JP2008026537A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】電気光学装置において高品質な画像表示を行う。
【解決手段】基板(10)と、基板上に引き回され、画素部や周辺回路部に電気的に接続されると共に、一又は複数のクロック信号の電気的経路を構成する少なくとも一本のクロック信号配線(801b)と、基板上に引き回され、画素部や周辺回路部に電気的に接続されると共に、複数の他の信号の電気的経路を夫々構成する複数の他の信号配線(801a)とを備える。基板上で平面的に見て、複数の他の信号配線のうち少なくとも一本のクロック信号配線と隣接する一の信号配線と、少なくとも一本のクロック信号配線との間の距離は、相隣接する複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きい。
【選択図】図3
【解決手段】基板(10)と、基板上に引き回され、画素部や周辺回路部に電気的に接続されると共に、一又は複数のクロック信号の電気的経路を構成する少なくとも一本のクロック信号配線(801b)と、基板上に引き回され、画素部や周辺回路部に電気的に接続されると共に、複数の他の信号の電気的経路を夫々構成する複数の他の信号配線(801a)とを備える。基板上で平面的に見て、複数の他の信号配線のうち少なくとも一本のクロック信号配線と隣接する一の信号配線と、少なくとも一本のクロック信号配線との間の距離は、相隣接する複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きい。
【選択図】図3
Description
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
この種の電気光学装置は、基板上に、複数の画素部が所定パターンで配列される画素領域が形成されると共に、画素領域の周辺に位置する周辺領域には、各画素部を選択して駆動させる周辺回路部が配置される。そして、基板上には、複数の画素部及び周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されて引き回され、画素部又は周辺回路部を駆動するための、画像信号、クロック信号、制御信号、電源信号等の各種信号の電気的経路を構成する各種配線が設けられる。
特許文献1によれば、各種配線のうち、画像信号に対して、複数種類のクロック信号のうち他のクロック信号と比較して高周波数のクロック信号がノイズ源として影響を与えるのを防止するために、画像信号が供給される画像信号線に対して、高周波数のクロック信号が供給されるクロック信号配線を、これら画像信号線及びクロック信号配線間に配置された固定電位の配線(例えば電源配線)であるシールド線を挟んで、基板面に沿う方向(以下「横方向」と称して説明することもある)で配列させ、電磁的にシールドする構成が開示されている。
しかしながら特許文献1に開示された構成によれば、基板上において、横方向で、クロック信号配線に対してシールド線が隣接するため、これら両配線間で寄生容量が生じる。そして、この寄生容量に起因して、先ず、クロック信号配線におけるクロック信号の信号遅延が生じるという不具合が発生するおそれがあり、これと共にクロック信号の波形が乱れたり、なまったりという不具合が発生するおそれもある。特に、このような信号遅延等の不具合が高周波数のクロック信号について生じると、電気光学装置において画像表示を行う場合に、画像表示において視認される程度の顕著な表示不良を発生させ、画像表示の品質が劣化する、という問題が起こり得る。
また、一般的な要請として電気光学装置の動作の高速化があり、このような高速化に伴い、各種クロック信号が高周波数化されると、前述したような問題の顕著化を招くこととなる。
本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、高品質な画像を表示可能な電気光学装置及び該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
本発明の第1電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、前記基板上の前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置されており、前記複数の画素部を駆動する周辺回路部と、前記周辺領域に配列された複数の外部回路接続端子と、該複数の外部回路接続端子のうち第1端子部分から、前記基板上に引き回され、前記画素部及び前記周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されると共に、一又は複数のクロック信号の電気的経路を構成する少なくとも一本のクロック信号配線と、前記複数の外部回路接続端子のうち第2端子部分から、前記基板上に引き回され、前記画素部及び前記周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されると共に、前記クロック信号とは異なる複数の他の信号の電気的経路を夫々構成する複数の他の信号配線とを備え、前記複数の他の信号配線のうち前記少なくとも一本のクロック信号配線と前記基板上で平面的に見て隣接する一の信号配線と、前記少なくとも一本のクロック信号配線との間の距離は、前記基板上で平面的に見て相隣接する前記複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きい。
本発明に係る第1電気光学装置によれば、その動作時には、例えば周辺駆動回路部のうちデータ線駆動回路用の正転クロック信号や反転クロック信号或いは走査線駆動回路用の正転クロック信号や反転クロック信号などの、一又は複数のクロック信号は、複数の外部回路接続端子のうち第1端子部分から、基板上に引き回される少なくとも一本のクロック信号配線を介して、周辺回路部や画素部に供給される。尚、一又は複数のクロック信号は、典型的には、複数種類のクロック信号を意味するが、同一種類のクロック信号ものが複数ある場合を意味してもよい。このようなクロック信号の供給と並行して又は相前後して、例えば画像信号、制御信号、電源信号などの、クロック信号とは異なる他の信号は、複数の外部回路接続端子のうち第2端子部分から、基板上に引き回される複数の他の信号配線を介して、周辺回路部や画素部に供給される。これらのクロック信号及び他の信号の供給に応じて、例えばデータ線駆動回路、走査線駆動回路などを含む周辺回路部によって、例えば走査線やデータ線を介して画素部が駆動され、画素領域における画像表示動作がアクティブマトリクス駆動方式で行われる。
ここで本発明では特に、複数の他の信号配線のうち少なくとも一本のクロック信号配線と隣接する一の信号配線と、該少なくとも一本のクロック信号配線との間の距離は、相隣接する複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きい。ここで一般に、並んで延びる配線間における寄生容量は、概ね該配線間の距離に反比例する。よって、クロック信号配線と、これに隣接する他の信号配線との間に生じる寄生容量を、相隣接する他の信号配線同士の間で生じる寄生容量より低減することが可能となる。
従って、少なくとも一本のクロック信号配線について、これと隣接する他の信号配線との間に生じる寄生容量に起因する、クロック信号の遅延や信号波形の乱れを低減することができる。よって、電気光学装置の動作を高速化しても、例えば電気光学装置における画像表示で視認されるほどの顕著な表示不良が発生するのを防止することができる。
特に、クロック信号について上述したような寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じると、他の信号について上述したような寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じる場合と比較して、信号自身に対する該不具合の程度が強くなり、顕著な表示不良が生じ易くなる。しかるに、本発明によれば、例えば、このように表示画像に与える影響の大きいクロック信号が供給されるクロック信号配線について、これと隣接する他の信号配線との間における寄生容量を低減させることで、有効に顕著な表示不良の発生を防止することができる。
