JP4724749B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置に関し、特に、アクティブマトリクス基板の一辺に駆動回路（ドライバ）が搭載された表示装置に関する。

従来、基板上に走査線および信号線をマトリクス状に形成し、これらの信号線の交点にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の駆動素子を形成したアクティブマトリクス基板が、液晶表示装置等に広く用いられている。当初、アクティブマトリクス基板においては、図１７に示すように、互いに平行に配置された走査線Ｇの一端に、走査線駆動回路９１が設けられ、前記走査線Ｇに直交しかつ互いに平行に配置された信号線Ｓの一端に、信号線駆動回路９２が設けられることが一般的であった。つまり、図１７に示す従来のアクティブマトリクス基板９０では、画素領域９３の周辺領域９４において、隣り合う二辺に、走査線駆動回路９１と信号線駆動回路９２とがそれぞれ設けられていた。

一方、近年の半導体製造技術の進歩に伴い、駆動回路の高集積化が進んでいる。また、表示装置においては、表示領域の大きさを確保しつつ、表示装置の筐体外形をできる限り小さくすることが望まれ、いわゆる挟額縁化が、一つの重要な解決課題とされている。このような背景から、アクティブマトリクス基板の周辺領域の一辺のみに走査線駆動回路と信号線駆動回路の両方を搭載する試みもなされている（例えば特開２００３−２４１２１７号公報参照）。

具体的には、図１８に示すように、アクティブマトリクス基板９５の一辺のみに、走査線駆動回路と信号線駆動回路を一体化した駆動回路９８が搭載された構成が、特開２００３−２４１２１７号公報（同文献の図４参照）に開示されている。

なお、同文献の図３等には、アクティブマトリクス基板９５の一辺に走査線駆動回路が配置され、この走査線駆動回路の両側に信号線駆動回路が配置された構成も開示されている。図１８に示した従来のアクティブマトリクス基板は、互いに平行に配列された複数の信号線Ｓのそれぞれを、画素領域９６の両側に交互に引き出して駆動回路９８に接続することにより、信号線Ｓの延設方向の両側における額縁領域９７の幅を均等にしている。

図１８に示したような従来の構成は、特に、携帯電話、デジタルカメラ、またはＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｉｓｔａｎｔ）等の小型電子機器用の表示装置に好適に採用されている。

しかしながら、近年の表示装置の高解像度化に伴い、額縁領域に配線される信号線の本数は増加の一途をたどっている。特に、信号線本数が多い高精細パネルにおいては、信号線の幅や信号線の間隔を小さくする必要があり、配線リークや断線による歩留まり低下を余儀なくされる。このため、高精細パネルでは、歩留まり向上を図ろうとすると、アクティブマトリクス基板の配線レイアウトの制限により額縁幅が縮小できない、という問題を有している。

また、アクティブマトリクス基板に対向する対向基板には、表面全体に共通電極（コモン電極）が形成されている。この共通電極には、アクティブマトリクス基板またはアクティブマトリクス基板に接続されたＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等に設けられた駆動回路（図１８には図示せず）から、コモン配線１０１を介して、所定の電圧（共通電圧Ｖ_com）が印加される。この場合、コモン配線１０１と対向基板の共通電極とを電気的に接続するためのコンタクト（「コモン転移」と称される）１０２が、アクティブマトリクス基板９５上に設けられる。コモン転移１０２は、カーボンペーストや金等の導電性材料で形成され、５００μｍ²〜１ｍｍ²程度の断面積を有する。図１８に示すように画素領域９６の周辺領域の一辺に駆動回路９８が配置されている場合、駆動回路９８の周辺は、駆動回路９８からの引き出し配線が密集しているので、コモン転移を配置することができない。従って、図１８に示すように、アクティブマトリクス基板９５の額縁領域９７において引き出し配線が設けられていない領域に、コモン転移１０２が配置される。そして、駆動回路側からコモン転移１０２に至るまで、画素領域９６の周辺に沿ってコモン配線１０１を引き廻す必要がある。

なお、共通電極の信号遅延によるムラやクロストーク等の表示不良が発生しないように、コモン配線１０１は低抵抗でなければならない。このため、コモン配線１０１には、十分な配線幅が必要である。従って、図１８に示したような従来のアクティブマトリクス基板では、画素領域９６の周辺において、信号線Ｓを引き廻す領域のみならず、十分な幅のコモン配線１０１を引き廻す領域を確保しなければならないので、額縁領域の面積を小さくすることができない、という課題があった。

本発明は、上記の問題を鑑み、アクティブマトリクス基板の一辺に駆動回路を配置し、かつアクティブマトリクス基板のコモン転移を介して対向基板側へ共通電圧Ｖ_comを供給する表示装置において、歩留まりを低下させることなく、額縁領域の面積を縮小することを目的としている。

上記の目的を達成するために、本発明にかかる第１の表示装置は、アクティブマトリクス基板と対向基板とを備えた表示装置において、前記アクティブマトリクス基板が、マトリクス状に配置された走査線および信号線と、前記信号線によって供給されるデータ信号に応じた表示を行う有効画素を含む実画素領域と、前記実画素領域よりもパネル端側に位置するダミー画素領域とを含む画素領域を有し、前記表示装置が、前記アクティブマトリクス基板の一辺において前記画素領域外に配置され、前記走査線および信号線へ、走査信号およびデータ信号をそれぞれ供給するバスライン駆動回路と、前記対向基板の共通電極へ供給するコモン信号を生成するコモン駆動回路とを備え、前記アクティブマトリクス基板が、前記画素領域に配置された補助容量と、前記画素領域に配置され、前記補助容量に電気的に接続された補助容量配線と、前記アクティブマトリクス基板において前記バスライン駆動回路が配置された一辺に対向する辺に設けられ、前記コモン信号を前記対向基板の共通電極へ供給するためのコモン転移と、前記コモン信号を前記コモン転移へ供給するためのコモン配線とを備え、前記コモン配線の少なくとも一部が、前記画素領域における前記ダミー画素領域に配置されており、前記ダミー画素領域に配置された前記コモン配線の部分の幅は、前記補助容量配線の幅よりも大きいことを特徴とする。

