja) * 2002-07-05 2009-04-02 日本ニュークローム株式会社 銅―錫合金めっき用ピロリン酸浴
US20050072683A1 (en) * 2003-04-03 2005-04-07 Ebara Corporation Copper plating bath and plating method
JP4603812B2 (ja) * 2003-05-12 2010-12-22 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 改良されたスズめっき方法
CN100348780C (zh) * 2004-03-16 2007-11-14 天津大学 脉冲镀镍基纳米复合镀层的方法及设备
TW200632147A (zh) * 2004-11-12 2006-09-16

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102995075A (zh) * 2011-09-09 2013-03-27 罗门哈斯电子材料有限公司 低内应力的铜电镀方法
CN105316711A (zh) * 2014-07-31 2016-02-10 Apct株式会社 包含全氟烷基表面活性剂的焊料凸点用锡合金电镀液
CN105316711B (zh) * 2014-07-31 2018-01-05 Apct株式会社 包含全氟烷基表面活性剂的焊料凸点用锡合金电镀液
CN105862093A (zh) * 2016-05-26 2016-08-17 安庆师范大学 一种离子液体中电镀Ni-Cr-PTFE复合镀层的方法
CN105862093B (zh) * 2016-05-26 2018-03-06 安庆师范大学 一种离子液体中电镀Ni‑Cr‑PTFE复合镀层的方法
CN109680310A (zh) * 2019-01-04 2019-04-26 中国计量大学 一种镍锑电镀液及其制备方法
CN109680310B (zh) * 2019-01-04 2020-07-07 中国计量大学 一种镍锑电镀液及其制备方法

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