JP4801315B2 - Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法 - Google Patents

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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4768975B2 (ja) * 2003-08-29 2011-09-07 パナソニック株式会社 ＧａＮ結晶およびＧａＮ結晶基板の製造方法
US7288152B2 (en) 2003-08-29 2007-10-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing GaN crystals and GaN crystal substrate, GaN crystals and GaN crystal substrate obtained by the method, and semiconductor device including the same
JP4562398B2 (ja) * 2004-01-26 2010-10-13 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物の結晶製造方法
JP4816086B2 (ja) * 2004-02-18 2011-11-16 大日本印刷株式会社 人工コランダム結晶の製造方法
JP4560307B2 (ja) * 2004-03-01 2010-10-13 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物の結晶製造方法
JP4560310B2 (ja) * 2004-03-03 2010-10-13 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物の結晶の基板の製造方法
WO2005095682A1 (ja) 2004-03-31 2005-10-13 Ngk Insulators, Ltd. 窒化ガリウム単結晶の育成方法および窒化ガリウム単結晶
US8398767B2 (en) * 2004-06-11 2013-03-19 Ammono S.A. Bulk mono-crystalline gallium-containing nitride and its application
JP5111728B2 (ja) * 2004-12-15 2013-01-09 株式会社リコー 窒化ガリウム結晶製造方法および窒化ガリウム結晶成長装置
JP4603498B2 (ja) 2005-03-14 2010-12-22 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法及び製造装置
TW200706710A (en) 2005-05-12 2007-02-16 Ricoh Co Ltd Process for producing group iii element nitride crystal, apparatus for producing group iii element nitride crystal, and group iii element nitride crystal
JP4856934B2 (ja) 2005-11-21 2012-01-18 株式会社リコー ＧａＮ結晶
CN101370971A (zh) 2006-02-13 2009-02-18 日本碍子株式会社 从助熔剂中回收钠金属的方法
US20070215034A1 (en) 2006-03-14 2007-09-20 Hirokazu Iwata Crystal preparing device, crystal preparing method, and crystal
JP2007257894A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Yamaha Corp 電子放出素子用の針状電子放出体の製造方法及び電子放出素子の製造方法
JP5187848B2 (ja) 2006-03-23 2013-04-24 日本碍子株式会社 単結晶の製造方法
JP4766620B2 (ja) 2006-03-23 2011-09-07 日本碍子株式会社 窒化物単結晶の製造装置
CN101405438B (zh) 2006-03-23 2012-06-27 日本碍子株式会社 氮化物单晶的制造装置
WO2007108338A1 (ja) 2006-03-23 2007-09-27 Ngk Insulators, Ltd. 窒化物単結晶の製造方法および装置
JP5228286B2 (ja) * 2006-06-02 2013-07-03 株式会社リコー 結晶成長装置
JP5044311B2 (ja) * 2006-09-13 2012-10-10 日本碍子株式会社 窒化物単結晶の育成方法
JP5129527B2 (ja) 2006-10-02 2013-01-30 株式会社リコー 結晶製造方法及び基板製造方法
CN101583745B (zh) 2006-11-14 2012-07-25 国立大学法人大阪大学 GaN晶体的制造方法、GaN晶体、GaN晶体基板、半导体装置及GaN晶体制造装置
JP4433317B2 (ja) 2006-12-15 2010-03-17 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体結晶の製造方法
JP4821007B2 (ja) * 2007-03-14 2011-11-24 国立大学法人大阪大学 Ｉｉｉ族元素窒化物結晶の製造方法およびｉｉｉ族元素窒化物結晶
JPWO2008117571A1 (ja) * 2007-03-26 2010-07-15 日本碍子株式会社 窒化物単結晶の製造方法
JP5235864B2 (ja) 2007-03-27 2013-07-10 日本碍子株式会社 窒化物単結晶の製造方法
JP5113097B2 (ja) * 2009-01-23 2013-01-09 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物の結晶製造方法
JP5328682B2 (ja) * 2010-01-13 2013-10-30 日立電線株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法
JP5887697B2 (ja) * 2010-03-15 2016-03-16 株式会社リコー 窒化ガリウム結晶、１３族窒化物結晶、結晶基板、およびそれらの製造方法
JP2012012259A (ja) 2010-07-01 2012-01-19 Ricoh Co Ltd 窒化物結晶およびその製造方法
JP6098028B2 (ja) * 2011-09-14 2017-03-22 株式会社リコー 窒化ガリウム結晶、１３族窒化物結晶、１３族窒化物結晶基板および製造方法
JP5842490B2 (ja) * 2011-09-14 2016-01-13 株式会社リコー １３族窒化物結晶、及び１３族窒化物結晶基板
JP5953684B2 (ja) 2011-09-14 2016-07-20 株式会社リコー １３族窒化物結晶の製造方法
JP5423832B2 (ja) * 2012-04-23 2014-02-19 株式会社リコー 結晶成長装置
JP2016172692A (ja) * 2016-07-08 2016-09-29 株式会社リコー 窒化物結晶およびその製造方法

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