CN107230737A - Iii族氮化物基板以及iii族氮化物结晶的制造方法 - Google Patents

Iii族氮化物基板以及iii族氮化物结晶的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107230737A
CN107230737A CN201710056925.1A CN201710056925A CN107230737A CN 107230737 A CN107230737 A CN 107230737A CN 201710056925 A CN201710056925 A CN 201710056925A CN 107230737 A CN107230737 A CN 107230737A
Authority
CN
China
Prior art keywords
group iii
nitride
substrate
base part
concentration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710056925.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107230737B (zh
Inventor
冈山芳央
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2016210870A external-priority patent/JP6268505B2/ja
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Publication of CN107230737A publication Critical patent/CN107230737A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107230737B publication Critical patent/CN107230737B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403AIII-nitrides
    • C30B29/406Gallium nitride
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/025Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/02Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/12Liquid-phase epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02Epitaxial-layer growth
    • C30B23/025Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/183Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being provided with a buffer layer, e.g. a lattice matching layer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0062Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18Epitaxial-layer growth characterised by the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明的课题在于,提供制造高品质的III族氮化物结晶的方法。解决方法为一种III族氮化物基板,其具备具有正面和背面的III族氮化物的基材部,上述正面与所述背面的Mg浓度不同。通过以该III族氮化物基板为解决手段,能够解决上述课题。上述课题即在于提供制造高品质的III族氮化物结晶的方法。为了解决该课题,提供一种III族氮化物基板,其具备具有正面和背面的III族氮化物的基材部,上述正面与所述背面的Mg浓度不同。

Description

III族氮化物基板以及III族氮化物结晶的制造方法
技术领域
本发明涉及III族氮化物基板、以及III族氮化物结晶的制造方法。
背景技术
近年来,GaN等III族氮化物的结晶作为发光二极管等的材料受到关注。作为这样的III族氮化物的结晶的制造方法之一,已知在Na等熔剂中,使III族元素与氮反应,在基板上进行结晶生长的熔剂法。作为此时的基板,通常为蓝宝石基板等。另外,作为其它制造方法,还已知:使III族元素的卤化物气体与氨反应,在基板上进行结晶生长的HVPE法(氢化物气相生长法);使III族元素的氧化物气体与氨反应的OVPE法(氧化物气相生长法)等气相生长法。在HVPE法、OVPE法中,作为基板也通常为蓝宝石基板等。但是,蓝宝石基板相对于GaN的晶格不匹配率为13.8%,若使III族氮化物结晶在该蓝宝石基板上生长,则存在容易产生结晶缺陷等课题。
