JP2004054033A - アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】フィールド反転駆動の採用により表示品位の向上を図ることのできる液晶装置等に用いるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、複数のデータ線６ａおよび複数の走査線３ａと、これらデータ線６ａ、走査線３ａに電気的に接続された複数のＴＦＴ素子３０と、ＴＦＴ素子３０にそれぞれ電気的に接続された画素電極９とを備えている。そして、ＴＦＴ素子３０を構成するゲート電極３５と走査線３ａとが、別の層で構成されるとともに、ゲートコンタクトホール２２を介して電気的に接続され、走査線３ａを構成する層が、データ線６ａを構成する層よりも上層側かつ画素電極９を構成する層よりも下層側に位置し、走査線３ａのパターンとデータ線６ａのパターンと画素電極９のパターンとが平面的に一部重なっている。
【選択図】　　　　図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電子機器に関し、特に投射型表示装置に搭載される液晶ライトバルブに用いて好適なアクティブマトリクス基板の構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶プロジェクタ等の投射型表示装置に搭載される光変調手段として、液晶ライトバルブが知られている。液晶ライトバルブは、液晶層を挟持して対向配置され、液晶層に電圧を印加するための電極を具備する一対の基板を主体として構成されている。通常、液晶ライトバルブにはアクティブマトリクス型の液晶セルが用いられており、画像の高精細化が進められている。
【０００３】
液晶ライトバルブの駆動方式には、液晶の焼付きや劣化を防ぐため、ドット反転、ライン反転、フィールド反転等の反転駆動方式が従来から採用されている。上記の各反転駆動方式には一長一短があるが、ドット反転やライン反転の場合、隣接するドットの画素電極に逆極性の電圧が印加されるため、隣接ドット間で横電界が発生し、この横電界によるディスクリネーションに起因して光抜けが生じる恐れがある。上述したように、液晶ライトバルブでは高精細化が求められる事情から、この光抜けは、コントラスト低下や開口率低下を引き起こし、表示品位を低下させる大きな要因となる。そこで、この観点から、横電界の発生のないフィールド反転駆動方式の採用が求められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来のアクティブマトリクス基板の構成では、フィールド反転駆動方式を採用することはできなかった。その理由は以下の通りである。
フィールド反転駆動においては、例えば１本のデータ線に着目すると、当該データ線から信号が供給される全てのドットに対して、ある１フィールドで同極性の画像信号（電圧）が書き込まれる。そして、次のフィールドに移った瞬間、当該データ線に供給される画像信号の極性が反転する。このとき、走査線側は表示領域の上側から下側へ走査されるとすると、表示領域の上側のドットでは当該データ線に供給される画像信号が即座に書き込まれるのに対し、下側のドットにおいては画素電極は前のフィールドで書き込まれた画像信号を保持していながら、データ線にはそれとは逆極性の画像信号が印加されている状態が長い時間存在することになる。この時間において画素電極とデータ線とのカップリングが生じるため、表示領域の下側のドットではデータ線の影響で画素電極の電位が変動してしまい、表示品位を低下させるという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、フィールド反転駆動の採用により表示品位の向上を図ることのできる液晶装置等の電気光学装置、それに用いるアクティブマトリクス基板、および電子機器を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明のアクティブマトリクス基板は、基板本体に、互いに交差して設けられた複数のデータ線および複数の走査線と、これらデータ線および走査線に電気的に接続された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタにそれぞれ電気的に接続された複数の画素電極とが備えられたアクティブマトリクス基板であって、前記薄膜トランジスタを構成するゲート電極と前記走査線とが別の層で構成されるとともに、前記ゲート電極と前記走査線との間の層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続され、前記走査線を構成する層が、前記データ線を構成する層よりも上層側かつ前記画素電極を構成する層よりも下層側に位置し、前記走査線のパターンと前記データ線のパターンと前記画素電極のパターンとが平面的に一部重なっていることを特徴とする。
【０００７】
