JP6183317B2 - Iii族窒化物半導体の製造方法及びiii族窒化物半導体ウエハ - Google Patents
Iii族窒化物半導体の製造方法及びiii族窒化物半導体ウエハ Download PDFInfo
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Description
1.製造された半導体の全体の構成
図1に、本実施例1のIII 族窒化物半導体の製造方法により製造されるGaNウエハC10の概略構成を示す。GaNウエハC10は、GaN基板1と、GaN基板1の主面160上に形成されたマスク層140と、フラックス法により成長させたGaN層150とを有する。したがって、GaN基板1自体が種結晶であり、GaN基板1自体が種結晶層となる。マスク層140は、マスクの存在しない多数の孤立した窓部145と、マスクの形成された連続面であるマスク部146とを有する。各窓部145の下方のGaN基板1には厚さ方向(縦方向)に円柱形状の孔170が形成されている。マスク層140は、フラックスに対する耐性を有し、マスク部146からはGaNが成長しない材料で形成されている。マスク層140の材質は、Al2 O3 、ZrO2 、及び、TiO2 のうち少なくとも1種を用いることができる。本実施例では、マスク層140はAl2 O3 である。
半導体結晶製造装置について説明する。図5に示す半導体結晶製造装置10は、フラックス法によりIII 族窒化物半導体を成長させるための装置である。半導体結晶製造装置10は、図5に示すように、圧力容器20と、反応容器11と、坩堝12と、加熱装置13と、供給管14、16と、排気管15、17と、を有している。
以下、本実施例のIII 族窒化物半導体結晶の製造方法について説明する。
まず、GaN基板1は自立基板であり、転位密度は、5×106 /cm2 程度である。GaN基板1の主面160上に、原子層堆積法(ALD)を用いてマスク層140を形成する。マスク層140の上にフォトレジストを塗布してパターニングした後、フォトレジストをマスクとして、BHF(希釈フッ化水素)でマスク層140を所定パターンにエッチングした。これにより、図4に示すように、GaN基板1が露出している窓部145とマスクで覆われたマスク部146とを形成した。
Ga 20g〜80g
Na 20g〜80g
C 0.01mol%〜2.0mol%(Naに対して)
温度 850℃以上 1000℃以下
圧力 3MPa以上 10MPa以下
攪拌条件 0rpm以上 100rpm以下
育成時間 20時間以上 200時間以下
上記全実施例において、種結晶層は、GaNで構成しているが、GaNに限らず、他のIII 族窒化物半導体結晶を製造する際にも適用することができる。また、フラックス法で成長させる半導体も、AlX InY Ga(1-X-Y) N(0≦X,0≦Y,X+Y≦1)とすることができる。この場合には、III 族金属とNaとを少なくとも含む溶液中で半導体結晶を成長させることとすればよい。孔の形状は円形に限らず任意である。正六角形としても良い。
2…サファイア基板
140、240…マスク層
146、246…マスク部
145、245…窓部
150、250…GaN層
170、270…孔
171…側壁
172、272…底面
230…種結晶層
C10、C20…GaNウエハ
T1…テンプレート基板
Claims (14)
- エピタキシャル成長の起点となる種結晶層を少なくとも表面部に有する基板の上に、フラックス法を用いて溶液からIII 族窒化物半導体を成長させるIII 族窒化物半導体の製造方法において、
前記種結晶層の表面に形成され、複数の箇所にマスクの存在しない窓部と窓部以外のマスク部とから成るマスク層を有し、前記基板の少なくとも種結晶層には、前記窓部に厚さ方向に形成された孔を有し、
フラックス法により、前記III 族窒化物半導体を前記孔の側壁から横方向にエピタキシャル成長させて、前記マスク部の上部において、そのマスク部の周囲の複数の孔から成長させた前記III 族窒化物半導体を横方向に合体させると共に、前記基板の主面に垂直な方向に成長させることを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法。 - 前記孔は、フラックス法により前記III 族窒化物半導体を成長させる過程における前記溶液によるメルトバックにより形成されることを特徴する請求項1に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記孔は、フラックス法による成長装置に前記基板を設置する前の段階において、フラックスを含む溶液によりエッチングして形成されていることを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記孔は、フラックス法による成長装置に前記基板を設置する前の段階において、ドライエッチングにより形成されていることを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記種結晶層は、成長させるIII 族窒化物半導体と同一材料から成り、そのIII 族窒化物半導体とは異なる材料の異種基板上にエピタキシャル成長させた層であることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記孔は、前記種結晶層を貫通しており、その孔の底面は前記異種基板が露出していることを特徴とする請求項5に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記孔は、前記基板の厚さ全体を貫通していることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記孔の底面からは前記III 族窒化物半導体を成長させず、孔内において孔の底面と前記側壁から成長させたIII 族窒化物半導体との間は、溶液を含む溶液に起因する非晶質体が存在することを特徴とする請求項1乃至請求項6の何れか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記マスク部の表面と、横方向成長により合体した前記III 族窒化物半導体の底面との間には、単結晶のIII 族窒化物半導体ではない、溶液を含む溶液に起因する非晶質体が存在することを特徴とする請求項1乃至請求項8の何れか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記孔の最大幅は、10μm以上、500μm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項9の何れか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 隣接する前記孔間の最短距離は、10μm以上、5000μm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項10の何れか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記孔は、任意の一つの孔を中心として正六角形の頂点に隣接する6個の孔が存在するように配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項11の何れか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記マスク層は、Al2 O3 、ZrO2 、及び、TiO2 のうち少なくとも1種から成ることを特徴とする請求項1乃至請求項12の何れか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- エピタキシャル成長の起点となる種結晶層を少なくとも表面部に有する基板と、その基板上に、エピタキシャル成長させたIII 族窒化物半導体とを有するIII 族窒化物半導体ウエハにおいて、
前記種結晶層の表面に形成され、複数の箇所にマスクの存在しない窓部と窓部以外のマスク部とから成るマスク層を有し、前記基板の少なくとも前記種結晶層には、前記窓部に厚さ方向に形成された孔を有し、
孔内において前記孔の底面と前記側壁から成長させたIII 族窒化物半導体との間は、及び、前記マスク部の表面と、横方向成長により合体した前記III 族窒化物半導体の底面との間には、少なくともアルカリ金属、Ga、Nの混合溶液を含む混合溶液に起因する非晶質体を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体ウエハ。
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