另一方面,作为用于制作III族氮化物的基板,提出了ScAlMgO4(例如,参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-178448号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,ScAlMgO4基板的晶格常数虽然与蓝宝石相比不匹配率小,但是不完全与III族氮化物的晶格常数一致。因此,存在如下问题:在包含以ScAlMgO4基板为代表的、通式RAMgO4(通式中,R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素系元素中的一个或多个三价元素,A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素)所表示的单晶体的基板上生长的III族氮化物结晶中产生翘曲、裂纹、结晶缺陷。
因此,本发明的目的在于提供高品质的III族氮化物结晶。
用于解决问题的手段
为了达成上述目的,本发明提供一种III族氮化物基板,其具备具有正面和背面的III族氮化物的基材部,所述基材部的正面与所述基材部的背面的Mg浓度不同。另外,提供一种III族氮化物结晶的制造方法,其包括:准备包含通式RAMgO4所表示的单晶体(通式中,R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素系元素中的一个或多个三价元素,A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素)的RAMgO4基板的工序;使含有Mg的III族氮化物结晶在所述RAMgO4基板上生长的工序。
发明效果
根据本发明,能够减小III族氮化物基板、与向制造III族氮化物基板时的基底基板或III族氮化物基板上形成的发光层等III族氮化物层的晶格常数的不匹配。也就是说,能够制造高品质的III族氮化物基板以及使用其的高性能的发光二极管等电子器件。
附图说明
图1为本发明的实施方式的III族氮化物基板的一例的示意性截面图。
图2为本发明的实施方式的III族氮化物基板的另一例的示意性截面图。
图3为本发明的实施方式中使用的含RAMgO4基板的一例的示意性截面图。
图4为本发明的实施方式中使用的结晶制作装置的示意性截面图。
图5为本发明的实施方式中使用的结晶制作装置的示意性截面图。
具体实施方式
图1中,示出本发明的III族氮化物基板10的一例的示意性截面图。如图1所示,III族氮化物基板10的特征在于具备具有正面2和背面3的包含III族氮化物的基材部1,该基材部1的正面2与背面3的Mg浓度不同。像这样,由于正面2与背面3的Mg浓度不同,而正面2附近与背面3附近的晶格常数不同。因此,能够将III族氮化物基板10、与设置于III族氮化物基板10的正面2侧或背面3侧的基板、结晶层的晶格常数的不匹配控制得较小。
关于III族氮化物的晶格常数,有报道称若添加杂质,则晶格常数根据其浓度而发生变化。具体来说,若向GaN添加Si、Be则晶格常数变小,若添加Mg、O则晶格常数变大。但是,在III族氮化物基板上制作发光二极管等器件时,需要在III族氮化物结晶上形成包含III族氮化物的发光层等,若使III族氮化物结晶的晶格常数大幅变化,则存在发光层等的结晶品质劣化的问题。因此,如果像本实施方式那样,向基材部11(III族氮化物结晶)添加Mg,则能够适当改善它们的晶格不匹配,能够实现高品质的GaN等III族氮化物结晶的形成。
另外,基材部1的正面2是用于在其上使III族氮化物结晶(例如,发光二极管的发光层等)生长的面,可以使正面2的Mg浓度小于背面3的Mg浓度。像这样,通过降低正面2的Mg浓度,从而基材部1的正面2的晶格常数、与在正面2上生长的III族氮化物结晶的晶格常数变得接近,可以得到高品质的III族氮化物结晶。进一步,本实施方式的基材部1可以将正面2设为+C面(例如,基材部1为GaN时,正面2为Ga极性面),将背面3设为一C面(例如,基材部1为GaN时,背面3为N极性面)。通过将正面2设为+C面,在正面2上生长出更高品质的III族氮化物结晶。
另外,图2中,示出本发明的III族氮化物基板的另一例的示意性截面图。如图2所示,在包含III族氮化物的基材部1的背面3侧,可以设有包含通式RAMgO4所表示的单晶体(通式中,R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素系元素中的一个或多个三价元素,A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素)的RAMgO4基板4。RAMgO4与III族氮化物的晶格常数相近,因此与设置蓝宝石基板等作为种基板时相比,III族氮化物基板10’的翘曲和裂纹减少。另外,通过设置RAMgO4基板4,与单独使用包含III族氮化物的基材部1时相比机械强度增强,在传送时或向正面2上的III族氮化物结晶的生长时,能够抑制基材部1的破裂、裂纹这样的不良情况发生。
进一步,在基材部1与RAMgO4基板4之间,可以含有包含多晶或非晶的缓冲层5。若在基材部1与RAMgO4基板4之间含有包含多晶或非晶的缓冲层5,则能够抑制因基材部1的背面3与RAMgO4基板4的晶格常数的差异引起的在基材部1产生结晶缺陷等结晶品质劣化。另外,在基材部1与缓冲层5之间,可以进一步含有包含单晶的III族氮化物膜6。通过在它们之间含有包含单晶的III族氮化物膜6,能够抑制因作为多晶的缓冲层5引起的基材部1多晶化、或结晶品质劣化。需要说明的是,本发明的III族氮化物基板可以通过以下III族氮化物结晶的制造方法来制造,可以将利用后述的方法得到的III族氮化物结晶作为上述的III族氮化物基板10或10’的基材部1。