すなわち、本発明のアクティブマトリクス基板は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，　以下、ＴＦＴと略記する）を構成するゲート電極が走査線と一体で形成された構成ではなく、ゲート電極が走査線とは別の層を用いて孤立して形成されており、ゲート電極と走査線とがコンタクトホールを介して電気的に接続されている。そして、断面構造としては、走査線を構成する層がデータ線を構成する層と画素電極を構成する層との間に位置しており、平面的には、走査線のパターンがデータ線のパターンと画素電極のパターンとに一部重なっている。このような構造から、走査線がデータ線と画素電極とに重なっている部分が、［発明が解決しようとする課題］の項で述べた「画素電極とデータ線とのカップリング」を遮蔽するシールド層として機能する。そのため、表示領域のいずれの個所においてもデータ線の影響で画素電極の電位が変動するような現象が起こりにくく、本アクティブマトリクス基板を用いた電気光学装置ではフィールド反転駆動が可能になる。フィールド反転駆動を採用した結果、例えば高コントラスト、高開口率の液晶装置等の電気光学装置を得ることができる。また、シールド層として、アクティブマトリクス基板に必要な走査線を用いており、シールド層としてのみ機能する別個のパターンを追加するわけではないので、パターン構成が特に複雑になることもない。
【０００８】
本発明のアクティブマトリクス基板において、前記走査線を金属を含む材料で形成することが望ましい。さらに、前記データ線も金属を含む材料で形成することが望ましい。「金属を含む材料」としたのは、金属単層で構成してもよいし、金属膜を含む積層膜で構成してもよいという意味である。
【０００９】
例えば、投射型表示装置に光変調手段として搭載される液晶装置には、例えばバックライトを備えた直視型の液晶ディスプレイなどと比べてはるかに強い光が照射される。このとき、画素スイッチング素子として設けられたＴＦＴに光が照射されると、ソース−ドレイン領域間に光リーク電流が流れ、ＴＦＴの特性劣化が生じたり、極端な場合には誤動作が生じたりするという問題がある。そこで、アクティブマトリクス基板上に遮光膜を作り込むことが従来から行われており、各種配線とは別個に遮光膜を形成するものと、基板構成を簡単化するため、例えば遮光性の高いＷＳｉ（タングステンシリサイド）等の材料で走査線を形成し、これを遮光膜兼走査線としたものが従来から知られている。しかしながら、特に後者の場合、ＷＳｉのような材料は遮光性に優れているものの、シート抵抗が５Ω程度と高く、走査線の信号遅延による表示品位の低下が問題となっていた。さらに、遮光膜が一方向にしか配置されないため、光リーク電流の抑制が不充分であった。
【００１０】
これに対して、本発明のアクティブマトリクス基板において、走査線を金属を含む材料、例えばアルミニウムで形成すれば、シート抵抗が０．１Ω程度と上記ＷＳｉなどと比べて充分に小さいため、６０Ｈｚ以上の高周波で駆動しても、走査線の信号遅延による表示品位の低下を抑制することができる。同様に、データ線を金属を含む材料で形成すれば、データ線の信号遅延による表示品位の低下を抑制することができる。特に走査線、データ線をともに金属を含む材料で形成すれば、これら走査線やデータ線が遮光膜として機能し、遮光膜が格子状に配置されることになるため、光リーク電流を充分に抑制することができる。
【００１１】
前記ゲート電極については、種々の材料を用いることができるが、多結晶シリコンで形成することが望ましい。
【００１２】
走査線とゲート電極が一体の構成である場合、走査線を金属で形成するとゲート電極も当然ながら金属となる。ところが、ゲート電極が金属で形成されていると、その金属が製造プロセス中の例えば熱処理工程によってゲート絶縁膜中に拡散し、ＴＦＴの素子特性が不安定になる等の問題が生じる場合がある。そこで、本発明のアクティブマトリクス基板においては、走査線とゲート電極を別の層で構成しているので、双方の構成材料を個別に選択することができ、配線遅延防止のために走査線を金属で形成しても、ゲート電極は多結晶シリコンで形成することができる。その結果、ＴＦＴの素子特性を安定化させることができ、信頼性を向上することができる。
【００１３】
ＴＦＴのチャネル領域を構成する半導体層の下方に、層間絶縁膜を介して前記走査線および前記データ線に沿う方向に格子状に延びる遮光膜を設けることが望ましい。
【００１４】
上述したように、走査線やデータ線を遮光性の高い金属で形成した場合、これら走査線やデータ線が遮光膜として機能し、基板上方からＴＦＴへの光の入射を阻止することができる。それに加えて、ＴＦＴのチャネル領域を構成する半導体層の下方に走査線およびデータ線に沿う方向に格子状に延びる遮光膜を設けた場合、基板下方からＴＦＴへの光の入射を阻止することができる。
【００１５】
さらに、ＴＦＴのチャネル領域を構成する半導体層との間で保持容量を形成する保持容量電極が設けられ、保持容量電極が、ゲート電極を構成する層と同一の層で形成されている構成としてもよい。
【００１６】
この構成によれば、画素電極に書き込まれた画像信号（電圧）がより確実に保持されるとともに、保持容量を構成する保持容量電極を形成するにあたってゲート電極の形成と同時に行うことができ、製造プロセスが複雑になることがない。
【００１７】
また、保持容量電極と遮光膜（半導体層下の遮光膜）とを備えた場合、保持容量電極と遮光膜とが、これら保持容量電極と遮光膜との間の層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続されていることが望ましい。
【００１８】
この構成によれば、保持容量電極と遮光膜とが共通の電位になるとともに、層間絶縁膜を介してＴＦＴの半導体層の上下にそれぞれ位置するため、半導体層の上下に２段重ねの保持容量を形成することができる。その結果、一定の占有面積における保持容量値を大きくすることができ、表示品位を高めることができる。もしくは、一定の保持容量値を得るために保持容量の占有面積を小さくすることができ、開口率を高めることができる。また、ＴＦＴの下方に位置する遮光膜の電位が固定できるので、ＴＦＴの動作安定性を高めることができる。