上記の構成によれば、コモン配線の少なくとも一部を画素領域におけるダミー画素領域に配置したことにより、コモン配線の全体を画素領域外に配置した従来の構成に比較して、画素領域外に配置されるコモン配線の幅を細くでき、あるいは画素領域外のコモン配線を無くすことができる。これにより、額縁領域の幅を従来の構成よりも小さくすることができるので、歩留まりを低下させることなく、額縁領域の面積が縮小された表示装置を提供できる。

前記第１の表示装置において、前記ダミー画素領域に配置されているコモン配線が、前記画素領域内の補助容量配線に電気的に接続されていることが好ましい。

前記第１の表示装置において、前記ダミー画素領域に配置されているコモン配線が、前記画素領域内の補助容量配線に対して電気的に独立していることが好ましい。

前記第１の表示装置において、前記ダミー画素領域に、前記画素領域内の補助容量配線に並列なダミー補助容量配線がさらに配置されたことが好ましい。

前記第１の表示装置において、前記ダミー補助容量配線において、前記信号線との交叉部分の幅が、当該ダミー補助容量配の主たる配線幅よりも小さいことが好ましい。

前記第１の表示装置において、前記信号線の信号入力側と逆側の末端部が、前記ダミー補助容量配線に交叉しないよう配置されたことが好ましい。

前記第１の表示装置において、前記実画素領域の画素電極が、当該画素電極を駆動する走査線に隣接する走査線との間で補助容量を形成することが好ましい。

前記第１の表示装置において、前記ダミー画素領域のコモン配線において、前記信号線との交叉部分の幅が、当該コモン配線の主たる配線幅よりも小さいことが好ましい。

前記第１の表示装置において、前記信号線の信号入力側と逆側の末端部が、前記ダミー画素領域のコモン配線に交叉しないよう配置されたことが好ましい。

前記第１の表示装置において、前記ダミー画素領域を視覚的に遮蔽する遮蔽部材をさらに備えたことが好ましい。

前記第１の表示装置において、前記アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶を備えたことが好ましい。

上記の目的を達成するために、本発明にかかる第２の表示装置は、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に表示媒体を備えた表示装置において、前記アクティブマトリクス基板が、マトリクス状に配置された走査線および信号線と、前記信号線によって供給されるデータ信号に応じた表示を行う有効画素を含む実画素領域と、前記実画素領域よりもパネル端側に位置し前記表示媒体中の不純物を電気的に捕獲するためのトラップ配線が形成された不純物捕獲領域とを含む画素領域を有し、前記表示装置が、前記アクティブマトリクス基板の一辺において前記画素領域外に配置され、前記走査線および信号線へ、走査信号およびデータ信号をそれぞれ供給するバスライン駆動回路と、前記対向基板の共通電極へ供給するコモン信号を生成するコモン駆動回路とを備え、前記アクティブマトリクス基板が、前記画素領域に配置された補助容量と、前記画素領域に配置され、前記補助容量に電気的に接続された補助容量配線と、前記アクティブマトリクス基板において前記バスライン駆動回路が配置された一辺に対向する辺に設けられ、前記コモン信号を前記対向基板の共通電極へ供給するためのコモン転移と、前記コモン信号を前記コモン転移へ供給するためのコモン配線とを備え、前記コモン配線の少なくとも一部が、前記画素領域における前記不純物捕獲領域に配置されており、前記不純物捕獲領域に配置された前記コモン配線の部分の幅は、前記補助容量配線の幅よりも大きいことを特徴とする。

上記の構成によれば、コモン配線の少なくとも一部を画素領域における不純物捕獲領域に配置したことにより、コモン配線の全体を画素領域外に配置した従来の構成に比較して、画素領域外に配置されるコモン配線の幅を細くでき、あるいは画素領域外のコモン配線を無くすことができる。これにより、額縁領域の幅を従来の構成よりも小さくすることができるので、歩留まりを低下させることなく、額縁領域の面積が縮小された表示装置を提供できる。

前記第２の表示装置において、前記不純物捕獲領域のコモン配線において、前記信号線との交叉部分の幅が、当該コモン配線の主たる配線幅よりも小さいことが好ましい。

前記第２の表示装置において、前記信号線の信号入力側と逆側の末端部が、前記不純物捕獲領域のコモン配線に交叉しないよう配置されたことが好ましい。

前記第１または第２の表示装置において、前記表示媒体が液晶であることが好ましい。

以上のとおり、本発明によれば、アクティブマトリクス基板の一辺に駆動回路を配置し、かつアクティブマトリクス基板のコモン転移を介して対向基板側へ共通電圧Ｖ_comを供給する表示装置において、歩留まりを低下させることなく、額縁領域の面積を縮小することができる。