以下,对本发明的III族氮化物结晶的制造方法进行说明。图4和图5中,作为用于制造本发明的III族氮化物结晶的制造的装置的一例,示出用于进行熔剂法的反应装置(结晶制作装置)100的一例的示意性截面图。如图5所示,本发明的III族氮化物结晶的制造方法中,在使图3所示的含RAMgO4基板11浸渍于包含III族元素和熔剂的混合液12中的状态下,向反应室103内导入氮气。然后,在混合液12中使III族元素和氮反应,由此使III族氮化物的结晶在含RAMgO4基板11表面生长。该结晶生长时,Mg从含RAMgO4基板11向III族氮化物结晶扩散,因此可以得到所期望的含有Mg的III族氮化物结晶。
在此,在本发明的制造方法中,进行:准备RAMgO4基板,并在其上形成缓冲层的工序;在缓冲层上形成III族氮化物膜的工序(含RAMgO4基板形成工序);和在该含RAMgO4基板的III族氮化物膜上通过熔剂法或HVPE法等气相生长法形成III族氮化物结晶的工序(结晶形成工序)。以下,对于本发明的实施方式的III族氮化物结晶的制造方法,以RAMgO4基板为包含ScAlMgO4的单晶的基板(以下,也称“ScAlMgO4基板”)、且制作GaN结晶作为III族氮化物结晶的实施方式为例进行说明。
(含RAMO4基板形成工序)
作为结晶制作用基板,首先准备ScAlMgO4基板4。接着,在ScAlMgO4基板4上以第1温度形成缓冲层5。进一步,在缓冲层5上以高于第1温度的第2温度形成III族氮化物膜6,由此形成图3所示的含ScAlMgO4基板11。以下,对包含含ScAlMgO4基板11的各层进行说明。
首先,ScAlMgO4基板4为包含ScAlMgO4的单晶的基板,其厚度优选为100~1000μm左右,更优选为300~600μm。若ScAlMgO4基板4的厚度为该范围,则含ScAlMgO4基板11的强度容易充分提高,在GaN结晶的制作时难以发生破裂等。另外,ScAlMgO4基板4的形状没有特别限制,但考虑到工业上的实用性,优选直径50~150mm左右的晶片状。
在此,ScAlMgO4基板4的形成缓冲层5的面(以下,也称“外延生长面”)优选在表面没有高度500nm以上的凹凸。若外延生长面具有高度500nm以上的凹凸,则使GaN在含ScAlMgO4基板11上外延生长时有时产生问题。
另外,在ScAlMgO4基板4的与外延生长面相反侧的面(以下,也称“背面”)上,优选无不均地形成高度500nm以上的均匀高度的凹凸。若在ScAlMgO4基板4的背面侧没有形成高度500nm以上的均匀高度的凹凸,则在为了形成GaN结晶、在其上形成的半导体层或金属层等的图案而进行曝光处理时,光从背面侧的平坦的区域反射,有时对曝光产生不良影响。需要说明的是,“无不均地形成大致均匀的凹凸”是指,按照连续地凹凸的高度为500nm以下的区域的面积成为1mm2以下的方式,形成有大致均匀的凹凸。若局部地形成凹凸,则曝光处理时光从没有凹凸的部位反射,有时对曝光产生不良影响。需要说明的是,上述凹凸高度是利用激光反射式测长机测定的值。
这样的ScAlMgO4基板可以按照以下方式制作。首先,作为起始原料,将纯度为4N(99.99%)以上的Sc2O3、Al2O3和MgO按照规定的摩尔比配合。然后,向铱制的坩埚中投入该起始原料。接着,将投入了原料的坩埚投入高频感应加热型或电阻加热型切克劳斯基(Czochralski)炉(培育炉)中,使该炉内成为真空。其后,导入氮或Ar,在炉内成为大气压的时刻开始坩埚的加热。然后,用10小时左右缓缓加热直到到达ScAlMgO4的熔点为止使材料熔融。接着,将沿(0001)方位切出的ScAlMgO4单晶用作晶种,使该晶种降下至接近坩埚内的熔液。然后,使晶种一边以一定的旋转速度旋转一边缓缓降下,使晶种的前端接触熔液并缓缓降低温度,同时以提拉速度0.5mm/h的速度使晶种上升沿(0001)轴方向提拉,进行结晶生长。由此,可以得到ScAlMgO4的单晶铸锭。
在此,对ScAlMgO4单晶进行说明。ScAlMgO4单晶呈岩盐型结构(111)面的ScO2层、与六方晶(0001)面的AlMgO2层交替地层叠的结构。六方晶(0001)面的2层与纤锌矿型结构相比是平面的,与面内的键相比,上下层间的键达到0.03nm之长,键合力弱。因此,ScAlMgO4单晶可以以(0001)面劈开。利用该特性,通过劈开将块体材料分割,由此可以得到所期望的厚度的ScAlMgO4基板。另外,ScAlMgO4的(0001)面(a轴)的晶格常数约为0.325nm,与GaN的a轴晶格常数的0.319nm非常接近,它们的晶格不匹配率约为1.9%。
需要说明的是,ScAlMgO4单晶虽然容易劈开,但是若劈开时的劈开方向的剥离力有偏差,则不发生在同一原子层的劈开。因此,难以得到平坦的外延生长面。因此,在制作ScAlMgO4基板时,优选根据需要对外延生长面侧的劈开面进行研磨,按照没有高度500nm以上的凹凸的方式进行加工。作为加工方法的一例,可以为:在ScAlMgO4基板的作为外延生长面的区域形成高度500nm以上的凹凸后,对该高度500nm以上的凹凸进行研磨,除去高度500nm以上的凹凸的方法。
更具体来说,使用附着有#300以上且#2000以下的金刚石磨粒的磨石,在下面的加工条件下对ScAlMgO4板状体的作为外延生长面的面进行磨削。由此可以形成500nm以上的凹凸。磨石转速设为500min-1以上且50000min-1以下,ScAlMgO4板状体转速设为10min-1以上且300min-1以下,加工速度设为0.01μm/秒以上且1μm/秒以下,加工除去量设为1μm以上且300μm以下。接着,使用以胶态二氧化硅为主成分的浆料和包含无纺布的研磨垫,在以下的加工条件下进行研磨。由此,能够除去高度500nm以上的凹凸。研磨垫的转速设为10min-1以上且1000min-1以下,浆料供给量设为0.02ml/分钟以上且2ml/分钟以下,加压力设为1000Pa以上且20000Pa以下。进一步,将加压力按照10000Pa以上且20000Pa以下、5000Pa以上且小于10000Pa、1000Pa以上且5000Pa以下的顺序随着加工进行而减弱,由此能够更正确地形成没有高度500nm以上的凹凸、特别是高度50nm以上的凹凸的外延生长面。需要说明的是,上述加工条件中,浆料供给量取决于ScAlMgO4板状体的尺寸。上述记载的浆料供给量为进行10mm见方尺寸的研磨时的值,例如在直径50mm的情况下,浆料供给量设为1ml/分钟以上且100ml/分钟以下。