【００１９】
前記走査線が、走査線本線から前記データ線に沿って突出する部分を有する構成としてもよい。同様に、前記データ線が、データ線本線から前記走査線に沿って突出する部分を有する構成としてもよい。
【００２０】
この構成によれば、走査線本線もしくはデータ線本線から分岐して垂直な方向に突出する部分が遮光膜の一部を構成することができ、ＴＦＴに対する遮光性をより向上させることができる。
【００２１】
データ線を構成する層と同一の層からなる中継導電膜を設け、半導体層と画素電極とが中継導電膜を介して電気的に接続されている構成としてもよい。例えば画素電極がインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ，　以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜からなる場合、中継導電膜の少なくとも上面が、透明導電膜とオーミック接合がなされる材料で構成されていることが望ましい。
【００２２】
この構成によれば、中継導電膜を設けたことによって、半導体層−画素電極間の層間距離が例えば１〜２μｍ程度に長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ、比較的小径の二つ以上のコンタクトホールで両者間を良好に接続でき、画素開口率を高めることが可能となる。一般にＴＦＴを構成する半導体層は非常に薄いものであるが、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。また、特に中継導電膜の少なくとも上面が透明導電膜とオーミック接合がなされる材料で構成されていれば、コンタクト抵抗を低減させることができる。
【００２３】
さらに、走査線もしくはデータ線を駆動するための駆動回路が設けられ、前記駆動回路を構成するＴＦＴ用のゲート線を、走査線を構成する層、データ線を構成する層、ゲート電極を構成する層のいずれかを用いて構成することができる。
【００２４】
表示領域内の各ドットに対応するＴＦＴは、本発明の上記の効果を奏するために走査線とゲート電極とを別の層で形成し、コンタクトホールを介して電気的に接続する必要がある。これに対して、アクティブマトリクス基板上に駆動回路を設けた場合、その駆動回路を構成するＴＦＴに関しては、特に制約がないため、走査線を構成する層、データ線を構成する層、ゲート電極を構成する層のいずれかを選んでゲート線を形成すればよい。
【００２５】
また、画素電極の形成領域の中央部の上面よりも、走査線もしくはデータ線の形成領域の上面の方が高い位置にある構成とすることが望ましい。
【００２６】
上述したように、隣接するドットの境界はディスクリネーションが発生し、光抜けが生じる恐れがある。これに対して、上記の構成とすれば、走査線もしくはデータ線の形成領域、すなわち各ドットの周縁部が土手のような形状となり、この部分の液晶層厚が画素電極の形成領域の中央部、すなわち各ドットの中央部の液晶層厚よりも薄くなるので、ドット周縁部の方が液晶層に加わる縦電界の強度が強くなり、ディスクリネーションを低減する効果が得られる。
【００２７】
上記の構成を採用した場合、データ線の下側で該データ線に接する層間絶縁膜の上面を平坦化した構成としてもよい。もしくは、走査線の下側で該走査線に接する層間絶縁膜の上面を平坦化した構成としてもよい。
【００２８】
上記のように、ドットの周縁部を土手状の形状とする場合、データ線の下側で該データ線に接する層間絶縁膜の上面を平坦化した構成とすれば、データ線、走査線の膜厚によって土手の高さを調整することができ、ディスクリネーションを確実に抑制することができる。また、走査線の下側で該走査線に接する層間絶縁膜の上面を平坦化した構成とすれば、走査線の膜厚によってのみ土手の高さを調整することができる。
【００２９】
もしくは、基板本体のＴＦＴの形成領域に凹部を設けてもよい。
この構成によれば、基板本体の凹部内にＴＦＴを一部埋め込む構成とすることもでき、上記の場合とは逆に、アクティブマトリクス基板の上面をより平坦化することができる。
【００３０】
本発明の電気光学装置は、上記本発明のアクティブマトリクス基板を備えたことを特徴とする。
【００３１】
この構成によれば、上記本発明のアクティブマトリクス基板を備えたことによってフィールド反転駆動を採用することができるので、例えば高コントラスト、高開口率の液晶装置等の電気光学装置を得ることができる。
【００３２】
本発明の電子機器は、上記本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、表示品位に優れた表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態を図１〜図４を参照して説明する。
本実施の形態では、本発明のアクティブマトリクス基板を用いた電気光学装置の一例として、投射型表示装置に搭載する液晶装置（液晶ライトバルブ）について説明する。
【００３４】
図１は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）の１ドットのパターン構成を示す平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００３５】
