JP4560310B2 - Iii族窒化物の結晶の基板の製造方法 - Google Patents
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Description
11 反応容器
12 融液保持容器
13 ヒーター
14 ガス供給管
15,21 バルブ
16 圧力制御装置
18 圧力計
23 GaN
24 種結晶
Claims (3)
- III族窒化物結晶の基板の製造方法であって、
少なくともアルカリ金属とIII族金属と窒素が溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させる際に種結晶に対して、基板の主面とはならない{10−11}面を成長面として形成しながらIII族窒化物結晶を成長する工程と、
前記III族窒化物結晶のうち前記種結晶よりも低転位密度である部分を加工して特定の結晶面を前記主面とする基板を作製する工程とを含むことを特徴とするIII族窒化物の結晶の基板の製造方法。 - 請求項1記載のIII族窒化物の結晶の基板の製造方法において、前記種結晶は六角推結晶であることを特徴とするIII族窒化物の結晶の基板の製造方法。
- 請求項1記載のIII族窒化物の結晶の基板の製造方法において、前記種結晶は板状結晶であることを特徴とするIII族窒化物の結晶の基板の製造方法。
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