另一方面,作为在背面侧无不均地形成高度500nm以上的大致均匀高度的凹凸的方法,可以举出使用金刚石固定磨粒进行磨削加工的方法。作为固定磨粒的磨粒,优选为#300以上且#2000以下的金刚石磨粒,更优选为#600的金刚石磨粒。更具体来说,使用固定有#300以上且#2000以下的金刚石磨粒的磨石,在磨石转速500min-1以上且50000min-1以下、ScAlMgO4板状体转速10min-1以上且300min-1以下、加工速度0.01μm/秒以上且1μm/秒以下、加工除去量1μm以上且300μm以下的条件下进行加工,由此能够形成上述凹凸。另外,此时,若使用#600的金刚石磨粒,则能够进一步减小多个凹凸的高度之差。此时的加工条件优选设为:磨石转速1800min-1、ScAlMgO4板状体转速100min-1、加工速度0.3μm/秒、加工除去量20μm。
另外,缓冲层5是为了在ScAlMgO4基板4上形成高品质的III族氮化物膜6,而用于缓冲ScAlMgO4与III族氮化物的晶格常数差的层。缓冲层5优选与ScAlMgO4和该III族氮化物的晶格常数相近的材料,可以为包含GaN等III族氮化物的层。另外,缓冲层优选为在400℃以上且700℃以下的较低温下生长的非晶或多晶状的层。若使用这样的缓冲层,则在缓冲层上形成的III族氮化物膜6中难以产生晶格缺陷等。
缓冲层5的厚度优选为10nm以上且50nm以下,更优选为20nm以上且40nm以下。若缓冲层的厚度为10nm以上,则可以发挥晶格常数差的缓冲效果,得到的GaN的结晶中难以产生晶格缺陷等。另一方面,若缓冲层的厚度过厚,则失去晶格的信息而不能进行良好的外延生长。
缓冲层5可以利用气相生长法形成,例如可以为利用MOCVD法形成的层。
另外,III族氮化物膜6是在制作GaN的结晶时成为GaN结晶生长的晶种的层。若含ScAlMgO4基板11具有III族氮化物膜6,则能够使GaN的结晶均匀地生长,容易得到高品质的GaN。III族氮化物膜6可以为包含GaN的层。
III族氮化物膜6的厚度优选为0.5~20μm,更优选为1μm以上且5μm以下。若III族氮化物膜6的厚度为0.5μm以上,则在非晶或多晶状的缓冲层5上形成的III族氮化物膜6成为良好的单晶,得到的GaN的结晶中难以产生晶格缺陷等。III族氮化物膜6可以利用气相生长法形成,例如可以利用MOCVD法形成。III族氮化物膜6形成时的温度优选设为高于缓冲层5形成时的温度的1000℃以上且1300℃以下,更优选设为1100℃以上且1200℃以下。若在这样的温度下形成,则能够形成结晶品质良好的III族氮化物膜6。
需要说明的是,在制作GaN结晶之前,可以对上述含ScAlMgO4基板11的使GaN结晶生长的面、即本实施方式中的III族氮化物膜6表面进行清洁处理。通过清洁处理,从而除去表面的杂质等,由此可以得到更高品质的GaN结晶。清洁用的气体的例子中,包含氢(H2)气、氮(N2)气、氨(NH3)气、稀有气体(He、Ne、Ar、Kr、Xe、或Rn)、或它们的混合气体。另外,清洁处理可以在900℃以上且1100℃以下的温度下为1分钟以上,优选为2分钟以上且10分钟以下,通过与前述气体接触来进行。
(GaN结晶形成工序)
接下来,在前述的含RAMgO4基板的III族氮化物膜6上,通过熔剂法形成GaN结晶。GaN的结晶例如可以使用图4和图5所示的装置按照以下方式形成。
如图4所示,反应装置100具有由不锈钢、绝热材等形成的反应室103,在反应室103内,设置有坩埚102。该坩埚可以是由氮化硼(BN)、氧化铝(Al2O3)等形成的坩埚。另外,在反应室103的周围配置有加热器110,加热器110按照能够调整反应室103内部、特别是坩埚102内部的温度的方式设计。
另外,在反应装置100内,还设置有用于可升降地保持含ScAlMgO4基板11的基板保持机构114。另外,反应室103上,连接有用于供给氮气的氮气供给线路113,氮气供给线路113与原料气罐(未图示)等连接。
在制作GaN结晶时,首先,向反应装置100的反应室103内的坩埚102中加入成为熔剂的Na和作为III族元素的Ga。此时,可以根据需要添加微量添加物。需要说明的是,若在空气中进行这些作业,则Na有氧化的可能性。因此,该作业优选在填充了Ar、氮气等不活泼气体的状态下进行。接着,将反应室103内密闭,将坩埚的温度调整到高于上述缓冲层形成时的温度的温度,具体来说调整到800℃以上且1000℃以下,更优选调整到850℃以上且950℃以下,进一步向反应室103内送入氮气。此时,将反应室103内的气压设为1×106Pa以上且1×107pa以下,更优选设为3×106Pa以上且5×106Pa以下。通过提高反应室103内的气压,从而氮容易充分溶解到在高温下熔融的Na中,通过设为上述的温度和压力从而GaN结晶能够高速地生长。其后,进行保持或搅拌混合等,直到Na、Ga、和微量添加物均匀混合为止。保持或搅拌混合优选进行1~50小时行,更优选进行10~25小时。若进行这样的时间的保持或搅拌混合,则Na、Ga、和微量添加物能够均匀地混合。另外,此时,含ScAlMgO4基板11若与低于规定温度的、或未均匀混合的Na、Ga的混合液12接触,则发生III族氮化物膜6的蚀刻、品质差的GaN结晶的析出等,因此优选凭借基板保持机构114将含ScAlMgO4基板11保持在反应室103的上部。