更に、複数種類のクロック信号のうち、他のクロック信号(例えば、比較的低周波で駆動される走査線駆動回路用のクロック信号)と比較して高周波数であるクロック信号(例えば、比較的高周波で駆動されるデータ線駆動回路用のクロック信号)について、上述したような寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じると、他の低周波数のクロック信号の場合と比較して、顕著な表示不良が生じ易くなる。しかるに、本発明によれば、例えば、このように表示画像に与える影響の大きいクロック信号が供給されるクロック信号配線について、これと隣接する他の信号配線との間における寄生容量を低減させることで、有効に顕著な表示不良の発生を防止することができる。この際、複数のクロック信号配線や他の信号配線に対する部分的な設計変更のみ或いは配線レイアウト変更のみで足りるため、大幅な設計変更を加えることにより電気光学装置が大型化するのを防止することが可能となる。
尚、本発明に係る、配線間の「距離が大きい」という条件については、外部回路接続端子から基板上に引き回されるクロック信号配線の全部又は大部分に関して「距離が大きい」という関係が成立することが好ましい。だが、クロック信号線の一部に関して「距離が大きい」という関係が崩れていても、上述した寄生容量を低減する効果は、相応に得られる。従って、少なくとも部分的に並んで延びるクロック信号配線や他の信号配線に関して、上述した寄生容量を低減する効果が顕在化する程度にそれらの少なくとも一部において、本発明に係る「距離が大きい」という関係が、成立していればよいことになる。要すれば、本発明に係る「一の信号配線とクロック信号配線との間の距離は、他の信号配線同士間の距離と比べて大きい」とは、広義には、上述した寄生容量を低減する効果が顕在化する程度の、クロック信号配線部分や他の信号配線部分において成立していれば足り、狭義には、クロック信号配線や他の信号配線各々の主要部について、言い換えれば該各々の半分以上の長さに亘って成立していれば足りる。そして好ましくは、配線が交差する箇所或いは中継箇所や、回路部との接続箇所、先端や終端などの特殊箇所を除く、クロック信号配線や他の信号配線の全部或いは大部分について「一の信号配線とクロック信号配線との間の距離は、他の信号配線同士間の距離と比べて大きい」ことが望ましい。
以上の結果、本発明の第1電気光学装置によれば、動作を高速化且つ小型化しつつ、高品質な画像表示を行うことができる。
本発明に係る第1電気光学装置の一態様では、前記少なくとも一本のクロック信号配線は、前記基板上で平面的に見て相隣接する二本のクロック信号配線を含み、前記二本のクロック信号配線同士間の距離は、前記複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きい。
この態様によれば、相隣接する二本のクロック信号配線間に生じる寄生容量を、相隣接する他の信号配線同士の間で生じる寄生容量より低減することが可能となる。従って、これら二本のクロック信号配線について、寄生容量に起因する、クロック信号の遅延や信号波形の乱れを低減することができる。特に正転クロック信号と反転クロック信号となどの異なる種類のクロック信号に、これらに係るクロック信号配線間の寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じると、顕著な表示不良が生じ易くなるので、本態様は、極めて効率的に表示品質を向上させることにつながる。
本発明の第2電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、前記基板上の前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置されており、前記複数の画素部を駆動する周辺回路部と、前記周辺領域に配列された複数の外部回路接続端子と、該複数の外部回路接続端子のうち第1端子部分から、前記基板上に引き回され、前記画素部及び前記周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されると共に、一又は複数のクロック信号の電気的経路を構成する複数のクロック信号配線と、前記複数の外部回路接続端子のうち第2端子部分から、前記基板上に引き回され、前記画素部及び前記周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されると共に、前記クロック信号とは異なる複数の他の信号の電気的経路を夫々構成する複数の他の信号配線とを備え、前記複数のクロック信号配線は、前記基板上で平面的に見て相隣接する二本のクロック信号配線を含み、前記二本のクロック信号配線同士間の距離は、前記基板上で平面的に見て相隣接する前記複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きい。
本発明に係る第2電気光学装置によれば、その動作時には、例えば正転クロック信号や反転クロック信号などの複数のクロック信号が複数のクロック信号配線を介して供給されつつ、上述した本発明に係る第1電気光学装置の場合と概ね同様に、画素領域における画像表示動作がアクティブマトリクス駆動方式で行われる。
ここで本発明では特に、相隣接する二本のクロック信号配線同士間の距離は、相隣接する前記複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きい。よって、相隣接する二本のクロック信号配線同士間に生じる寄生容量を、相隣接する他の信号配線同士の間で生じる寄生容量より低減することが可能となる。
従って、二本のクロック信号配線について、寄生容量に起因する、クロック信号の遅延や信号波形の乱れを低減することができる。よって、電気光学装置の動作を高速化しても、例えば電気光学装置における画像表示で視認されるほどの顕著な表示不良が発生するのを防止することができる。
特に、クロック信号について上述したような寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じると、他の信号について上述したような寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じる場合と比較して、信号自身に対する該不具合の程度が強くなり、顕著な表示不良が生じ易くなる。特に正転クロック信号と反転クロック信号となどの異なる種類のクロック信号に、これらに係るクロック信号配線同士間の寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じると、顕著な表示不良が生じ易くなる。しかるに、本発明によれば、例えば、このように表示画像に与える影響の大きいクロック信号が供給されるクロック信号配線について、寄生容量を低減させることで、有効に顕著な表示不良の発生を防止することができる。
更に、複数種類のクロック信号のうち、他のクロック信号と比較して高周波数であるクロック信号について、上述したような寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じると、他の低周波数のクロック信号の場合と比較して、顕著な表示不良が生じ易くなる。しかるに、本発明によれば、例えば、このように表示画像に与える影響の大きいクロック信号が供給されるクロック信号配線について寄生容量を低減させることで、有効に顕著な表示不良の発生を防止することができる。この際、複数のクロック信号配線や他の信号配線に対する部分的な設計変更のみ或いは配線レイアウト変更のみで足りるため、大幅な設計変更を加えることにより電気光学装置が大型化するのを防止することが可能となる。
加えて、複数種類のクロック信号が供給される2本のクロック信号配線について夫々、別々に他の信号配線との距離を大きくしようとする場合と比較して、距離を離す箇所を少なくとすることができ、全体として当該距離を離すために必要な設計変更を少なくすることが可能となる。
