JP4674325B2 - 表示画素と非表示画素を含む画像を表示するディスプレイ装置 - Google Patents

Description

本発明は、ディスプレイ装置に関し、特に、表示画素と非表示画素を含む画像を表示するディスプレイ装置に関するものである。

図１は、表示パネルの概略図である。表示パネル１は、堆積、いくつかのフォトリソグラフィーと、いくつかのエッチングのステップによって形成される。上述のいずれの処理ステップでも静電気が表示パネルに蓄積される可能性がある。静電気が長い金属線の両端に蓄積し易いことから、ＴＦＴ１４１〜１４３通常、表示域１２の周りに非表示域１４が必要とされ、静電気放電の電位の破損を減少する。

図２は、表示パネル１の一部、またはブロック１６の概略図である。静電気は、非表示域１４の薄膜トランジスタによって放出される。長い金属線２０を例にすると、静電気は、金属線２０の端に容易に蓄積され、電位が金属線２０の中央部の端から減少する。このように、金属線２０の左端に蓄積した静電気が閾値に達した時、絶縁破壊現象がＴＦＴ１４１〜１４３のゲートに生じる。よって、静電気は、絶縁破壊現象によって放出される可能性がある。

絶縁破壊現象が復元不可能なものであることから、ＴＦＴ１４１〜１４３は、静電気によって容易に破損される。蓄積された静電気がＴＦＴ１４１〜１４３が放出できる静電気よりも大きい時、静電気は、表示域１２のＴＦＴを容易に破損する。よって、欠陥が表示域１２に容易に生じる可能性がある。また、ＴＦＴ１４１〜１４３は、製造中に発生された静電気の量が増加するにつれ、より容易に破損される速度が上がる。

画像を表示するディスプレイ装置を提供する。

ディスプレイ装置の実施例は、表示画素と非表示画素を含む表示パネルを含む。各表示画素は、少なくとも１つのスイッチングＴＦＴを含む。各非表示画素は、複数のダミーＴＦＴを含む。非表示画素間の第１非表示画素のダミーＴＦＴの数は、表示画素間の第１表示画素のスイッチングＴＦＴの数を超える。

画像を表示するディスプレイ装置のもう１つの実施例は、表示画素と非表示画素を含む表示パネルを含む。表示画素は、少なくとも１つのスイッチングＴＦＴを含み、非表示画素は、ダミーＴＦＴを含む。ダミーＴＦＴの数は、スイッチングＴＦＴの数を超える。

本発明の実施例は、１つの表示画素のスイッチングＴＦＴの数を超える１つの非表示画素のダミーＴＦＴの数を提供するために、異なるレイアウト方法を用いることができ、破損を減少することができる。

本発明についての目的、特徴、長所が一層明確に理解されるよう、以下に実施形態を例示し、図面を参照にしながら、詳細に説明する。

図３は、画像を表示するディスプレイ装置の実施例の概略図である。この実施例では、ディスプレイ装置は、電子装置３として実施される。一例として、電子装置３は、携帯電話、ＰＤＡ、ラップトップ型コンピュータ、ノートブック型コンピュータ、タブレット型コンピュータ、カーテレビ、またはデジタルカメラなどであることができる。電子装置３は、ゲートドライバ３２、ソースドライバ３４と、表示パネル３６を含む。ゲートドライバ３２は、スキャン信号Ｓ１〜Ｓｎをゲートラインに提供する。ソースドライバ３４は、データ信号Ｄ１〜Ｄｍをソースラインに提供する。表示パネル３６は、表示域３６２と非表示域３６４を含む。いくつかの実施例では、ディスプレイパネルは、ゲートドライバとソースドライバを統合する。

図４ａは、図３のディスプレイ装置の一部（ブロック３６６）の概略図である。図４ａに示すように、表示域３６２は、表示画素Ｄ₁₁〜Ｄ₁₂を含む。各表示画素は、少なくとも１つのスイッチングＴＦＴを含む。非表示域３６４は、非表示画素Ｎ₁₁〜Ｎ₂₂を含む。各非表示画素は、ダミーＴＦＴを含む。非表示画素間の第１非表示画素のダミーＴＦＴの数は、表示画素間の第１表示画素のスイッチングＴＦＴの数を超える。スイッチングＴＦＴの数とダミーＴＦＴの数は、限定されない。この実施例では、各表示画素は、１つのスイッチングＴＦＴを含み、各非表示画素は、４つのダミーＴＦＴを含む。

表示パネル３６は、ダミーＴＦＴの数を増加することで、静電気を放出する能力を増すことができる。ダミーＴＦＴの数は、スイッチングＴＦＴの数を超えるが、非表示域３６４の１つの非表示画素の領域は、表示域３６２の１つの表示画素の領域に等しいことができる。

非表示画素Ｎ₁₁〜Ｎ₂₂の構造が同じであることから、ここでは非表示画素Ｎ₁₁のみを例として説明される。図４ａに示すように、非表示画素Ｎ₁₁は、ダミーＴＦＴ４０１〜４０４を含む。ダミーＴＦＴ４０１は、ソースライン４０とコンデンサ４０５間でダミーＴＦＴ４０２に直列接続される。ダミーＴＦＴ４０３は、節点Ｐ１とＰ２間でダミーＴＦＴ４０４に直列接続される。

静電気が金属線４１の左端に蓄積し、プリセット値に達した時、絶縁破壊現象がダミーＴＦＴ４０１〜４０４のゲートに生じる。よって、静電気は、経路４１１〜４１８によって放出されることができる。よって、静電気が非表示画素Ｎ₁₁によって放出された時、金属線４１の左端の静電気が減少される。

非表示画素Ｎ₁₁のダミーＴＦＴの数が増加されることから、静電気の大部分が経路４１１〜４１８によって放出される。よって、絶縁破壊現象が非表示画素Ｎ₂₁と表示画素Ｄ₁₁のダミーＴＦＴで発生しない。

非表示画素のダミーＴＦＴの数が増加された時、ダミーＴＦＴは、より多くの静電気を放出することができる。よって、非表示画素の静電気放電を放出する能力が高められる。

いくつかの実施例では、ダミーＴＦＴで絶縁破壊現象を容易に起こすために、１つのダミーＴＦＴのチャネル幅、またはチャネル長さは、１つのスイッチングＴＦＴのよりも小さい。

図４ｂは、非表示画素Ｎ₁₁の実施例のレイアウト図である。ダミーＴＦＴ４０１〜４０４のゲートは、ゲートライン４１に接続される。ダミーＴＦＴ４０１は、ソースライン４０とコンデンサ４０５間でダミーＴＦＴ４０２に直列接続される。ダミーＴＦＴ４０３は、節点Ｐ１とＰ２間でダミーＴＦＴ４０４に直列接続される。ダミーＴＦＴ４０１は、ダミーＴＦＴ４０３と並列接続される。ダミーＴＦＴ４０２は、ダミーＴＦＴ４０４と並列接続される。いくつかの実施例では、ダミーＴＦＴ４０１は、フローティングされた節点間でダミーＴＦＴ４０２に直列接続されることができる。

図５ａは、非表示画素のもう１つの実施例の概略図である。図５ｂは、図５ａの実施例のレイアウト図である。図５ａと図５ｂに示すように、ダミーＴＦＴ５０１〜５０７のゲートは、ゲートライン５１に接続される。ダミーＴＦＴ５０１は、ソースライン５０とコンデンサ５０８間でダミーＴＦＴ５０２と５０３に直列接続される。ダミーＴＦＴ５０４は、節点Ｐ３とＰ４間でダミーＴＦＴ５０５に直列接続される。ダミーＴＦＴ５０６は、節点Ｐ５とＰ６間でダミーＴＦＴ５０７に直列接続される。節点Ｐ３〜Ｐ６の状態は、フローティング状態（ｆｌｏａｔｉｎｇ ｓｔａｔｅ）である。図４ａと５ａが同じ原理を有することから、図５ａの記述は、省略される。

図６は、非表示画素のもう１つの実施例の概略図である。図６に示すように、ダミーＴＦＴ６０１〜６０９のゲートは、ゲートライン６１に接続される。ダミーＴＦＴ６０１は、ソースライン６０とコンデンサ６１０間でダミーＴＦＴ６０２と６０３に直列接続される。ダミーＴＦＴ６０４は、ダミーＴＦＴ６０５と６０６に並列接続される。ダミーＴＦＴ６０７は、ダミーＴＦＴ６０８と６０９に並列接続される。ダミーＴＦＴ６０１は、ダミーＴＦＴ６０４に並列接続される。ダミーＴＦＴ６０３は、ダミーＴＦＴ６０７に並列接続される。図４ａと６が同じ原理を有することから、図６の記述は、省略される。

以上、本発明の好適な実施例を例示したが、これは本発明を限定するものではなく、本発明の精神及び範囲を逸脱しない限りにおいては、当業者であれば行い得る少々の変更や修飾を付加することは可能である。従って、本発明が保護を請求する範囲は、特許請求の範囲を基準とする。

表示パネルの概略図である。 図１の表示パネルの一部の概略図である。 画像を表示するディスプレイ装置の実施例の概略図である。 図３のディスプレイ装置の一部の概略図である。 図４ａの実施例のレイアウト図である。 非表示画素のもう１つの実施例の概略図である。 図５ａの実施例のレイアウト図である。 非表示画素のもう１つの実施例の概略図である。

符号の説明

１、３６ 表示パネル
１２、３６２ 表示域
１４、３６４ 非表示域
１６、３６６ ブロック
２０、４１ 金属線
１４１、１４３ 薄膜トランジスタ
Ａ、Ｂ、４１１〜４１８ 経路
３ 電子装置
３２ ゲートドライバ
３４ ソースドライバ
Ｄ₁₁〜Ｄ₁₂ 表示画素
Ｎ₁₁〜Ｎ₂₂ 非表示画素
Ｄ１〜Ｄｍ データ信号
Ｓ１〜Ｓｎ スキャン信号
４０１〜４０４、５０１〜５０７、６０１〜６０９ ダミーＴＦＴ
４０、５０、６０ ソース電極
４１、５５、６１ ゲート電極
４０５、５０８、６１０ コンデンサ
Ｐ１〜Ｐ６ 節点
４１１〜４１８ 経路

Claims (10)

1. 表示パネルは、
   少なくとも１つのスイッチングＴＦＴをそれぞれ含む複数の表示画素、および
   複数のダミーＴＦＴをそれぞれ含む、前記表示画素に等しい面積を有する複数の非表示画素を含み、前記非表示画素間の第１非表示画素の前記ダミーＴＦＴの数は、前記表示画素間の第１表示画素の前記スイッチングＴＦＴの数を超え、且つ、前記非表示画素は、少なくとも１つの前記ダミーＴＦＴのソース／ドレインがフローティング節点に接続され、前記ダミーＴＦＴの絶縁破壊現象によりゲートラインに蓄積された静電気を放出し、
   前記第１非表示画素の前記ダミーＴＦＴは、複数の第１ダミーＴＦＴと複数の第２ダミーＴＦＴに分けられ、前記第１と前記第２ダミーＴＦＴのゲートは前記ゲートラインに接続され、前記第１ダミーＴＦＴは互いに直列接続され、前記第２ダミーＴＦＴは互いに並列接続される、画像を表示するディスプレイ装置。
2. 表示パネルは、
   少なくとも１つのスイッチングＴＦＴをそれぞれ含む複数の表示画素、および
   複数のダミーＴＦＴをそれぞれ含む、前記表示画素に等しい面積を有する複数の非表示画素を含み、前記非表示画素間の第１非表示画素の前記ダミーＴＦＴの数は、前記表示画素間の第１表示画素の前記スイッチングＴＦＴの数を超え、且つ、前記非表示画素は、少なくとも１つの前記ダミーＴＦＴのソース／ドレインがフローティング節点に接続され、前記ダミーＴＦＴの絶縁破壊現象によりゲートラインに蓄積された静電気を放出し、
   前記第１非表示画素の前記ダミーＴＦＴは、複数の第１ダミーＴＦＴと複数の第２ダミーＴＦＴに分けられ、前記第１と前記第２ダミーＴＦＴのゲートは前記ゲートラインに接続され、前記第１ダミーＴＦＴは互いに直列接続され、前記第２ダミーＴＦＴは互いに直列接続される、画像を表示するディスプレイ装置。
3. 前記第１ダミーＴＦＴの１つは、前記第２ダミーＴＦＴの１つに並列接続される請求項２に記載のディスプレイ装置。
4. １つのダミーＴＦＴのチャネル長さは、１つのスイッチングＴＦＴのチャネル長さよりも小さい請求項１または２に記載のディスプレイ装置。
5. 前記表示パネルに複数のスキャン信号を提供するように作動されるゲートドライバ、および
   前記表示パネルに複数のデータ信号を提供するように作動されるソースドライバを更に含む請求項１または２に記載のディスプレイ装置。
6. 前記表示パネルに信号を提供する装置を更に含む請求項１または２に記載のディスプレイ装置。
7. 表示画素と、前記表示画素に等しい面積を有する非表示画素を含む表示パネルを含み、前記表示画素は、少なくとも１つのスイッチングＴＦＴを含み、前記非表示画素は、ダミーＴＦＴを含み、前記ダミーＴＦＴの数は、前記スイッチングＴＦＴの数を超え、且つ、前記非表示画素は、少なくとも１つの前記ダミーＴＦＴのソース／ドレインがフローティング節点に接続され、前記ダミーＴＦＴの絶縁破壊現象によりゲートラインに蓄積された静電気を放出し、
   前記ダミーＴＦＴは、第１グループのダミーＴＦＴと第２グループのダミーＴＦＴに分けられ、前記ダミーＴＦＴはゲートを有し、前記第１と第２グループのダミーＴＦＴの前記ゲートは前記ゲートラインに接続され、前記第１グループのダミーＴＦＴは互いに直列接続され、前記第２グループのダミーＴＦＴは互いに並列接続される、画像を表示するディスプレイ装置。
8. 前記ディスプレイ装置は、電子装置を含み、前記電子装置は、前記表示パネルを含む請求項７に記載のディスプレイ装置。
9. 前記電子装置は、ラップトップ型コンピュータである請求項８に記載のディスプレイ装置。
10. 前記表示パネルに信号を提供する装置を更に含む請求項８に記載のディスプレイ装置。

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