其后,如图5所示,使含ScAlMgO4基板11浸渍于混合液12。另外,可以进行混合液12的搅拌等。混合液12的搅拌可以通过摇动、旋转等使坩埚102物理地运动,也可以使用搅拌棒、搅拌桨等来搅拌混合液12。另外,还可以使混合液12中产生热梯度,通过热对流来搅拌混合液12。通过搅拌,能够将混合液12中的Ga和N的浓度保持在均匀的状态,稳定地使结晶生长。然后,GaN的结晶在含ScAlMgO4基板11的III族氮化物膜6上外延生长。通过在该状态下进行一定时间结晶生长,可以得到具有100μm~5mm左右的厚度的GaN结晶。
在此,GaN结晶生长时的温度为800℃以上的高温,因此作为构成ScAlMgO4基板4的元素的镁(Mg)通过缓冲层5、III族氮化物膜6,向生长的GaN结晶中扩散。例如,在880℃的生长温度下形成具有1mm的厚度的GaN结晶的情况下,测定GaN结晶中的Mg的浓度的结果如表1所示。
【表1】
如表1记载,若使用本实施方式的制造方法,则可以得到正面侧和背面侧(ScAlMgO4基板侧)的Mg浓度不同的GaN结晶。需要说明的是,如前所述,若添加Mg则GaN结晶的晶格常数变大。如表1记载,在与含ScAlMgO4基板的分界处附近(背面侧)Mg浓度变高,认为GaN结晶的晶格常数变大。由此,与ScAlMgO4的晶格不匹配率变小,可以得到高品质的GaN结晶。另一方面,在GaN结晶的正面附近Mg浓度变低,认为Mg添加导致的GaN结晶的晶格常数的增大被抑制,接近GaN结晶本来的晶格常数。由此,在GaN结晶上,形成制作发光二极管等电子器件时所需的GaN等III族氮化物层时,GaN结晶与III族氮化物层的晶格不匹配变小,可以得到高品质的单晶层(III族氮化物层)。
在此,利用本实施方式的制造方法得到的III族氮化物结晶(上述的基材部)中的Mg浓度沿着III族氮化物结晶的厚度方向缓缓变化为宜。这是由于,一面修正与包含作为不同种类材料的ScAlMgO4等的种基板(含RAMO4基板)的晶格不匹配,一面能够维持与在该III族氮化物结晶上形成的、包含相同材料(例如GaN等)的III族氮化物层或器件的晶格匹配。另外,此时,按照III族氮化物结晶的正面侧(与含RAMO4基板相反的一侧)的Mg浓度低于背面侧(含RAMO4基板侧)的Mg浓度的方式,III族氮化物结晶(基材部)中的Mg浓度缓缓变化为宜。像这样,若Mg浓度变化,则III族氮化物结晶(基材部)中的晶格常数按照随着向III族氮化物结晶表面侧推移,而接近III族氮化物层的晶格常数的方式变化。因此,如上所述容易维持与III族氮化物层的晶格匹配,能够实现更高品质的III族氮化物基板。并且,如表1记载,若使用本实施方式的制造方法,则如上所述,可以得到按照正面2的Mg浓度低于背面3的Mg浓度的方式,Mg浓度缓缓变化的基材部1(GaN结晶)。
需要说明的是,III族氮化物结晶(基材部1)中的Mg浓度具体来说在与含RAMO4基板相反侧的面(正面2)上,优选为5×1017[原子/cm3]以下,更优选为1×1017~2×1017[原子/cm3]。另外,在含RAMO4基板侧的面(背面3)上,优选为超过5×1017[原子/cm3],更优选为8×1017~1×1018[原子/cm3]。另外,III族氮化物结晶(基材部1)的厚度方向的中央的Mg浓度优选为4×1017~5×1017[原子/cm3]。在此,III族氮化物结晶的Mg浓度为通过二次离子质量法(SIMS)测定的值。在此,III族氮化物结晶的厚度方向上的Mg浓度是通过如下方式得到的:沿着与III族氮化物结晶的正面2和背面3正交的方向切断而形成厚度方向的截面,利用二次离子质量法测定该截面的厚度方向的中央部。另外,III族氮化物结晶的正面和背面的Mg浓度可以通过调整缓冲层5或III族氮化物膜6的膜厚、III族氮化物结晶的生长时的温度、时间,而调整到上述范围内。具体来说,通过减薄缓冲层5或III族氮化物膜6的膜厚能够增加Mg浓度,随之能够扩大正反面的浓度差。另一方面,通过加厚缓冲层5或III族氮化物膜6的膜厚能够减少Mg浓度,随之能够缩小正反面的浓度差。另外,通过提高III族氮化物结晶的生长时的温度或增长生长时间,能够增加Mg浓度,通过降低III族氮化物结晶的生长时的温度或缩短生长时间,能够减少Mg浓度。
需要说明的是,在上述的实施方式中的GaN结晶形成时,若与Na、Ga一起添加微量添加物,则能够调整所得到的GaN结晶的导电性、带隙。另外,通过添加物,能够促进GaN结晶的生长,或抑制结晶向坩埚等析出。在微量添加物的例子中,包括硼(B)、铊(T1)、钙(Ca)、含钙(Ca)的化合物、硅(Si)、硫(S)、硒(Se)、碲(Te)、碳(C)、氧(O)、铝(Al)、铟(In)、氧化铝(Al2O3)、氮化铟(InN)、氮化硅(Si3N4)、氧化硅(SiO2)、氧化铟(In2O3)、锌(Zn)、镁(Mg)、氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)、和锗(Ge)等。这些微量添加物可以仅添加1种,也可以添加2种以上。
另外,对于使用Na作为熔剂的方式进行了说明,但本发明不限于此,可以使用Na以外的碱金属。具体来说,包含选自Na、Li、K、Rb、Cs和Fr中的至少1种,例如,可以为Na与Li的混合熔剂等。
(其它实施方式)