以上の結果、本発明の第2電気光学装置によれば、動作を高速化且つ小型化しつつ、高品質な画像表示を行うことができる。
本発明に係る第2電気光学装置の一態様では、前記二本のクロック信号配線は、前記複数のクロック信号として、正転クロック信号及び該正転クロック信号に対して位相が反転している反転クロック信号の電気的経路を夫々構成する。
この態様によれば、クロック信号配線同士間の寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じると、顕著な表示不良が生じ易くなる正転クロック信号と反転クロック信号とについて、かかる不具合の元となる寄生容量に起因する信号遅延等を防止或いは低減できるので、極めて効率的に表示品質を向上できる。
本発明に係る第1又は第2電気光学装置の他の態様では、前記二本のクロック信号配線の一方は、少なくとも前記距離が大きい部分において、前記画素部を構成する複数の導電膜のうち、前記基板上において下層側から順に相互間に層間絶縁膜を介して積層される、第1の導電膜、第2の導電膜及び第3の導電膜のうち、前記第1の導電膜と同一膜により形成され、前記二本のクロック信号配線の他方は、少なくとも前記距離が大きい部分において、前記第3の導電膜と同一膜により形成される。
この態様によれば、二本のクロック信号配線について、画素部における第1から第3の導電膜により構成される3層の積層構造と同一の積層構造内に、最下層の第1層と最上層の第3層とで、更に基板面に垂直な方向(以下「縦方向」と称して説明することもある)で距離をおいて配置させることができる。尚、本発明において「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜を意味する。
よって、2本のクロック信号配線を相隣接して配置する場合に、これら2本のクロック信号配線間の横方向の距離をより大きくすることなしに、縦方向で更に距離をおくことで、基板上で2本のクロック信号配線の配置に要するスペースを大きくしなくても、これら2本のクロック信号配線間の寄生容量をより低減させることが可能となる。従って、基板が大型化するのを防止しつつ、より効果的に顕著な表示不良の発生を防止することができる。
また、この態様では、画素部における3層の積層構造を構成する導電膜と同一膜により、2本のクロック信号配線が少なくとも部分的に形成されることにより、電気光学装置の製造プロセスにおいて、3層の積層構造を構成する導電膜と共に形成することで、工程数を削減し、より簡略化することが可能となる。
この第1から第3の導電膜に係る態様では、前記複数の他の信号配線のうち前記二本のクロック信号配線の一方又は他方と前記基板上で平面的に見て隣接する一の信号配線は、前記第2の導電膜と同一膜により形成されてもよい。
このように構成すれば、クロック信号配線の横方向に存在する一の信号配線を、他の信号配線に対してクロック信号をシールドする、シールド線として、ある程度機能させつつ、該一の信号配線とクロック信号線との間の距離を、縦方向を利用することで、ある程度大きくとることも可能となる。
この態様では、前記一の信号配線は、前記他の信号として、所定電位の信号の電気的経路を構成しており、前記複数の他の信号配線は、前記基板上で平面的に見て前記一の信号配線を基準にして前記二本のクロック信号配線の一方又は他方と反対側に、前記他の信号としての前記画素部に供給される画像信号の電気的経路となる画像信号配線を含むように構成してもよい。
このように構成すれば、画像信号線とクロック信号配線との間に介在すると共に、固定電位や基準電位に対して反転する反転電位などの所定電位に固定された一の信号配線によって、画像信号線に対してクロック信号をシールドすること即ちクロックノイズが画像信号にのるのを効果的に防止することができ、或いは、クロック信号配線に対して画像信号をシールドすること即ち画像信号に係る高周波ノイズがクロック信号にのるのを効果的に防止することができる。
上述した第1から第3の導電膜に係る態様では、前記第1から第3の導電膜は夫々、アルミニウムを含む導電材料により形成されてもよい。
このように構成すれば、画素部における3層の積層構造と同一の積層構造内に配置される、2本のクロック信号配線の各々の少なくとも一部、更にこれに加えて、2本のクロック信号配線の各々の少なくとも一部と共に配置される他の信号配線の少なくとも一部についても、電気的な抵抗を低抵抗化させることができる。
本発明に係る第1電気光学装置の他の態様では、前記第1端子部分のうち前記少なくとも一本のクロック信号配線の先端が接続されたクロック端子と、前記第2端子部分のうち前記クロック端子と隣接する信号端子との間の距離は、前記第2端子部分のうち相隣接する二つの信号端子同士間の距離と比べて大きい。
この態様によれば、外部回路接続端子の配列において、クロック端子とこれと隣接する信号端子との間に生じる寄生容量を、相隣接する二つの信号端子同士間で生じる寄生容量より低減することが可能となる。従って、配線部分のみならず端子部分において、クロック信号に係る信号遅延や信号波形の乱れをより低減することができる。
この態様では、前記クロック端子と隣接する信号端子は、前記クロック信号配線を介して前記クロック端子と短絡されているように構成してもよい。
このように構成すれば、クロック端子と隣接する信号端子は、クロック信号配線を介してクロック端子と短絡されているダミー端子或いは冗長端子として機能する。従って、外部回路接続端子における配列ピッチを一定としたまま、クロック端子とこれと隣接する信号端子との間に生じる寄生容量を、低減することが可能となる。外部回路接続端子を等間隔で配列させることにより、電気光学装置の製造プロセスにおいて、外部回路を外部回路接続端子に接続する工程が複雑化する不都合や、係る配列ピッチについて設計変更を要するために製造工程が煩雑となり製造コストの増加を招く等の不具合が生じるのを防止することが可能となる。
本発明に係る第2電気光学装置の他の態様では、前記第1端子部分のうち前記二本のクロック信号配線の先端が接続された二本のクロック端子間の距離は、前記第2端子部分のうち相隣接する二つの端子同士間の距離と比べて大きい。
この態様によれば、外部回路接続端子の配列において、クロック端子間に生じる寄生容量を、相隣接する二つの信号端子同士間で生じる寄生容量より低減することが可能となる。従って、配線部分のみならず端子部分において、クロック信号に係る信号遅延や信号波形の乱れをより低減することができる。
この態様では、前記第2端子部分のうち前記クロック端子と隣接する信号端子は、前記クロック信号配線を介して前記クロック端子と短絡されているように構成してもよい。
このように構成すれば、クロック端子と隣接する信号端子は、クロック信号配線を介してクロック端子と短絡されているダミー端子或いは冗長端子として機能する。従って、外部回路接続端子における配列ピッチを一定としたまま、クロック端子とこれと隣接する信号端子との間に生じる寄生容量を、低減することが可能となる。
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の第1又は第2電気光学装置(但し、その各種態様も含む)を具備する。
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る第1又は第2電気光学装置を具備してなるので、動作を高速化し且つ小型化しつつ高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置(Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display)、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
先ず、本実施形態における液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。ここに、図1は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板の側から見た液晶装置の概略的な平面図であり、図2は、図1のH−H'断面図である。
図1及び図2において、液晶装置は、対向配置されたTFTアレイ基板10と対向基板20とから構成されている。TFTアレイ基板10と対向基板20との間には液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画素領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されている。
シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材52中には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔(基板間ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材56が散布されている。
シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画素領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜53の一部又は全部は、TFTアレイ基板10側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
TFTアレイ基板10上における、画素領域10aの周辺に位置する周辺領域には、周辺回路部が、データ線駆動回路101及びサンプリング回路7、走査線駆動回路104、外部回路接続端子102を含んで形成される。
TFTアレイ基板10上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102が、TFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。また、TFTアレイ基板10上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、TFTアレイ基板10の一辺に沿う画素領域10aの一辺に沿って且つ額縁遮光膜53に覆われるようにしてサンプリング回路7が配置される。
また、走査線駆動回路104は、TFTアレイ基板10の一辺に隣接する2辺に沿い、且つ、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。更に、このように画素領域10aの両側に設けられた二つの走査線駆動回路104間を電気的に接続するため、TFTアレイ基板10の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜53に覆われるようにして複数の配線105が設けられている。
また、TFTアレイ基板10上の周辺領域において、対向基板20の4つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子106が配置されると共に、このTFTアレイ基板10及び対向基板20間には上下導通材が上下導通端子106に対応して該端子106に電気的に接続されて設けられる。
図2において、TFTアレイ基板10上の画素領域10aには、画素スイッチング用素子としてのTFT(Thin Film Transistor)や走査線、データ線等の配線上に画素電極9aが、更にその上から配向膜16が形成されている。尚、本実施形態では、画素スイッチング素子はTFTのほか、各種トランジスタ或いはTFD等により構成されてもよい。
他方、対向基板20上の画素領域10aには、格子状又はストライプ状の遮光膜23が形成され、この遮光膜23上(図2中遮光膜23より下側)に、液晶層50を介して複数の画素電極9aと対向する対向電極21が形成され、更に、配向膜22が形成される。
液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極9aと対向電極21との間には液晶保持容量が形成される。
尚、ここでは図示しないが、TFTアレイ基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
次に、液晶装置に係る電気的な構成について、図3及び図4を参照して説明する。ここに、図3は、TFTアレイ基板上の周辺領域における各種駆動回路の配置関係や電気的な接続関係等の構成を概略的に示すブロック図であり、図4は、複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
図3において、TFTアレイ基板10上における画素領域10aには、マトリクス状に配置された複数の画素電極9aと、互いに交差して配列された複数の走査線11a及びデータ線6aとが形成され、走査線11a及びデータ線6aの交差に対応して画素に対応する画素部が構築されている。
また、TFTアレイ基板10上における周辺領域には、周辺回路部を構成するデータ線駆動回路101及びサンプリング回路7、並びに走査線駆動回路104が設けられている。
また、周辺回路部には図1又は図2を参照して説明したように、複数の外部回路接続端子102が配置される。本実施形態において、複数の外部回路接続端子102には、外部回路(図示省略)より、Yクロック信号CLY並びにその反転信号CLYB、Xクロック信号CLX並びにその反転信号CLXB等の複数種類のクロック信号、画像信号VID1〜VID6、電源VSSX、VDDX等、その他の各種信号が供給される。尚、本実施形態では、このような複数種類の信号のうち少なくとも一部が周辺回路部内で生成されて供給されるようにしてもよい。この場合、周辺回路部内で生成されて供給される信号については、外部回路接続端子102を設けなくてもよい。
そして、複数の外部回路接続端子102には、複数種類のクロック信号が供給される複数のクロック信号配線用端子102b、クロック信号以外の、画像信号VID1〜VID6、電源VSSX、VDDX等の各種信号が供給される複数の引き回し配線用端子102aが含まれる。
また、複数のクロック信号配線用端子102bには夫々、クロック信号配線801bの一端側が電気的に接続され、複数の引き回し配線用端子102aには夫々、引き回し配線801aの一端側が電気的に接続される。各クロック信号配線801bは、TFTアレイ基板10上の周辺領域において、一端側から他端側に向かって、データ線駆動回路101やサンプリング回路7の周囲に引き回されて、他端側がデータ線駆動回路101や走査線駆動回路104に電気的に接続される。また、各引き回し配線801aも、クロック信号配線801bと同様に、TFTアレイ基板10上の周辺領域において引き回されて、他端側がデータ線駆動回路101や走査線駆動回路104に電気的に接続される。
尚、クロック信号配線801b又は引き回し配線801bは、図3中に示されるように、周辺回路部内でデータ線駆動回路101等に電気的に接続される構成に加えて若しくは代えて、クロック信号又はその他各種信号を供給するために、一端側から他端側に引き回されて、各画素部に電気的に接続される場合もあるが、この構成については図示を省略してある。
本実施形態では、走査線駆動回路104には、例えば外部回路より、クロック信号配線用端子102b及びクロック信号配線801bを介して、Yクロック信号CLY並びにその反転信号である反転Yクロック信号CLYBが供給されると共に、例えば外部回路より引き回し配線用端子102a及び引き回し配線801aを介して、YスタートパルスDY並びに電源VDDY及びVSSYが供給される。走査線駆動回路104は、YスタートパルスDYが入力されると、Yクロック信号CLY及び反転Yクロック信号CLYinvに基づくタイミングで走査信号を順次生成して出力する。
本実施形態では、データ線駆動回路101には、例えば外部回路よりクロック信号配線用端子102b及びクロック信号配線801bを介して、Xクロック信号CLX並びにその反転信号である反転Xクロック信号CLXBが供給されると共に、例えば外部回路より引き回し配線用端子102a及び引き回し配線801aを介して、XスタートパルスDX、2系列のイネーブル信号ENB1及びENB2、並びに電源VDDX及び電源VSSXが夫々供給される。そして、データ線駆動回路101は、XスタートパルスDXが入力されると、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXBに基づくタイミングで、2系列のイネーブル信号ENB1及びENB2の各々のパルス幅に基づいて整形されたサンプリング回路駆動信号S1、・・・、Snを順次生成して出力する。ここに、電位が所定値に夫々固定される電源VDDX及び電源VSSXのうち、例えば低電位電源VSSXが供給される引き回し配線は、後述するようなシールド線801cとして設けられる。また、上述した構成においてイネーブル信号は2系列に限定されず、2系列以上として供給されるようにしてもよい。
サンプリング回路7は、Pチャネル型又はNチャネル型の片チャネル型TFT、若しくは相補型のTFTから構成されたサンプリングスイッチ71を複数備える。サンプリング回路7には、例えば外部回路より引き回し配線用端子102aに供給された画像信号VID1〜VID6が、引き回し配線である画像信号線6を介して供給される。ここで、画像信号線6は、例えば外部回路において、例えば6相にシリアル−パラレル変換、即ち相展開された画像信号VID1〜VID6に対応して6本設けられる。
そして、各サンプリングスイッチ71は、データ線駆動回路101から出力されて供給されるサンプリング回路駆動信号Si(i=1、・・・、n)に応じて、6本のデータ線6aを1群とするデータ線群毎に、画像信号VID1〜VID6を供給する。従って、本実施形態では、複数のデータ線6aをデータ線群毎に駆動するため、駆動周波数が抑えられる。
尚、図3において、上下導通端子106には、共通電位LCCの共通電源が供給され、上述した対向電極21の基準電位は共通電源に基づいて規定される。
図3に示す液晶装置の画素領域10aにおいて、走査線11a及びデータ線6aの各交点に対応してマトリクス状に配列された複数の画素部には、それぞれ、図3又は図4に示すように、画素電極9aと当該画素電極9aをスイッチング制御するためのTFT30とが形成されており、画像信号VIDk(但し、k=1、2、3、・・・、6)が供給されるデータ線6aが当該TFT30のソースに電気的に接続されている。また、TFT30のゲートにゲート電極3aが電気的に接続されており、画素電極9aはTFT30のドレインに電気的に接続されている。
走査線駆動回路104から出力される走査信号G1、・・・、Gmによって、各走査線11aは線順次に選択される。選択された走査線11aに対応する画素部において、TFT30にゲート電極3aを介して走査信号Gj(但し、j=1、2、3、・・・、m)が供給されると、TFT30はオン状態となり、画素電極9aには、TFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aより画像信号VIDkが所定のタイミングで供給される。これにより、液晶には、画素電極9a及び対向電極21の各々の電位によって規定される印加電圧が印加される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号VID1〜VID6に応じたコントラストをもつ光が出射する。
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極9aと対向電極21との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70を付加する。蓄積容量70の一方の電極は、画素電極9aと電気的に並列にTFT30のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線400に接続されている。
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的構成について、図5を参照して説明する。図5は、画素部の断面部分の構成を示す断面図である。尚、図5においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。この点については、図1から図7の各図について同様であり、係る縮尺については各図毎でも互いに異なることもある。
図5において、上述した画素部の各回路要素が、パターン化され、積層された導電膜としてTFTアレイ基板10上に構築され、このような積層構造が形成された側を対向基板20に対して対向させて、TFTアレイ基板10は配置される。以下、TFTアレイ基板10側の積層構造について詳細に説明する。
まず、積層構造における第1層は、走査線11aを含み、走査線11aより上層側には下地絶縁膜12が形成される。
そして、下地絶縁膜12より上層側に、TFT30等を含む第2層が形成される。TFT30は、例えばLDD(Lightly Doped Drain)構造とされ、ゲート電極3a、半導体層1a、ゲート電極3aと半導体層1aを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜2を備えている。半導体層1aは、チャネル領域1a´、低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c、並びに高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1eからなる。TFT30のゲート電極3aは、その一部分3bにおいて、下地絶縁膜12に形成されたコンタクトホール12cvを介して走査線11aに電気的に接続されている。
また、TFT30等より上層側には、層間絶縁膜41が形成されると共に、層間絶縁膜41より上層側には、本発明に係る「第1の導電膜」の一例であるデータ線6a等を含む第3層が形成される。第3層には、データ線6a及び中継層600が含まれる。データ線6aは、例えばアルミニウムを含む材料により形成されると共に、層間絶縁膜41を貫通するコンタクトホール81を介して、TFT30の高濃度ソース領域1dと電気的に接続されている。中継層600は、データ線6aと例えば同一膜により形成され、層間絶縁膜41を貫通するコンタクトホール83を介して、TFT30の高濃度ドレイン領域1eと電気的に接続されている。
更に、データ線6a等より上層側には、層間絶縁膜42が形成されると共に、層間絶縁膜42より上層側には、蓄積容量70等を含む第4層が形成される。蓄積容量70は、夫々例えばアルミニウムを含む材料により形成される、本発明に係る「第3の導電膜」の一例である容量電極300と本発明に係る「第2の導電膜」の一例である下部電極71とが誘電体膜75を介して対向配置された構成となっている。容量電極300は、容量配線400の一部として形成されており、容量配線400と電気的に接続されている。また、下部電極71の延在部は、層間絶縁膜42を貫通するコンタクトホール84を介して、中継層600と電気的に接続されている。
また、蓄積容量70等より上層側には、層間絶縁膜43が形成されると共に、層間絶縁膜43より上層側の第5層には、ITO等の透明導電膜からなる画素電極9aが形成される。画素電極9aは、層間絶縁膜43を貫通するコンタクトホール85を介して、下部電極71の延在部と電気的に接続されている(図5参照)。即ち、下部電極71の電位は、画素電位となっている。更に上述したように、下部電極71の延在部と中継層600と、及び、中継層600とTFT30の高濃度ドレイン領域1eとは、夫々コンタクトホール84及び83を介して、電気的に接続されている。即ち、画素電極9aとTFT30の高濃度ドレイン領域1eとは、中継層600及び下部電極71の延在部を中継して中継接続されている。
画素電極9aの上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜16が設けられている。
以上が、TFTアレイ基板10側の画素部の構成である。