図１は、本発明の一実施形態にかかるアクティブマトリクス基板１０の概略構成を示す平面図である。 図２は、図１におけるＡ部付近を拡大して示す平面図である。 図３は、ダミー絵素領域およびその近傍の実絵素領域の等価回路図である。 図４は、本実施形態にかかる液晶表示装置の断面構造を示す図であり、（ａ）は平面図における断面の位置を示す図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’断面における液晶表示装置の構成を示す断面図、（ｃ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ’断面における液晶表示装置の構成を示す断面図である。 図５は、本実施形態にかかるアクティブマトリクス基板１０の効果を説明する図である。 図６は、本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板２０の概略構成を示す平面図である。 図７は、図６におけるＡ部付近を拡大して示す平面図である。 図８は、本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板３０の概略構成を示す平面図である。 図９は、図８におけるＡ部付近を拡大して示す平面図である。 図１０は、本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板４０の概略構成を示す平面図である。 図１１は、図１０におけるＡ部付近を拡大して示す平面図である。 図１２は、ダミー絵素領域およびその近傍の実絵素領域の等価回路図である。 図１３は、本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板５０の概略構成を示す平面図である。 図１４は、図１３におけるＡ部付近を拡大して示す平面図である。 図１５は、本実施形態にかかる液晶表示装置の断面構造を示す図であり、（ａ）は平面図における断面の位置を示す図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’断面における液晶表示装置の構成を示す断面図、（ｃ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ’断面における液晶表示装置の構成を示す断面図である。 図１６は、本発明の実施形態の変形例にかかるアクティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。 図１７は、従来の表示装置が備えるアクティブマトリクス基板の構成例を示す平面図である。 図１８は、従来の表示装置が備えるアクティブマトリクス基板の構成例を示す平面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。ただし、以下で参照する各図は、説明の便宜上、本発明の一実施形態の表示装置における各部の構成部材のうち、本発明を説明するための主要な構成部材を示し、他の構成部材については簡略化または省略して示したものである。従って、本発明にかかる表示装置は、本明細書が参照する各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を必ずしも忠実に表したものではない。さらに、下記の実施形態では、液晶表示装置として本発明の表示装置を実施する態様を例示するが、本発明は液晶表示装置に限定されない。

［第１の実施形態］
図１は、本発明の一実施形態にかかるアクティブマトリクス基板１０の概略構成を示す平面図である。図２は、図１におけるＡ部付近を拡大して示す平面図である。本実施形態にかかるアクティブマトリクス基板１０は、液晶表示装置等の表示装置に用いられる。アクティブマトリクス基板１０は、ガラス等を材料とする透光性基板１１上に、ｎ本の走査線Ｇとｍ本の信号線Ｓとが直交するように配置され、走査線Ｇと信号線Ｓとの交点のそれぞれにＴＦＴおよび画素電極（いずれも図示せず）を備えた画素領域１２を有する。なお、図１および図２並びに本明細書において参照する他の図においては、走査線Ｇおよび信号線Ｓの本数を省略して図示している。なお、駆動素子はＴＦＴに限定されない。アクティブマトリクス基板１０において、矩形の画素領域１２を額縁状に囲み、かつ対向基板との重なりを有する領域を、額縁領域１３と称する。アクティブマトリクス基板１０の一辺に、走査線Ｇを駆動する走査線駆動回路と信号線Ｓを駆動する信号線駆動回路とを１チップに集積したバスライン駆動回路１６が、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式等により実装されている。もしくは、アクティブマトリクス基板１０上に直接、バスライン駆動回路が形成されている。

額縁領域１３において、バスライン駆動回路１６が配置された側の辺に対向する辺の両端部近傍に、コモン転移１５ａ，１５ｂが設けられている。コモン転移１５ａ，１５ｂは、カーボンペーストや金等の導電性材料で形成され、一般的には、５００μｍ²〜１ｍｍ²程度の断面積を有する。なお、コモン転移の数は２個に限定されない。

ｍ本の信号線Ｓにおいて、バスライン駆動回路１６に最も遠い位置にある信号線をＳ₁とし、バスライン駆動回路１６に最も近い位置にある信号線をＳ_mとする。信号線Ｓのうち約半数が、画素領域１２から引き出された後、額縁領域１３における一辺を通ってバスライン駆動回路１６に接続され、残りの信号線Ｓは、画素領域１２から前記約半数の信号線Ｓとは反対方向に引き出された後、額縁領域１３を通ってバスライン駆動回路１６に接続されている。すなわち、図２の例では、ｍ本の信号線Ｓのうち、Ｓ₂，Ｓ₄，Ｓ₆，・・・が、額縁領域１３において図２における上側の辺を通ってバスライン駆動回路１６に接続され、Ｓ₁，Ｓ₃，Ｓ₅，・・・が、額縁領域１３において図２における下側の辺を通ってバスライン駆動回路１６に接続されている。このように、信号線Ｓを、その約半数ずつ、額縁領域１３において互いに対向する二辺に振り分けて配線することにより、額縁領域１３の前記二辺の幅を均等にすることができる。ただし、図２の例では、ｍ本の信号線Ｓ₁，Ｓ₂，Ｓ₃，Ｓ₄，・・・が額縁領域１３において互いに対向する二辺へ交互に引き出される構成としたが、これに限らず、例えば、信号線Ｓ₁〜Ｓ_m/2を、額縁領域１３の一辺へ引き出し、信号線Ｓ_(m/2)+1〜Ｓ_mをその反対側へ引き出した構成としても良い。なお、信号線Ｓが額縁領域１３において互いに対向する二辺に約半数ずつ振り分けて配線されていることは、本発明にとって必須ではない。

走査線Ｇは、ＴＦＴのゲートをＯＮにするための走査信号が所定のタイミングで印加されるｎ本の走査線Ｇ₁〜Ｇ_nの他に、ダミー走査線Ｇ_d1，Ｇ_d2，Ｇ_d3も含む。なお、図１では、走査線Ｇ₁の外側に２本のダミー走査線Ｇ_d1，Ｇ_d2が設けられ、走査線Ｇ_nの外側に１本のダミー走査線Ｇ_d3が設けられた構成を例示するが、ダミー走査線の数はこの例に限定されない。ダミー走査線Ｇ_d1，Ｇ_d2，Ｇ_d3には、表示領域の走査信号と同様の信号、あるいは、走査信号としては機能しない信号、すなわちＴＦＴのゲートをＯＮにするＨｉｇｈ電位には至らない電位の信号が、バスライン駆動回路１６より印加される。あるいは、ダミー走査線Ｇ_d1，Ｇ_d2，Ｇ_d3に、走査信号のＬｏｗ電位と同じ電位を常に印加するようにしても良い。

