JP4588785B2 - アクティブマトリクス基板、表示装置、テレビジョン受像機 - Google Patents

アクティブマトリクス基板、表示装置、テレビジョン受像機 Download PDF

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Description

本発明は、液晶表示装置等に用いるアクティブマトリクス基板に関する。
アクティブマトリクス基板は、液晶表示装置、EL(Electro Luminescence:エレクトロルミネッセンス)表示装置等のアクティブマトリクス型表示装置において幅広く用いられている。従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置に用いられているアクティブマトリクス基板では、基板上に交差するように配置された複数本の走査信号線と複数本のデータ信号線との各交点に、TFT(薄膜トランジスタ)等のスイッチング素子が設けられている。そして、このTFT等のスイッチング機能により、TFT等と接続された各画素(電極)部に画像信号が適宜伝達されている。また、TFT等をオフにしている期間中の液晶層の自己放電またはTFT等のオフ電流による画像信号の劣化を防止したり、液晶駆動における各種変調信号の印加経路等に使用したりするために、各画素部に保持容量素子が設けられたアクティブマトリクス基板も存在する。
図17は、液晶表示装置に用いられる従来のアクティブマトリクス基板の構成である。同図に示されるように、アクティブマトリクス基板900には、交差配置された複数の走査信号線916および複数のデータ信号線915と、各信号線(915・916)の交点近傍に形成されたTFT912(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)と、画素電極917とを備える。TFT912は、そのゲート電極が走査信号線916の一部であり、そのソース電極919がデータ信号線915に接続され、そのドレイン電極908がドレイン引き出し電極907を介して画素電極917に接続される。ドレイン引き出し電極と画素電極917との間に配される絶縁膜には穴が開けられており、これによってドレイン引き出し電極907と画素電極917とを接続するコンタクトホール910が形成されている。画素電極917はITO等の透明電極であり、アクティブマトリクス基板下からの光(バックライト光)を透過させる。
このアクティブマトリクス基板900においては、走査信号線916に送られる走査信号(ゲートON電圧)によってTFT912がON(ソース電極919とドレイン電極908とが導通状態)状態となり、この状態においてデータ信号線915に送られるデータ信号(信号電圧)が、ソース電極919、ドレイン電極908およびドレイン引き出し電極907を介して画素電極917に書き込まれる。
TFT912の構成については以下のとおりである。すなわち、透明絶縁性基板上に、走査信号線916(ゲート電極)が設けられ、このゲート電極上を覆ってゲート絶縁膜が設けられている。さらに、ゲート絶縁膜上にはゲート電極と重畳するように半導体層が設けられ、半導体層の一部を覆うようにソース電極919およびドレイン電極908が設けられている。
ところが、このようにゲート絶縁膜を1層構成とすると、特にTFT形成領域のゲート絶縁膜にピンホールやクラックなどの形成不良があった場合に、TFTの各電極間短絡(ゲート・ドレイン短絡やゲート・ソース短絡)という欠陥が発生するおそれがある。これを回避すべく、ゲート絶縁膜を2層化する構成が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
ただ、このようにゲート絶縁膜を2層化すると、ゲート電極と半導体層との間に厚いゲート絶縁膜が存在することから、TFTの特性が劣化してしまうという問題がある。
この問題を回避する手法として、ゲート絶縁層を、半導体層の下部については単層構造(窒化シリコン膜)とし、それ以外については複層構造(酸化シリコン膜および窒化シリコン膜)とする構成が特許文献2に開示されている。
日本国公開特許公報「特開平7−114044号公報(公開日:平成7年(1995)5月2日公開)」 日本国公開特許公報「特開平6−112485号公報(公開日:平成6年(1994)4月22日公開)」
しかしながら、このようにTFT形成領域のゲート絶縁層を単層構造にすると、ソース電極およびゲート電極間のゲート絶縁膜が薄くなり、上記のように、ゲート絶縁膜の形成不良等によってソース電極とゲート電極とが容易に短絡するおそれがある。このソース電極とゲート電極との短絡はデータ信号線と走査信号線との短絡となり、修正が容易でない重大欠陥である。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、TFT特性を担保しつつ、TFT形成領域における信号線間(データ信号線・走査信号線間)短絡の発生を抑制しうるアクティブマトリクス基板を提供することを目的とする。
本発明に係るアクティブマトリクス基板は、上記課題を解決するために、複数のトランジスタを備え、各トランジスタにおいて、そのソース電極がデータ信号線に接続され、そのドレイン電極が画素電極に接続されたアクティブマトリクス基板であって、各トランジスタのソース電極は、半導体層上にあって、少なくともその一部が該トランジスタのゲート電極と重畳し、各トランジスタのドレイン電極は、上記半導体層上にあって、少なくともその一部が該トランジスタのゲート電極と重畳し、各トランジスタのゲート電極を覆うゲート絶縁膜は、各ゲート電極と重畳する部分に、膜厚が小さくなった薄膜部を有しており、上記薄膜部とソース電極との重畳面積は、上記薄膜部とドレイン電極との重畳面積より小さいことを特徴とする。換言すれば、本発明に係るアクティブマトリクス基板は、複数のトランジスタを備え、各トランジスタにおいて、そのソース電極がデータ信号線に接続され、そのドレイン電極が画素電極に接続され、そのゲート電極が走査信号線に接続されるかあるいは走査信号線がそのゲート電極を兼ねるアクティブマトリクス基板であって、各トランジスタのゲート電極を覆うゲート絶縁膜は、各ゲート電極と重なる部分に、膜厚が小さくなった薄膜部を有しており、この薄膜部は、上記ソース電極と重なる部分の面積が、上記ドレイン電極と重なる部分の面積より小さくなるように形成されていることを特徴とする。
上記構成は、ゲート絶縁膜に各ゲート電極と重畳する薄膜部を設けることでトランジスタの特性を維持する一方、この薄膜部とソース電極との重畳面積を、該薄膜部とドレイン電極との重畳面積より小さくすることで、ゲート電極およびソース電極間短絡を抑制するものである。当該構成によれば、トランジスタの特性を維持しつつ、修正が容易でない信号線間(データ信号線・走査信号線間)短絡の発生を抑制することが可能となる。
本アクティブマトリクス基板においては、上記ゲート絶縁膜は複数のゲート絶縁層からなり、薄膜部において1以上のゲート絶縁層を有し、他の部分においてそれより多いゲート絶縁層を有する構成とすることもできる。この場合、少なくとも1つのゲート絶縁層が平坦化膜であることが好ましい。こうすれば、走査信号線およびデータ信号線の交差部の段差が小さくなり、データ信号線が走査信号線を乗り越える段差が軽減されるため、信号線交差部におけるデータ信号線の断線が発生し難くなる。また、例えば、ゲート絶縁層の1つにSiNx(窒化シリコン)膜を用いる場合、ゲート電極のテーパ部における緻密さがその他の領域より低下(膜質が低下)し、静電気によるSiNxの破壊が発生しやすい。ここで、複数のゲート絶縁層のいずれかに平坦化膜を用いれば、上記テーパ部においても絶縁膜の厚みを確保することができ、SiNx膜の破壊を防止できる。
また、上記他の部分においては、最下層のゲート絶縁層を平坦化膜とすることが好ましい。さらに、上記平坦化膜の基板面に接する部分の厚みが、基板面に形成されるゲート電極よりも大きいことが好ましい。こうすれば、平坦化効果が向上し、各信号線間短絡の発生を一層抑制することができる。また、データ信号線の断線もより発生し難くなる。
また、上記ゲート絶縁膜が有機物を含むゲート絶縁層を備えても良い。有機物を含む材料としてはSOG(スピンオンガラス)材料やアクリル系樹脂材料、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリシロキサン系樹脂、ノボラック系樹脂などがある。これらの材料は基板上に塗布することで形成できるので、ミクロンオーダーの厚膜化が比較的容易である。このため、走査信号線に接続された導電層や保持容量配線と他の配線との距離を大きくすることができ、短絡を発生し難くすることができる。