図１において、本実施の形態における液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のドットにはそれぞれ、画素電極９と当該画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ素子３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａがＴＦＴ素子３０のソース領域に電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。
【００３６】
また、ＴＦＴ素子３０のゲートには、走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された共通電極（後述する）との間で一定期間保持される。
【００３７】
ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に保持容量７０が付加されている。
【００３８】
図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に、矩形状の画素電極９が設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿うようにデータ線６ａおよび走査線３ａが設けられている。データ線６ａと走査線３ａとが交差する部分に対応してＴＦＴ素子３０が設けられている。ＴＦＴ素子３０のチャネル領域等が形成される半導体層１は、データ線６ａに沿って次段の走査線３ａ側（図２における下側）に向けて延在する部分１ｙと、走査線３ａに沿って次段のデータ線６ａ側（図２における右側）に向けて延在する部分１ｘとを有している。半導体層１の次段の走査線３ａ側に延在する部分１ｙと反対側の端部には、後述する半導体層１の高濃度ソース領域とデータ線６ａとを電気的に接続するソースコンタクトホール２１が設けられている。また、下側遮光膜４５が、データ線６ａおよび走査線３ａと略同じ幅でデータ線６ａおよび走査線３ａの延在する方向に沿って格子状に設けられている。
【００３９】
ゲート電極３５が、半導体層１の次段の走査線３ａ側に延在する部分１ｙとソースコンタクトホール２１が設けられた部分との間に交差するように設けられている。ゲート電極３５は、走査線３ａとは別の層で島状に孤立した形態で形成されており、その一端にゲート電極３５と走査線３ａとを電気的に接続するゲートコンタクトホール２２が設けられている。よって、半導体層１のうち、ゲート電極３５と平面的に交差する、図２中に右下がりの斜線を付した部分がチャネル領域１ａとなる。
【００４０】
保持容量電極７１が、ゲート電極３５と同じ層で設けられている。保持容量電極７１は、半導体層１と重なるように、データ線６ａに沿って次段の走査線３ａ側（図２における下側）に向けて延在する部分７１ｙと、走査線３ａに沿って次段のデータ線６ａ側（図２における右側）に向けて延在する部分７１ｘとを有している。保持容量電極７１の次段の走査線３ａ側に延在する部分７１ｙの先端は半導体層１ｙの先端よりも外方にはみ出しており、この部分に保持容量電極７１と下側遮光膜４５とを電気的に接続する容量コンタクトホール２３が設けられている。
【００４１】
中継導電膜４７が、データ線と同じ層で設けられている。中継導電膜４７は、少なくとも半導体層１の高濃度ドレイン領域および画素電極９と平面的に重なるように矩形状に設けられており、半導体層１の高濃度ドレイン領域と画素電極９とを電気的に接続する役目を果たしている。したがって、中継導電膜４７上には、半導体層１の高濃度ドレイン領域と中継導電膜４７とを電気的に接続するドレインコンタクトホール２４が設けられるとともに、中継導電膜４７と画素電極９とを電気的に接続する画素コンタクトホール２５が設けられている。
【００４２】
図３、図４に示すように、本実施の形態の液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａは、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等から構成され、対向基板２０の基板本体２０Ａは、例えばガラス基板、石英基板等から構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成されている。液晶層５０は、画素電極９からの電界が印加されていない状態で、配向膜１６、２２により所定の配向状態をとっている。また、液晶層５０は、例えば一種または数種類のネマティック液晶を混合した液晶から構成されている。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるためのものであり、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤からなり、両基板間の距離を所定の値とするためのグラスファイバーやガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。
【００４３】
ＴＦＴアレイ基板１０において、基板本体１０Ａ上に下側遮光膜４５が形成されている。この下側遮光膜４５は、ＴＦＴ素子３０に対して基板本体１０Ａの下面側から光が入射されるのを防止する機能を有しており、例えばＷＳｉ等の遮光性の高い材料で形成されている。そして、下側遮光膜４５を覆う基板本体１０Ａの全面に下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜４５からＴＦＴ素子３０を絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の特性の変化を防止する機能を有している。
