JP4601892B2 - 半導体装置および半導体チップのバンプ製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、実装基板に半導体チップがフェースダウンボンディングされて成る半導体装置および半導体チップのバンプ製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図15は従来の半導体装置の正面図であり、図において、1は実装基板、2は実装基板1の上にダイボンディングされた第1の半導体チップ、3は実装基板1と第1の半導体チップ2を電気的に接続するボンディングワイヤ、4は第1の半導体チップ2にフリップチップボンディングされた第2の半導体チップ、5は第2の半導体チップ4に予め設けられている複数のバンプである。これらの全てのバンプ5は半田、金などの導電性材料から均一の高さに形成され、第1の半導体チップ2にバッドに接続されている。
【0003】
図16(a)〜(g)は上記バンプ5の製造方法の説明図である。図16(a)に示すように、ウエハの初期状態では、アルミニウムなどのパッド6の周囲がパッシベーション膜7によって保護されている。バンプ5の製造に際しては、先ず、図16(b)に示すようにパッド6とパッシベーション膜7の上にアンダーバンプメタル8がスパッタ法によって形成される。次に、図16(c)に示すようにアンダーバンプメタル8の上に製造マスク9が配置され、その開口9aがパッド6の上方に位置付けられる。その後に、図16(d)に示すように開口9aに半田10が充填される。そして、図16(e)に示すように製造マスク9が取り外されるとともに、図16(f)に示すように半田10の下部に位置する部分を除いてアンダーバンプメタル8がエッチングによって除去される。最後に、図16(g)に示すように半田10がリフロー炉によって加熱溶融され、バンプ10Aが形成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体装置は以上のように構成され、均一の高さのバンプ5を備えた単一の第2の半導体チップ4が第1の半導体チップ2に平面的にフリップチップボンディングされているだけであるので、配線の高密度化が困難であるなどの課題があった。また、第1の半導体チップ2が実装基板1にボンディングワイヤ3によって電気的に接続されているので、半導体チップ2、4が高周波数チップである場合には、ボンディングワイヤ3の引き回しによる配線容量の低減が極めて困難であるなどの課題があった。
【0005】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、ボンディングワイヤの使用を省略または低減させて複数の半導体チップを高密度に実装できる半導体装置および半導体チップのバンプ製造方法を得ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体装置は、高さの異なる複数のバンプを有する半導体チップが実装基板と他の半導体チップのうちの少なくとも一方にフェースダウンボンディングされていることを特徴とするものである。
【0007】
実装基板に第1の半導体チップがダイボンディングされ、第2の半導体チップに高さの異なる複数のバンプが設けられ、実装基板と第1の半導体チップに第2の半導体チップがフェースダウンボンディングされていることを特徴とするものである。
【0008】
この発明に係る半導体装置は、第1の半導体チップの全部が第2の半導体チップの面積内に配置されていることを特徴とするものである。
【0009】
この発明に係る半導体装置は、第1の半導体チップの一部が第2の半導体チップの面積外に配置されていることを特徴とするものである。
【0010】
この発明に係る半導体装置は、実装基板に第3の半導体チップがダイボンディングされていることを特徴とするものである。
【0011】
この発明に係る半導体装置は、第1の半導体チップと第3の半導体チップの全部が第2の半導体チップの面積内に配置されていることを特徴とするものである。
【0012】
この発明に係る半導体装置は、第1の半導体チップと第3の半導体チップの少なくとも一方の一部が第2の半導体チップの面積外に配置されていることを特徴とするものである。
【0013】
この発明に係る半導体装置は、第1の半導体チップに高さの異なるバンプが設けられているとともに、第2の半導体チップに第3の半導体チップがダイボンディングされていることを特徴とするものである。
【0014】
この発明に係る半導体装置は、第2の半導体チップに第4の半導体チップがダイボンディングされていることを特徴とするものである。
【0015】
この発明に係る半導体装置は、第1の半導体チップの高さの高いバンプが第2の半導体チップの高さの低いバンプに接続され、第1の半導体チップの高さの低いバンプが第3の半導体チップと第4の半導体チップに接続されていることを特徴とするものである。
【0016】
この発明に係る半導体装置は、実装基板に第1の半導体チップがダイボンディングされ、第1の半導体チップに第2の半導体チップがダイボンディングされ、実装基板と第1の半導体チップがボンディングワイヤによって接続され、第3の半導体チップに高さの異なる複数のバンプが設けられ、第3の半導体チップが第1の半導体チップと第2の半導体チップにフェースダウンボンディングされていることを特徴とするものである。
【0017】
この発明に係る半導体チップのバンプ製造方法は、高さの高いバンプを形成しようとするパッドの上に開口を位置付けるように製造マスクを半導体チップの上に順次に設ける工程と、製造マスクを設ける度に開口に導電性材料を充填する工程と、製造マスクの全てを取り除く工程とを有することを特徴とするものである。
【0018】
この発明に係る半導体チップのバンプ製造方法は、製造マスクが写真製版技術によって設けられることを特徴とするものである。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による半導体装置の正面図、図2はその平面図であり、図において、11は実装基板、12は実装基板11の上面にダイボンディングされた第1の半導体チップ、13は実装基板11と第1の半導体チップ12にフェースダウンボンディングされた第2の半導体チップ、14は第2の半導体チップ13に予め形成されている高さの高い複数のバンプ、15は第2の半導体チップ13に予め形成されている高さの低い複数のバンプである。なお、平面面積に関して、第2の半導体チップ13は実装基板11よりも小さくされ、第1の半導体チップ12は第2の半導体チップ13よりも小さくされている。
【0020】
次に実施の形態1による半導体装置の製造方法について説明する。
高さの高いバンプ14と高さの低いバンプ15が形成されている第2の半導体チップ13を予め用意する。そして、実装基板11の表面のほぼ中央に第1の半導体チップ12をダイボンディングする。次に、第1の半導体チップ12を覆うようにして、第2の半導体チップ13を実装基板11と第1の半導体チップ12にフェースダウンボンディングする。この際に、高さの高いバンプ14は実装基板11のランドに接続し、高さの低いバンプ15は第1の半導体チップ12のパッドに接続する。
【0021】
以上のように、この実施の形態1によれば、第2の半導体チップ13に高さの高いバンプ14と高さの低いバンプ15を形成し、これらのバンプ14、15のみによって実装基板11と半導体チップ12、13を電気的に接続したので、ボンディングワイヤを全く使用することなく半導体チップ12、13を立体的かつ高密度に実装でき、配線容量を低減できるという効果が得られる。また、ボンディングワイヤを全く使用しないので、特に半導体チップ12、13が高周波数チップである場合に有効となるなどの効果が得られる。
【0022】
実施の形態2.
図3はこの発明の実施の形態2による半導体装置の正面図、図4はその平面図であり、図において、21は実装基板、22は実装基板21の上面にダイボンディングされた第1の半導体チップ、23は実装基板21と第1の半導体チップ22にフェースダウンボンディングされた第2の半導体チップ、24は第2の半導体チップ23に予め形成されている高さの高い複数のバンプ、25は第2の半導体チップ23に予め形成されている高さの低い複数のバンプである。なお、平面面積において、第2の半導体チップ23は実装基板21よりも小さくされ、第1の半導体チップ22は第2の半導体チップ23よりも小さくされ、その一部が第2の半導体チップ23の面積外に露出されている。
【0023】
次に実施の形態2による半導体装置の製造方法について説明する。
高さの高いバンプ24と高さの低いバンプ25が形成されている第2の半導体チップ23を予め用意する。そして、実装基板21の表面の例えば角部寄りに第1の半導体チップ22をダイボンディングする。次に、第1の半導体チップ22の大部分を覆うようにして、第2の半導体チップ23を実装基板21と第1の半導体チップ22にフェースダウンボンディングする。この際に、高さの高いバンプ24は実装基板21のランドに接続し、高さの低いバンプ25は第1の半導体チップ22のパッドに接続する。
【0024】
以上のように、この実施の形態2によれば、第2の半導体チップ23に高さの高いバンプ24と高さの低いバンプ25を形成し、これらのバンプ24、25のみによって実装基板21と半導体チップ22、23を電気的に接続したので、実施の形態1と同様な効果が得られる。その上に、第1の半導体チップ22の配置を変えることにより、実装基板21と半導体チップ22、23の多様な組合せが可能になるなどの効果も得られる。
【0025】
実施の形態3.
図5はこの発明の実施の形態3による半導体装置の正面図、図6はその平面図であり、図において、31は実装基板、32は実装基板31の上面にダイボンディングされた第1の半導体チップ、33は第1の半導体チップ32の側方において実装基板31の上面にダイボンディングされた第2の半導体チップ、34は第1の半導体チップ32と第2の半導体チップ33にフェースダウンボンディングされた第3の半導体チップ、35は第3の半導体チップ34に予め形成されている高さの高い複数のバンプ、36は第3の半導体チップ34に予め形成されている高さの低い複数のバンプである。なお、第3の半導体チップ34の平面面積は実装基板31よりも小さくされている。また、第1の半導体チップ32と第2の半導体チップ33は同じ大きさとされ、第3の半導体チップ34の面積内に配置されている。
【0026】
次に実施の形態3による半導体装置の製造方法について説明する。
高さの高いバンプ35と高さの低いバンプ36が形成されている第2の半導体チップ34を予め用意する。そして、実装基板31の表面に第1の半導体チップ32と第2の半導体チップ33をダイボンディングする。次に、第1の半導体チップ32と第2の半導体チップ33を覆うようにして、第3の半導体チップ34を実装基板31、第1の半導体チップ32および第2の半導体チップ33にフェースダウンボンディングする。この際に、高さの高いバンプ35は実装基板31のランドに接続し、高さの低いバンプ36は第1の半導体チップ32と第2の半導体チップ33のパッドに接続する。
【0027】
以上のように、この実施の形態3によれば、第3の半導体チップ34に高さの高いバンプ35と高さの低いバンプ36を予め形成し、これらのバンプ35、36のみによって実装基板31と半導体チップ32〜34を電気的に接続したので、実施の形態1と同様な効果が得られる。
【0028】
実施の形態4.
図7はこの発明の実施の形態4による半導体装置の正面図、図8はその平面図であり、図において、41は実装基板、42は実装基板41の上面の例えば一方の隅部にダイボンディングされた第1の半導体チップ、43は実装基板41の上面の例えば他方の隅部にダイボンディングされた第2の半導体チップ、44は実装基板41、第1の半導体チップ42および第2の半導体チップ43にフェースダウンボンディングされた第3の半導体チップ、45は第3の半導体チップ44に予め形成されている高さの高い複数のバンプ、46は第3の半導体チップ44に予め形成されている高さの低い複数のバンプである。なお、平面面積に関し、第3の半導体チップ44は実装基板41よりも小さくされ、第1の半導体チップ42と第2の半導体チップ43は第3の半導体チップ44よりも小さくされ、それらの一部が第3の半導体チップ44の面積外に露出されている。
【0029】
次に実施の形態4による半導体装置の製造方法について説明する。
高さの高いバンプ45と高さの低いバンプ46が形成されている第3の半導体チップ44を予め用意する。そして、実装基板41の表面に第1の半導体チップ42と第2の半導体チップ43をダイボンディングする。次に、第1の半導体チップ42と第2の半導体チップ43の一部を覆うようにして、第3の半導体チップ44を実装基板41、第1の半導体チップ42および第2の半導体チップ43にフェースダウンボンディングする。この際に、高さの高いバンプ45は実装基板41のランドに接続し、高さの低いバンプ46は第1の半導体チップ42と第2の半導体チップ43のパッドに接続する。
【0030】
以上のように、この実施の形態4によれば、第3の半導体チップ44に高さの高いバンプ45と高さの低いバンプ46を形成し、これらのバンプ45、46のみによって実装基板41と半導体チップ42〜44を電気的に接続したので、実施の形態3と同様な効果が得られる。その上に、第1の半導体チップ42と第2の半導体チップ43の配置を変えることにより、実装基板41と半導体チップ42〜44の多様な組合せが可能になるなどの効果も得られる。
【0031】
実施の形態5.
図9はこの発明の実施の形態5による半導体装置の正面図、図10はその平面図であり、図において、51は実装基板、52は実装基板51の上面にダイボンディングされた第1の半導体チップ、53は実装基板51と第1の半導体チップ52にフェースダウンボンディングされた第2の半導体チップ、54は第2の半導体チップ53に予めダイボンディングされている第3の半導体チップ、55は第1の半導体チップ52に予め形成されている高さの高い複数のバンプ、56は第1の半導体チップ52に予め形成されている高さの低い複数のバンプ、57は第2の半導体チップ53に予め形成されている高さの高い複数のバンプ、58は第2の半導体チップ53に予め形成されている高さの低い複数のバンプである。
なお、平面面積において、第2の半導体チップ53は実装基板51よりも小さくされ、第1の半導体チップ52は第2の半導体チップ53よりも小さくされ、第3の半導体チップ54は第1の半導体チップ52よりも小さくされている。
【0032】
次に実施の形態5による半導体装置の製造方法について説明する。
高さの高いバンプ55と高さの低いバンプ56が形成されている第1の半導体チップ52を予め用意する。また、第3の半導体チップ54がダイボンディングされ、かつ高さの高いバンプ57と高さの低いバンプ58が形成されている第2の半導体チップ53を予め用意する。そして、実装基板51の表面のほぼ中央に第1の半導体チップ52をダイボンディングする。次に、第1の半導体チップ52を覆うようにして、第2の半導体チップ53を実装基板51と第1の半導体チップ52にフェースダウンボンディングする。この際に、第1の半導体チップ52の高さの高いバンプ55と第2の半導体チップ53の高さの低いバンプ58とを接続し、第1の半導体チップ52の高さの低いバンプ56を第3の半導体チップ54のパッドに接続し、第2の半導体チップ53の高さの高いバンプ57を実装基板51のランドに接続する。
【0033】
以上のように、この実施の形態5によれば、第1の半導体チップ52に高さの高いバンプ55と高さの低いバンプ56を形成し、第2の半導体チップ53に高さの高いバンプ57と高さの低いバンプ58を形成し、これらのバンプ55〜58のみによって実装基板51と半導体チップ52〜54を電気的に接続したので、実施の形態1〜4よりもより高密度でより多様な実装が可能になるなどの効果が得られるうえに、その他は実施の形態3と同様な効果が得られる。
【0034】
実施の形態6.
図11はこの発明の実施の形態6による半導体装置の正面図、図12はその平面図であり、図において、61は実装基板、62は実装基板61の上面にダイボンディングされた第1の半導体チップ、63は実装基板61と第1の半導体チップ62にフェースダウンボンディングされた第2の半導体チップ、64は第2の半導体チップ63に予めダイボンディングされている第3の半導体チップ、65は第2の半導体チップ63に予めダイボンディングされている第4の半導体チップ、66は第1の半導体チップ62に予め形成されている高さの高い複数のバンプ、67は第1の半導体チップ62に予め形成されている高さの低い複数のバンプ、68は第2の半導体チップ63に予め形成されている高さの高い複数のバンプ、69は第2の半導体チップ63に予め形成されている高さの低い複数のバンプである。なお、平面面積に関しては、実施の形態5の第3の半導体チップ54が第3の半導体チップ64と第4の半導体チップ65とされていることを除いて、実施の形態5と同様とされている。
【0035】
次に実施の形態6による半導体装置の製造方法について説明する。
高さの高いバンプ66と高さの低いバンプ67が形成されている第1の半導体チップ52を予め用意する。また、第3の半導体チップ64と第4の半導体チップ65がダイボンディングされ、かつ高さの高いバンプ68と高さの低いバンプ69が形成されている第2の半導体チップ63を予め用意する。そして、実装基板61の表面のほぼ中央に第1の半導体チップ62をダイボンディングする。次に、第1の半導体チップ62を覆うようにして、第2の半導体チップ63を実装基板61と第1の半導体チップ62にフェースダウンボンディングする。この際に、バンプ66〜69は実施の形態5のバンプ55〜58と同様に接続する。
【0036】
以上のように、この実施の形態6によれば、第1の半導体チップ62に高さの高い66と高さの低いバンプ67を形成し、第2の半導体チップ63に高さの高いバンプ68と高さの低いバンプ69を形成、これらのバンプ66〜69のみによって実装基板61と半導体チップ62〜65を電気的に接続したので、第5の実施の形態と同様な効果が得られる。
【0037】
実施の形態7.
図13はこの発明の実施の形態7による半導体装置の正面図であり、図において、71は実装基板、72は実装基板71の上面にダイボンディングされた第1の半導体チップ、73は第1の半導体チップ72の上面にダイボンディングされた第2の半導体チップ、74は第1の半導体チップ72と第2の半導体チップ73にフェースダウンボンディングされた第3の半導体チップ、75は第3の半導体チップ74に予め形成されている高さの高い複数のバンプ、76は第3の半導体チップ74に予め形成されている高さの低い複数のバンプ、77は実装基板71のランドと第1の半導体チップ72のパッドとを接続したボンディングワイヤである。なお、平面面積に関し、第1の半導体チップ72は実装基板71よりも小さくされ、第3の半導体チップ74は第1の半導体チップ72よりも小さくされ、第2の半導体チップ73は第3の半導体チップ74よりも小さくされている。
【0038】
次に実施の形態7による半導体装置の製造方法について説明する。
高さの高いバンプ75と高さの低いバンプ76が形成されている第3の半導体チップ74を予め用意する。そして、実装基板71の表面のほぼ中央に第1の半導体チップ72をダイボンディングする。次に、第1の半導体チップ72の表面のほぼ中央に第2の半導体チップ73をダイボンディングする。さらに、第3の半導体チップ74を第1の半導体チップ72と第2の半導体チップ73にフェースダウンボンディングする。この際に、高さの高いバンプ75は第1の半導体チップ72のパッドに接続し、高さの低いバンプ76は第2の半導体チップ73のパッドに接続する。そして、実装基板71のランドと第1の半導体チップ72のパッドをボンディングワイヤ77によって接続する。
【0039】
以上のように、この実施の形態7によれば、第3の半導体チップ74に高さの高いバンプ75と高さの低いバンプ76を形成し、これらのバンプ75、76によって半導体チップ72〜74を電気的に接続したので、ボンディングワイヤ77の数を従来よりも少なくすることができ、その他は実施の形態5とほぼ同様な効果が得られる。
【0040】
実施の形態8.
図14(a)〜(i)はこの発明の実施の形態8による半導体チップのバンプ製造方法の説明図である。上述の実施の形態1〜7のバンプ14、15、24、25、35、36、45、46、55〜58、66〜69、75、76はこの製造方法によって製造されている。なお、図14(a)に示すように、ウエハの初期状態では、アルミニウムなどのパッド81の周囲がパッシベーション膜82によって保護されている。
【0041】
先ず、図14(b)に示すように、パッド81とパッシベーション膜82の上にアンダーバンプメタル層83をスパッタ法によって形成する。続いて、図14(c)に示すように、パッド81の上方に開口84を有する第1の製造マスク85をアンダーバンプメタル層83の上に配置する。そして、図14(d)に示すように、バンプの形成が必要となる開口84に半田86を電解めっき法などによって充填する。なお、半田86の代りにその他の導電性材料、例えば金などを使用することができる。
【0042】
次に、図14(e)に示すように、高さを高くしたい半田86の上方に開口87を有する第2の製造マスク88を第1の製造マスク85の上に配置する。そして、図14(f)に示すように、第2の製造マスク88の開口87に半田86を上述と同様に充填する。
【0043】
そして、図14(g)に示すように、第1の製造マスク85と第2の製造マスク88を取り去る。さらに、図14(h)に示すように半田86の下部に位置する部分を除いて、アンダーバンプメタル層83をエッチングによって除去する。最後に、図14(i)に示すように、半田86をリフロー炉によって加熱溶融し、高さの低いバンプ86Aと高さの高いバンプ86Bとを形成する。
【0044】
なお、開口84を有する第1の製造マスク85や開口87を有する第2の製造マスク88を使用する代りに、フォトレジスト塗り、フォトマスク合せ、露光、現像、エッチング、フォトレジスト除去などの工程を有する写真製版(リソグラフィ)技術によって開口84、87を設けることができる。また、これらの工程を繰り返すことにより、さらに高さの高いバンプを形成できることは云うまでもない。
【0045】
以上のように、この実施の形態8によれば、最初に設けた半田86の上に同様な半田86を積層することによって、バンプの高さを複数種の高さに形成できるという効果が得られる。したがって、従来の半導体チップの均一な高さのバンプの上に製造マスク85、88を重ねる工程を回繰り返すことによって、従来の半導体チップのバンプの高さを複数種の高さに変更できるなどの効果が得られる。
【0046】
なお、上述の実施の形態5では、第1の半導体チップ52の高さの高いバンプ55と第2の半導体チップ53の高さの低いバンプ58とを接続したが、第1の半導体チップ52の高さの高いバンプ55をより高くすることによって第2の半導体チップ53の高さの低いバンプ58を省略し、あるいは、第2の半導体チップ53の高さの低いバンプ58をより高くすることによって第1の半導体チップ52の高さの高いバンプ55を省略することができる。このことは実施の形態6にも適用できる。そして、上述の実施の形態1〜8では、2種類の高さのバンプについて説明したが、3種類以上の高さのバンプと厚さの異なる半導体チップとの組合せが可能であることは云うまでもない。
【0047】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、高さの異なる複数のバンプを有する半導体チップが実装基板と他の半導体チップのうちの少なくとも一方にフェースダウンボンディングされているように構成したので、半導体チップと実装基板の間や、半導体チップと他の半導体チップの間をバンプのみによって電気的に接続することができる。したがって、ボンディングワイヤを全く使用することなく半導体チップを立体的かつ高密度に実装できるとともに、配線容量を低減できるという効果が得られる。また、ボンディングワイヤを全く使用しないので、半導体チップが高周波数チップである場合に有効となるなどの効果も得られる。
【0048】
この発明によれば、実装基板に第1の半導体チップがダイボンディングされ、第2の半導体チップに高さの異なる複数のバンプが設けられ、実装基板と第1の半導体チップに第2の半導体チップがフェースダウンボンディングされているように構成したので、実装基板と第2の半導体チップの間や、第1の半導体チップと第2の半導体チップの間をバンプのみによって電気的に接続することができる。したがって、ボンディングワイヤを全く使用することなく半導体チップを立体的かつ高密度に実装できるとともに、配線容量を低減できるという効果が得られる。また、ボンディングワイヤを全く使用しないので、第1の半導体チップや第2の半導体チップが高周波数チップである場合に有効となるなどの効果も得られる。
【0049】
この発明によれば、第1の半導体チップの全部が第2の半導体チップの面積内に配置されているように構成したので、1チップ分の面積の中に全ての半導体チップを実装できるという効果が得られる。
【0050】
この発明によれば、第1の半導体チップの一部が第2の半導体チップの面積外に配置されているように構成したので、半導体チップ同士の多様な組合せが可能になるという効果が得られる。
【0051】
この発明によれば、実装基板に第3の半導体チップがダイボンディングされているように構成したので、さらなる高密化が可能になるという効果が得られる。
【0052】
この発明によれば、第1の半導体チップと第3の半導体チップの全部が第2の半導体チップの面積内に配置されているように構成したので、1チップ分の面積の中に全ての半導体チップを実装できるという効果が得られる。
【0053】
この発明によれば、第1の半導体チップと第3の半導体チップの少なくとも一方の一部が第2の半導体チップの面積外に配置されているように構成したので、半導体チップ同士の多様な組合せが可能になるという効果が得られる。
【0054】
この発明によれば、第1の半導体チップに高さの異なるバンプが設けられているとともに、第2の半導体チップに第3の半導体チップがダイボンディングされているように構成したので、さらなる高密化が可能になるという効果が得られる。
【0055】
この発明によれば、第2の半導体チップに第4の半導体チップがダイボンディングされているように構成したので、さらなる高密度化が可能になるという効果が得られる。
【0056】
この発明によれば、実装基板に第1の半導体チップがダイボンディングされ、第1の半導体チップに第2の半導体チップがダイボンディングされ、実装基板と第1の半導体チップがボンディングワイヤによって接続され、第3の半導体チップに高さの異なる複数のバンプが設けられ、第3の半導体チップが第1の半導体チップと第2の半導体チップにフェースダウンボンディングされているように構成したので、ボンディングワイヤの数が従来よりも減少するという効果が得られる。
【0057】
この発明によれば、高さの高いバンプを形成しようとするパッドの上に開口を位置付けるように製造マスクを半導体チップの上に順次に設ける工程と、製造マスクを設ける度に開口に導電性材料を充填する工程と、製造マスクの全てを除く工程とを有するように構成したので、高さの異なる複数種のバンプを容易に形成できるという効果が得られる。また、従来の均一な高さのバンプを異なる高さに形成できるという効果も得られる。
【0058】
この発明によれば、製造マスクが写真製版技術によって設けられるように構成したので、いろいろな高さのバンプを形成できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1による半導体装置を示す正面図である。
【図2】 図1の平面図である。
【図3】 この発明の実施の形態2による半導体装置を示す正面図である。
【図4】 図3の平面図である。
【図5】 この発明の実施の形態3による半導体装置を示す正面図である。
【図6】 図5の平面図である。
【図7】 この発明の実施の形態4による半導体装置を示す正面図である。
【図8】 図7の平面図である。
【図9】 この発明の実施の形態5による半導体装置を示す正面図である。
【図10】 図9の平面図である。
【図11】 この発明の実施の形態6による半導体装置を示す正面図である。
【図12】 図11の平面図である。
【図13】 この発明の実施の形態7による半導体装置を示す正面図である。
【図14】 この発明の実施の形態8による半導体チップのバンプ製造方法を説明する断面図である。
【図15】 従来の技術による半導体装置を示す正面図である。
【図16】 従来の技術による半導体チップのバンプ製造方法を説明する断面図である。
【符号の説明】
11,21,31,41,51,61,71 実装基板、12,22,32,42,52,62,72 第1の半導体チップ、13,23,33,43,53,63,73 第2の半導体チップ、14,24,35,45,55,57,66,68,75 高さの高いバンプ、15,25,36,46,56,58,67,69,76 高さの低いバンプ、34,44,54,64,74 第3の半導体チップ、65 第4の半導体チップ。
Claims (2)
- 高さの異なる複数のバンプを有する半導体チップが実装基板と他の半導体チップのうちの少なくとも一方にフェースダウンボンディングされている半導体装置であって、
前記実装基板に第1の半導体チップがダイボンディングされ、第2の半導体チップに高さの異なる複数のバンプが設けられ、前記実装基板と前記第1の半導体チップに前記第2の半導体チップがフェースダウンボンディングされ、
前記第1の半導体チップの一部が前記第2の半導体チップの面積外に配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 高さの異なる複数のバンプを有する半導体チップが実装基板と他の半導体チップのうちの少なくとも一方にフェースダウンボンディングされている半導体装置であって、
前記実装基板に第1の半導体チップがダイボンディングされ、第2の半導体チップに高さの異なる複数のバンプが設けられ、前記実装基板と前記第1の半導体チップに前記第2の半導体チップがフェースダウンボンディングされ、
前記実装基板に第3の半導体チップがダイボンディングされ、
前記第1の半導体チップと前記第3の半導体チップの少なくとも一方の一部が前記第2の半導体チップの面積外に配置されていることを特徴とする半導体装置。
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