図２は、図１におけるＡ部付近を拡大して示す平面図である。図２に示すように、ダミー走査線Ｇ_d1とダミー走査線Ｇ_d2との間の領域にも、実絵素領域の画素電極１７およびＴＦＴ１８と同様に、画素電極１７ｄおよびＴＦＴ１８ｄが設けられている。ＴＦＴ１８ｄのゲート電極は、ダミー走査線Ｇ_d2に接続されている。ＴＦＴ１８ｄのドレイン電極は、画素電極１７ｄに接続されている（後述の図３も参照）。上述のとおり、ダミー走査線Ｇ_d1，Ｇ_d2，Ｇ_d3には、走査信号としては機能しない信号が供給されるので、ダミー走査線Ｇ_d1にＴＦＴ１８ｄを介して接続されている画素電極１７ｄは、表示に寄与しない絵素（ダミー絵素）を構成する。このように、表示に寄与しないダミー絵素が形成されている領域を「ダミー絵素領域」と称する。これに対して、表示に寄与する絵素（有効画素）が形成されている領域（ダミー走査線Ｇ_d2と走査線Ｇ_nとの間の領域）を「実絵素領域」と称する。

なお、本実施形態では、例えばＲＧＢ三色等のカラーフィルタを用いてカラー表示を行う液晶表示装置を例示しており、「絵素」とは、一色のカラーフィルタに対応する一画素を意味する。「ダミー画素領域」と「ダミー絵素領域」、「実画素領域」と「実絵素領域」は、それぞれ同義である。ダミー絵素領域は、上述のとおり表示に寄与しないため、対向基板に設けられたブラックマトリクスや、アクティブマトリクス基板または対向基板の表面に張り付けられた遮光板で隠されていることが好ましい。

図３は、ダミー絵素領域およびその近傍の実絵素領域の等価回路図である。この構成によれば、実絵素領域の外側にダミー走査線Ｇ_d1，Ｇ_d2を設けたことにより、実絵素領域の最上段の走査線Ｇ₁で駆動される絵素と、２段目以降の走査線Ｇ₂，Ｇ₃，・・・で駆動される絵素とにおいて、画素電極とゲートバスライン間の寄生容量Ｃ_gdの大きさが均等となり、画素領域端部における輝線が防止される。また、走査線Ｇ_nの外側にダミー走査線Ｇ_d3を設けたことにより、走査信号によって移動した表示媒体中の不純物を非表示領域にとどめるという効果がある。

画素領域１２を囲むように、額縁領域１３の四辺にわたって、コモン配線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄが形成されている。コモン配線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄの材料としては、例えば、アルミニウム、モリブデン、またはタンタル、あるいはこれらの合金等が用いられる。コモン配線１４ａ，１４ｂは、走査線Ｇと平行に、額縁領域１３において互いに対向する二辺に形成されている。コモン配線１４ｃ，１４ｄは、信号線Ｓと平行に、額縁領域１３において互いに対向する二辺に形成されている。コモン配線１４ａとコモン配線１４ｃとの接続箇所に電気的に接続するように、前述のコモン転移１５ａが設けられている。また、コモン配線１４ｂとコモン配線１４ｃとの接続箇所に電気的に接続するように、前述のコモン転移１５ｂが設けられている。なお、コモン配線１４ａ，１４ｂ，１４ｃと、コモン配線１４ｄとは、アクティブマトリクス基板１０において互いに異なる層に形成されている。このため、図２に示すように、例えばコモン配線１４ａとコモン配線１４ｄとは、これらの配線間の絶縁膜に形成されたコンタクトホール１９を介して電気的に接続されている。

また、図３に示したように、本実施形態のアクティブマトリクス基板１０は、液晶容量Ｃ_LCと並列に補助容量Ｃ_CSが形成されている。このため、アクティブマトリクス基板１０は、図２に示すように、実絵素領域の各絵素内に、画素電極１８との間で容量（補助容量Ｃ_CS）を形成する補助容量配線ＣＳ₁，ＣＳ₂，・・・を有している。図２の例では、補助容量配線ＣＳ₁，ＣＳ₂，・・・は、コモン配線１４ａ，１４ｂと平行な幹線ＣＳ_1Mと、この幹線ＣＳ_1Mに直交する支線ＣＳ_1Bとから構成される。ただし、補助容量配線ＣＳ₁，ＣＳ₂，・・・の形状は、図２に示した例には限定されない。

補助容量配線ＣＳ₁，ＣＳ₂，・・・の幹線ＣＳ_1Mの一端は、図２に示すように、コンタクトホール１９を介してコモン配線１４ｄに電気的に接続されている。また、図２では図示を省略したが、補助容量配線ＣＳ₁，ＣＳ₂，・・・の幹線ＣＳ_1Mの他端は、同様にコンタクトホールを介してコモン配線１４ｃに電気的に接続されている。この構成により、補助容量配線ＣＳ₁，ＣＳ₂，・・・は、コモン配線１４ｃ，１４ｄと同電位に保持される。