【００４４】
図３に示すように、本実施の形態の場合、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、ゲート電極３５、当該ゲート電極３５からの電界によりチャネルが形成される半導体層１のチャネル領域１ａ、ゲート電極３５と半導体層１とを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁薄膜２、半導体層１の低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１の高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。半導体層１には、アモルファスシリコンや多結晶シリコン、あるいは単結晶シリコンなどを用いることができる。
【００４５】
半導体層１の高濃度ドレイン領域１ｅ上には、絶縁薄膜２を介してゲート電極３５と同層の保持容量電極７１が形成されており、絶縁薄膜２を介して対峙する半導体層１と保持容量電極７１とで保持容量７０が構成されている。本実施の形態の場合、ゲート電極３５および保持容量電極７１は、多結晶シリコンで形成されている。そして、下地絶縁膜１２を貫通する容量コンタクトホール２３が形成されており、この容量コンタクトホール２３によって保持容量電極７１と下側遮光膜４５とが電気的に接続されている。下側遮光膜４５は、画素電極９が配置された表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることによって固定電位とされている。定電位源としては、ＴＦＴ素子３０を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給するための走査線駆動回路（後述する）や、画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路を制御するデータ線駆動回路（後述する）に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の共通電極４８に供給される定電位でも構わない。この構成によって、保持容量を形成することができ、さらに、下側遮光膜４５の電位変動がＴＦＴ素子３０に対して悪影響を及ぼすことが避けられるという効果も得られる。
【００４６】
図３、図４に示すように、ゲート電極３５および保持容量電極７１を覆うように第１層間絶縁膜４１が形成されており、第１層間絶縁膜４１上にはデータ線６ａおよび中継導電膜４７が同層で形成されている。本実施の形態の場合、データ線６ａおよび中継導電膜４７は、その表面がＴｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタンナイトライド）、ＴｉＷ（チタンタングステン）、ＷＳｉ（タングステンシリサイド）、ＡｌＮ（アルミニウムナイトライド）等の材料で構成され、その下層側はアルミニウム等の低抵抗金属で構成されている。中継導電膜４７の表面がＴｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ、ＷＳｉ、ＡｌＮ等の材料で構成されたことにより、画素電極９を構成するＩＴＯとのコンタクトにおいて腐食を防止することができる。また、図３に示すように、第１層間絶縁膜４１を貫通してデータ線６ａと半導体層１の高濃度ソース領域１ｄとを電気的に接続するソースコンタクトホール２１が形成され、図４に示すように、第１層間絶縁膜４１を貫通して中継導電膜４７と半導体層１の高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的に接続するドレインコンタクトホール２４が形成されている。また、第１層間絶縁膜４１の上面は、化学機械的研磨（ＣＭＰ）、エッチバック等の手法によって平坦化されている。
【００４７】
データ線６ａおよび中継導電膜４７を覆うように第２層間絶縁膜４２が形成されており、第２層間絶縁膜４２上には走査線３ａが形成されている。本実施の形態の場合、走査線３ａは、データ線６ａと同様、アルミニウム等の低抵抗金属で形成されている。また、図４に示すように、第２層間絶縁膜４２、第１層間絶縁膜４１をともに貫通して走査線３ａとゲート電極３５とを電気的に接続するゲートコンタクトホール２２が形成されている。さらに、走査線３ａを覆うように第３層間絶縁膜４３が形成されており、第３層間絶縁膜４３上には画素電極９が形成されている。画素電極９は、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電膜で形成されている。図４に示すように、第３層間絶縁膜４３、第２層間絶縁膜４２をともに貫通して画素電極９と中継導電膜４７とを電気的に接続する画素コンタクトホール２５が形成されている。以上の構成により、中継導電膜４７を介して半導体層１の高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９とが電気的に接続されている。
【００４８】