需要说明的是,上文中,对于在III族氮化物结晶(GaN结晶)的生长中利用Na熔剂法的方式进行了说明,但本发明不限于此,也可以利用HVPE法、OVPE法等气相生长法。利用气相生长法的情况下,可以将NH3等包含氮元素的气体和GaCl、Ga2O等包含III族化合物的气体用作原料气,以高于缓冲层5的形成时的温度的1000℃以上且1400℃以下使III族氮化物结晶生长。利用气相生长法的情况下,也与熔剂法的情况同样在高温下进行结晶生长,因此通过Mg从含RAMgO4基板的扩散,从而向GaN结晶中添加Mg。另外,此时,在得到的GaN结晶中,在靠近含RAMgO4基板的一侧、即背面侧,Mg浓度变高,在远离含RAMgO4基板的一侧、即正面侧,Mg浓度与背面侧相比变低。
另外,上文中,对于在含RAMgO4基板中包含ScAlMgO4基板的方式进行了说明,但本发明不限于此。包含含RAMgO4基板的基板为由通式RAMgO4所表示的大致单一结晶材料构成的基板即可。在此,通式中,R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素系元素(原子序号67-71)中的一个或多个三价元素,A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素。需要说明的是,大致单一结晶材料是指,RAMgO4所表示的结构包含90at%以上,且关注于任意的结晶轴时,在外延生长面的任何部分其方向都相同那样的结晶质固体。但是,结晶轴的方向局部地改变的结晶、包含局部的晶格缺陷的结晶也当做单晶。需要说明的是,Mg为镁,O为氧。另外,如上所述,特别优选R为Sc、A为Al。
进而在上文中,对于制作GaN的结晶作为III族氮化物的方式进行了说明,但本发明不限于此。本发明的III族氮化物可以为包含III族元素(Al、Ga、或In)和氮的2元、3元、或4元的化合物,例如可以为通式Al1-x-yGayInxN(式中,x和y满足0≤x≤1,0≤y≤1,0≤1-x-y≤1)所表示的化合物。另外,III族氮化物可以包含p型或n型的杂质。需要说明的是,对于缓冲层5、III族氮化物膜6,记载了GaN作为材料,但也可以为上述所示的化合物。
例如,可以为将III族元素(Al、Ga、或In)中的至少一部分用硼(B)、铊(Tl)等置换后的物质,将氮(N)的至少一部分用磷(P)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)等置换后的物质。另外,作为III族氮化物中添加的p型杂质(受体),例如,可以添加镁(Mg)、或钙(Ca)等公知的p型杂质。另一方面,作为n型杂质(供体),例如,可以为硅(Si)、硫(S)、硒(Se)、碲(Te)、氧(O)、或锗(Ge)等公知的n型杂质。另外,这些杂质(受体或供体)可以同时添加2种元素以上。这样的III族氮化物的结晶可以利用与上述同样的方法制作。需要说明的是,上述的各种形态可以适当组合,通过组合,能够起到各个效果。
产业上的可利用性
通过利用本发明涉及的制造方法,能够得到高品质的III族氮化物结晶,例如能够得到发光不均、亮度降低少的LED元件等。
符号说明
1 基材部(III族氮化物)
2 正面
3 背面
4 RAMgO4基板(ScAlMgO4基板)
5 缓冲层
6 III族氮化物膜
10 III族氮化物基板
11 含RAMgO4基板(含ScAlMgO4基板)
12 混合液
102 坩埚
103 反应室
110 加热器
113 氮气供给线路
114 基板保持机构

Claims (14)

1.一种III族氮化物基板,其具备具有正面和背面的III族氮化物的基材部,所述基材部的所述正面与所述背面的Mg浓度不同。
2.如权利要求1所述的III族氮化物基板,其中,
所述基材部的正面是用于在其上使III族氮化物结晶生长的面,
所述基材部的正面的Mg浓度低于所述背面的Mg浓度。
3.如权利要求2的III族氮化物基板,其中,
所述基材部的正面为+C面,所述基材部的背面为-C面。
4.如权利要求1所述的III族氮化物基板,其中,
所述基材部的正面的Mg浓度为5×1017原子/cm3以下,
所述基材部的背面的Mg浓度超过5×1017原子/cm3
5.如权利要求4的III族氮化物基板,其中,
所述基材部的正面的Mg浓度为1×1017~2×1017原子/cm3
所述基材部的背面的Mg浓度为8×1017~1×1018原子/cm3
6.如权利要求1所述的III族氮化物基板,其中,
所述基材部的厚度方向的中央的Mg浓度为4×1017~5×1017原子/cm3
7.如权利要求1所述的III族氮化物基板,其中,
所述基材部中的Mg浓度沿厚度方向缓缓变化。
8.如权利要求1所述的III族氮化物基板,其中,
在所述基材部的所述背面侧,设有包含通式RAMgO4所表示的单晶体的RAMgO4基板,通式中,R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素系元素中的一个或多个三价元素,A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素。
9.如权利要求8的III族氮化物基板,其中,
在所述基材部与所述RAMgO4基板之间,包含多晶或非晶状的缓冲层。
10.如权利要求9的III族氮化物基板,其中,
在所述基材部与所述缓冲层之间,含有包含单晶的III族氮化物膜。
11.一种III族氮化物结晶的制造方法,其包括:
准备包含通式RAMgO4所表示的单晶体的RAMgO4基板的工序,通式中,R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素系元素中的一个或多个三价元素,A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素;