また、本実施形態にかかるアクティブマトリクス基板１０では、図１に示すように、額縁領域１３に形成されたコモン配線１４ａ〜１４ｄ以外に、画素領域１２内にもコモン配線１４ｅ，１４ｆが形成されている。図２に示すように、コモン配線１４ｅは、コモン配線１４ａと平行であり、ダミー走査線Ｇ_d1とダミー走査線Ｇ_d2との間のダミー絵素領域内に形成されている。また、コモン配線１４ｆは、コモン配線１４ａと平行であり、ダミー走査線Ｇ_d3と走査線Ｇ_nとの間のダミー絵素領域内に形成されている。コモン配線１４ｅの両端は、コモン配線１４ｃおよびコモン配線１４ｄのそれぞれに電気的に接続されている。コモン配線１４ｆの両端も、コモン配線１４ｃおよびコモン配線１４ｄのそれぞれに電気的に接続されている。なお、コモン配線１４ｅ，１４ｆは、コモン配線１４ａ，１４ｂ，１４ｃと同じ層であって、コモン配線１４ｄとは異なる層に形成されている。従って、図２に示すように、コモン配線１４ｅと、コモン配線１４ｄとは、これらの配線の絶縁膜に形成されているコンタクトホール１９を介して電気的に接続される。また、図２では図示を省略したが、コモン配線１４ｆと、コモン配線１４ｄとの電気的接続も同様である。

図４は、本実施形態にかかる液晶表示装置の断面構造を示す図であり、（ａ）は平面図における断面の位置を示す図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’断面における液晶表示装置の構成を示す断面図、（ｃ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ’断面における液晶表示装置の構成を示す断面図である。図４（ｂ）および図４（ｃ）では、配向膜の図示は省略されている。なお、図４（ａ）〜（ｃ）は、コモン配線１４ｅの断面構造を示すが、コモン配線１４ｆの断面構造も同様である。

図４（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板１０と対向基板６０との間に液晶６２を挟持している。図４（ｂ）に示すように、アクティブマトリクス基板１０において、透光性基板１１の表面には、コモン配線１４ｅ、第１絶縁膜６３、信号線Ｓ、第２絶縁膜６４、および配向膜（図示せず）が、この順に形成されている。また、対向基板６０において、透光性基板６１の表面には、ブラックマトリクス６６、カラーフィルタ６５、共通電極６６、および配向膜（図示せず）が形成されている。

コモン配線１４ｅ，１４ｆの幅は、ダミー絵素領域に収まる範囲であれば任意であるが、できるだけ大きくすることが好ましい。ダミー絵素領域のコモン配線１４ｅ，１４ｆの幅を大きくするほど、額縁領域１３のコモン配線１４ａ，１４ｂの幅を小さく形成することができ、ひいては額縁領域１３の幅を縮小できるからである。コモン配線１４ａ，１４ｂにおける入力端１４ｇ，１４ｈへそれぞれ供給される共通電圧Ｖ_comは、コモン配線１４ａ，１４ｂを介してコモン転移１５ａ，１５ｂへそれぞれ伝達されると共に、コモン配線１４ｄの一部とコモン配線１４ｅ，１４ｆとコモン配線１４ｃの一部とを介して、コモン転移１５ａ，１５ｂへそれぞれ伝達される。つまり、コモン配線１４ｅ，１４ｆは、コモン配線１４ｄ，１４ｃの一部と共に、共通電圧Ｖ_comの供給端子となるコモン配線１４ａ，１４ｂの入力端１４ｇ，１４ｈと、コモン転移１５ａ，１５ｂとの間を並列に接続する線である。よって、コモン配線１４ｅ，１４ｆの線幅を大きくしてその配線抵抗が小さくなるほど、額縁領域１３のコモン配線１４ａ，１４ｂの幅を小さくすることができる。なお、ダミー絵素領域の幅が十分にあり、コモン配線１４ｅ，１４ｆの線幅を十分に大きくできる場合は、額縁領域１３のコモン配線を完全になくすことも可能である。

図５は、本実施形態にかかるアクティブマトリクス基板１０の効果を説明する図であり、図１８に示したように額縁領域のみにコモン配線を配置した従来の構成を（ａ）に、図１および図２に示した本実施形態にかかる構成を（ｂ）に、額縁領域の幅を対比可能なスケールでそれぞれ示した平面図である。図５の（ａ）と（ｂ）とを比較することから明らかなように、本実施形態にかかるアクティブマトリクス基板１０によれば、画素領域１２内のダミー絵素領域にもコモン配線１４ｅ，１４ｆを設けたことにより、従来の構成における額縁領域９７の幅よりも、額縁領域１３の幅を縮小することができる。

［第２の実施形態］
図６は、本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板２０の概略構成を示す平面図である。図７は、図６におけるＡ部付近を拡大して示す平面図である。なお、第１の実施形態において説明した構成と同様の構成については、第１の実施形態と同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。

図６および図７に示すように、本実施形態にかかるアクティブマトリクス基板２０は、額縁領域１３において信号線Ｓに平行にコモン配線１４ａ，１４ｂが設けられており、画素領域１２のダミー絵素領域にコモン配線１４ｅ，１４ｆが設けられている点において、第１の実施形態と同様であり、額縁領域１３の幅を小さくできるという効果を奏する。

しかし、額縁領域１３において、コモン配線１４ｃ₁，１４ｄ₁がコモン配線１４ａとコモン配線１４ｅとを接続して電気的に閉ループを形成しており、コモン配線１４ｃ₂，１４ｄ₂がコモン配線１４ｂとコモン配線１４ｆとを接続して電気的に閉ループを形成している点で、第１の実施形態と異なる。

また、図７に示すように、補助容量配線ＣＳ₁，ＣＳ₂，・・・の一端に対して、コモン配線とは独立している（電気的に接続されていない）補助容量配線２１ａを介して電圧が供給される点においても、第１の実施形態と異なる。従って、補助容量配線ＣＳに対して、共通電圧Ｖ_comとは異なる電圧を供給できる。なお、図６に示すように、補助容量配線ＣＳ₁，ＣＳ₂，・・・の他端には、補助容量配線２１ａと同様に、補助容量配線ＣＳ₁，ＣＳ₂，・・・同士を電気的に接続する補助容量配線２１ｂが形成されている。なお、図６においては、補助容量配線２１ａ，２１ｂと補助容量配線ＣＳ₁，ＣＳ₂，・・・との接続の図示を省略している。

この第２の実施形態によれば、第１の実施形態に比べて以下の利点がある。すなわち、ノーマリーホワイト方式の液晶表示装置として第２の実施形態にかかる表示装置を実施する場合、補助容量配線ＣＳに対して、共通電圧Ｖ_comとは異なる電圧を供給することにより、画素内で補助容量配線と画素電極が短絡する不良があった場合でも、致命的な欠陥（輝点）を回避することができる。

［第３の実施形態］
図８は、本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板３０の概略構成を示す平面図である。図９は、図８におけるＡ部付近を拡大して示す平面図である。なお、前述の各実施形態において説明した構成と同様の構成については、それらの実施形態と同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。

図８および図９に示すように、本実施形態にかかるアクティブマトリクス基板３０は、額縁領域１３において信号線Ｓに平行にコモン配線１４ａ，１４ｂが設けられており、画素領域１２のダミー絵素領域にコモン配線１４ｅ，１４ｆが設けられている点において、第１および第２の実施形態と同様であり、額縁領域１３の幅を小さくできるという効果を奏する。

また、額縁領域１３において、コモン配線１４ｃ₁，１４ｄ₁がコモン配線１４ａとコモン配線１４ｅとを接続して電気的に閉ループを形成しており、コモン配線１４ｃ₂，１４ｄ₂がコモン配線１４ｂとコモン配線１４ｆとを接続して電気的に閉ループを形成している点では、第１の実施形態とは異なるが、第２の実施形態と同じである。

本実施形態では、画素領域１２において、ダミー絵素領域にコモン配線１４ｅ，１４ｆと共に、補助容量配線ＣＳ_dが配置されている点において、第２の実施形態と異なっている。このように、ダミー絵素領域に補助容量配線ＣＳ_dを配置したことにより、補助容量配線全体の抵抗を低くすることができ、補助容量配線ＣＳ₁，ＣＳ₂，・・・に印加される電圧の低下を防止できる。

なお、本実施形態において、ダミー絵素領域の画素電極１７ｄおよびＴＦＴ１８ｄは必須ではない。すなわち、ダミー絵素領域には画素電極が形成されていなくても良い。また、ダミー絵素領域にはＴＦＴを有さず、ダミー絵素領域の画素電極１７ｄが補助容量配線ＣＳ_dおよびコモン配線１４ｅ，１４ｆの少なくとも一方と接続された構成としても良い。

［第４の実施形態］
図１０は、本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板４０の概略構成を示す平面図である。図１１は、図１０におけるＡ部付近を拡大して示す平面図である。なお、前述の各実施形態において説明した構成と同様の構成については、それらの実施形態と同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。

図１０および図１１に示すように、本実施形態にかかるアクティブマトリクス基板４０は、額縁領域１３において信号線Ｓに平行にコモン配線１４ａ，１４ｂが設けられており、画素領域１２のダミー絵素領域にコモン配線１４ｅ，１４ｆが設けられている点において、第１および第２の実施形態と同様であり、額縁領域１３の幅を小さくできるという効果を奏する。

また、額縁領域１３において、コモン配線１４ｃ₁，１４ｄ₁がコモン配線１４ａとコモン配線１４ｅとを接続して電気的に閉ループを形成しており、コモン配線１４ｃ₂，１４ｄ₂がコモン配線１４ｂとコモン配線１４ｆとを接続して電気的に閉ループを形成している点では、第１の実施形態とは異なるが、第２の実施形態と同じである。

図１２は、ダミー絵素領域およびその近傍の実絵素領域の等価回路図である。図１２に示すように、本実施形態にかかる液晶表示装置は、隣接する画素の走査線を利用して補助容量Ｃ_CSを形成している。このため、本実施形態にかかるアクティブマトリクス基板４０は、第１および第２の実施形態のような補助容量配線を備えていない。

図１０に示すように、アクティブマトリクス基板４０では、実絵素領域およびダミー絵素領域の両方において、画素電極１７または画素電極１７ｄのそれぞれが、当該画素の１段上の走査線との間で補助容量Ｃ_CSを形成している。例えば、走査線Ｇ₁に接続されている絵素の画素電極１７は、走査線Ｇ₁よりも１段上にあるダミー走査線Ｇ_d2との間で補助容量Ｃ_CSを形成する。

［第５の実施形態］
図１３は、本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板５０の概略構成を示す平面図である。図１４は、図１３におけるＡ部付近を拡大して示す平面図である。なお、前述の各実施形態において説明した構成と同様の構成については、それらの実施形態と同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。

本実施形態にかかるアクティブマトリクス基板５０は、第１〜第４の実施形態とは異なり、ダミー絵素領域を有していない。その代わりに、アクティブマトリクス基板５０は、図１３および図１４に示すように、走査線Ｇ₁よりも外側（額縁領域側）と、走査線Ｇ_nよりも外側（額縁領域側）に、液晶中のイオン性不純物を捕獲するためのトラップ配線５１ａ，５１ｂを備えている。

液晶表示装置の製造工程において、配向膜に対してラビング処理を行う場合、摩擦によって基板から削り取られた配向膜が、異物として配向膜表面に付着し、時間経過と共にイオン性不純物となって液晶中に拡散していくことがある。トラップ配線５１ａ，５１ｂは、所定の電圧（例えば−５Ｖ）が印加されることにより、イオン性不純物を捕獲する機能を持つ。これにより、イオン性不純物が実絵素領域に拡散することによる表示ムラを防止できる。トラップ配線５１ａ，５１ｂは、画素電極と同じ透明電極材料（ＩＴＯまたはＩＺＯ）や、走査線Ｇまたは信号線Ｓと同じ配線材料（例えばＡｌまたはＭｏ）等で形成される。