図４に示すように、画素電極９の上方を含むＴＦＴアレイ基板１０の最表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施されたポリイミド膜等からなる配向膜１６が設けられている。以上の構成により、ＴＦＴアレイ基板１０の断面形状は、走査線３ａもしくはデータ線６ａの形成領域、すなわち各ドットの周縁部が土手のように盛り上がった形状となる。この最頂部と画素電極中央の平坦な部分との高さの差は０．２〜１．２μｍ程度となっている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの液晶層５０と反対側には、偏光子１７が設けられている。
【００４９】
他方、対向基板２０側の構成については、基板本体２０Ａ上の全面にわたって共通電極４８が設けられ、共通電極４８の下面側には、ＴＦＴアレイ基板１０側と同様、ラビング処理等の所定の配向処理が施されたポリイミド膜等からなる配向膜２６が設けられている。共通電極４８は、画素電極９と同様、例えばＩＴＯなどの透明導電膜で形成されている。対向基板２０の基板本体２０Ａの液晶層５０と反対側には、偏光子２７が設けられている。なお、対向基板２０にも、ブラックマトリクスと呼ばれる格子状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、対向基板２０上の遮光膜によって、ＴＦＴアレイ基板１０側の遮光層を構成するデータ線６ａおよび走査線３ａとともに、対向基板２０側からの入射光がチャネル領域１ａや低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するのをより確実に阻止することができる。
【００５０】
本実施の形態においては、ＴＦＴ素子３０を構成するゲート電極３５が走査線３ａと一体で形成されておらず、ゲート電極３５が走査線３ａとは別の層を用いて島状に孤立しており、ゲート電極３５と走査線３ａとがゲートコンタクトホール２２を介して電気的に接続されている。そして、断面構造的には図３、図４に示すように、走査線３ａの層がデータ線６ａの層と画素電極９の層との間に位置しており、平面的には図２に示すように、走査線３ａのパターンがデータ線６ａのパターンと画素電極９のパターンとに一部重なっている（重なり部分に右上がりの斜線を付した、符号Ｋの部分）。以上の構造から、走査線３ａがデータ線６ａと画素電極９とに重なっている部分Ｋが、画素電極９とデータ線６ａとのカップリングを遮蔽するシールド層として機能する。よって、データ線６ａの影響で画素電極９の電位が変動する現象が抑制され、フィールド反転駆動が可能になるため、高コントラスト、高開口率の液晶装置を実現することができる。また、シールド層として、ＴＦＴアレイ基板１０に必須の走査線３ａを用いており、シールド層としてのみ機能する別個のパターンを追加するわけではないので、パターン構成が特に複雑になることもない。
【００５１】
また、走査線３ａやデータ線６ａをアルミニウム等の低抵抗金属を含む材料で形成しているので、６０Ｈｚ以上の高周波で駆動しても、走査線３ａやデータ線６ａの信号遅延に起因する表示品位の低下を抑制することができる。それと同時に、これら走査線３ａやデータ線６ａが格子状に配置された内蔵遮光膜としても機能し、対向基板２０側からの光の入射を防ぐため、光リーク電流を充分に抑制することができ、表示品位の向上を図ることができる。
【００５２】
また、本実施の形態においては、走査線３ａとゲート電極３５を別の層で構成しているので、双方の構成材料を個別に選択することができ、配線遅延防止のために走査線３ａを低抵抗金属で形成しても、ゲート電極３５は多結晶シリコンで形成することができる。その結果、ゲート電極３５に金属を用いた場合に生じる恐れのあるゲート絶縁膜の汚染を防止できるため、ＴＦＴの素子特性を安定化させることができ、信頼性を向上することができる。
【００５３】
また、ＴＦＴ素子３０のチャネル領域１ａを構成する半導体層１の下方に、下地絶縁膜１２を介して走査線３ａおよびデータ線６ａに沿う方向に格子状に延びる下側遮光膜４５が設けられているので、ＴＦＴアレイ基板１０の下方側からＴＦＴ素子３０への光の入射、つまり対向基板２０側から入射され、一旦液晶セルを透過した後、反射により再度入射される戻り光を阻止することができる。
【００５４】
本実施の形態の構成では、中継導電膜４７を介して半導体層１の高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９とを電気的に接続しているので、半導体層１−画素電極９間の層間距離が例えば１〜２μｍ程度と長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ、比較的小径の二つ以上のコンタクトホールで両者間を良好に接続でき、画素開口率を高めることが可能となる。一般にＴＦＴ素子を構成する半導体層は非常に薄いものであるが、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。
【００５５】
また、ドットの周縁部が土手のような形状となり、この部分の液晶層厚がドット中央部の液晶層厚よりも薄くなっているので、ドット周縁部で液晶層５０に加わる縦電界（液晶のセル厚方向の電界）の強度が強くなり、ドット周縁部で起こりがちなディスクリネーションを低減し、光抜けを抑制する効果が得られる。本実施の形態の場合、データ線６ａの下側の第１層間絶縁膜４１の上面を平坦化した構成であるから、データ線６ａ、走査線３ａの双方の膜厚によって土手の高さを調整することができ、ディスクリネーションを確実に抑制することができる。