使含有Mg的III族氮化物结晶在所述RAMgO4基板上生长的工序。
12.如权利要求11的III族氮化物结晶的制造方法,其还包括在所述RAMgO4基板上以第1温度形成缓冲层的工序,
使所述III族氮化物结晶生长的工序是在所述缓冲层上以高于所述第1温度的第2温度使III族氮化物生长的工序。
13.如权利要求11的III族氮化物结晶的制造方法,其中,
使所述III族氮化物结晶生长的工序是使用包含氮元素的熔融碱金属使III族氮化物结晶生长的工序。
14.如权利要求11的III族氮化物结晶的制造方法,其中,
使所述III族氮化物结晶生长的工序是使用包含氮元素的气体和包含III族化合物的气体进行生长的工序。
CN201710056925.1A 2016-03-25 2017-01-25 Iii族氮化物基板以及iii族氮化物结晶的制造方法 Active CN107230737B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016061042 2016-03-25
JP2016-061042 2016-03-25
JP2016210870A JP6268505B2 (ja) 2016-03-25 2016-10-27 Iii族窒化物基板およびiii族窒化物結晶の製造方法
JP2016-210870 2016-10-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107230737A true CN107230737A (zh) 2017-10-03
CN107230737B CN107230737B (zh) 2019-03-08

Family

ID=59897835

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710056925.1A Active CN107230737B (zh) 2016-03-25 2017-01-25 Iii族氮化物基板以及iii族氮化物结晶的制造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US11248310B2 (zh)
CN (1) CN107230737B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110707194A (zh) * 2018-07-09 2020-01-17 松下电器产业株式会社 Iii族氮化物半导体发光二极管及其制造方法
CN110777433A (zh) * 2018-07-30 2020-02-11 赛奥科思有限公司 氮化物晶体
CN112038222A (zh) * 2019-05-17 2020-12-04 松下知识产权经营株式会社 Iii族氮化物半导体的制造方法
CN113035689A (zh) * 2021-02-26 2021-06-25 无锡吴越半导体有限公司 一种氮化镓单结晶基板的制造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018043891A (ja) * 2016-09-12 2018-03-22 デクセリアルズ株式会社 窒化ガリウム積層体の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101070472A (zh) * 2007-06-15 2007-11-14 中国科学院上海光学精密机械研究所 稀土离子或过渡金属离子掺杂的铝镁酸钪荧光衬底
JP2010235318A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Ngk Insulators Ltd エピタキシャル基板、半導体素子構造、およびエピタキシャル基板の作製方法
US20110018003A1 (en) * 2005-01-11 2011-01-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Group iii nitride semiconductor substrate and manufacturing method thereof
JP2015178448A (ja) * 2014-02-28 2015-10-08 国立大学法人東北大学 単結晶基板の製造方法およびレーザ素子の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7751455B2 (en) * 2004-12-14 2010-07-06 Palo Alto Research Center Incorporated Blue and green laser diodes with gallium nitride or indium gallium nitride cladding laser structure
CN103180973A (zh) * 2010-11-02 2013-06-26 皇家飞利浦电子股份有限公司 Iii族氮化物发光器件
WO2012169019A1 (ja) * 2011-06-08 2012-12-13 住友電気工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE112014005131T5 (de) * 2013-11-07 2016-07-28 Ngk Insulators, Ltd. GaN-Vorlagensubstrat und Einrichtungssubstrat
JP6242678B2 (ja) * 2013-12-25 2017-12-06 住友化学株式会社 窒化物半導体素子及びその製造方法
JP6241831B2 (ja) * 2016-03-14 2017-12-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 Iii族窒化物結晶の製造方法、およびramo4含有基板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110018003A1 (en) * 2005-01-11 2011-01-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Group iii nitride semiconductor substrate and manufacturing method thereof
CN101070472A (zh) * 2007-06-15 2007-11-14 中国科学院上海光学精密机械研究所 稀土离子或过渡金属离子掺杂的铝镁酸钪荧光衬底
JP2010235318A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Ngk Insulators Ltd エピタキシャル基板、半導体素子構造、およびエピタキシャル基板の作製方法
JP2015178448A (ja) * 2014-02-28 2015-10-08 国立大学法人東北大学 単結晶基板の製造方法およびレーザ素子の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110707194A (zh) * 2018-07-09 2020-01-17 松下电器产业株式会社 Iii族氮化物半导体发光二极管及其制造方法
CN110707194B (zh) * 2018-07-09 2024-06-04 松下控股株式会社 Iii族氮化物半导体发光二极管及其制造方法
CN110777433A (zh) * 2018-07-30 2020-02-11 赛奥科思有限公司 氮化物晶体
CN110777433B (zh) * 2018-07-30 2023-09-29 住友化学株式会社 氮化物晶体
CN112038222A (zh) * 2019-05-17 2020-12-04 松下知识产权经营株式会社 Iii族氮化物半导体的制造方法
CN113035689A (zh) * 2021-02-26 2021-06-25 无锡吴越半导体有限公司 一种氮化镓单结晶基板的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20170275780A1 (en) 2017-09-28
US20220119984A1 (en) 2022-04-21
CN107230737B (zh) 2019-03-08
US11248310B2 (en) 2022-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4647525B2 (ja) Iii族窒化物結晶の製造方法
CN107230737B (zh) Iii族氮化物基板以及iii族氮化物结晶的制造方法
JP5665094B2 (ja) n型III族窒化物系化合物半導体
US20090155580A1 (en) Production Methods of Semiconductor Crystal and Semiconductor Substrate
CN111575796B (zh) Iii族氮化物结晶的制造方法
CN101558187A (zh) 制造ⅲ族氮化物基化合物半导体晶体的方法
CN107190324A (zh) Iii族氮化物结晶的制造方法、以及含ramo4基板
US7459023B2 (en) Method for producing semiconductor crystal
JP5123423B2 (ja) Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法
CN100532658C (zh) 半导体晶体的生产方法
CN110219047B (zh) Iii族氮化物结晶的制造方法
CN107002283A (zh) 13族元素氮化物结晶基板及功能元件
JP7264343B2 (ja) Iii族窒化物結晶の製造方法および種基板
CN100415946C (zh) 外延衬底及其制造方法
JP6841191B2 (ja) Iii族窒化物半導体の製造方法
JP6848242B2 (ja) Iii族窒化物半導体の製造方法
JP5640427B2 (ja) Iii族窒化物半導体結晶の製造方法
WO2024009683A1 (ja) Iii族窒化物結晶の製造方法
JP6268505B2 (ja) Iii族窒化物基板およびiii族窒化物結晶の製造方法
JP4923253B2 (ja) Siバルク多結晶の作製方法
JP2018016497A (ja) Iii族窒化物半導体の製造方法
JP6720888B2 (ja) Iii族窒化物半導体の製造方法
JP2017178765A (ja) Iii族窒化物基板およびiii族窒化物結晶の製造方法
JP2007506641A (ja) スピネル物品およびその製造方法
JP2006096602A (ja) エピタキシャル成長用基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant