JP4588785B2 - アクティブマトリクス基板、表示装置、テレビジョン受像機 - Google Patents
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Description
4 TFT
8 コンタクトホール
9 薄膜部
11 ゲート電極
14 半導体層
17 画素電極
26 ソース電極
36 ドレイン電極
100 アクティブマトリクス基板
E1・E2 (薄膜部の)エッジ
Claims (12)
- 画素電極とトランジスタとを備え、該トランジスタのソース電極がデータ信号線に接続されるとともにそのドレイン電極が上記画素電極に接続され、かつそのゲート電極が走査信号線に接続されるかあるいは走査信号線の一部を構成し、該ゲート電極の形成層と上記トランジスタのチャネル形成層との間にゲート絶縁膜が設けられたアクティブマトリクス基板であって、
上記ゲート絶縁膜は、ゲート電極上に位置する薄膜部と、該薄膜部を取り囲み、該薄膜部よりも膜厚の大きな非薄膜部とを有し、
上記ソース電極は、薄膜部および非薄膜部の境界を跨ぐように形成されることよって、その一部が半導体層および薄膜部を介してゲート電極と重畳し、
上記ドレイン電極の少なくとも一部が半導体層および薄膜部を介してゲート電極と重畳し、
上記非薄膜部では複数のゲート絶縁層が積層され、
上記ソース電極、半導体層、薄膜部およびゲート電極の重畳面積は、上記ドレイン電極、半導体層、薄膜部およびゲート電極の重畳面積よりも小さく、
上記複数のゲート絶縁層の1つが平坦化膜であるとともに、上記薄膜部では、この平坦化膜が除去され、かつ上記非薄膜部は、薄膜部との隣接部分が順テーパ形状であることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 上記非薄膜部においては、ゲート電極に接するゲート絶縁層が平坦化膜であることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記平坦化膜は、スピンオンガラス(SOG)材料からなるSOG膜であることを特徴とする請求項2に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記薄膜部は直線状のエッジを有し、
上記ドレイン電極は、上記エッジに沿う方向に延伸する延伸部と、該延伸部よりソース電極から離れる向きに伸びる連結部とを含み、
上記延伸部が薄膜部上に位置するとともに連結部が上記エッジと重なり、該連結部の上記エッジに沿う方向の幅が、延伸部の上記エッジに沿う方向の幅よりも小さいことを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス基板。 - 上記薄膜部のエッジの一部が、上記半導体層の外周からはみ出していることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記ドレイン電極は、上記ソース電極の両側に分かれて形成されていることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記平坦化膜には有機物が含まれることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス基板。
- 第1ゲート電極および第1ドレイン電極を有する第1トランジスタと、第2ゲート電極および第2ドレイン電極を有する第2トランジスタとを備え、1つの画素領域に第1および第2画素電極が設けられたアクティブマトリクス基板であって、
第1および第2トランジスタの共通のソース電極がデータ信号線に接続され、第1ドレイン電極が第1画素電極に接続され、第2ドレイン電極が第2画素電極に接続され、第1および第2ゲート電極それぞれが、走査信号線に接続されるかあるいは走査信号線の一部を構成し、第1および第2ゲート電極の形成層と第1および第2トランジスタのチャネル形成層との間にゲート絶縁膜が設けられ、
該ゲート絶縁膜は、第1ゲート電極上に位置する第1薄膜部と、該第1薄膜部を取り囲み、該第1薄膜部よりも膜厚の大きな第1非薄膜部と、第2ゲート電極上に位置する第2薄膜部と、該第2薄膜部を取り囲み、該第2薄膜部よりも膜厚の大きな第2非薄膜部とを有し、
上記ソース電極は、第1薄膜部および第1非薄膜部の境界を跨ぐとともに第2薄膜部および第2非薄膜部の境界を跨ぐように形成されることよって、その一部が、半導体層および第1薄膜部を介して第1ゲート電極と重畳するとともに半導体層および第2薄膜部を介して第2ゲート電極と重畳し、
上記第1ドレイン電極の少なくとも一部が半導体層および第1薄膜部を介して第1ゲート電極と重畳するとともに、第2ドレイン電極の少なくとも一部が半導体層および第2薄膜部を介して第2ゲート電極と重畳し、
上記第1および第2非薄膜部では複数のゲート絶縁層が積層され、
上記ソース電極、半導体層、第1薄膜部および第1ゲート電極の重畳面積は、上記第1ドレイン電極、半導体層、第1薄膜部および第1ゲート電極の重畳面積よりも小さく、
上記ソース電極、半導体層、第2薄膜部および第2ゲート電極の重畳面積は、上記第2ドレイン電極、半導体層、第2薄膜部および第2ゲート電極の重畳面積よりも小さく、
上記複数のゲート絶縁層の1つが平坦化膜であるとともに、上記第1および第2薄膜部ではこの平坦化膜が除去され、かつ、上記第1非薄膜部は、第1薄膜部との隣接部分が順テーパ形状であり、上記第2非薄膜部は、第2薄膜部との隣接部分が順テーパ形状であることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 上記平坦化膜には有機物が含まれることを特徴とする請求項8記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記走査信号線には、データ信号線と交差する刳り貫き部が形成され、該刳り貫き部の両側が上記第1および第2ゲート電極となっていることを特徴とする請求項8記載のアクティブマトリクス基板。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板を備えることを特徴とする表示装置。
- 請求項11に記載の表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナ部とを備えていることを特徴とするテレビジョン受像機。
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