他方、対向基板20には、その対向面の全面に対向電極21が設けられており、更にその上(図5では対向電極21の下側)に配向膜22が設けられている。対向電極21は、画素電極9aと同様、例えばITO膜等の透明導電性膜からなる。尚、対向基板20と対向電極21の間には、TFT30における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともTFT30と正対する領域を覆うように遮光膜23が設けられている。
このように構成されたTFTアレイ基板10と対向基板20の間には、液晶層50が設けられている。液晶層50は、基板10及び20の周縁部をシール材により封止して形成した空間に液晶を封入して形成される。液晶層50は、画素電極9aと対向電極21との間に電界が印加されていない状態において、ラビング処理等の配向処理が施された配向膜16及び配向膜22によって、所定の配向状態をとるようになっている。
続いて、図6に加えて再び図3を参照して、本実施形態に係るクロック信号配線801bの構成についてより詳細に説明する。図6は、クロック信号配線及び引き回し配線の断面部分の構成について概略的に示す断面図である。図6においては、クロック信号配線801b及びクロック信号配線801bに近接して配置された引き回し配線801aの構成に着目して、これらの縦方向の配置関係について示してある。
本実施形態では、図3又は図6において、複数のクロック信号配線801bのうち、少なくとも一のクロック信号配線801bが、少なくとも部分的に、横方向であって図3中X0方向で、相隣接する他の配線との間の距離が、より具体的には相隣接する他のクロック信号配線801bとの間の第1の距離WL1又は相隣接する引き回し配線801aとの間の第2の距離WL2が、互いに相隣接する引き回し配線801a同士の間の第3の距離WL3より大きくなるように形成される。
図3において、例えばXクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXBが供給される2本のクロック信号配線801bについては、2本のクロック信号配線801b間の第1の距離WL1、及びこれら2本のクロック信号配線801bを挟んでその両側に位置する引き回し配線801a及び801cの各々に対する第2の距離WL2が、第3の距離WL3より大きくなるように形成される。よって、2本のクロック信号配線801bの各々において、全体的に、相隣接する他の配線801a、801b若しくは801cとの間に生じる寄生容量を、互いに相隣接する引き回し配線801a同士の間で生じる寄生容量より低減することが可能となる。
従って、本実施形態によれば、複数のクロック信号配線801bのうち少なくとも一のクロック信号配線801bにおいて、相隣接する他の配線、即ち他のクロック信号配線801bや引き回し配線801aとの間に生じる寄生容量に起因する、クロック信号CLX等の遅延や信号波形の乱れを低減することができる。
特に、Yクロック信号CLY及び反転Yクロック信号CLYBに基づいて各走査線11aが選択されると、選択された一の走査線11aに沿う方向(図3又は図4中、X0方向)で、各データ線6aがデータ線群毎に駆動されるため、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXBは夫々、Yクロック信号CLY及び反転Yクロック信号CLYBより高周波数の信号として供給される。よって、クロック信号配線801b及びこれと隣接する他の配線間で生じる寄生容量により、信号遅延等の不具合が生じると、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXBは、Yクロック信号CLY及び反転Yクロック信号CLYBと比較して、液晶装置における表示画像において視認されるほどの顕著な表示不良が発生し易くなる、即ち表示画像に与える影響は大きい。
また、本実施形態では、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXBが供給される2本のクロック信号配線801bは、好ましくは、図3中X0方向で互いに相隣接して配置される。この場合、2本のクロック信号配線801b間の寄生容量により、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXBの一方と他方との間で、互いに信号波形に乱れが生じ、顕著な表示不良を発生させる一因となるおそれがある。
よって、このように表示画像に与える影響の大きいクロック信号CLX及びCLXBが供給される少なくとも2本のクロック信号配線801bについては、これら2本のクロック信号配線801b間の第1の距離WL1が、第3の距離WL3に加えて第2の距離WL2より大きくなるように形成するのが好ましい。このように構成すれば、2本のクロック信号配線801b間に生じる寄生容量を、これら2本のクロック信号配線801bについて夫々クロック信号配線801b以外の他の配線801a及び801cとの間に生じる寄生容量と比較して、より低減させることが可能となる。その結果、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXBの信号遅延や信号波形の乱れを防止して、液晶装置において、より有効に顕著な表示不良の発生を防止することができる。
また、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXBが供給される2本のクロック信号配線801bを相隣接して配置すれば、各々のクロック信号配線801bについて、相隣接する他の配線801a、801b若しくは801cとの間の間隔を調整するための設計変更を次のように少なくすることができる。即ち、このような設計変更を2本のクロック信号配線801bについて夫々、別々に加える場合には、各々のクロック信号配線801bについて、クロック信号配線801bを挟んでこれに相隣接して他の配線801a、801b若しくは801cが2本ずつ配置されることとなるため、合計で4箇所について配線同士の間隔を調整する必要があるが、2本のクロック信号配線801bを相隣接して配置させることで、これら2本のクロック信号配線801bを挟んで各々に相隣接して他の配線801a、801b若しくは801cが2本配置されることとなり、クロック信号配線801b同士の間の間隔に加えて、一方のクロック信号配線801bと他の配線801aとの間隔及び他方のクロック信号配線801bと他の配線801cとの間隔について、合計で3箇所で各々の距離を調整すればよい。
また、図6において、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXBが供給される2本のクロック信号配線801bについて、各々における少なくとも互いに第1の距離WL1をおいて配置される部分は、図5に示す画素部における第3層のデータ線6a等と、第4層の蓄積容量70を構成する下部電極71及び容量電極300とにより構成される3層の積層構造と同一の積層構造内に配置される。より具体的には、2本のクロック信号配線801bについて、各々における少なくとも互いに第1の距離WL1をおいて配置される部分は、一方のクロック信号配線801bが画素部におけるデータ線6aと同層に配置され且つ同一膜により形成されると共に、他方のクロック信号配線801bが画素部における容量電極300と同層に配置され且つ同一膜により形成される。
よって、2本のクロック信号配線801bについて夫々、少なくとも部分的に、横方向(図3中X0方向)で第1の距離WL1をおいて互いに相隣接して配置させると共に、更に縦方向で、画素部における3層の積層構造と同一の積層構造内で、最下層の第1層(画素部におけるデータ線6aと同層)と、最上層の第3層(画素部における容量電極300と同層)とで、距離をおいて配置させることができる。これにより、横方向で2本のクロック信号配線801b間の第1の距離WL1をより大きくしなくても、縦方向で更に距離をおくことで、TFTアレイ基板10上でこれら2本のクロック信号配線801bの配置に要するスペースを大きくしなくても、これら2本のクロック信号配線801b間の寄生容量をより低減させることが可能となる。
更に、本実施形態では、図3又は図6に示すように、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXBが供給される2本のクロック信号配線801bについて、図3中のX0方向で、例えば、Xクロック信号CLXが供給される一方のクロック信号配線801bに対して、シールド線801cが相隣接して少なくとも部分的に第2の距離WL2をおいて配置されると共に、シールド線801cを挟んで6本の画像信号線6が6本のうちの一本がシールド線801cと相隣接して少なくとも部分的に第3の距離WL3をおいて配置される。
よって、本実施形態では、画像信号線6における画像信号VIDkに対して、この画像信号線6と横方向(図3中X0方向)で近接して配置されるクロック信号配線801bにおけるXクロック信号CLXを、画像信号線6及びクロック信号配線801b間に横方向(図3中X0方向)で介在するシールド線801cにより電磁的にシールドする効果を得ることが可能となる。
また、シールド線801cは、図6において、2本のクロック信号配線801bの各々の少なくとも一部が配置される3層の積層構造において、2本のクロック信号配線801bのうち相隣接する一方のクロック信号配線801bに対して縦方向で少なくとも部分的に異なる層に配置される。よって、相隣接するクロック信号配線801b及びシールド配線801c間に生じる寄生容量を低減して、より確実に、このような寄生容量に起因してXクロック信号CLXについて、信号遅延や信号波形の乱れが生じるのを防止することが可能となる。
特に、図6に示すように、画素部における3層の積層構造を構成する導電膜と同一膜により、2本のクロック信号配線801b、更にはシールド線801cや画像信号線6等の引き回し配線801aが夫々少なくとも部分的に形成されることにより、これら各種配線の各々の少なくとも一部における電気的な抵抗を低抵抗化させると共に、液晶装置の製造プロセスにおいて、画素部における3層の積層構造を構成する導電膜と共に形成することで、工程数を削減し、より簡略化することが可能となる。
加えて、本実施形態では、図3において、複数のクロック信号配線801bに対応する複数のクロック信号配線用端子102bについて、例えば、少なくとも、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXBが供給される2個のクロック信号配線用端子102bについて、夫々、相隣接するクロック信号配線用端子102b又は引き回し配線用端子102aとの間の距離WT1又はWT2が、互いに相隣接する引き回し配線用端子102a同士の間の距離WT3より大きくなるように形成されるのが好ましい。これにより、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXBが供給されるクロック信号配線用端子102bの各々について、相隣接する他の端子、即ちクロック信号配線用端子102b又は引き回し配線用端子102aとの間に生じる寄生容量を、互いに相隣接する引き回し配線用端子102a同士の間で生じる寄生容量より低減することが可能となる。よって、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXBが供給される2本のクロック信号配線801bに加えて、これら2本の配線に対応するクロック信号配線用端子102bにおいても、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXBの各々について、信号遅延や信号波形の乱れを低減することが可能となる。
よって、以上説明したような本実施形態によれば、例えば外部回路より複数種類のクロック信号(Xクロック信号CLX、Yクロック信号CLY等)が供給される複数のクロック信号配線801bの少なくとも一部、例えば、画像表示に与える影響の大きいXクロック信号CLX及びその反転信号CLXBが供給される少なくとも2本のクロック信号配線801bに対して、各々と隣接する他の配線との配置関係を少なくとも部分的に変更することにより、液晶装置の動作を高速化しても、有効に顕著な表示不良の発生を防止することができる。よって、クロック信号配線801bや引き回し配線801aに対する大幅な設計変更を加えることにより、液晶装置が大型化するのを防止することが可能となる。
従って、本実施形態によれば、液晶装置において、動作を高速化且つ小型化しつつ、高品質な画像表示を行うことができる。
次に、図7を参照して、本実施形態に係る変形例について説明する。図7は、変形例に係るダミー端子及びクロック信号配線用端子等のその他の端子の平面的な配置関係を部分的に示す平面図である。
図7に示すように、複数のクロック信号配線用端子102bについて、例えば、少なくとも、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXBが供給される2個のクロック信号配線用端子102bについて、夫々、クロック信号配線用端子102b又は引き回し配線用端子102aとの間に介在させてダミー端子102dを配置するようにしてもよい。この場合、ダミー端子102dは、2個のクロック信号配線用端子102bのうち対応する一方に対して、このクロック信号配線用端子102bに電気的に接続されるクロック信号配線801bの他端側に電気的に接続され、短絡されて設けるようにする。これにより、ダミー端子102dが電気的に浮遊状態となるのを回避して、クロック信号配線用端子801bとの間の電位差を小さくして概ね同電位とすることができる。よって、TFTアレイ基板10上において、ダミー端子102d及びクロック信号配線用端子102b間の寄生容量を小さくし、横方向でクロック信号配線用端子102bと他の端子102a若しくは102bとの間にダミー端子102dを介在させて、両者間の距離WT1若しくはWT2を調整することで寄生容量を低減させることが可能となる。
従って、TFTアレイ基板10上において、基板の少なくとも一辺に沿ってクロック信号配線用端子102b、引き回し配線用端子102a、及びダミー端子102dを夫々、相隣接する端子同士の間隔を所定値WT3として等間隔で配列させることができる。これにより、液晶装置の製造プロセスにおいて、外部回路をクロック信号配線用端子102b及び引き回し配線用端子102aに対して電気的に接続させる工程において、クロック信号配線用端子102b及び引き回し配線用端子102aについて、相隣接する端子同士の間隔が、端子の種類により異なることで、電気的に短絡が生じる等の不具合により歩留りが低下したり、係る構成について設計変更を要するために製造工程が煩雑となり製造コストの増加を招いたりするのを防止することが可能となる。
次に、上述した液晶装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図8は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
図8において、投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ1100は、駆動回路がTFTアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを3個用意し、それぞれRGB用のライトバルブ100R、100G及び100Bとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ1100では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット1102から投射光が発せられると、3枚のミラー1106及び2枚のダイクロックミラー1108によって、RGBの三原色に対応する光成分R、G及びBに分けられ、各色に対応するライトバルブ100R、100G及び100Bにそれぞれ導かれる。この際特に、B光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ1122、リレーレンズ1123及び出射レンズ1124からなるリレーレンズ系1121を介して導かれる。そして、ライトバルブ100R、100G及び100Bによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム1112により再度合成された後、投射レンズ1114を介してスクリーンにカラー画像として投射される。
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を具備してなる電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
10…TFTアレイ基板、10a…画素領域、801a…引き回し配線、801b…クロック信号配線
Claims (13)
- 基板と、
該基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、
前記基板上の前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置されており、前記複数の画素部を駆動する周辺回路部と、
前記周辺領域に配列された複数の外部回路接続端子と、
該複数の外部回路接続端子のうち第1端子部分から、前記基板上に引き回され、前記画素部及び前記周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されると共に、一又は複数のクロック信号の電気的経路を構成する少なくとも一本のクロック信号配線と、
前記複数の外部回路接続端子のうち第2端子部分から、前記基板上に引き回され、前記画素部及び前記周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されると共に、前記クロック信号とは異なる複数の他の信号の電気的経路を夫々構成する複数の他の信号配線と
を備え、
前記複数の他の信号配線のうち前記少なくとも一本のクロック信号配線と前記基板上で平面的に見て隣接する一の信号配線と、前記少なくとも一本のクロック信号配線との間の距離は、前記基板上で平面的に見て相隣接する前記複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きいことを特徴とする電気光学装置。 - 前記少なくとも一本のクロック信号配線は、前記基板上で平面的に見て相隣接する二本のクロック信号配線を含み、
前記二本のクロック信号配線同士間の距離は、前記複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きいことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 基板と、
該基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、
前記基板上の前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置されており、前記複数の画素部を駆動する周辺回路部と、
前記周辺領域に配列された複数の外部回路接続端子と、
該複数の外部回路接続端子のうち第1端子部分から、前記基板上に引き回され、前記画素部及び前記周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されると共に、一又は複数のクロック信号の電気的経路を構成する複数のクロック信号配線と、
前記複数の外部回路接続端子のうち第2端子部分から、前記基板上に引き回され、前記画素部及び前記周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されると共に、前記クロック信号とは異なる複数の他の信号の電気的経路を夫々構成する複数の他の信号配線と
を備え、
前記複数のクロック信号配線は、前記基板上で平面的に見て相隣接する二本のクロック信号配線を含み、
前記二本のクロック信号配線同士間の距離は、前記基板上で平面的に見て相隣接する前記複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きいことを特徴とする電気光学装置。 - 前記二本のクロック信号配線は、前記複数のクロック信号として、正転クロック信号及び該正転クロック信号に対して位相が反転している反転クロック信号の電気的経路を夫々構成すること
を特徴とする請求項2又は3に記載の電気光学装置。 - 前記二本のクロック信号配線の一方は、少なくとも前記距離が大きい部分において、前記画素部を構成する複数の導電膜のうち、前記基板上において下層側から順に相互間に層間絶縁膜を介して積層される、第1の導電膜、第2の導電膜及び第3の導電膜のうち、前記第1の導電膜と同一膜により形成され、
前記二本のクロック信号配線の他方は、少なくとも前記距離が大きい部分において、前記第3の導電膜と同一膜により形成されること
を特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記複数の他の信号配線のうち前記二本のクロック信号配線の一方又は他方と前記基板上で平面的に見て隣接する一の信号配線は、前記第2の導電膜と同一膜により形成されることを特徴とする請求項5に記載の電気光学装置。
- 前記一の信号配線は、前記他の信号として、所定電位の信号の電気的経路を構成しており、
前記複数の他の信号配線は、前記基板上で平面的に見て前記一の信号配線を基準にして前記二本のクロック信号配線の一方又は他方と反対側に、前記他の信号としての前記画素部に供給される画像信号の電気的経路となる画像信号配線を含むことを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置。 - 前記第1から第3の導電膜は夫々、アルミニウムを含む導電材料により形成されること
を特徴とする請求項5から7のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記第1端子部分のうち前記少なくとも一本のクロック信号配線の先端が接続されたクロック端子と、前記第2端子部分のうち前記クロック端子と隣接する信号端子との間の距離は、前記第2端子部分のうち相隣接する二つの信号端子同士間の距離と比べて大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。
- 前記クロック端子と隣接する信号端子は、前記クロック信号配線を介して前記クロック端子と短絡されていることを特徴とする請求項9に記載の電気光学装置。
- 前記第1端子部分のうち前記二本のクロック信号配線の先端が接続された二本のクロック端子間の距離は、前記第2端子部分のうち相隣接する二つの端子同士間の距離と比べて大きいことを特徴とする請求項2又は3に記載の電気光学装置。
- 前記第2端子部分のうち前記クロック端子と隣接する信号端子は、前記クロック信号配線を介して前記クロック端子と短絡されていることを特徴とする請求項11に記載の電気光学装置。
- 請求項1から12のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
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JP2006198042A JP2008026537A (ja) | 2006-07-20 | 2006-07-20 | 電気光学装置及び電子機器 |
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JP2006198042A JP2008026537A (ja) | 2006-07-20 | 2006-07-20 | 電気光学装置及び電子機器 |
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JP (1) | JP2008026537A (ja) |
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JP2010091740A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
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