アクティブマトリクス基板５０では、このトラップ配線５１ａ，５１ｂの下層に、コモン配線１４ｅ，１４ｆが配置されている。図１５は、本実施形態にかかる液晶表示装置の断面構造を示す図であり、（ａ）は平面図における断面の位置を示す図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’断面における液晶表示装置の構成を示す断面図、（ｃ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ’断面における液晶表示装置の構成を示す断面図である。図１５（ｂ）および図１５（ｃ）では、配向膜の図示は省略されている。なお、図１５（ａ）〜（ｃ）は、トラップ配線５１ａの断面構造を示すが、トラップ配線５１ｂの構造も同様である。

図１５（ｂ）および図１５（ｃ）に示すように、本実施形態にかかる液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板５０と対向基板６０との間に、液晶６２を挟持している。図１５（ｂ）に示すように、アクティブマトリクス基板５０において、透光性基板１１の表面には、コモン配線１４ｅ、第１絶縁膜６３、信号線Ｓ、第２絶縁膜６４、トラップ配線５１ａ、および配向膜（図示せず）が、この順に形成されている。また、対向基板６０において、透光性基板６１の表面には、ブラックマトリクス６６、カラーフィルタ６５、共通電極６６、および配向膜（図示せず）が形成されている。なお、対向基板６０のブラックマトリクス６６は、トラップ配線５１ａを隠すように配置されている。

また、図１５（ｃ）に示すように、コモン配線１４ｅは、アクティブマトリクス基板５０の透光性基板１１の表面に形成され、その上層に、第１絶縁膜６３、第２絶縁膜６４、トラップ配線５１ａが形成されている。図１５では、コモン配線１４ｅの幅が、トラップ配線５１ａの幅よりも大きい構成を示しているが、コモン配線１４ｅ，１４ｆの幅がトラップ配線５１ａ，５１ｂの幅よりも小さくても良い。ただし、第１の実施形態で説明したように、コモン配線１４ｅ，１４ｆの幅を大きくするほど、コモン配線１４ａ，１４ｂの幅を小さくすることができ、額縁領域１３の縮小が図れる。

以上、第１〜第５の実施形態を説明したが、これらの実施形態の一変形例をここで説明する。図１６は、本発明の実施形態の一変形例として、第１の実施形態の変形例にかかるアクティブマトリクス基板７０の構成を示す平面図である。図１６において丸記号で囲んで示した領域Ｐ₁に表れているように、アクティブマトリクス基板７０において、画素領域１２のダミー絵素領域に設けられたコモン配線１４ｅは、信号線Ｓと交差する部分の幅が、主たる配線幅Ｗよりも細く形成されていることが好ましい。なお、コモン配線１４ｆも同様に、信号線Ｓと交差する部分の幅Ｗ’が、主たる配線幅Ｗよりも細く形成されていることが好ましい。これにより、信号線Ｓの負荷を低減し画素電極に適切な電圧を供給することができる。また、絶縁膜のピンホールなどに起因する、信号線Ｓとコモン配線１４ｅとの短絡の確率が減少するという効果もある。なお、図１６では、第１の実施形態の変形例を示したが、第２〜第５の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板においても、上記と同様に、画素領域１２内に設けられたコモン配線１４ｅにおいて、信号線Ｓと交差する部分の幅を、主たる配線幅Ｗよりも細く形成する構成とすれば、上記と同様の効果が得られる。また、第３の実施形態の場合、ダミー絵素領域に設けられた補助容量配線ＣＳ_dにおいて、信号線Ｓと交差する部分の幅を主たる配線幅Ｗよりも細く形成することによっても、同様の効果が得られる。

また、図１６において丸記号で囲んで示した領域Ｐ₂に表れているように、アクティブマトリクス基板７０において、信号線Ｓにおける信号入力側と反対側の末端部が、画素領域１２のダミー絵素領域に設けられたコモン配線１４ｅと交叉しないようにすることが好ましい。これにより、信号線Ｓの負荷を低減し画素電極に適切な電圧を供給することができ、また絶縁膜のピンホールなどに起因する信号線Ｓとコモン配線１４ｅの短絡が無くなるという利点がある。なお、コモン配線１４ｆも同様に、信号線Ｓにおける信号入力側と反対側の末端部と交叉しないようにすることが好ましい。なお、図１６では、第１の実施形態の変形例を示したが、第２〜第５の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板においても、上記と同様に、信号線Ｓにおける信号入力側と反対側の末端部が、画素領域１２のダミー絵素領域に設けられたコモン配線１４ｅと交叉しない構成とすれば、上記と同様の効果が得られる。また、第３の実施形態の場合、ダミー絵素領域に設けられた補助容量配線ＣＳ_dに対しても、信号線Ｓにおける信号入力側と反対側の末端部が交叉しないようにすることが好ましい。

また、上述の各実施形態は、本発明の一具体例に過ぎず、発明の範囲内で上記の実施形態を変更することが可能である。例えば、図２等では、走査線がアクティブマトリクス基板の長辺に平行な構成を例示したが、走査線がアクティブマトリクス基板の短辺に平行な構成であっても良い。

また、図２等には、絵素がデルタ配列である例を示したが、絵素がストライプ配列された構成であっても良い。

ダミー走査線の数は、上述の例の３本に限定されず、これよりも多くても良い。これにより、ダミー絵素領域が複数行形成される場合は、いずれか１つの行のダミー絵素領域のみにコモン配線および補助容量配線（第３の実施形態の場合）を配置しても良いし、複数行のダミー絵素領域にコモン配線および補助容量配線（第３の実施形態の場合）を配置しても良い。

また、本発明を液晶表示装置として実施する場合、液晶の表示モードやバックライトの有無等については、何ら限定がない。例えば、透過型、反射型、または半透過型等の、任意のモードの液晶表示装置に本発明を適用できる。

本発明は、額縁領域の一辺にバスライン駆動回路を配置し、かつコモン転移を介して対向基板側へ共通電圧Ｖ_comを供給するアクティブマトリクス基板およびこれを用いた表示装置として、産業上利用可能である。

Claims (16)

1. アクティブマトリクス基板と対向基板とを備えた表示装置において、
   前記アクティブマトリクス基板が、
   マトリクス状に配置された走査線および信号線と、
   前記信号線によって供給されるデータ信号に応じた表示を行う有効画素を含む実画素領域と、前記実画素領域よりもパネル端側に位置するダミー画素領域とを含む画素領域を有し、
   前記表示装置が、
   前記アクティブマトリクス基板の一辺において前記画素領域外に配置され、前記走査線および信号線へ、走査信号およびデータ信号をそれぞれ供給するバスライン駆動回路と、
   前記対向基板の共通電極へ供給するコモン信号を生成するコモン駆動回路とを備え、
   前記アクティブマトリクス基板が、
   前記画素領域に配置された補助容量と、
   前記画素領域に配置され、前記補助容量に電気的に接続された補助容量配線と、
   前記アクティブマトリクス基板において前記バスライン駆動回路が配置された一辺に対向する辺に設けられ、前記コモン信号を前記対向基板の共通電極へ供給するためのコモン転移と、
   前記コモン信号を前記コモン転移へ供給するためのコモン配線とを備え、
   前記コモン配線の少なくとも一部が、前記画素領域における前記ダミー画素領域に配置されており、
   前記ダミー画素領域に配置された前記コモン配線の部分の幅は、前記補助容量配線の幅よりも大きいことを特徴とする表示装置。
2. 前記ダミー画素領域に配置されているコモン配線が、前記画素領域内の補助容量配線に電気的に接続されている、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記ダミー画素領域に配置されているコモン配線が、前記画素領域内の補助容量配線に対して電気的に独立している、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記ダミー画素領域に、前記画素領域内の補助容量配線に並列なダミー補助容量配線がさらに配置された、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記ダミー補助容量配線において、前記信号線との交叉部分の幅が、当該ダミー補助容量配線の主たる配線幅よりも小さい、請求項４に記載の表示装置。
6. 前記信号線の信号入力側と逆側の末端部が、前記ダミー補助容量配線に交叉しないよう配置された、請求項４に記載の表示装置。
7. 前記ダミー画素領域のコモン配線において、前記信号線との交叉部分の幅が、当該コモン配線の主たる配線幅よりも小さい、請求項１〜６のいずれか一項に記載の表示装置。
8. 前記信号線の信号入力側と逆側の末端部が、前記ダミー画素領域のコモン配線に交叉しないよう配置された、請求項１〜７のいずれか一項に記載の表示装置。
9. 前記ダミー画素領域を視覚的に遮蔽する遮蔽部材をさらに備えた、請求項１〜８のいずれか一項に記載の表示装置。
10. 前記アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶を備えた、請求項１〜９のいずれか一項に記載の表示装置。
11. アクティブマトリクス基板と対向基板との間に表示媒体を備えた表示装置において、
    前記アクティブマトリクス基板が、
    マトリクス状に配置された走査線および信号線と、
    前記信号線によって供給されるデータ信号に応じた表示を行う有効画素を含む実画素領域と、前記実画素領域よりもパネル端側に位置し前記表示媒体中の不純物を電気的に捕獲するためのトラップ配線が形成された不純物捕獲領域とを含む画素領域を有し、
    前記表示装置が、
    前記アクティブマトリクス基板の一辺において前記画素領域外に配置され、前記走査線および信号線へ、走査信号およびデータ信号をそれぞれ供給するバスライン駆動回路と、
    前記対向基板の共通電極へ供給するコモン信号を生成するコモン駆動回路とを備え、
    前記アクティブマトリクス基板が、
    前記画素領域に配置された補助容量と、
    前記画素領域に配置され、前記補助容量に電気的に接続された補助容量配線と、
    前記アクティブマトリクス基板において前記バスライン駆動回路が配置された一辺に対向する辺に設けられ、前記コモン信号を前記対向基板の共通電極へ供給するためのコモン転移と、
    前記コモン信号を前記コモン転移へ供給するためのコモン配線とを備え、
    前記コモン配線の少なくとも一部が、前記画素領域における前記不純物捕獲領域に配置されており、
    前記不純物捕獲領域に配置された前記コモン配線の部分の幅は、前記補助容量配線の幅よりも大きいことを特徴とする表示装置。
12. 前記不純物捕獲領域のコモン配線において、前記信号線との交叉部分の幅が、当該コモン配線の主たる配線幅よりも小さい、請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記信号線の信号入力側と逆側の末端部が、前記不純物捕獲領域のコモン配線に交叉しないよう配置された、請求項１１または１２に記載の表示装置。
14. 前記表示媒体が液晶である、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の表示装置。
15. 前記コモン配線のうち前記走査線と平行な部分は、全て前記ダミー画素領域に配置されている請求項１に記載の表示装置。
16. 前記コモン配線のうち前記走査線と平行であり且つ前記ダミー画素領域に配置された部分の幅は、前記コモン配線のうち前記走査線と平行であり且つ前記ダミー画素領域外に配置された部分の幅よりも大きい請求項１に記載の表示装置。

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