JP2015168609A - 13族窒化物結晶の製造方法 - Google Patents
13族窒化物結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015168609A JP2015168609A JP2014046442A JP2014046442A JP2015168609A JP 2015168609 A JP2015168609 A JP 2015168609A JP 2014046442 A JP2014046442 A JP 2014046442A JP 2014046442 A JP2014046442 A JP 2014046442A JP 2015168609 A JP2015168609 A JP 2015168609A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- group
- seed
- gas
- seed crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
Description
以下に添付図面を参照して、13族窒化物結晶の製造方法の第1の実施の形態を詳細に説明する。図1は、第1の実施の形態に係る13族窒化物結晶の製造方法で用いられる製造装置1の構成を示す図である。
以下に、第1の実施の形態における一実施例を示す。本実施例では、φ2インチのサファイア基板42上にMOCVD法によりGaN結晶層43をエピタキシャル成長させたテンプレート基板から短冊状に切り出した第1の種結晶41と、HVPE法により製造した主面が(0001)c面でありφ2インチのGaN自立基板から短冊状に切り出した第2の種結晶46を使用した。
以下に、第2の実施の形態について図面を参照して説明する。上記第1の実施の形態と同一又は同様の箇所については説明を省略する場合がある。図10Aは、第2の実施の形態において使用される第3の種結晶65の構造を示す上面図である。図10Bは、図10Aに示す第3の種結晶65のXB−XB断面図である。図11は、本実施の形態における反応容器12の内部の状態を示す図である。
以下に第2の実施の形態における一実施例を示す。先ず、GaN結晶であって、その3方向のa軸のうちの1方向のa軸を長手方向とし、(000−1)面を底面66とし、当該a軸と平行な(10−11)面と(−1011)面を斜面67A,67Bとする第3の種結晶65を2つ準備した。本実施例では、これらの第3の種結晶65をフラックス法により製造した。第3の種結晶65のa軸に対する断面の形状は三角形であり、その底面66の形状は六角形である。第3の種結晶65は1つのa軸<11−20>方向に伸びたバー状の単結晶である。第3の種結晶65の底面66は(000−1)c面の窒素極性面である。第3の種結晶65の長手方向であるa軸に平行な斜面67A,67Bはそれぞれ(10−11)面及び(−1011)面と表記されている。
以下に、第2の実施の形態における他の実施例を示す。図15は、本実施例における反応容器12の内部の状態を示す図である。本実施例における第3の種結晶65は実施例2における第3の種結晶65と同様のものである。本実施例は、結晶成長の継続時間を長時間として第3のGaN結晶71を大きく成長させたことにより、第3のGaN結晶71の一部が気液界面18に達している点で実施例2と相違する。
5 13族窒化物結晶
6 混合融液
7 種結晶
11 耐圧容器
12 反応容器
14 内側面
15 平面部
18 気液界面
21 配管
22 窒素供給管
23 希釈ガス供給管
24,25,28 バルブ
26,27 圧力制御装置
29 圧力計
31 ヒータ
41 第1の種結晶
42 サファイア基板
43 GaN結晶層
44,47 主面
45,48 底面
46 第2の種結晶
51 固定部材
55 第1のGaN結晶
56 第2のGaN結晶
59,60,73 くぼみ
63,64,75 微結晶
65 第3の種結晶
66 底面
67A,67B 斜面
71 第3のGaN結晶
81 雑晶
Claims (7)
- 反応容器に保持された少なくともアルカリ金属と13族金属を含む混合融液中に種結晶を設置し、気相から前記混合融液中に窒素を溶解することにより、前記混合融液中で前記種結晶を核として13族窒化物を結晶成長させる13族窒化物結晶の製造方法であって、
前記種結晶は、前記13族窒化物がc軸に配向して結晶成長する主面を有し、その長手方向と前記13族窒化物結晶のa軸とが略平行な短冊状の単結晶であり、
前記種結晶は、前記主面とは反対側の面が前記反応容器の内側面に接するように、且つ前記長手方向が前記混合融液の気液界面と略平行となるように、且つ前記気液界面の近傍部に位置するように前記混合融液中に設置され、
前記a軸と平行な{10−11}面が主な成長面となるように前記主面から前記13族窒化物を結晶成長させる
ことを特徴とする13族窒化物結晶の製造方法。 - 前記種結晶は、前記主面が(0001)面である窒化ガリウムの単結晶である
ことを特徴とする請求項1に記載の13族窒化物結晶の製造方法。 - 前記種結晶の前記主面の短手方向の幅が1mm以下である
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の13族窒化物結晶の製造方法。 - 反応容器に保持された少なくともアルカリ金属と13族金属を含む混合融液中に種結晶を設置し、気相から前記混合融液中に窒素を溶解することにより、前記混合融液中で前記種結晶を核として13族窒化物を結晶成長させる13族窒化物結晶の製造方法であって、
前記種結晶は、前記13族窒化物からなる単結晶であって、その長手方向と前記13族窒化物結晶のa軸とが略平行であり、(000−1)面を底面とし、前記a軸と平行な(10−11)面と(−1011)面を斜面とし、
前記種結晶は、前記底面が前記反応容器の内側面に接するように、且つ前記長手方向が前記混合融液の気液界面と略平行となるように、且つ前記気液界面の近傍部に位置するように前記混合融液中に設置され、
前記斜面と平行な面が主な成長面となるように前記斜面から前記13族窒化物を結晶成長させる
ことを特徴とする13族窒化物結晶の製造方法。 - 前記主な成長面は、前記斜面のうち前記気液界面とは反対側を向いた面と平行である
ことを特徴とする請求項4に記載の13族窒化物結晶の製造方法。 - 前記種結晶は、前記気液界面から20mm以内の距離に設置される
請求項1〜5のいずれか1項に記載の13族窒化物結晶の製造方法。 - 前記内側面は、1つ以上の平面部を有し、
前記種結晶は、前記平面部に設置される
請求項1〜6のいずれか1項に記載の13族窒化物結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014046442A JP6337526B2 (ja) | 2014-03-10 | 2014-03-10 | 13族窒化物結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014046442A JP6337526B2 (ja) | 2014-03-10 | 2014-03-10 | 13族窒化物結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015168609A true JP2015168609A (ja) | 2015-09-28 |
JP6337526B2 JP6337526B2 (ja) | 2018-06-06 |
Family
ID=54201671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014046442A Expired - Fee Related JP6337526B2 (ja) | 2014-03-10 | 2014-03-10 | 13族窒化物結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6337526B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004307322A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物の結晶成長方法及びiii族窒化物結晶及び半導体デバイス及びシステム |
JP2005247625A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物の結晶成長方法およびiii族窒化物結晶および基板および半導体デバイス |
JP2007137735A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物結晶およびその製造方法 |
JP2008290929A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-12-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法 |
WO2009157347A1 (ja) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | 日本碍子株式会社 | 窒化物単結晶の育成方法 |
-
2014
- 2014-03-10 JP JP2014046442A patent/JP6337526B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004307322A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物の結晶成長方法及びiii族窒化物結晶及び半導体デバイス及びシステム |
JP2005247625A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物の結晶成長方法およびiii族窒化物結晶および基板および半導体デバイス |
JP2007137735A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物結晶およびその製造方法 |
JP2008290929A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-12-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法 |
WO2009157347A1 (ja) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | 日本碍子株式会社 | 窒化物単結晶の育成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6337526B2 (ja) | 2018-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10266965B2 (en) | Method for producing group-III nitride crystal, group-III nitride crystal, semiconductor device, and device for producing group-III nitride crystal | |
JP5112983B2 (ja) | Iii族窒化物半導体製造方法およびiii族窒化物半導体育成用の種結晶 | |
US10202710B2 (en) | Process for producing group III nitride crystal and apparatus for producing group III nitride crystal | |
JP2012012259A (ja) | 窒化物結晶およびその製造方法 | |
JP2017200858A (ja) | 窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板 | |
JP2013060344A (ja) | 窒化ガリウム結晶、13族窒化物結晶の製造方法および13族窒化物結晶基板 | |
JP2004231447A (ja) | Iii族窒化物結晶成長方法およびiii族窒化物結晶および半導体デバイス | |
JP5953683B2 (ja) | 13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板 | |
JP2011073894A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法 | |
JP4278330B2 (ja) | Iii族窒化物結晶製造方法およびiii族窒化物結晶製造装置 | |
JP5426178B2 (ja) | Iii族金属窒化物単結晶の製造方法 | |
JP5699493B2 (ja) | Iii族窒化物単結晶の製造方法 | |
US10329687B2 (en) | Method for producing Group III nitride semiconductor including growing Group III nitride semiconductor through flux method | |
JP6841195B2 (ja) | Iii族窒化物半導体の製造方法 | |
JP6337526B2 (ja) | 13族窒化物結晶の製造方法 | |
JP4551203B2 (ja) | Iii族窒化物の結晶製造方法 | |
JP6848242B2 (ja) | Iii族窒化物半導体の製造方法 | |
JP5842490B2 (ja) | 13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板 | |
JP6307818B2 (ja) | 13族窒化物結晶の製造方法 | |
JP6390157B2 (ja) | 13族窒化物結晶の製造方法 | |
JP6252169B2 (ja) | 13族窒化物結晶の製造方法 | |
JP6398213B2 (ja) | 13族窒化物結晶の製造方法 | |
JP6186763B2 (ja) | 13族窒化物結晶の製造方法、13族窒化物結晶基板の製造方法、及び13族窒化物結晶基板 | |
JP2018065716A (ja) | 13族窒化物結晶の製造方法及び窒化ガリウム結晶 | |
JP5883912B2 (ja) | 窒化物結晶およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171024 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180410 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180423 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6337526 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |