JP3332038B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP3332038B2 JP3332038B2 JP2000326584A JP2000326584A JP3332038B2 JP 3332038 B2 JP3332038 B2 JP 3332038B2 JP 2000326584 A JP2000326584 A JP 2000326584A JP 2000326584 A JP2000326584 A JP 2000326584A JP 3332038 B2 JP3332038 B2 JP 3332038B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本技術は基板平面内で液晶分
子を駆動させる横電界方式の液晶表示装置に関する。
子を駆動させる横電界方式の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、2枚の基板間に挟持さ
れた液晶層に電界を印加することで液晶分子の配向状態
を変化させ、光源からの光を任意の透過率もしくは反射
率で透過あるいは反射させ、映像を表示する電気光学素
子である。液晶層に電界を印加する方法としては大きく
分けて二種類あり、一つは例えばTN（Twisted Nemati
c）モードなどのように2枚の基板間に電極を設けてその
間で挟持される液晶分子に電界を印加する方法で、もう
一つがIPS（In-Plane Switching）モードのように横方
向（基板平面内）に電界を印加する横電界方式である。
れた液晶層に電界を印加することで液晶分子の配向状態
を変化させ、光源からの光を任意の透過率もしくは反射
率で透過あるいは反射させ、映像を表示する電気光学素
子である。液晶層に電界を印加する方法としては大きく
分けて二種類あり、一つは例えばTN（Twisted Nemati
c）モードなどのように2枚の基板間に電極を設けてその
間で挟持される液晶分子に電界を印加する方法で、もう
一つがIPS（In-Plane Switching）モードのように横方
向（基板平面内）に電界を印加する横電界方式である。
【０００３】TNモードなどでは基板間の電極で液晶層に
電界を印加するため、基板に対して垂直方向に液晶分子
が配向変化を起こして映像表示を行っている。このた
め、視野角によって液晶分子の見え方が異なるので、視
野角特性が生じやすい。これに対して横電界方式の液晶
表示装置では、基板面内のみの配向変化を用いることか
ら基板垂直方向の配向変化はほとんどないため、視野角
による液晶分子の見え方に差はあまりなく、他の液晶表
示モードと比較して視野角特性に優れている特徴を有し
ている。
電界を印加するため、基板に対して垂直方向に液晶分子
が配向変化を起こして映像表示を行っている。このた
め、視野角によって液晶分子の見え方が異なるので、視
野角特性が生じやすい。これに対して横電界方式の液晶
表示装置では、基板面内のみの配向変化を用いることか
ら基板垂直方向の配向変化はほとんどないため、視野角
による液晶分子の見え方に差はあまりなく、他の液晶表
示モードと比較して視野角特性に優れている特徴を有し
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】横電界方式の液晶表示
装置においては液晶分子に基板平面内の電界を印加する
ため、一般的に不透明導電体よりなる画素電極と共通電
極を画素内に櫛型に形成しなければならない。そのた
め、液晶パネルのサイズを変えずに液晶表示装置が高精
細化されると一画素あたりの面積が小さくなり、画素構
成を変更しない限り画素電極および対向電極の幅を面積
に比例して細くしなければ画素の開口率は下がることに
なる。また、これによって液晶パネルの輝度を維持する
ためには輝度の高いバックライトなどの光源が必要とな
り、多くの電力を要することになるので、この観点から
も開口率の高い液晶表示装置の必要性が高くなってく
る。
装置においては液晶分子に基板平面内の電界を印加する
ため、一般的に不透明導電体よりなる画素電極と共通電
極を画素内に櫛型に形成しなければならない。そのた
め、液晶パネルのサイズを変えずに液晶表示装置が高精
細化されると一画素あたりの面積が小さくなり、画素構
成を変更しない限り画素電極および対向電極の幅を面積
に比例して細くしなければ画素の開口率は下がることに
なる。また、これによって液晶パネルの輝度を維持する
ためには輝度の高いバックライトなどの光源が必要とな