また、この最下層のゲート絶縁層を、スピンオンガラス(SOG)材料からなる平坦化膜(SOG膜)とすることが好ましい。こうすれば、第1ゲート絶縁層としてのSOG膜上に、第2の絶縁層、高抵抗半導体層、および低抵抗半導体層をCVD法などにより連続して成膜することができる。これにより、製造工程の短縮が可能となる。この場合、上記薄膜部ではSOG膜を抜いておき、他の部分の最下層にSOG膜を形成する構成とすることもできる。また、ゲート絶縁膜における上記薄膜部のエッジ近傍を順テーパ形状とすれば、その上層に形成される各電極が断線しにくくなる。
本アクティブマトリクス基板においては、上記薄膜部は直線状のエッジを有し、上記ドレイン電極は、上記エッジ方向に延伸する延伸部と、該延伸部よりソース電極から離れる向きに伸びる連結部とを備え、この連結部が上記エッジと重畳するとともに、連結部の上記エッジ方向の幅が延伸部の上記エッジ方向の幅より小さい構成とすることもできる。また、上記ドレイン電極を、上記ソース電極の両側に配された第1および第2のドレイン電極から構成することもできる。こうすれば、ドレイン電極がずれてもドレイン電極と薄膜部との重畳部分の面積変化を抑えることができ、Cgd(ゲート電極およびドレイン電極間の寄生容量)の変動を抑制できる。これにより、トランジスタOFF時のドレイン引き込み電圧のばらつきを低減でき、本アクティブマトリクス基板を用いた表示装置の表示品位を向上させることができる。
本アクティブマトリクス基板においては、上記薄膜部のエッジの一部が、上記半導体層の外周からはみ出していることが好ましい。透視平面的にみて、薄膜部全体が半導体層のエッジの内側に位置している場合、トランジスタOFF時に、半導体層のエッジ部分を介してのソース・ドレイン間リーク電流(チャネル領域以外に流れるソース・ドレイン間のオフリーク電流)が流れ易くなる。ゲート絶縁膜が厚い部分では上層の半導体領域に十分なOFF電圧が加えられないからである。そこで、上記薄膜部のエッジの一部を半導体層の外周からはみ出して形成することで、上記した半導体層のエッジを介してのリーク電流を抑制することができる。これにより、トランジスタのOFF特性を向上させることができる。
本アクティブマトリクス基板においては、各画素領域に、第1および第2のトランジスタと、第1および第2の画素電極とを備え、上記第1および第2のトランジスタは、データ信号線に接続する共通のソース電極を有し、上記第1のトランジスタは、第1のゲート電極および第1のドレイン電極を有し、上記第2のトランジスタは、第2のゲート電極および第2のドレイン電極を有し、上記第1および第2のゲート電極は、ともに走査信号線の一部あるいは走査信号線から引き出されたものであり、上記第1のドレイン電極は第1の画素電極に接続されるともに、第2のドレイン電極は第2の画素電極に接続され、上記ソース電極は、半導体層上にあって、少なくともその一部が第1および第2のゲート電極に重畳し、上記第1のドレイン電極は、上記半導体層上にあって、少なくともその一部が第1のゲート電極に重畳し、上記第2のドレイン電極は、上記半導体層上にあって、少なくともその一部が第2のゲート電極に重畳し、各ゲート電極を覆うゲート絶縁膜は、第1のゲート電極と重畳する部分に、膜厚が小さくなった第1の薄膜部を有し、かつ第2のゲート電極と重畳する部分に、膜厚が小さくなった第2の薄膜部を有し、上記第1の薄膜部と上記ソース電極との重畳面積は、上記第1の薄膜部と第1のドレイン電極との重畳面積より小さく、上記第2の薄膜部と上記ソース電極との重畳面積は、上記第2の薄膜部と第2のドレイン電極との重畳面積より小さい構成とすることもできる。
この場合、上記ソース電極は、第1および第2のソース電極からなり、上記第1の薄膜部と第1のソース電極との重畳面積は、上記第1の薄膜部と第1のドレイン電極との重畳面積より小さく、上記第2の薄膜部と第2のソース電極との重畳面積は、上記第2の薄膜部と第2のドレイン電極との重畳面積より小さい構成とすることもできる。
上記の構成は1つの画素に、輝度の異なる複数の領域を形成可能とする、いわゆるマルチ画素構造である。当該構造においても、各薄膜部と各ソース電極との重畳面積を、各薄膜部と各ドレイン電極との重畳面積より小さくすることで、ゲート電極およびソース電極間短絡を抑制できる。
上記走査信号線には、上記データ信号線と交差する部分に、電極が形成されていない刳り抜き部が形成されていることが好ましい。この場合、上記刳り抜き部は走査信号線方向に延伸し、その両側に上記第1および第2のゲート電極が位置していることがより好ましい。
上記構成によれば、仮に各信号線(走査信号線およびデータ信号線)に短絡が発生しても、レーザなどによって、刳り抜き部上を通過するデータ信号線を容易に切断できる。すなわち、切断されたデータ信号線のうち、短絡欠陥部位を含むデータ信号線を切断すれば、短絡欠陥のあるトランジスタを完全に分離することができる。そして、必要に応じて補助配線修正等を行えば、欠陥トランジスタに接続されている画素電極を除いて、正常な駆動を行うことができる。これにより、歩留まりを向上させることができる。
本発明の表示装置は、上記アクティブマトリクス基板を備えることを特徴とする。
本発明のテレビジョン受像機は、上記表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナ部とを備えていることを特徴とする。
以上のように、本アクティブマトリクス基板によれば、トランジスタの特性を維持しつつ、修正が容易でない信号線間(データ信号線・走査信号線間)短絡の発生を抑制することができる。
本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。 本アクティブマトリクス基板のTFT領域の断面図である。 本アクティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。 本アクティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。 本アクティブマトリクス基板の構成例を示す平面図である。 本アクティブマトリクス基板における欠陥修正方法を示す平面図である。 本アクティブマトリクス基板の構成例を示す平面図である。 本アクティブマトリクス基板の漏れ電流防止効果を示すグラフである。 本アクティブマトリクス基板のSGリーク防止効果を示すグラフである。 本アクティブマトリクス基板の構成例を示す平面図である。 本アクティブマトリクス基板の構成例を示す平面図である。 本アクティブマトリクス基板の効果を説明するための比較構成例を示す平面図である。 本実施の形態に係る液晶パネルの構成を示す断面図である。 本実施の形態に係る液晶パネルの制御構成を示すブロック図である。 本実施の形態に係るテレビジョン受像機の構成を示すブロック図である。 本実施の形態に係るテレビジョン受像機の構成を示す斜視図である。 従来のアクティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。
符号の説明
3 データ信号線
4 TFT
8 コンタクトホール
9 薄膜部
11 ゲート電極
14 半導体層
17 画素電極
26 ソース電極
36 ドレイン電極
100 アクティブマトリクス基板
E1・E2 (薄膜部の)エッジ
本発明の実施の一形態を図1〜図16に基づいて説明すれば以下のとおりである。
図1は、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。同図に示すように、本アクティブマトリクス基板100には、画素電極17およびTFT(薄膜トランジスタ)4が備えられる。画素電極17の周囲には、互いに直交する走査信号線(図示せず)およびデータ信号線3が設けられ、TFT4は、走査信号線およびデータ信号線3の交差部分近傍に設けられる。
TFT4は、走査信号線の一部であるゲート電極11、ソース電極26、およびドレイン電極36を備える。ソース電極26はデータ信号線3と接続され、ドレイン電極36は、ドレイン引き出し配線7およびコンタクトホール8を介して画素電極17に接続される。上記構成により、データ信号線3からのデータ(信号電位)が、TFT4のソース電極26およびドレイン電極36を介して画素電極17に書き込まれる。
