JPH10213816A

JPH10213816A - アクティブマトリクス型液晶表示装置

Info

Publication number: JPH10213816A
Application number: JP1801497A
Authority: JP
Inventors: Sadahiko Yasukawa; 貞彦安川; Takashi Yokoyama; 崇横山; Mototaka Ikuro; 元貴伊黒; Ichiro Nakamura; 伊知郎中村; Takaaki Taniyama; 隆昭谷山; Kazuhisa Kida; 和寿木田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-01-31
Filing date: 1997-01-31
Publication date: 1998-08-11

Abstract

(57)【要約】【課題】有効表示領域内のスイッチング素子を静電気
による破壊から保護することができるアクティブマトリ
クス型液晶表示装置を提供する。【解決手段】有効表示領域内には表示に寄与する透光
性の表示用画素電極を形成し、非有効表示領域には表示
に寄与しない遮光性のダミー画素電極を形成し、これら
各画素電極に同一サイズのスイッチング素子を形成す
る。これによって、信号線から侵入した静電気によっ
て、ダミー画素電極に接続されたスイッチング素子が優
先的に破壊されることとなり、有効表示領域内のスイッ
チング素子を保護することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
するもので、特に画素を駆動するスイッチング素子とし
て薄膜トランジスタを有する液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示装置は、低消費電力、薄
型、軽量であるという特徴から、パーソナルコンピュー
タ、ワードプロセッサ、オフィスオートメーション用の
端末表示装置、テレビジョンなどの表示用途に使用され
ており、より大容量表示、高画質が求められている。

【０００３】従来の液晶表示装置は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔ
ｅｄＮｅｍａｔｉｃ）方式あるいはＳＴＮ（Ｓｕｐｅ
ｒＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）方式において、
電圧平均化法による単純マトリクス駆動が採用されてい
た。しかし、この方式では走査線数の増加によってコン
トラスト比が十分に得られなくなるため、大容量表示に
適していなかった。

【０００４】そこで、表示画面を構成している個々の画
素にスイッチング素子を設け、アクティブ駆動により表
示を行う液晶表示装置が開発されている。前記スイッチ
ング素子としては、薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉ
ｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｅｒ、以下ＴＦＴという）や２
端子非線形素子が用いられているが、高画質化の点では
ＴＦＴを用いた方が優位であり、現在数多くの分野にお
いて実用化されている。

【０００５】図７はＴＦＴをスイッチング素子とする液
晶表示装置のＴＦＴが形成される基板における平面図で
あり、１０１はゲート信号線、１０２はソース信号線、
１０３はＴＦＴ、１０４は画素電極である。前記ゲート
信号線１０１及びソース信号線１０２は、それぞれ図示
しないゲート信号線駆動回路及びソース信号線駆動回路
に接続され、これら駆動回路によって前記ゲート信号線
１０１及びソース信号線１０２の交差部近傍に設けられ
たＴＦＴ１０３を制御し、表示を行っている。

【０００６】図８は前記ＴＦＴ１０３の概略構造を示す
ものであり、１０５は基板、１０６はゲート信号線から
延出して形成されたゲート電極、１０７はゲート絶縁
膜、１０８はソース信号線から延出して形成されたソー
ス電極、１０９はドレイン電極、１１０は半導体層、１
１１は絶縁膜である。

【０００７】ところで、前記ＴＦＴ１０３は、液晶表示
装置の製造工程中、特に液晶分子の配向特性を得るため
のラビング処理で生じる静電気が信号線から侵入し、ソ
ース−ドレイン間の耐圧を越えてゲート電圧に関わりな
くＴＦＴがＯＮした際に、本来逆耐圧となるべき接合が
熱的破壊を起こし、ＯＦＦ耐圧を失うことによって、ソ
ース電極とドレイン電極とのリーク（以下ＳＤリークと
いう）が生じやすいという問題点があった。このように
ＳＤリークが生じたＴＦＴ１０３は、スイッチング素子
として機能しなくなるため点欠陥として現れ、液晶表示
装置を製造する上において製造歩留を悪化させていた。

【０００８】このような静電破壊に対する対策として、
従来はゲート信号線及びソース信号線を入力端子部にお
いて複数本まとめて一括するようなパターン（以下ショ
ートリングという）を基板の周辺部に形成し、外部から
の静電気が有効表示領域に侵入することを防ぐことが行
われている。また、特開平３−４５９３４号公報に開示
されるように、有効表示エリアの外にダミー画素電極と
これに接続されるスイッチング素子とを形成し、前記ダ
ミー画素電極に接続されるスイッチング素子を優先的に
静電破壊させる方法が知られている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の静電破壊対策には、以下に示すような問題点が
ある。

【００１０】まず、ＴＦＴが形成される基板（以下ＴＦ
Ｔ基板という）には、ソース信号線の断線の発生を検査
するために、図９に示すようにショートリングと反対側
にソース信号線断線検出用パッド１１２を形成している
ため、このソース信号線断線検出用パッド１１２から静
電気が侵入した場合は、ＴＦＴの静電破壊を完全に防ぐ
ことはできないという問題点があった。なお、図９にお
いて１０２はソース信号線であり、ゲート信号線、画素
電極等は省略している。

【００１１】更に、ショートリングを形成した入力端子
側から侵入した静電気も、これが有効表示領域に侵入す
ることを完全に防ぐことができなかったという問題点が
あった。

【００１２】次に、特開平３−４５９３４号公報に開示
された技術は、前記ダミー画素電極に接続されたスイッ
チング素子が駆動回路に電気的に接続されておらず、単
に有効表示領域内の画素電極の周りに形成しているだけ
である。したがって、このダミー画素電極を、ＴＦＴを
スイッチング素子とする液晶表示装置のＴＦＴ基板に適
用した場合、前記ダミー画素電極部の液晶層にかかる電
圧が不定となり、表示不良が発生してしまうという問題
点があった。

【００１３】前記特開平３−４５９３４号公報以外に、
特開平５−１４２５７８号公報、特開平５−１９６９７
０号公報、特開平８−１９４２３５号公報にも、非有効
表示領域にダミー画素電極を設ける技術を開示している
が、これらはいずれもスイッチング素子として２端子非
線形素子を前提としており、ＴＦＴ基板の特性を考慮し
たものではなかった。

【００１４】本発明は上述した問題点に鑑みてなされた
ものであり、表示用の画素電極に接続されたＴＦＴを、
液晶表示装置の製造工程中に生ずる静電気による静電破
壊から保護するためのダミー画素電極を設けた液晶表示
装置を提供することを目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、基板上にスト
ライプ状の第１の信号線と、これと直交するストライプ
状の第２の信号線と、これらの交差部近傍に設けられた
スイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続さ
れ、マトリクス状に複数形成された画素電極とを有する
アクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記画
素電極が、有効表示領域内に設けられ表示に寄与する表
示用画素電極と、非有効表示領域に設けられ表示に寄与
しないダミー画素電極とからなっていることを特徴とす
るものである。

【００１６】したがって、液晶表示装置の製造工程中に
前記第１または第２の信号線を伝って静電気が侵入した
場合、非有効表示領域に設けられたダミー画素電極に接
続されたスイッチング素子が優先的に破壊されるので、
有効表示領域内の表示用画素電極に接続されたスイッチ
ング素子を保護することが可能となる。

【００１７】本発明の請求項２記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、請求項１記載のアクティブマト
リクス型液晶表示装置において、前記ダミー画素電極が
遮光性の電極であることを特徴とするものである。

【００１８】したがって、非有効表示領域に設けられた
ダミー画素電極部の不要な点灯を防ぐことが可能とな
る。

【００１９】本発明の請求項３記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、請求項１、２記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、前記ダミー画素電
極が、前記表示用画素電極よりも大きいことを特徴とす
るものである。

【００２０】したがって、液晶表示装置の製造工程中に
発生した静電気が前記第１または第２の信号線から侵入
した場合、ダミー画素電極を表示用画素電極よりも大き
くすることによって、発生した静電気が有する電荷と逆
極性の電荷をダミー画素電極の方がより多く吸収するの
で、ダミー画素電極に接続されたスイッチング素子が優
先的に破壊され、表示用画素電極を保護することが可能
となる。

【００２１】本発明の請求項４記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、請求項１乃至３記載のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置において、前記第１または
第２の信号線が、有効表示領域の直前で細くくびれて形
成されていることを特徴とするものである。

【００２２】したがって、信号線を伝って侵入する静電
気の伝搬遅延を大きくさせることができるので、ダミー
画素電極に接続されたスイッチング素子が優先的に破壊
され、表示用画素電極を保護することが可能となる。

【００２３】本発明の請求項５記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、請求項１乃至４記載のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置において、前記ダミー画素
電極に接続されたスイッチング素子に印加される信号線
が、前記表示用画素電極に印加される信号線から基板上
で分配接続されていることを特徴とするものである。

【００２４】したがって、ダミー画素電極に接続された
スイッチング素子を有効表示領域内のスイッチング素子
と同様に駆動することができるので、破壊されていない
ダミー画素電極に接続されたスイッチング素子を駆動
し、非有効表示領域に存在する液晶層に不定の電圧が印
加されたままの状態により生ずる有効表示領域周辺の表
示ムラの発生を防ぐことが可能となる。

【００２５】また、前記ダミー画素電極に接続されたス
イッチング素子に印加される信号線が、前記表示用画素
電極に印加される信号線から基板上で分配接続されてい
るので、基板への信号入力端子数を増やす必要が無くな
る。

【００２６】

【発明の実施の形態】

（実施の形態１）以下に、本発明の実施の形態について
図１、図２を用いて説明する。なお、本実施の形態にお
いては、スイッチング素子としてゲート電極が最下部に
位置する逆スタガ型ＴＦＴを用いた場合について説明す
る。

【００２７】図１は本実施の形態におけるＴＦＴ基板の
平面図である。図１において、１は有効表示領域、つま
り実際に映像が表示される領域であり、図示しないゲー
ト信号線やソース信号線、ＴＦＴ、画素電極等が形成さ
れている。また、２は有効表示領域１に形成されたゲー
ト信号線へ走査信号を入力する端子部であり、図示しな
いゲート信号線駆動用ドライバに接続されている。ま
た、３は有効表示領域１に形成されたソース信号線へ映
像信号を入力する端子部であり、図示しないソース信号
線駆動用ドライバに接続されている。

【００２８】さらに、図１における４は非有効表示領
域、つまり実際の表示には寄与しない領域であり、ここ
にはダミー画素電極及びこれに接続されるＴＦＴが形成
されている。この様子を図２を用いて説明する。

【００２９】図２は図１におけるＡ部の拡大図であり、
７はゲート信号線であり、８はソース信号線である。ま
た、５はＴＦＴ、６は画素電極であり、これらは非有効
表示領域４内にも形成されている。なお、図２において
最上列の画素電極が形成されている領域が非有効表示領
域であり、これより下の領域が有効表示領域である。ま
た、以下の説明において、非有効表示領域４内に設けら
れた画素電極をダミー画素電極１０とする。また、９は
ゲート信号線７から分岐して設けられたゲート信号線で
あり、非有効表示領域４内のＴＦＴ５に接続されてい
る。以下、ゲート信号線７を表示用ゲート信号線、ゲー
ト信号線９をダミー画素電極用ゲート信号線という。

【００３０】前記ダミー画素電極１０は、有効表示領域
内の画素電極６と略同一の大きさのものであるが、有効
表示領域の画素電極６がＩＴＯ等の透光性の導電材料で
形成されているのに対し、ダミー画素電極１０は不透光
性の導電材料で形成されている。これは、前記ダミー画
素電極１０に接続されたＴＦＴが静電破壊を起こした場
合に、これが点欠陥として表示されることを防ぐためで
ある。

【００３１】前記ダミー画素電極１０は、例えばゲート
信号線またはソース信号線の形成時にこれと同一材料で
形成するようにすれば、特に工程数を増やすことなく形
成することができる。

【００３２】本実施形態においては、前記ダミー画素電
極１０は、有効表示領域１のゲート信号線と平行な２辺
の外側にそれぞれ１列ずつ設けた。このような構成にし
たのは、以下に示す理由によるものである。

【００３３】まず、ダミー画素電極１０を有効表示領域
１のゲート信号線と平行な２辺の外側に設けたのは、ソ
ース信号線３側から侵入した静電気の方が、ゲート信号
線２側から侵入した静電気よりも静電破壊を引き起こし
易すいためである。これは、ゲート信号線３の上層には
ゲート絶縁膜が設けられているので、ゲート信号線のも
つ負荷容量がソース信号線のもつ負荷容量よりも大きい
ためと考えられる。

【００３４】次に、ダミー画素電極１０を１列ずつ設け
たのは、非有効表示領域をできるだけ小さくするためで
ある。有効表示領域内の画素電極６を静電気から確実に
保護するためには、前記ダミー画素電極１０を複数列設
けた方が望ましいが、ダミー画素電極１０及びこれに接
続されるＴＦＴのサイズを有効表示領域内のものと同一
にして、実際に静電破壊の発生の様子を調べた結果、静
電破壊が発生した画素は最外部の画素のみであることが
分かった。これは、以下の理由によるものと考えられ
る。

【００３５】図３の（ａ）はあるソース信号線の信号入
力端子部及び画素電極形成部における等価回路図であ
り、図中Ｑ₀ はラビング布によりもたらされる静電気を
示し、Ｒ₁〜Ｒ₄は配線抵抗を示している。更に、Ｑ₁ は
入力端子部から最初の画素電極までの配線容量を示して
おり、Ｑ₂ 〜Ｑ₄ はＴＦＴ素子の容量を示している。シ
ョートリングに接続されていない信号入力端子部に転写
された電荷Ｑのチャージシェアは、図３の（ａ）に示し
たＶ₁ 〜Ｖ₅ において図３の（ｂ）に示すように進行す
る。

【００３６】従って、転写源に近いほどピーク電圧は大
きくなり、静電破壊が発生し易くなり、転写源に最も近
いＴＦＴ素子が静電破壊された場合は、破壊された素子
以降のＴＦＴ素子の容量にかかるチャージは極端に小さ
くなり、静電破壊は起こらないと考えられる。

【００３７】非有効表示領域に１列ずつ設けられた前記
ダミー画素電極用ゲート信号線９への走査信号の入力
は、図２に示すように、これに隣接する表示用ゲート信
号線７から基板内で分配している。このように基板内で
ダミー画素電極用ゲート信号線９と表示用ゲート信号線
７とを接続することによって、ダミー画素電極１０を駆
動するための信号入力端子部を新たに形成する必要がな
くなると共に、従来の外部接続回路を用いることが可能
となる。

【００３８】このような構成による本実施の形態の液晶
表示装置は、ラビング工程中に発生した静電気が外部か
ら侵入した場合、ダミー画素電極１０に接続されたＴＦ
Ｔが優先的に破壊され、有効表示領域内の画素電極６に
接続されたＴＦＴを保護することができる。また、実際
にダミー画素電極１０に接続されたＴＦＴにも走査信号
を入力して駆動することにより、非有効表示領域全域に
存在する液晶層に不定の電圧が印加されたままの状態に
なって有効表示領域の周辺部に生ずる表示ムラの発生を
抑えることが可能となる。

【００３９】なお、上述した実施の形態において、ダミ
ー画素電極及びこれに接続されるＴＦＴは１列のみ形成
したが、有効表示領域を確実に保護するために複数列形
成しても良い。このとき、各列のダミー画素電極用ゲー
ト信号線を表示用ゲート信号線から分配するときに、駆
動回路にかかる負荷を最小に抑えるために、１つの表示
用ゲート信号線から複数のダミー画素電極用ゲート信号
線を分配するのではなく、１つの表示用ゲート信号線に
対して１つのダミー画素電極用ゲート信号線を分配する
ことが好ましい。

【００４０】また、図４に示すように、ダミー画素電極
８を省略して該領域にソース信号線８を延出して形成し
て該領域の遮光を行うことによっても、有効表示領域内
の画素電極６を静電気から保護することができる。

【００４１】（実施の形態２）本発明の別の実施の形態
について、図５を用いて以下に説明する。図５は本実施
の形態におけるＴＦＴ基板の平面図である。本実施の形
態においては、図中Ｂで示すように、有効表示領域の直
前でソース信号線が細くなっている点が実施の形態１と
異なる。これは、ラビング工程で発生する静電気がソー
ス信号線から侵入した場合、有効表示領域における静電
気の伝搬速度を遅くさせるさせるためである。これによ
って、非有効表示領域のＴＦＴが優先的に静電破壊さ
れ、有効表示領域内のＴＦＴを確実に保護することが可
能となる。

【００４２】有効表示領域の直前のソース信号線は、細
くし過ぎると抵抗値が大きくなり、画像信号を適正に書
き込むことができなくなるため、この部分の抵抗値は画
像信号を画素電極に書き込むことができる程度に大きく
する。

【００４３】前記ダミー画素電極１０は、実施の形態１
と同様に例えばゲート信号線またはソース信号線の形成
時にこれと同一材料を用いて形成すれば良い。

【００４４】また、前記ダミー画素電極１０に接続され
たＴＦＴは、非有効表示領域全域に存在する液晶層に不
定の電圧が印加されたままの状態になって有効表示領域
の周辺部に生ずる表示ムラの発生を抑えるため、実施の
形態１と同様に駆動する。なお、ダミー画素電極用ゲー
ト信号線９と表示用ゲート信号線７との接続は実施の形
態１に示したとおりである。更に、実施の形態１と同様
に、有効表示領域を確実に保護するために、前記ダミー
画素電極１０およびこれに接続されるＴＦＴは複数列形
成しても良い。

【００４５】（実施の形態３）以下、図６を用いて本発
明のさらに別の実施の形態について説明する。図６は本
実施の形態におけるＴＦＴ基板の平面図である。本実施
の形態においては、ダミー画素電極１０の大きさを、表
示部のものよりも大きくした点が実施の形態１乃至３と
異なっている。これは、ラビング工程を含む全ての製造
工程で発生する静電気がＴＦＴ基板のソース信号線から
侵入した場合、発生した電荷密度が均一であれば電極面
積が大きい程多量の電荷が吸収されるので、これに接続
されたＴＦＴを破壊され易くするためである。

【００４６】前記ダミー画素電極１０は、実施の形態１
と同様にゲート信号線の形成時にこれと同一材料を用い
て形成すれば良い。

【００４７】また、前記ダミー画素電極１０に接続され
たＴＦＴは、非有効表示領域全域に存在する液晶層に不
定の電圧が印加されたままの状態になって有効表示領域
の周辺部に生ずる表示ムラの発生を抑えるため、実施の
形態１と同様に駆動する。なお、ダミー画素電極用ゲー
ト信号線と表示用ゲート信号線との接続は実施の形態１
に示したとおりである。

【００４８】また、有効表示領域を確実に保護するため
に、前記ダミー画素電極及びこれに接続されるＴＦＴを
複数列形成しても良い。このとき、有効表示領域から遠
くなるに従ってダミー画素電極の面積を大きくすれば、
有効表示領域から遠いダミー画素電極をより優先的に破
壊させることができるため好ましい。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置によれば、
前記画素電極が、有効表示領域内に設けられ表示に寄与
する表示用画素電極と、非有効表示領域に設けられ表示
に寄与しないダミー画素電極とからなっていることによ
って、液晶表示装置の製造工程中に前記第１または第２
の信号線を伝って静電気が侵入した場合、非有効表示領
域に設けられたダミー画素電極に接続されたスイッチン
グ素子が優先的に破壊されるので、有効表示領域内の表
示用画素電極に接続されたスイッチング素子を保護する
ことができるという効果を奏する。

【００５０】本発明の請求項２記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置によれば、前記ダミー画素電極が遮
光性の電極であるので、非有効表示領域に設けられたダ
ミー画素電極部の不要な点灯を防ぐことができるという
効果を奏する。

【００５１】本発明の請求項３記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置によれば、前記ダミー画素電極が、
前記表示用画素電極よりも大きいことによって、液晶表
示装置の製造工程中に発生した静電気が前記第１または
第２の信号線から侵入した場合、ダミー画素電極を表示
用画素電極よりも大きくすることによって、発生した静
電気が有する電荷と逆極性の電荷をダミー画素電極の方
がより多く吸収するので、ダミー画素電極に接続された
スイッチング素子が優先的に破壊され、表示用画素電極
を保護することができるという効果を奏する。

【００５２】本発明の請求項４記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置によれば、前記第１または第２の信
号線が、有効表示領域の直前で細くくびれて形成されて
いることによって、信号線を伝って侵入する静電気の伝
搬遅延を大きくさせることができるので、ダミー画素電
極に接続されたスイッチング素子が優先的に破壊され、
表示用画素電極を保護することができるという効果を奏
する。

【００５３】本発明の請求項５記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置によれば、前記ダミー画素電極に接
続されたスイッチング素子に印加される信号線が、前記
表示用画素電極に印加される信号線から基板上で分配接
続されていることによって、ダミー画素電極に接続され
たスイッチング素子を有効表示領域内のスイッチング素
子と同様に駆動することができるので、破壊されていな
いダミー画素電極に接続されたスイッチング素子を駆動
し、非有効表示領域に存在する液晶層に不定の電圧が印
加されたままの状態により生ずる有効表示領域周辺の表
示ムラの発生を防ぐことができるという効果を奏する。
また、前記ダミー画素電極に接続されたスイッチング素
子に印加される信号線が、前記表示用画素電極に印加さ
れる信号線から基板上で分配接続されているので、基板
への信号入力端子数を増やす必要が無くなるという効果
を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１におけるアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の該略図である。

【図２】図１に示すＡ部の拡大図である。

【図３】静電気の伝搬の様子を示す図である。

【図４】ソース信号線を延出して画素電極部を遮光した
場合の要部拡大図である。

【図５】本発明の実施形態２におけるアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の要部拡大図である。

【図６】本発明の実施形態３におけるアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の要部拡大図である。

【図７】従来の液晶表示装置のＴＦＴ基板の平面図であ
る。

【図８】ＴＦＴの概略構成を示す図である。

【図９】ソース信号線断線検出用パッドが設けられたＴ
ＦＴ基板の平面図である。

【符号の説明】

１有効表示領域２走査信号入力端子部３映像信号入力端子部４非有効表示領域５ＴＦＴ６画素電極７表示用ゲート信号線８ソース信号線９ダミー画素電極用ゲート信号線１０ダミー画素電極

フロントページの続き (72)発明者中村伊知郎大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者谷山隆昭大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者木田和寿大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にストライプ状の第１の信号線
と、これと直交するストライプ状の第２の信号線と、こ
れらの交差部近傍に設けられたスイッチング素子と、前
記スイッチング素子に接続され、マトリクス状に複数形
成された画素電極とを有するアクティブマトリクス型液
晶表示装置において、前記画素電極は、有効表示領域に設けられ表示に寄与す
る表示用画素電極と、非有効表示領域に設けられ表示に
寄与しないダミー画素電極とからなっていることを特徴
とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項２】前記ダミー画素電極が遮光性の電極であ
ることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。
【請求項３】前記ダミー画素電極は、前記表示用画素
電極よりも大きいことを特徴とする請求項１、２記載の
アクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項４】前記第１または第２の信号線が、有効表
示領域の直前で細くくびれて形成されていることを特徴
とする請求項１乃至３記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置。
【請求項５】前記ダミー画素電極に印加される信号線
は、前記表示用画素電極に印加される信号線から基板上
で分配接続されていることを特徴とする請求項１乃至４
記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。