り、多くの電力を要することになるので、この観点から
も開口率の高い液晶表示装置の必要性が高くなってく
る。
【０００５】また横電界方式の液晶表示装置では、同一
平面に映像信号線・共通電極及び画素電極が配置されて
いる構成となっているため、映像信号線と画素内部で映
像信号線に隣接する共通電極との間で電界が発生し、共
通電極−映像信号線間に存在している液晶分子が印加さ
れた電界に応じて配向変化される。この液晶分子の配向
変化は本来意図したものではないため、図７のＣ及び
Ｃ’で示した、本来の映像の輝度とは異なる輝度となる
部分が画素内に発生する。
平面に映像信号線・共通電極及び画素電極が配置されて
いる構成となっているため、映像信号線と画素内部で映
像信号線に隣接する共通電極との間で電界が発生し、共
通電極−映像信号線間に存在している液晶分子が印加さ
れた電界に応じて配向変化される。この液晶分子の配向
変化は本来意図したものではないため、図７のＣ及び
Ｃ’で示した、本来の映像の輝度とは異なる輝度となる
部分が画素内に発生する。
【０００６】一方、図５は特開平９−６１８４２号公報
に記載された液晶表示装置であり、画素内に配置された
すべての共通電極が透明導電体より形成されている構成
となっている。このような液晶表示装置では、透明導電
体部分の光も、表示に利用できるので、明るさが向上す
る。しかしながら、図７のＣ及びＣ’で示した部分にお
いて、映像信号線−共通電極間に発生する電界に起因す
る、液晶分子の配向状態が透明電極上の液晶にも及び、
それに応じた光が透過されるので、望ましい映像を表示
することができなくなる。
に記載された液晶表示装置であり、画素内に配置された
すべての共通電極が透明導電体より形成されている構成
となっている。このような液晶表示装置では、透明導電
体部分の光も、表示に利用できるので、明るさが向上す
る。しかしながら、図７のＣ及びＣ’で示した部分にお
いて、映像信号線−共通電極間に発生する電界に起因す
る、液晶分子の配向状態が透明電極上の液晶にも及び、
それに応じた光が透過されるので、望ましい映像を表示
することができなくなる。
【０００７】さらに、液晶表示装置においては、映像信
号電圧Vsを共通電極の電圧Vcに対して、正または負のみ
とするのではなく、画素毎もしくは配線毎に極性を反転
させる交流駆動方法とするのが通常である。このため、
画素電圧VpixとVsの極性がVcに対して逆となるような場
合には、映像信号線・共通電極・画素電極の幅や形状、
電極間隔、Vsの振幅によっては電界が映像信号線から画
素電極まで漏れ込み、共通電極−画素電極間の液晶分子
の配向状態まで変化させることで、画素内の輝度にばら
つきが発生し、良好な映像表示ができなくなることがあ
る。この問題の解決策として映像信号線に隣接した共通
電極の電極幅を広げる電界遮断効果を高めることが挙げ
られるが、他の液晶表示モードに較べて開口率が高くな
い横電界方式の液晶表示装置においては、開口率の低下
につながらない対策が望ましい。
号電圧Vsを共通電極の電圧Vcに対して、正または負のみ
とするのではなく、画素毎もしくは配線毎に極性を反転
させる交流駆動方法とするのが通常である。このため、
画素電圧VpixとVsの極性がVcに対して逆となるような場
合には、映像信号線・共通電極・画素電極の幅や形状、
電極間隔、Vsの振幅によっては電界が映像信号線から画
素電極まで漏れ込み、共通電極−画素電極間の液晶分子
の配向状態まで変化させることで、画素内の輝度にばら
つきが発生し、良好な映像表示ができなくなることがあ
る。この問題の解決策として映像信号線に隣接した共通
電極の電極幅を広げる電界遮断効果を高めることが挙げ
られるが、他の液晶表示モードに較べて開口率が高くな
い横電界方式の液晶表示装置においては、開口率の低下
につながらない対策が望ましい。
【０００８】また、図６に示したように絶縁層を介して
映像信号線と共通電極に重なり合うように導電層を形成
する液晶表示パネルが、特開平９−１７９０９６号公報
に記載されている。しかしながらこの手法を用いた場
合、映像信号線と導電層との間で容量を形成することに
なり、パネルサイズが大きく、従って映像信号線長が長
くなるときには、配線時定数の増加による信号波形の鈍
りに起因する充電不足が起こる場合がある。さらに、絶
縁膜にピンホールなどの欠陥が発生した場合には、映像
信号線と導電層とが短絡し表示不良の原因となるなどの
問題がある。
映像信号線と共通電極に重なり合うように導電層を形成
する液晶表示パネルが、特開平９−１７９０９６号公報
に記載されている。しかしながらこの手法を用いた場
合、映像信号線と導電層との間で容量を形成することに
なり、パネルサイズが大きく、従って映像信号線長が長
くなるときには、配線時定数の増加による信号波形の鈍
りに起因する充電不足が起こる場合がある。さらに、絶
縁膜にピンホールなどの欠陥が発生した場合には、映像
信号線と導電層とが短絡し表示不良の原因となるなどの
問題がある。
【０００９】これらの課題を解決するため、図８及び図
９に示したように、横電界方式の液晶表示装置で画素内
に配置された複数の共通電極のうち、映像信号線と隣接
する共通電極を不透明導電体、もしくは不透明導電体と
透明導電体の２層で形成し、その他映像信号線に隣接し
ない画素部の共通電極を透明導電体より形成した。この
方法を用いると電界により映像信号線と隣接する共通電
極間に発生する液晶分子の配向状態の変化による、画素
内の輝度のばらつきが不透明導電体に隠されて見えなく
なり、良好な映像表示ができる。また映像信号線と隣接
する共通電極２を透明導電体及び不透明導電体で形成す
る場合には、これを全て不透明導電体で形成するより
も、画素の開口率を高くすることができる。
９に示したように、横電界方式の液晶表示装置で画素内
に配置された複数の共通電極のうち、映像信号線と隣接
する共通電極を不透明導電体、もしくは不透明導電体と
透明導電体の２層で形成し、その他映像信号線に隣接し
ない画素部の共通電極を透明導電体より形成した。この
方法を用いると電界により映像信号線と隣接する共通電
極間に発生する液晶分子の配向状態の変化による、画素
内の輝度のばらつきが不透明導電体に隠されて見えなく
なり、良好な映像表示ができる。また映像信号線と隣接
する共通電極２を透明導電体及び不透明導電体で形成す
る場合には、これを全て不透明導電体で形成するより
も、画素の開口率を高くすることができる。
【００１０】しかしながらこの手法を用いた場合、薄膜
トランジスタ（TFT）アレイ作成プロセスにおいて、不
透明導電体よりなるこの共通電極は、共通電極バスバー
の一部を用いて、走査信号線と同じ不透明導電体で同じ
レイヤーで形成する。従って、例えば、フォト工程時の
レジスト塗布時、または露光時に、図８、図９に示すよ
うに、走査信号線と共通電極間にゴミ・フレーク等の異
物が乗るとパターン不良が容易に発生し、その結果、走
査信号線、共通電極および共通電極バスバーが一度に短
絡し、画素の線状の表示不良を引き起こすことになり、
歩留りを大きく低下させることになる。
トランジスタ（TFT）アレイ作成プロセスにおいて、不
透明導電体よりなるこの共通電極は、共通電極バスバー
の一部を用いて、走査信号線と同じ不透明導電体で同じ
レイヤーで形成する。従って、例えば、フォト工程時の
レジスト塗布時、または露光時に、図８、図９に示すよ
うに、走査信号線と共通電極間にゴミ・フレーク等の異
物が乗るとパターン不良が容易に発生し、その結果、走
査信号線、共通電極および共通電極バスバーが一度に短
絡し、画素の線状の表示不良を引き起こすことになり、
歩留りを大きく低下させることになる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明では、横電界方式の液晶表示装置で画素内に配
置された複数の共通電極のうち、映像信号線と隣接する
共通電極を透明導電体で形成し、その透明導電体で作成
した共通電極の下部または上部に、絶縁膜を介して共通
電極と一部分オーバーラップさせて、共通電極バスバー
より切り離され、どこにも電気的に接続していない形状
の不透明導電体によるパターンを作成する。映像信号線
に隣接していないその他の共通電極は、透明導電体より
形成する。
に本発明では、横電界方式の液晶表示装置で画素内に配
置された複数の共通電極のうち、映像信号線と隣接する
共通電極を透明導電体で形成し、その透明導電体で作成
した共通電極の下部または上部に、絶縁膜を介して共通
電極と一部分オーバーラップさせて、共通電極バスバー
より切り離され、どこにも電気的に接続していない形状
の不透明導電体によるパターンを作成する。映像信号線
に隣接していないその他の共通電極は、透明導電体より
形成する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明による横電界方式の
アクティブマトリクス型液晶表示装置の実施形態を、半
導体スイッチ素子として薄膜トランジスタ（以下、TF
T）を用いた場合を例として説明する。
アクティブマトリクス型液晶表示装置の実施形態を、半
導体スイッチ素子として薄膜トランジスタ（以下、TF
T）を用いた場合を例として説明する。
【００１３】（実施の形態１）図１は本発明の第1の実
施形態を示したものであり、液晶表示装置の一画素分の
平面図である。例えばガラスなどの基板上にTFTがマト
リクス状に配置されており、TFTの３つの電極のうちゲ
ート電極は走査信号線６に、ソース電極は映像信号線５
に、ドレイン電極は画素電極４にそれぞれ接続されてい
る。画素電極４は他のTFTに接続されている走査信号線
６とオーバーラップさせることで蓄積容量を形成してお
り、TFTオフ時のリーク電流に起因する画素電圧Vpix低
下の補償を行っている。共通電極バスバー９は画素を貫
くように走査信号線６と平行に形成されており、映像信
号線５に隣接するように、例えばITO（Indium-Tin-Oxid
e）などの透明導電体より共通電極２を形成し、その下
部分には透明導電体にて形成された共通電極２と絶縁膜
を介して、また画素中心部にある共通電極バスバー９よ
り完全分離した、どこにも電気的に接続されていないパ
ターン１を設置する。透明導電体で作成された共通電極
２は、コンタクト部９１にて共通電極バスバー９と接続
させることで同電位となり、画素電極に対する共通電極
としての役割を担っている。
施形態を示したものであり、液晶表示装置の一画素分の
平面図である。例えばガラスなどの基板上にTFTがマト
リクス状に配置されており、TFTの３つの電極のうちゲ
ート電極は走査信号線６に、ソース電極は映像信号線５
に、ドレイン電極は画素電極４にそれぞれ接続されてい
る。画素電極４は他のTFTに接続されている走査信号線
６とオーバーラップさせることで蓄積容量を形成してお
り、TFTオフ時のリーク電流に起因する画素電圧Vpix低
下の補償を行っている。共通電極バスバー９は画素を貫
くように走査信号線６と平行に形成されており、映像信
号線５に隣接するように、例えばITO（Indium-Tin-Oxid
e）などの透明導電体より共通電極２を形成し、その下
部分には透明導電体にて形成された共通電極２と絶縁膜
を介して、また画素中心部にある共通電極バスバー９よ
り完全分離した、どこにも電気的に接続されていないパ
ターン１を設置する。透明導電体で作成された共通電極
２は、コンタクト部９１にて共通電極バスバー９と接続
させることで同電位となり、画素電極に対する共通電極
としての役割を担っている。
【００１４】なお、ダミーパターン１は、映像信号線に
隣接する共通電極２のうち、画素中心部に近い部分には
形成せず、映像信号線側をおおうのが望ましい。こうす
れば明るさを大幅に低下させることなく、映像信号の影
響を防ぐことが出来る。なお、映像信号線と画素電極の
間のスペース部の一部をダミーパターンでおおえば、さ
らに映像信号線による光漏れの無い、均一性の良い表示
を行なうことが出来る。
隣接する共通電極２のうち、画素中心部に近い部分には
形成せず、映像信号線側をおおうのが望ましい。こうす
れば明るさを大幅に低下させることなく、映像信号の影
響を防ぐことが出来る。なお、映像信号線と画素電極の
間のスペース部の一部をダミーパターンでおおえば、さ
らに映像信号線による光漏れの無い、均一性の良い表示
を行なうことが出来る。
【００１５】また、図１の画素をＡ−Ａ’に示す線に沿
って、切断した断面図を図３（ａ）に示し、本発明の液
晶表示装置の製造工程を説明する。まず、アレイ基板１
０１上にどこにも電気的に接続されてない不透明導電体
によるパターン１、共通電極バスバー９ならびに走査信
号線６を不透明導電体で同時に形成する。このとき走査
信号線の一部は、TFTのゲート電極として作用する。そ
の後、絶縁膜８ならびにTFTのチャネル層として半導体
層７を連続して蓄積させ、半導体層のみをパターン形成
する。続いて、画素電極４および映像信号線５を同時に
蓄積する。このとき、画素電極および映像信号線の一部
が、TFTのドレイン電極・ソース電極として作用するよ
うにパターン形成する。最後に、共通電極バスバー上の
絶縁膜の一部に、映像信号線に隣接する透明導電体にて
作成される共通電極２と共通電極バスバー９とのコンタ
クト部９１として穴を開けた後、共通電極２を透明導電
体にて形成する。このアレイ基板１０１と対向基板１０
２の間で液晶層１００を挟時させ、液晶表示装置とな
る。なお、これら基板上には液晶配向膜やカラーフィル
タなどを形成するが、図では省略した。
って、切断した断面図を図３（ａ）に示し、本発明の液
晶表示装置の製造工程を説明する。まず、アレイ基板１
０１上にどこにも電気的に接続されてない不透明導電体
によるパターン１、共通電極バスバー９ならびに走査信
号線６を不透明導電体で同時に形成する。このとき走査
信号線の一部は、TFTのゲート電極として作用する。そ
の後、絶縁膜８ならびにTFTのチャネル層として半導体
層７を連続して蓄積させ、半導体層のみをパターン形成
する。続いて、画素電極４および映像信号線５を同時に
蓄積する。このとき、画素電極および映像信号線の一部
が、TFTのドレイン電極・ソース電極として作用するよ
うにパターン形成する。最後に、共通電極バスバー上の
絶縁膜の一部に、映像信号線に隣接する透明導電体にて
作成される共通電極２と共通電極バスバー９とのコンタ
クト部９１として穴を開けた後、共通電極２を透明導電
体にて形成する。このアレイ基板１０１と対向基板１０
２の間で液晶層１００を挟時させ、液晶表示装置とな
る。なお、これら基板上には液晶配向膜やカラーフィル
タなどを形成するが、図では省略した。
【００１６】本発明における特徴的な点として、画素内
にある複数の共通電極のうち、映像信号線５に隣接する
位置の共通電極の下部に、不透明導電体で作成した、共
通電極バスバーから完全分離した電気的に接続されてい
ないパターン１を、映像信号線側へずらして、また一部
分は共通電極とオーバーラップして形成してあることが
挙げられる。
にある複数の共通電極のうち、映像信号線５に隣接する
位置の共通電極の下部に、不透明導電体で作成した、共
通電極バスバーから完全分離した電気的に接続されてい
ないパターン１を、映像信号線側へずらして、また一部
分は共通電極とオーバーラップして形成してあることが
挙げられる。
【００１７】すなわち、映像信号線に隣接する共通電極
のうち、映像信号線側の半分とダミー電極の重なり面積
が、他方の半分とダミー電極の重なり面積より大である
ようにしている。これにより開口率向上効果を得てい
る。
のうち、映像信号線側の半分とダミー電極の重なり面積
が、他方の半分とダミー電極の重なり面積より大である
ようにしている。これにより開口率向上効果を得てい
る。
【００１８】図3（ｂ）は、図１の画素をＢ−Ｂ’に示
す線に沿って切断した図である。
す線に沿って切断した図である。
【００１９】液晶表示装置を本実施形態で示した構成と
する効果としては、映像信号線に隣接したパターン１
が、プロセスを作成中に、ゴミ・フレーク１０等による
パターン不良が発生し、パターン１のエッジ部が走査信
号線６と接続したとき、共通電極バスバー９と電気的に
離れていることにより、走査信号線−共通電極バスバー
間の短絡が起きず、ライン欠陥として見える表示不良が
起きない。一方、パターン１のエッジ部が共通電極バス
バーと短絡しても、走査信号線６と離れているので、同
様にライン欠陥が発生しない。またパターン１を、不透
明導電体で形成することで、映像信号線５−共通電極２
間の電界による光抜けを遮光することで、画素内の輝度
ばらつきを抑制することができ、任意の映像を良好に表
示することが可能となる。
する効果としては、映像信号線に隣接したパターン１
が、プロセスを作成中に、ゴミ・フレーク１０等による
パターン不良が発生し、パターン１のエッジ部が走査信
号線６と接続したとき、共通電極バスバー９と電気的に
離れていることにより、走査信号線−共通電極バスバー
間の短絡が起きず、ライン欠陥として見える表示不良が
起きない。一方、パターン１のエッジ部が共通電極バス
バーと短絡しても、走査信号線６と離れているので、同
様にライン欠陥が発生しない。またパターン１を、不透
明導電体で形成することで、映像信号線５−共通電極２
間の電界による光抜けを遮光することで、画素内の輝度
ばらつきを抑制することができ、任意の映像を良好に表
示することが可能となる。
【００２０】（実施の形態２）図２は本発明の第２の実
施形態を示したものであり、図１と同様に液晶表示装置
の一画素の平面図を表している。
施形態を示したものであり、図１と同様に液晶表示装置
の一画素の平面図を表している。
【００２１】本実施形態の特徴は、第１の実施形態と同
様に共通電極２を透明導電体で形成し、その下部分に
は、映像信号線を越え隣の画素部の共通電極２まで、共
通電極バスバー９より分離され、電気的にも分離された
パターン１を、不透明導電体で作成したことにある。透
明導電体より形成される共通電極２・３は共通電極バス
バー９とコンタクト部９１で接続されており、これらの
共通電極２・３は常に同電位を保っている。図２の画素
をＡ−Ａ’に示した線で切断した断面図は、第１の実施
形態と同じく図３（ａ）に示すものである。映像信号線
５及び画素電極４を同時形成するまでの工程は実施の形
態１で説明したものと同様である。
様に共通電極２を透明導電体で形成し、その下部分に
は、映像信号線を越え隣の画素部の共通電極２まで、共
通電極バスバー９より分離され、電気的にも分離された
パターン１を、不透明導電体で作成したことにある。透
明導電体より形成される共通電極２・３は共通電極バス
バー９とコンタクト部９１で接続されており、これらの
共通電極２・３は常に同電位を保っている。図２の画素
をＡ−Ａ’に示した線で切断した断面図は、第１の実施
形態と同じく図３（ａ）に示すものである。映像信号線
５及び画素電極４を同時形成するまでの工程は実施の形
態１で説明したものと同様である。
【００２２】液晶表示装置を本実施形態で示した構成と
する効果としては、実施の形態１で示した効果の他に、
映像信号線の容量負荷とならず、パネルの大型化を可能
としながら、より高い遮光効果を得ている点にある。
する効果としては、実施の形態１で示した効果の他に、
映像信号線の容量負荷とならず、パネルの大型化を可能
としながら、より高い遮光効果を得ている点にある。
【００２３】（実施の形態３）図４は本発明の第３の実
施形態を示したものであり、液晶表示装置の一画素の平
面図である。実施の形態１および２では、蓄積容量を画
素電極４と隣接する画素（図では上の画素）の走査信号
線６とが重なり合う部分で形成していたが、本実施形態
のように画素電極４と共通電極バスバー９との重なり合
う部分で形成してもよく、このような画素構成において
も本発明の効果を得ることができる。また、このとき画
素電極４と共通電極バスバー９との間で十分な蓄積容量
が形成できれば、画素電極４の形状はどのようなもので
も構わない。
施形態を示したものであり、液晶表示装置の一画素の平
面図である。実施の形態１および２では、蓄積容量を画
素電極４と隣接する画素（図では上の画素）の走査信号
線６とが重なり合う部分で形成していたが、本実施形態
のように画素電極４と共通電極バスバー９との重なり合
う部分で形成してもよく、このような画素構成において
も本発明の効果を得ることができる。また、このとき画
素電極４と共通電極バスバー９との間で十分な蓄積容量
が形成できれば、画素電極４の形状はどのようなもので
も構わない。
【００２４】また今回は、共通電極バスバー９と電気的
に接続しない不透明導電体からなるパターン１を、共通
電極２の下部に配置して、説明を行なったが、これは、
共通電極２の下部だけではなく、上部に設置しても構わ
ない。
に接続しない不透明導電体からなるパターン１を、共通
電極２の下部に配置して、説明を行なったが、これは、
共通電極２の下部だけではなく、上部に設置しても構わ
ない。
【００２５】さらに、画素電極は不透明であるものとし
たが、これを透明電極で形成すれば、さらに明るい表示
を得ることが出来る。
たが、これを透明電極で形成すれば、さらに明るい表示
を得ることが出来る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明は画素
内部の共通電極を透明導電体で形成し、映像信号線に隣
接する位置に、共通電極バスバーから電気的に分離した
パターンを不透明導電体で形成した。この不透明導電体
パターンは映像信号線と隣接する共通電極と、一部オー
バーラップして形成する構造とした。これによりアレイ
プロセス上でのパターン不良にて発生する、走査信号線
−共通電極バスバー間の短絡による表示不良が発生せ
ず、歩留り向上が容易に出来る。また電気的に何処にも
接続されていないために、映像信号線の容量負荷となら
ず、パネルの大型化が可能である。また不透明導電体パ
ターンを映像信号線と、隣接する共通電極から映像信号
線側へずらして形成することにより、高開口率化を図る
ことができ、なおかつ映像信号線からの電界漏れに起因
する、画素内の輝度ばらつきを抑制することにより、コ
ントラストが向上し、より良い表示性能を持つことがで
きる。
内部の共通電極を透明導電体で形成し、映像信号線に隣
接する位置に、共通電極バスバーから電気的に分離した
パターンを不透明導電体で形成した。この不透明導電体
パターンは映像信号線と隣接する共通電極と、一部オー
バーラップして形成する構造とした。これによりアレイ
プロセス上でのパターン不良にて発生する、走査信号線
−共通電極バスバー間の短絡による表示不良が発生せ
ず、歩留り向上が容易に出来る。また電気的に何処にも
接続されていないために、映像信号線の容量負荷となら
ず、パネルの大型化が可能である。また不透明導電体パ
ターンを映像信号線と、隣接する共通電極から映像信号
線側へずらして形成することにより、高開口率化を図る
ことができ、なおかつ映像信号線からの電界漏れに起因
する、画素内の輝度ばらつきを抑制することにより、コ
ントラストが向上し、より良い表示性能を持つことがで
きる。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す平面図
【図２】本発明の第２の実施形態を示す平面図
【図３】本発明の第１、第２の実施形態を示す断面図
【図４】本発明の第３の実施形態を示す断面図
【図５】特開平９−６１８４２号公報に公開の液晶表示
装置の平面図
装置の平面図
【図６】特開平９−１７８０９６号公報に公開の液晶表
示装置の平面図
示装置の平面図
【図７】発生を意図していない光が漏れる形状の平面図
【図８】発生を意図していない光を遮断する形状の平面
図
図
【図９】発生を意図していない光を遮断する形状の断面
図
図
１ 電気的に分離したパターン ２ 第１の共通電極 ３ 第２の共通電極 ４ 画素電極 ５ 映像信号線 ６ 走査信号線 ７ 半導体層 ８ 絶縁膜 ９ 共通電極バスバー ９１ 共通電極−共通電極バスバーのコンタクト部 １０ ゴミ等の異物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 右田 昌士 (56)参考文献 特開 平11−202356（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−105918（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−329805（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−271810（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/1362
Claims (7)
- 【請求項１】 共通電極、共通電極バスバー、画素電
極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチ素子を
形成したアレイ基板と、前記アレイ基板と前記対向基板
との間に挟持された液晶層とを備えた液晶表示装置であ
って、前記共通電極は透明導電体より形成され、その共
通電極のうち前記映像信号線に隣接する共通電極の上部
または下部の少なくとも一部分に前記共通電極及び前記
共通電極バスバーより電気的に分離されたダミー電極を
持つことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 ダミー電極が、映像信号線とそれ隣接す
る共通電極の間のスペース部の少なくとも一部に形成さ
れている請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 共通電極、共通電極バスバー、画素電
極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチ素子を
形成したアレイ基板と、前記アレイ基板と前記対向基板
との間に挟持された液晶層とを備えた液晶表示装置であ
って、前記共通電極は透明導電体より形成され、その共
通電極のうち前記映像信号線に隣接する共通電極の上部
または下部の少なくとも一部分に、前記映像信号線を挟
んで隣接する２画素にわたって形成され、前記共通電極
および前記共通電極バスバーより電気的に分離されたダ
ミー電極を持つことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 映像信号線に隣接する共通電極のうち、
映像信号線側の半分とダミー電極の重なり面積が、他方
の半分とダミー電極の重なり面積より大である請求項１
から３のいずれか1項記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記画素電極と走査信号線とが重なり合
う部分で、蓄積容量を形成していることを特徴とする請
求項１から４のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記画素電極と前記共通電極バスバーと
が重なり合う部分で、蓄積容量を形成していることを特
徴とする請求項１から４のいずれか1項に記載の液晶表
示装置。 - 【請求項７】 基板にほぼ平行な電界により表示を行な
う請求項１〜６のいずれかに記載の液晶表示装置。
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