JP2018016497A - Iii族窒化物半導体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明に用いるフラックス法は、フラックスとなるアルカリ金属と、原料であるIII 族金属とを含む混合融液に、窒素を含むガスを供給して溶解させ、液相でIII 族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる方法である。本発明では、混合融液中に種基板1を配置し、その種基板1上にIII 族窒化物半導体を結晶成長させる。
本発明のIII 族窒化物半導体の製造方法では、混合融液中に種基板(種結晶)1を配置し、その種基板1上にIII 族窒化物半導体を育成する。この種基板1には、以下の構成のものを用いる。
本発明のIII 族窒化物半導体の製造方法では、たとえば以下の構成の結晶製造装置を用いる。
次に、本発明のIII 族窒化物半導体の製造方法について、図4を参照に説明する。
比較例として、実施例1と同一構成の種基板100を用い、炭素の添加量を変えた以外は同一の育成条件のフラックス法によって、種基板100上にGaN結晶を育成した。炭素の添加量は、Naに対して0.6mol%とし、実施例1に比べてCの添加量を増やした。育成したGaN結晶の厚さは0.55mmであった。
2:下地基板
3:III 族窒化物半導体層
4:マスク
5:窓
6:III 族窒化物半導体結晶
Claims (6)
- エピタキシャル成長の起点となる種結晶領域がドット状に点在された種基板の上に、アルカリ金属とIII 族金属の混合融液を用いたフラックス法によってIII 族窒化物半導体を成長させるIII 族窒化物半導体の製造方法において、
前記混合融液は、アルカリ金属に対して0mol%より大きく0.3mol%以下の炭素を含む、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法。 - 前記種基板は、下地基板と、下地基板上に位置するIII 族窒化物半導体層と、III 族窒化物半導体層上に位置するマスクと、を有し、
前記マスクは、三角格子状に配列された複数の窓を有する、
ことを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。 - 前記窓は、直径200μm以下であり、各前記窓の面積の総計は、前記種基板の主面の面積に対して25%以下である、ことを特徴とする請求項2に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記マスクは、ALD法により形成されている、ことを特徴とする請求項2または請求項3に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記マスクは、Al2 O3 、TiO2 、またはZrO2 からなる、ことを特徴とする請求項2ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記種基板は、直径が2インチ以上である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
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