ゲート電極11は、平面的にみて、走査信号線方向(図中左右方向)を長手方向とする長方形形状を有する。本アクティブマトリクス基板では、ゲート電極11を覆うゲート絶縁膜には、周りより膜厚が小さくなった薄膜部9が形成される。ゲート絶縁膜は、複数のゲート絶縁層を備えるが、そのうちの少なくとも1つを部分的に除去あるいは薄くすることで、この薄膜部9(低層絶縁膜領域)が形成される。薄膜部9は、ゲート電極11上に(これと重畳して)形成され、走査信号線方向を長手方向とする長方形の一長辺の一部に張り出し部6を設けた形状を有する。ゲート絶縁膜の上層には、(高抵抗)半導体層14が、走査信号線方向を長手方向とする長方形形状に形成される。半導体層14は、その大部分がゲート電極11およびゲート絶縁膜の)薄膜部9と重畳する。もっとも、薄膜部9の一方の短辺(データ信号線方向)に相当するエッジE2は、半導体層14と重畳せず、半導体層14のエッジの外側に位置する。また、上記張り出し部6部分のエッジの一部E1も、半導体層14と重畳せず、半導体層14のエッジの外側に位置する。
ソース電極26およびドレイン電極36は、半導体層14の上層(同一層)に、間隙をおいて向かい合うように形成される。ソース電極26は、走査信号線方向(図中左右方向)を長手方向とする長方形形状を有する。ソース電極26は、半導体層14上にあって(半導体14に重畳し)、その大部分がゲート電極11に重畳する。ドレイン電極36は、走査信号線方向(図中左右方向)を長手方向とする長方形形状の延伸部36xと、該延伸部36xおよびドレイン引き出し電極7を連結する連結部36yとを有する。連結部36yは延伸部36xよりソース電極26から離れる向きに(例えば、垂直に)伸びており、その走査線信号線方向(すなわち、延伸部36xの長手方向)の幅は、延伸部36xの走査線信号線方向の幅より小さい。このドレイン電極36は、半導体層14上にあって(半導体14に重畳し)、その大部分がゲート電極11に重畳する。
ここで、各電極(26・36)は、(ゲート絶縁膜の)薄膜部9とソース電極26との重畳面積(TS重畳面積19)が、薄膜部9とドレイン電極36との重畳面積(TD重畳面積29)より小さくなるように形成されている。すなわち、透視平面的にみれば、ドレイン電極36の延伸部36xの大部分(延伸部36xおよび連結部36yの一部)が薄膜部9のエッジ内側に位置している一方で、ソース電極26は、その一部しか薄膜部9のエッジ内側に位置していない。
さらに、ドレイン電極36の連結部36yは、薄膜部9の長辺(張り出し部6が設けられている辺)に対応するエッジと、半導体層14の一方長辺に対応するエッジと、ゲート電極11の一方長辺に対応するエッジとをこの順に跨ぐように形成され、走査信号線方向にみて、該連結部36yの両側に、薄膜部9の上記エッジE1・E2が位置している。
図2に、図1のA1−A2線矢視断面図(TFT領域の断面図)を示す。同図に示すように、TFT領域は、ガラスやプラスチック等の透明絶縁性基板10の上層に、ゲート電極11(走査信号線)およびゲート絶縁膜30(第1ゲート絶縁層12・第2ゲート絶縁層13)が形成される。基板面上およびゲート電極11上には、ゲート絶縁膜30として第1ゲート絶縁層12および第2ゲート絶縁層13が連続して形成されるが、ゲート電極11上においては第1ゲート絶縁層12が全部あるいは一部除去されており、これが薄膜部9となっている。なお、図2に示されるように、このゲート絶縁膜30における薄膜部9のエッジ近傍は順テーパ形状である。第2ゲート絶縁層13の上層には、高抵抗半導体層14がパターン形成される。高抵抗半導体層14の上層には、低抵抗半導体層25を介してソース電極26がパターン形成されるとともに、低抵抗半導体層35を介してドレイン電極36がパターン形成される。なお、各電極(26・36)の平面形状は上記のとおり(図1参照)であり、(ゲート絶縁膜の)薄膜部9とソース電極26との重畳面積(TS重畳面積19)が、薄膜部9とドレイン電極36との重畳面積(TD重畳面積29)より小さくなるように形成されている。
そして、これら各電極(26・36)の上層と、半導体層14や第2ゲート絶縁層13のうち各電極(26・36)と重畳しない部分の上層には、層間絶縁膜16が形成され、該層間絶縁膜16によって、TFT4、走査信号線、データ信号線3、およびドレイン引き出し配線7の上部が覆われる。さらに、層間絶縁膜16上には画素電極17が形成される。
本アクティブマトリクス基板100によれば、ゲート絶縁膜30にゲート電極11と重畳する薄膜部(低層絶縁膜領域)9を設けることでトランジスタ4の特性を維持する一方、この薄膜部9とソース電極26との重畳面積19を、該薄膜部9とドレイン電極36との重畳面積29より小さくすることで、ゲート電極11およびソース電極26間短絡を抑制するものである。このように、上記構成によれば、トランジスタ4の特性を維持しつつ、修正が容易でない信号線間(データ信号線・走査信号線間)短絡の発生を抑制することが可能となる。
また、アクティブマトリクス基板100においては、ゲート絶縁膜30の最下層にSOG材料からなる平坦化膜(第1ゲート絶縁層)12を用いている。これにより、走査信号線およびデータ信号線の交差部の段差が小さくなり、データ信号線が走査信号線を乗り越える段差が軽減され、両信号線の交差部分におけるデータ信号線の断線が発生し難くなる。また、ゲート絶縁膜30における薄膜部9のエッジ近傍を順テーパ形状とすれば、その上層に形成されるソース電極26やドレイン電極36が断線しにくくなる。
なお、一般に、第2ゲート絶縁層13(窒化シリコン膜)は、ゲート電極のテーパ部にいて破損し易いが、本実施の形態では、第1ゲート絶縁層が平坦化膜であるため、上記テーパ部においても第2絶縁層13の厚みを確保することができ、第2ゲート絶縁層13の破損を防止できる。
また、最下層の第1ゲート絶縁層12を、スピンオンガラス(SOG)材料からなる平坦化膜(SOG膜)とすることで、第1ゲート絶縁層12上に、第2の絶縁層(窒化シリコン膜)13、高抵抗半導体層14、および低抵抗半導体層(25・35)をCVD法などにより連続して成膜することができる。これにより、製造工程の短縮が可能となる。
本アクティブマトリクス基板においては、連結部36yの(薄膜部9の長辺に相当するエッジ方向の)幅が延伸部36xの(薄膜部9の長辺に相当するエッジ方向の)幅より小さい。したがって、ドレイン電極36がずれてもドレイン電極36と薄膜部9との重畳部分の面積29の変動を抑えることができ、Cgd(ゲート電極およびドレイン電極間の寄生容量)の変動を抑制できる。これにより、トランジスタOFF時のドレイン引き込み電圧のばらつきを低減でき、アクティブマトリクス基板100を用いた本液晶表示装置の表示品位を向上させることができる。
アクティブマトリクス基板100においては、薄膜部9のエッジの一部が、半導体層14の外周からはみ出している。ここで、透視平面的にみて薄膜部全体が半導体層のエッジの内側にあると、トランジスタOFF時に半導体層のエッジ部分を介してソース・ドレイン間リーク電流(チャネル領域以外に流れるソース・ドレイン間のオフリーク電流)が流れ易くなる。ゲート絶縁膜が厚い部分では上層の半導体領域に十分なOFF電圧が加えられないからである。そこで、本実施の形態のごとく薄膜部9のエッジの一部(E1・E2)を半導体層14の外周からはみ出させることで、半導体層14のエッジを介してのリーク電流を抑制することができる。これにより、トランジスタ4のOFF特性を向上させることができる。この効果を図8に示す。図8に示されるように、図1においてE1・E2を形成することで、TFTのOFF特性(GS間電圧−DS間漏れ電流特性)をグラフBからグラフAに改善することができる。
なお、図1に示すアクティブマトリクス基板を、図10に示すアクティブマトリクス基板のように変形することも可能である。すなわち、図10のアクティブマトリクス基板100’では、薄膜部9’を長方形形状とし(張り出し部を設けない)、透視平面的に見て、薄膜部9’全体が半導体層14のエッジ内側に収まるように構成する。なお、他の構成は図1と同様である。
以下に、本アクティブマトリクス基板の製造方法(基本部分)の一例について、図1・2を用いて説明する。
本実施の形態では、ガラス、プラスチック等の透明絶縁性基板10上に、TFT4のゲート電極11としても機能する走査信号線が設けられている。走査信号線(ゲート電極11)は、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、タングステン、銅等の金属膜、それらの合金膜、又は、それらの積層膜を1000Å〜3000Åの膜厚でスパッタリング法等の方法にて成膜し、これをフォトエッチング法等により所望形状にパターニングすることで形成される。
本実施の形態では、走査信号線、ゲート電極11の上を覆うように、第1ゲート絶縁層12をスピンオンガラス(SOG)材料などの平坦化膜をスピンコート法により塗布する。なお、第1ゲート絶縁層12には、絶縁性の材料(例えば、有機物を含む材料)を用いることが可能であるが、ここでは、SOG材料を用いた。SOG材料とは、スピンコート法などの塗布法によってガラス膜(シリカ系皮膜)を形成し得る材料のことである。なお、有機物を含む材料としては上記SOG材料のほか、アクリル系樹脂材料、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリシロキサン系樹脂、ノボラック系樹脂などがある。
第1ゲート絶縁層12には、SOG材料の中でも、例えば有機成分を含むスピンオンガラス材料(いわゆる有機SOG材料)が好適である。有機SOG材料としては、特に、Si−O−C結合を骨格とするSOG材料や、Si−C結合を骨格とするSOG材料を好適に用いることができる。有機SOG材料は、比誘電率が低く、容易に厚い膜を形成することができる。すなわち、有機SOG材料を用いれば、第1ゲート絶縁層12の比誘電率を低くして第1ゲート絶縁層12を厚く形成することが容易になるとともに平坦化を行うことも可能になる(有機SOG材料を用いることで、第1ゲート絶縁層12の比誘電率を低く抑えながらこれを厚膜形成して平坦化効果を得ることが容易である)。なお、上記したSi−O−C結合を有するSOG材料としては、例えば、特開2001−98224号公報や特開平6−240455号公報に開示されている材料や、IDW(Information Display Workshops)’03予稿集第617頁に開示されている東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製DD1100を挙げることができる。また、Si−C結合を骨格とするSOG材料としては、例えば、特開平10−102003号公報に開示されている材料を挙げることができる。
また、第1ゲート絶縁層12に、シリカフィラーを含む有機SOG材料を用いることもできる。この場合、有機SOG材料から形成された基材中にシリカフィラーを分散させた構成とすることが好ましい。こうすれば、基板20が大型化しても、第1ゲート絶縁層12を、クラックを発生させることなく形成することができる。なお、シリカフィラーの粒径は、例えば、10nm〜30nmであり、その混入比率は、20体積%〜80体積%である。シリカフィラーを含む有機SOG材料としては、例えば、触媒化学社製LNT−025を用いることができる。
本実施の形態では、上記の有機SOG材料を、1.5〜2.0μmの厚みとなるように基板上に塗布する。さらに、フォトエッチング法にて、図1に示すようなパターンを得る。エッチングには、四フッ化炭素(CF4)と酸素(O)の混合ガスを用いてドライエッチングを行うことにより、TFT4領域内の有機SOG(第1ゲート絶縁層12)が除去される。このとき、四フッ化水素(CF)と酸素(O)との混合比率を調整することで、第1ゲート絶縁層除去部分のエッジ近傍を順テーパ形状にすることができる。
続いて、第2ゲート絶縁層13となる窒化シリコン膜と、アモルファスシリコンやポリシリコン等からなる高抵抗半導体層14と、n+アモルファスシリコン等の低抵抗半導体層(25・35)とをプラズマCVD(化学的気相成長)法等によって連続成膜し、フォトエッチング法等によりパターン形成を行う。膜厚は、例えば、第2ゲート絶縁層13としての窒化シリコン膜を3000Å〜5000Å程度、高抵抗半導体層14としてのアモルファスシリコン膜を1000Å〜3000Å程度、低抵抗半導体層(25・35)としてのn+アモルファスシリコン膜を400Å〜700Å程度とする。
ついで、データ信号線3(図1参照)、ドレイン引き出し配線7、ドレイン電極36、およびソース電極26が同一工程で形成される。データ信号線3やドレイン引き出し配線7は、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、タングステン、銅等の金属膜、それらの合金膜、又は、それらの積層膜を1000Å〜3000Åの膜厚でスパッタリング法等の方法にて形成し、フォトエッチング法等にて必要な形状にパターニングすることで形成される。
TFT4(図1参照)は、アモルファスシリコン膜等の高抵抗半導体層14、n+アモルファスシリコン膜等の低抵抗半導体層(25・35)に対して、データ信号線3、ドレイン電極36、およびドレイン引き出し配線7のパターンをマスクにし、ドライエッチングにてチャネルエッチングを行うことで形成する。さらに、層間絶縁膜16として、感光性アクリル樹脂等の樹脂膜や、窒化シリコン、酸化シリコン等の無機絶縁膜、又は、それらの積層膜等が設けられる。積層膜としては、例えば、プラズマCVD法等により成膜した2000Å〜5000Å程度の膜厚の窒化シリコン膜と、この窒化シリコン膜の上にスピンコート法により形成した20000Å〜40000Åの膜厚の感光性アクリル樹脂膜との積層膜等を用いることができる。本実施の形態(図2参照)では、窒化シリコンからなる層間絶縁膜16のみを設けた。コンタクトホール8(図1参照)は、TFT4、走査信号線(ゲート電極11)、データ信号線3、ドレイン電極36、およびドレイン引き出し配線7の上部を覆うように形成された層間絶縁膜16を貫いて形成されている。コンタクトホールは、フォトエッチング法によりパターニングすることで形成する。
ついで、画素電極17が層間絶縁膜16の上層に形成される。ここでは、例えば、ITO、IZO、酸化亜鉛、酸化スズ等の透明性を有する導電膜を、スパッタリング法等により1000Å〜2000Å程度の膜厚で成膜し、これをフォトエッチング法等にて必要な形状にパターニングすることで形成される。
本アクティブマトリクス基板は、図3のように、1つの画素領域に輝度の異なる複数の領域を形成するマルチ画素構造とすることもできる。同図に示すように、アクティブマトリクス基板110は、1つの画素領域に、第1および第2のTFT104a・104bおよび第1および第2の画素電極117a・117bを備える。第1および第2の画素電極117a・117bの周囲には、互いに直交する走査信号線102およびデータ信号線103が設けられ、第1および第2のTFT104a・104bは、走査信号線102およびデータ信号線103の交差部分近傍に設けられる。
第1のTFT104aは、ソース電極126aおよびドレイン電極136aを備え、走査信号線102の一部をゲート電極としている。ソース電極126aはデータ信号線103と接続され、ドレイン電極136aは、ドレイン引き出し配線107aおよびコンタクトホール108aを介して第1の画素電極117aに接続される。また、第2のTFT104bは、ソース電極126bおよびドレイン電極136bを備え、走査信号線102の一部をゲート電極としている。ソース電極126bはデータ信号線103と接続され、ドレイン電極136bは、ドレイン引き出し配線107bおよびコンタクトホール108bを介して第2の画素電極117bに接続される。
本アクティブマトリクス基板110では、データ信号線103からのデータ(信号電位)が、TFT104a・104bの各ソース電極126a・126bおよび各ドレイン電極136a・136bを介して第1および第2の画素電極117a・117bそれぞれに与えられるが、例えば保持容量配線(互いに逆の位相の信号電圧が印加されている2本の保持容量配線)によって、第1および第2の画素電極117a・117bはそれぞれ異なる電位に制御される。この(図3に示す)マルチ画素構造のアクティブマトリクス基板を備える液晶パネルでは、1つの画素内に明るい副画素および暗い副画素の両方を形成できるため、面積階調によって中間調を表現することができ、斜め視角における白浮きを改善できる。
本アクティブマトリクス基板110には、走査信号線102(ゲート電極)を覆うゲート絶縁膜には、周りより膜厚が小さくなった薄膜部(低層絶縁膜領域)109aが形成される。ゲート絶縁膜は、複数のゲート絶縁層を備えるが、そのうちの少なくとも1つを部分的に除去あるいは薄くすることで、薄膜部109aが形成される。薄膜部109aは、走査信号線102上に(これと重畳して)形成され、走査信号線方向を長手方向とする長方形の一長辺の一部に張り出し部106aを設けた形状を有する。ゲート絶縁膜の上層には、(高抵抗)半導体層114aが、走査信号線方向を長手方向とする長方形形状に形成される。半導体層114aは、その大部分が走査信号線102および薄膜部109aと重畳する。
もっとも、薄膜部109aの一方短辺(データ信号線方向)に相当するエッジEa2は、半導体層114aと重畳せず、半導体層114aのエッジの外側に位置する。また、薄膜部109aの張り出し部106aの一部に相当するエッジEa1も、半導体層114aと重畳せず、半導体層114aのエッジの外側に位置する。
ソース電極126aおよびドレイン電極136aは、半導体層114aの上層(同一層)に形成され、間隙をおいて互いに向かい合う形状である。ソース電極126aは、データ信号線103から引き出されており、走査信号線方向(図中左右方向)を長手方向とする長方形形状を有する。ソース電極126aは、半導体層114a上にあって(半導体114aに重畳し)、その大部分が走査信号線102に重畳する。ドレイン電極136aは、走査信号線方向(図中左右方向)を長手方向とする長方形形状の延伸部146aと、該延伸部146aおよびドレイン引き出し電極107aを連結する連結部156aとを有する。連結部156aは延伸部146aよりソース電極126aから離れる向きに(例えば、垂直に)伸びており、その走査線信号線方向(すなわち、延伸部146aの長手方向)の幅は、延伸部146aの走査線信号線方向の幅より小さい。このドレイン電極136aは、半導体層114a上にあって(半導体114aに重畳し)、その大部分が走査信号線102に重畳する。
ここで、各電極(126a・136a)は、薄膜部109aとソース電極126aとの重畳面積(TS重畳面積119a)が、薄膜部109aとドレイン電極136aとの重畳面積(TD重畳面積129a)より小さくなるように形成されている。すなわち、透視平面的にみれば、ドレイン電極136aの延伸部146aの大部分(延伸部146aおよび連結部156aの一部)が薄膜部109aのエッジ内側に位置している一方で、ソース電極126aは、その一部しか薄膜部109aのエッジ内側に位置していない。
さらに、ドレイン電極136aの連結部156aは、薄膜部109aの一方長辺(張り出し部106aが設けられている辺)に対応するエッジと、半導体層114aの一方長辺に対応するエッジと、走査信号線102の一方長辺に対応するエッジとをこの順に跨ぐように形成され、走査信号線方向にみて、該連結部156aの両側に、薄膜部109aの上記エッジEa1・Ea2が配されている。
さらに、本アクティブマトリクス基板110には、走査信号線102(ゲート電極)を覆うゲート絶縁膜には、周りより膜厚が小さくなった薄膜部(低層絶縁膜領域)109bが形成される。ゲート絶縁膜は、複数のゲート絶縁層を備えるが、そのうちの少なくとも1つを部分的に除去あるいは薄くすることで、薄膜部109bが形成される。薄膜部109bは、走査信号線102上に(これと重畳して)形成され、走査信号線方向を長手方向とする長方形の一長辺の一部に張り出し部106bを設けた形状を有する。ゲート絶縁膜の上層には、(高抵抗)半導体層114bが、走査信号線方向を長手方向とする長方形形状に形成される。半導体層114bは、その大部分が走査信号線102および薄膜部109bと重畳する。
もっとも、薄膜部109bの一短辺(データ信号線方向)に相当するエッジEb2は、半導体層114bと重畳せず、半導体層114bのエッジの外側に位置する。また、薄膜部109bの張り出し部106bに相当するエッジの一部Eb1も、半導体層114bと重畳せず、半導体層114bのエッジの外側に位置する。
ソース電極126bおよびドレイン電極136bは、半導体層114bの上層(同一層)に形成され、間隙をおいて互いに向かい合う形状である。ソース電極126bは、データ信号線103から引き出されており、走査信号線方向(図中左右方向)を長手方向とする長方形形状を有する。なお、ソース電極126aおよびソース電極126bは、間隙をおいて対向するように形成されている。ソース電極126bは、半導体層114b上にあって(半導体層114bに重畳し)、その大部分が走査信号線102に重畳する。ドレイン電極136bは、走査信号線方向(図中左右方向)を長手方向とする長方形形状の延伸部146bと、該延伸部146bおよびドレイン引き出し電極107bを連結する連結部156bとを有する。連結部156bは延伸部146bよりソース電極126bから離れる向きに(例えば、垂直に)伸びており、その走査線信号線方向(すなわち、延伸部146bの長手方向)の幅は、延伸部146bの走査線信号線方向の幅より小さい。このドレイン電極136bは、半導体層114b上にあって(半導体114bに重畳し)、その大部分が走査信号線102に重畳する。
ここで、各電極(126b・136b)は、薄膜部109bとソース電極126bとの重畳面積(TS重畳面積119b)が、薄膜部109bとドレイン電極136bとの重畳面積(TD重畳面積129b)より小さくなるように形成されている。すなわち、透視平面的にみれば、ドレイン電極136bの延伸部146bの大部分(延伸部146bおよび連結部156bの一部)が薄膜部109bのエッジ内側に位置している一方で、ソース電極126bは、その一部しか薄膜部109bのエッジ内側に位置していない。
さらに、ドレイン電極136bの連結部156bは、薄膜部109bの長辺(張り出し部106bが設けられている辺)に対応するエッジと、半導体層114bの一方長辺に対応するエッジと、走査信号線102の一方長辺に対応するエッジとをこの順に跨ぐように形成され、走査信号線方向にみて、該連結部156bの両側に、薄膜部109bの上記エッジEb1・Eb2が位置している。
さらに、走査信号線102には、データ信号線103との交差部分を含むように、刳り抜き部131(ゲート電極が一部刳り抜かれた部分)が形成される。なお、この刳り抜き部131は、上記交差部分から半導体層114aおよび半導体層114bの間隙に重畳する領域に延伸している。
なお、図3に示すアクティブマトリクス基板を、図11に示すアクティブマトリクス基板のように変形することも可能である。すなわち、図11のアクティブマトリクス基板110’では、薄膜部109a’を長方形形状とし(張り出し部を設けない)、透視平面的に見て、薄膜部109a’全体が半導体層114aのエッジ内側に収まるように構成する。また、薄膜部109b’を長方形形状とし(張り出し部を設けない)、薄膜部109b’全体が半導体層114bのエッジ内側に収まるように構成する。さらに、走査信号線102’には(図3と異なり)刳り抜き部を形成しない。なお、他の構成は図3と同様である。
以下に、本アクティブマトリクス基板110におけるデータ信号線・走査信号線間短絡(ソース・ゲート間リーク SGリーク)の修正方法の一例を説明する。
図6に示すように、欠陥TFTにおいてSGリークが生じていた場合、切断部160および切断部170に、基板の表面または裏面からレーザを照射し、データ信号線103を破壊分離する。これにより、欠陥TFTが電気的に分離される。使用するレーザの波長としては、例えば、YAGレーザの第4高調波(波長266nm)が挙げられる。その後、補助配線(冗長配線 図示せず)による修正を行い、データ信号線3のデータ信号非入力側からTFT104aに補助配線を経由したデータ信号を入力する。これにより、1つの画素内の一方の画素電極(副画素電極)117aを駆動させることができる。
こうすれば、アクティブマトリクス基板110を用いた液晶表示装置がノーマリブラックモードであれば、1画素全体の全黒点ではなく、半画素分の黒点とできる。また、ノーマリホワイトモードであれば、半画素分の輝点となるので、さらに黒点化などの処理を行えば、半画素分の黒点にできる。いずれにしても、従来よりも欠陥サイズが縮小され、目立ち難くなる(表示品位上、正常なレベルとなる)ので、液晶表示装置の品位が向上する。
なお、補助(冗長)配線による修正は、公知の方法(例えば、特開平5−203986号公報、特開平9−146121号公報など)を用いることができる。具体的には、例えば、アクティブマトリクス基板110上の表示領域の外周部に補助配線(図示されない)を一周もしくは半周するように配置し、データ信号線103の入力端、開放端とを補助配線で短絡するなどすれば良い。
本実施の形態におけるSGリーク修正は、少なくとも画素電極を形成した後に修正を行うが、例えば液晶表示装置に適用した場合では、SGリーク箇所を確実に電気的に切り離し、補助配線修正するには、パネル点灯確認ができる液晶層形成後の方がより好ましい。液晶層形成後とは、アクティブマトリクス基板とカラーフィルタ基板を貼り合わせ、液晶を注入・封止し、パネル状態とした後をいう。もっとも、これに限定されることはなく、ドレイン引出し配線形成後、チャネルエッチング後において修正しても構わない。
ここで、アクティブマトリクス基板の検査方法について説明しておく。
電気的検査の一例として、電気光学効果(結晶を電界中に設置すると電界の強さに応じて結晶の光透過率が変化する現象)を応用した検査装置を用いる方法が挙げられる。すなわち、この検査装置では、所定の電圧範囲において電界強度に応じて透過率が線形的に変化するモデュレータの一面に透明の電極が形成され、その反対面は光が反射するように反射面が形成されている。モデュレータは、この反射面側がアクティブマトリクス基板と対向するように設置されている。モデュレータの電極側から照射された光は、モデュレータ内を透過し、前記反射面で反射される。この反射光をCCD(電荷結合素子:Charge Coupled Devices)カメラで受光する。そして、この反射光の強度に基づいて、欠陥画素や欠陥画素が配線状に現れる各配線間の短絡(SGリーク)を特定する。
また、外観検査の一例としては、パターン認識により隣接する絵素同士でパターンを比較し、差のある場合に欠陥と判定する方法が挙げられる。
本アクティブマトリクス基板は、図4のように構成することもできる。これもマルチ画素構造である。同図に示すように、アクティブマトリクス基板210は、1つの画素領域に、第1および第2のTFT204a・204bおよび第1および第2の画素電極217a・217bを備える。第1および第2の画素電極217a・217bの周囲には、互いに直交する走査信号線202およびデータ信号線203が設けられ、第1および第2のTFT204a・204bは、走査信号線202およびデータ信号線203の交差部分近傍に設けられる。
第1のTFT204aは、ソース電極226およびドレイン電極236aを備え、走査信号線202の一部をゲート電極としている。ソース電極226はデータ信号線203と接続され、ドレイン電極236aは、ドレイン引き出し配線207aおよびコンタクトホール208aを介して第1の画素電極217aに接続される。また、第2のTFT204bは、ソース電極226およびドレイン電極236bを備え、走査信号線202の一部をゲート電極としている。ソース電極226はデータ信号線203と接続され、ドレイン電極236bは、ドレイン引き出し配線207bおよびコンタクトホール208bを介して第2の画素電極217bに接続される。
このように、図4の構成では、第1および第2のTFT(204a・204b)のソース電極が共通である。
本アクティブマトリクス基板210には、走査信号線202(ゲート電極)を覆うゲート絶縁膜には、周りより膜厚が小さくなった薄膜部(低層絶縁膜領域)209aが形成される。ゲート絶縁膜は、複数のゲート絶縁層を備えるが、そのうちの少なくとも1つを部分的に除去あるいは薄くすることで、薄膜部209aが形成される。薄膜部209aは、走査信号線202上に(これと重畳して)形成され、走査信号線方向を長手方向とする長方形の一長辺の一部に張り出し部206aを設けた形状を有する。ゲート絶縁膜の上層には、(高抵抗)半導体層214aが、走査信号線方向を長手方向とする長方形形状に形成される。半導体層214aは、その大部分が走査信号線202および薄膜部209aと重畳する。
もっとも、薄膜部209aの一短辺(データ信号線方向)に相当するエッジEa4は、半導体層214aと重畳せず、半導体層214aのエッジの外側に位置する。また、薄膜部209aの張り出し部206aに相当するエッジの一部Ea3も、半導体層214aと重畳せず、半導体層214aのエッジの外側に位置する。
ソース電極226およびドレイン電極236aは、半導体層214aの上層(同一層)に形成され、間隙をおいて互いに向かい合う形状である。ソース電極226は、データ信号線203から引き出されており、走査信号線方向(図中左右方向)を長手方向とする長方形形状を有する。ソース電極226は、半導体層214a上にあって(半導体214aに重畳し)、その大部分が走査信号線202に重畳する。ドレイン電極236aは、走査信号線方向(図中左右方向)を長手方向とする長方形形状の延伸部246aと、該延伸部246aおよびドレイン引き出し電極207aを連結する連結部256aとを有する。連結部256aは延伸部246aよりソース電極226から離れる向きに(例えば、垂直に)伸びており、その走査線信号線方向(すなわち、延伸部246aの長手方向)の幅は、延伸部246aの走査線信号線方向の幅より小さい。このドレイン電極236aは、半導体層214a上にあって(半導体214aに重畳し)、その大部分が走査信号線202に重畳する。
ここで、各電極(226・236a)は、薄膜部209aとソース電極226との重畳面積(TS重畳面積219a)が、薄膜部209aとドレイン電極236aとの重畳面積(TD重畳面積229a)より小さくなるように形成されている。すなわち、透視平面的にみれば、ドレイン電極236aの延伸部246aの大部分(延伸部246aおよび連結部256aの一部)が薄膜部209aのエッジ内側に位置している一方で、ソース電極226は、その一部しか薄膜部209aのエッジ内側に位置していない。
さらに、ドレイン電極236aの連結部256aは、薄膜部209aの一方長辺(張り出し部206aが設けられている辺)に対応するエッジと、半導体層214aの一方長辺に対応するエッジと、走査信号線202の一方長辺に対応するエッジとをこの順に跨ぐように形成され、走査信号線方向にみて、該連結部256aの両側に、薄膜部209aの上記エッジEa3・Ea4が配されている。
さらに、本アクティブマトリクス基板210には、走査信号線202(ゲート電極)を覆うゲート絶縁膜には、周りより膜厚が小さくなった薄膜部(低層絶縁膜領域)209bが形成される。ゲート絶縁膜は、複数のゲート絶縁層を備えるが、そのうちの少なくとも1つを部分的に除去あるいは薄くすることで、薄膜部209bが形成される。薄膜部209bは、走査信号線202上に(これと重畳して)形成され、走査信号線方向を長手方向とする長方形の一長辺の一部に張り出し部206bを設けた形状を有する。ゲート絶縁膜の上層には、(高抵抗)半導体層214bが、走査信号線方向を長手方向とする長方形形状に形成される。半導体層214bは、その大部分が走査信号線202および薄膜部209bと重畳する。
もっとも、薄膜部209bの一短辺(データ信号線方向)に相当するエッジEb4は、半導体層214bと重畳せず、半導体層214bのエッジの外側に位置する。また、薄膜部209bの張り出し部206bに相当するエッジの一部Eb3も、半導体層214bと重畳せず、半導体層214bのエッジの外側に位置する。
ソース電極226およびドレイン電極236bは、半導体層214bの上層(同一層)に形成され、間隙をおいて互いに向かい合う形状である。ソース電極226は、データ信号線203から引き出されており、走査信号線方向(図中左右方向)を長手方向とする長方形形状を有する。ソース電極226は、半導体層214b上にあって(半導体層214bに重畳し)、その大部分が走査信号線202に重畳する。ドレイン電極236bは、走査信号線方向(図中左右方向)を長手方向とする長方形形状の延伸部246bと、該延伸部246bおよびドレイン引き出し電極207bを連結する連結部256bとを有する。連結部256bは延伸部246bよりソース電極226から離れる向きに(例えば、垂直に)伸びており、その走査線信号線方向(すなわち、延伸部246bの長手方向)の幅は、延伸部246bの走査線信号線方向の幅より小さい。このドレイン電極236bは、半導体層214b上にあって(半導体214bに重畳し)、その大部分が走査信号線202に重畳する。
ここで、各電極(226・236b)は、薄膜部209bとソース電極226との重畳面積(TS重畳面積219b)が、薄膜部209bとドレイン電極236bとの重畳面積(TD重畳面積229b)より小さくなるように形成されている。すなわち、透視平面的にみれば、ドレイン電極236bの延伸部246bの大部分(延伸部246bおよび連結部256bの一部)が薄膜部209bのエッジ内側に位置している一方で、ソース電極226は、その一部しか薄膜部209bのエッジ内側に位置していない。
さらに、ドレイン電極236bの連結部256bは、薄膜部209bの長辺(張り出し部206bが設けられている辺)に対応するエッジと、半導体層214bの一方長辺に対応するエッジと、走査信号線202の一方長辺に対応するエッジとをこの順に跨ぐように形成され、走査信号線方向にみて、該連結部256bの両側に、薄膜部209bの上記エッジEb3・Eb4が位置している。
本アクティブマトリクス基板は、図5のように構成することもできる。図5は、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。同図に示すように、本アクティブマトリクス基板310には、画素電極(図示せず)およびTFT(薄膜トランジスタ)304が備えられる。画素電極の周囲には、互いに直交する走査信号線(図示せず)およびデータ信号線303が設けられ、TFT304は、走査信号線およびデータ信号線303の交差部分近傍に設けられる。
TFT304は、ゲート電極311、ソース電極326、並びに第1および第2のドレイン電極336a・336bを備える。ソース電極326はデータ信号線303と接続される。図示しないが、第1および第2のドレイン電極336a・336bは互いに接続され、ともにコンタクトホールを介して1つの画素電極に接続される。上記構成により、データ信号線303からのデータ(信号電位)が、TFT304のソース電極326および第1および第2のドレイン電極336a・336bを介して1つの画素電極に書き込まれる。
ゲート電極311は、平面的にみて、走査信号線方向(図中左右方向)を長手方向とする長方形形状を有する。本アクティブマトリクス基板では、ゲート電極311を覆うゲート絶縁膜には、周りより膜厚が小さくなった薄膜部(低層絶縁膜領域)309が形成される。ゲート絶縁膜は、複数のゲート絶縁層を備えるが、そのうちの少なくとも1つを部分的に除去あるいは薄くすることで、薄膜部309が形成される。薄膜部309は、ゲート電極311上に(これと重畳して)形成され、走査信号線方向を長手方向とする長方形形状を有する。ゲート絶縁膜の上層には、(高抵抗)半導体層314が、走査信号線方向を長手方向とする長方形形状に形成される。半導体層314は、その大部分がゲート電極311およびゲート絶縁膜の)薄膜部309と重畳する。
もっとも、薄膜部309の両短辺(データ信号線方向)に相当するエッジE5・E6は、半導体層314と重畳せず、半導体層314のエッジの外側に位置する。
ソース電極326および第1および第2のドレイン電極336a・336bは、半導体層314の上層(同一層)に形成される。第1および第2のドレイン電極336a・336bは、ソース電極326の両側に向かい合う(すなわち、ソース電極326上を通る直線を対称軸として線対称となる)ように配されている。
ソース電極326は、走査信号線方向(図中左右方向)を長手方向とする長方形形状を有する。ソース電極326は、半導体層314上にあって(半導体層314に重畳し)、その大部分がゲート電極11に重畳する。
第1のドレイン電極336aは、走査信号線方向(図中左右方向)を長手方向とする長方形形状の延伸部346aと、該延伸部346aおよびドレイン引き出し電極(図示せず)を連結する連結部356aとを有する。連結部356aは延伸部346aよりソース電極326から離れる向きに(例えば、垂直に)伸びており、その走査線信号線方向(すなわち、延伸部346aの長手方向)の幅は、延伸部346aの走査線信号線方向の幅より小さい。この第1のドレイン電極336aは、半導体層314上にあって(半導体層314に重畳し)、その大部分がゲート電極311に重畳する。
第2のドレイン電極336bは、走査信号線方向(図中左右方向)を長手方向とする長方形形状の延伸部346bと、該延伸部346bおよびドレイン引き出し電極(図示せず)を連結する連結部356bとを有する。連結部356bは延伸部346bよりソース電極326から離れる向きに(例えば、垂直に)伸びており、その走査線信号線方向(すなわち、延伸部346bの長手方向)の幅は、延伸部346bの走査線信号線方向の幅より小さい。この第2のドレイン電極326bは、半導体層314上にあって(半導体層314に重畳し)、その大部分がゲート電極311に重畳する。
ここで、各電極(326・336a・336b)は、薄膜部309とソース電極326との重畳面積(TS重畳面積319)が、薄膜部309と第1のドレイン電極336aとの重畳面積(TD重畳面積329a)および薄膜部309と第2のドレイン電極336bとの重畳面積(TD重畳面積329b)の総和より小さくなるように形成されている。
さらに、第1のドレイン電極336aの連結部356aは、薄膜部309の一方長辺に対応するエッジと、半導体層314の一方長辺に対応するエッジと、ゲート電極311の一方長辺に対応するエッジとをこの順に跨ぐように形成され、第2のドレイン電極336bの連結部356bは、薄膜部309の他方長辺に対応するエッジと、半導体層314の他方長辺に対応するエッジと、ゲート電極311の他方長辺に対応するエッジとをこの順に跨ぐように形成される。そして、走査信号線方向にみて、各連結部356a・356bの両側に、薄膜部309の上記エッジE5・E6が位置している。
ここで、アクティブマトリクス基板310に基づく図7の本構成、および図12の比較構成のSGリーク発生率を図9に示す。なお、図7の本構成では、DT(ドレイン・薄膜部)重畳部Pの面積:ST(ソース・薄膜部)重畳部Rの面積:DT(ドレイン・薄膜部)重畳部Qの面積は、2:1:2であり、図12の比較構成では、ST(ソース・薄膜部)重畳部pの面積:DT(ドレイン・薄膜部)重畳部rの面積:ST(ソース・薄膜部)重畳部qの面積は、2:1:2であり、Pの面積=pの面積,Qの面積=qの面積,Rの面積=rの面積である。図9から、図7の本構成(グラフC)では、図12の比較構成(グラフD)よりSGリーク発生率が大幅に低下していることがわかる。
本アクティブマトリクス基板を液晶パネル化したときの構成を図13に示す。同図に示すように、本液晶パネル80は、バックライト光源側から順に、偏光板81、本アクティブマトリクス基板100(110・210・310)、配向膜82、液晶層83、カラーフィルタ基板84、および偏光板85を備える。カラーフィルタ基板84は、液晶層83側から順に、配向膜85、共通(対向)電極86、着色層87(ブラックマトリクス99を含む)、ガラス基板88を備える。そして、この共通(対向)電極86に液晶分子配向制御用突起(リブ)86xが設けられている。液晶分子配向制御用突起86xは、例えば、感光性樹脂等により形成される。リブ86xの(基板面垂直方向から見たときの)平面形状としては、一定の周期でジグザクに屈曲した帯状(横V字形状)等が挙げられる。
ここで、液晶パネル化する際の、アクティブマトリクス基板とカラーフィルタ基板との間に液晶を封入する方法を説明しておく。液晶の封入方法については、基板周辺に液晶注入のため注入口を設けておいて真空で注入口を液晶に浸し、大気開放することによって液晶を注入した後UV硬化樹脂などで注入口を封止する、真空注入法などの方法で行ってもよい。しかしながら、垂直配向の液晶パネルでは、水平配向パネルに比べ注入時間が非常に長くなることから、以下に示す液晶滴下貼り合せ法を用いることが好ましい。まず、アクティブマトリクス基板の周囲にUV硬化型シール樹脂を塗布し、カラーフィルタ基板に滴下法により液晶の滴下を行う。液晶滴下法により液晶によって所望のセルギャップとなるよう最適な液晶量をシールの内側部分に規則的に滴下する。次に、上記のようにシール描画および液晶滴下を行ったカラーフィルタ基板とアクティブマトリクス基板とを貼合せるため、貼り合わせ装置内の雰囲気を1Paまで減圧し、この減圧下において基板の貼合せを行う。その後、雰囲気を大気圧にしてシール部分を押しつぶし、所望のセルギャップを得る。ついでUV照射によってシール樹脂を仮硬化した後、シール樹脂の最終硬化を行うためにベークを行う。この時点でシール樹脂の内側に液晶が行き渡り液晶がセル内に充填された状態となる。そして、ベーク完了後にパネル単位への分断を行い、偏光板を貼り付ける。以上により、図13に示すような液晶パネルが完成する。
次に、本実施形態に係る液晶表示装置について説明する。
図14は、本液晶表示装置509の概略構成を示すブロック図である。図14に示すように、液晶表示装置509は、Y/C分離回路500、ビデオクロマ回路501、A/Dコンバータ502、液晶コントローラ503、本アクティブマトリクス基板を有する液晶パネル504、バックライト駆動回路505、バックライト506、マイコン507、および階調回路508を備えている。
液晶表示装置509で表示する画像信号や映像信号(単に「映像信号」と記載する)は、Y/C分離回路500に入力され、輝度信号および色信号に分離される。これら輝度信号および色信号は、ビデオクロマ回路501にて光の3原色であるR・G・Bに対応するアナログRGB信号に変換される。さらに、このアナログRGB信号は、A/Dコンバータ502にてデジタルRGB信号に変換され、液晶コントローラ503に入力される。
この液晶コントローラ503に入力されたデジタルRGB信号は、液晶コントローラ503から液晶パネル504に入力される。液晶パネル504には、液晶コントローラ503から所定のタイミングでデジタルRGB信号が入力されると共に、階調回路508からRGB各々の階調電圧が供給される。また、バックライト駆動回路505によりバックライト506を駆動させ、液晶パネル504に光を照射する。これにより、液晶パネル504は画像や映像を表示する。また、上記各処理を含め、液晶表示装置509全体の制御はマイコン507によって行われる。
上記映像信号としては、テレビジョン放送に基づく映像信号、カメラにより撮像された映像信号、インターネット回線を介して供給される映像信号など、様々な映像信号を挙げることができる。
また、本発明の液晶表示装置509は、図15に示すように、テレビジョン放送を受信して映像信号を出力するチューナ部600と接続することにより、チューナ部600から出力された映像信号に基づいて映像(画像)表示を行うことが可能になる。この場合、液晶表示装置509とチューナ部600とでテレビジョン受像機601となる。
上記液晶表示装置をテレビジョン受信機601とするとき、例えば、図16に示すように、液晶表示装置509を第1筐体801と第2筐体806とで包み込むようにして挟持した構成となっている。第1筐体801は、液晶表示装置509で表示される映像を透過させる開口部801aが形成されている。また、第2筐体806は、液晶表示装置509の背面側を覆うものであり、該液晶表示装置509を操作するための操作用回路805が設けられるとともに、下方に支持用部材808が取り付けられている。
表示装置としては、図14に示した液晶表示装置を適用できるが、有機EL表示装置などの他の表示装置でも適用可能である。
なお、本発明は液晶表示装置に限定されるものではなく、例えば、カラーフィルタ基板と、カラーフィルタ基板と対向するように本発明のアクティブマトリクス基板を配置し、それら基板と基板との間に有機EL層を配置することで有機ELパネルとし、パネルの外部引き出し端子にドライバ等を接続することにより有機EL表示装置を構成することも可能である。また、液晶表示装置や有機EL表示装置以外であっても、アクティブマトリクス基板で構成される表示装置であれば、本発明は適用可能である。
本発明のアクティブマトリクス基板は、例えば液晶テレビに好適である。

Claims (12)

  1. 画素電極とトランジスタとを備え、該トランジスタのソース電極がデータ信号線に接続されるとともにそのドレイン電極が上記画素電極に接続され、かつそのゲート電極が走査信号線に接続されるかあるいは走査信号線の一部を構成し、該ゲート電極の形成層と上記トランジスタのチャネル形成層との間にゲート絶縁膜が設けられたアクティブマトリクス基板であって、
    上記ゲート絶縁膜は、ゲート電極上に位置する薄膜部と、該薄膜部を取り囲み、該薄膜部よりも膜厚の大きな非薄膜部とを有し、
    上記ソース電極は、薄膜部および非薄膜部の境界を跨ぐように形成されることよって、その一部が半導体層および薄膜部を介してゲート電極と重畳し、
    上記ドレイン電極の少なくとも一部が半導体層および薄膜部を介してゲート電極と重畳し、
    上記非薄膜部では複数のゲート絶縁層が積層され、
    上記ソース電極、半導体層、薄膜部およびゲート電極の重畳面積は、上記ドレイン電極、半導体層、薄膜部およびゲート電極の重畳面積よりも小さく、
    上記複数のゲート絶縁層の1つが平坦化膜であるとともに、上記薄膜部では、この平坦化膜が除去され、かつ上記非薄膜部は、薄膜部との隣接部分が順テーパ形状であることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
  2. 上記非薄膜部においては、ゲート電極に接するゲート絶縁層が平坦化膜であることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
  3. 上記平坦化膜は、スピンオンガラス(SOG)材料からなるSOG膜であることを特徴とする請求項2に記載のアクティブマトリクス基板。
  4. 上記薄膜部は直線状のエッジを有し、
    上記ドレイン電極は、上記エッジに沿う方向に延伸する延伸部と、該延伸部よりソース電極から離れる向きに伸びる連結部とを含み、
    上記延伸部が薄膜部上に位置するとともに連結部が上記エッジと重なり、該連結部の上記エッジに沿う方向の幅が、延伸部の上記エッジに沿う方向の幅よりも小さいことを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス基板。
  5. 上記薄膜部のエッジの一部が、上記半導体層の外周からはみ出していることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス基板。
  6. 上記ドレイン電極は、上記ソース電極の両側に分かれて形成されていることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス基板。
  7. 上記平坦化膜には有機物が含まれることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス基板。
  8. 第1ゲート電極および第1ドレイン電極を有する第1トランジスタと、第2ゲート電極および第2ドレイン電極を有する第2トランジスタとを備え、1つの画素領域に第1および第2画素電極が設けられたアクティブマトリクス基板であって、
    第1および第2トランジスタの共通のソース電極がデータ信号線に接続され、第1ドレイン電極が第1画素電極に接続され、第2ドレイン電極が第2画素電極に接続され、第1および第2ゲート電極それぞれが、走査信号線に接続されるかあるいは走査信号線の一部を構成し、第1および第2ゲート電極の形成層と第1および第2トランジスタのチャネル形成層との間にゲート絶縁膜が設けられ、
    該ゲート絶縁膜は、第1ゲート電極上に位置する第1薄膜部と、該第1薄膜部を取り囲み、該第1薄膜部よりも膜厚の大きな第1非薄膜部と、第2ゲート電極上に位置する第2薄膜部と、該第2薄膜部を取り囲み、該第2薄膜部よりも膜厚の大きな第2非薄膜部とを有し、
    上記ソース電極は、第1薄膜部および第1非薄膜部の境界を跨ぐとともに第2薄膜部および第2非薄膜部の境界を跨ぐように形成されることよって、その一部が、半導体層および第1薄膜部を介して第1ゲート電極と重畳するとともに半導体層および第2薄膜部を介して第2ゲート電極と重畳し、
    上記第1ドレイン電極の少なくとも一部が半導体層および第1薄膜部を介して第1ゲート電極と重畳するとともに、第2ドレイン電極の少なくとも一部が半導体層および第2薄膜部を介して第2ゲート電極と重畳し、
    上記第1および第2非薄膜部では複数のゲート絶縁層が積層され、
    上記ソース電極、半導体層、第1薄膜部および第1ゲート電極の重畳面積は、上記第1ドレイン電極、半導体層、第1薄膜部および第1ゲート電極の重畳面積よりも小さく、
    上記ソース電極、半導体層、第2薄膜部および第2ゲート電極の重畳面積は、上記第2ドレイン電極、半導体層、第2薄膜部および第2ゲート電極の重畳面積よりも小さく、
    上記複数のゲート絶縁層の1つが平坦化膜であるとともに、上記第1および第2薄膜部ではこの平坦化膜が除去され、かつ、上記第1非薄膜部は、第1薄膜部との隣接部分が順テーパ形状であり、上記第2非薄膜部は、第2薄膜部との隣接部分が順テーパ形状であることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
  9. 上記平坦化膜には有機物が含まれることを特徴とする請求項8記載のアクティブマトリクス基板。
  10. 上記走査信号線には、データ信号線と交差する刳り貫き部が形成され、該刳り貫き部の両側が上記第1および第2ゲート電極となっていることを特徴とする請求項8記載のアクティブマトリクス基板。
  11. 請求項1〜10のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板を備えることを特徴とする表示装置。
  12. 請求項11に記載の表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナ部とを備えていることを特徴とするテレビジョン受像機。
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