【００５６】
なお、本実施の形態の液晶装置において、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０は、好ましくは上述したようにＬＤＤ構造を有するが、低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよい。もしくは、ゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソースおよびドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲートあるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソースおよびドレイン領域との接合部の光リーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造あるいはオフセット構造にすれば、より一層オフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【００５７】
［第２の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態を図５を参照して説明する。
本実施の形態の液晶装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、平面パターンが若干異なるのみである。よって、図５（第１の実施の形態の図２に相当する平面図、図２と同一の構成要素には同一の符号を付す）を用いて平面パターンについてのみ説明し、共通部分の説明は省略する。
【００５８】
第１の実施の形態においては、データ線６ａが図２における縦方向に直線状に形成されていたのに対し、本実施の形態の場合、図５に示すように、データ線６ａは、データ線本線が縦方向に延在するとともに、データ線本線から走査線３ａに沿って横方向に突出する部分６ｂを有している。
【００５９】
本実施の形態の場合、データ線６ａが走査線３ａと交差する部分で走査線３ａに沿って張り出した形状となっており、第１の実施の形態に比べて、データ線６ａの縁の位置がＴＦＴ素子３０のチャネル領域１ａから遠ざかっている。この構成によれば、データ線６ａによってＴＦＴ素子３０のチャネル領域１ａに光がより入射されにくくなり、光リーク電流による表示品位の低下をより確実に抑えることができる。なお、本実施の形態の場合、データ線６ａの突出部分６ｂがあるため、データ線６ａと画素電極９との重なり部分が増えるが、この部分に走査線３ａも重なっており（図５中に右上がりの斜線で示す部分Ｋ）、走査線３ａのこの部分Ｋがデータ線６ａと画素電極９のカップリングのシールド層として機能するため、特に問題とはならない。
【００６０】
［第３の実施の形態］
以下、本発明の第３の実施の形態を図６を参照して説明する。
本実施の形態の液晶装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、平面パターンが若干異なるのみである。よって、図６（第１の実施の形態の図２に相当する平面図、図２と同一の構成要素には同一の符号を付す）を用いて平面パターンについてのみ説明し、共通部分の説明は省略する。
【００６１】
第１の実施の形態においてはデータ線６ａが縦方向に直線状に形成され、第２の実施の形態ではデータ線６ａが横方向に突出した部分を有していたのに対し、本実施の形態の場合、図６に示すように、データ線６ａは縦方向に直線状に形成されているが、走査線３ａは、走査線本線が横方向に延在するとともに、走査線本線からデータ線６ａに沿って縦方向に突出する部分３ｂを有している。
【００６２】
本実施の形態の場合、各層のパターン形状が第１の実施の形態と略同様である。しかしながら、走査線３ａが縦方向に突出する部分３ｂを有しており、走査線３ａのこの部分３ｂがデータ線６ａおよび画素電極９と重なっているため（図６中に右上がりの斜線で示す部分Ｋ）、データ線６ａと画素電極９のカップリングのシールド層として機能する部分が第１の実施の形態に比べて大きくなっている。これにより、データ線６ａの電位変化が画素電極９にさらに影響を与えにくいパターン構成となっており、フィールド反転駆動の採用が可能になることで表示品位を高めることができる。なお、本発明の第１〜第３の実施の形態においては、走査線３ａが金属によって構成されているため、低抵抗である。このため、横クロストークを低減する効果が得られる。この効果は、フィールド反転駆動の採用時に限るものではなく、例えば１Ｈ反転駆動、１Ｓ反転駆動、あるいはドット反転駆動の採用時にも同様の効果が得られる。
【００６３】
［液晶装置の全体構成］
以上のように構成された各実施形態における液晶装置の全体構成を図７および図８を参照して説明する。なお、図７は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図８は、図７のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【００６４】
図７、図８において、ＴＦＴアレイ基板１０は、上述した第１〜第３の実施の形態において説明したＴＦＴアレイ基板である。ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、画像表示領域の周辺を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路２０１および外部回路接続端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路２０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。さらにＴＦＴアレイ基板１０Ｃの残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。
【００６５】
また、対向基板２０は、上述した第１の実施の形態において説明した対向基板であり、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図８に示すように、図７に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【００６６】
本実施の形態では、データ線駆動回路２０１および走査線駆動回路１０４を構成するＴＦＴ用のゲート線は、第１の実施の形態で説明した走査線３ａを構成する層、データ線６ａを構成する層、ゲート電極３５を構成する層のいずれかを用いて構成することができる。つまり、これら駆動回路を構成するＴＦＴに関しては、上述の画素スイッチング用ＴＦＴと同様の構成を採る必要がないため、走査線を構成する層、データ線を構成する層、ゲート電極を構成する層のいずれかを選んでゲート線を形成すればよい。
【００６７】
なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路２０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００６８】
以上説明した実施の形態では、データ線駆動回路２０１および走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　ｂｏｎｄｉｎｇ）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。
【００６９】
［液晶装置の応用例］
以上説明した各実施形態における液晶装置は、投射型表示装置（プロジェクタ）に適用できる。以下に、上述した液晶装置をライトバルブとして用いた液晶プロジェクタについて説明する。
【００７０】
図９は、液晶プロジェクタの概略構成を示す図である。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。
【００７１】
ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した実施の形態に係る液晶装置と同様であり、画像信号を入力する処理回路（図示省略）から供給されるＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の原色信号でそれぞれ駆動されるものである。また、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３および出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【００７２】
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム１１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン１１２０には、投射レンズ１１１４によってカラー画像が投射されることとなる。
【００７３】
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、上述したようにカラーフィルタを設ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像はダイクロイックミラー１１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそのまま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる表示像を、ライトバルブ１００Ｇによる表示像に対して左右反転させる構成となっている。
【００７４】
なお、各実施形態では、対向基板にカラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極９に対向する所定領域に、ＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に対向基板上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー液晶装置について、各実施形態における液晶装置を適用できる。
また、対向基板上に１画素に対して１個のマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板上のＲＧＢに対向する画素電極９の下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい液晶装置が実現できる。
さらにまた、対向基板上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー液晶装置が実現できる。
【００７５】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば第１の実施の形態では、平坦な基板本体１０Ａ上にＴＦＴ素子３０等を形成し、第１層間絶縁膜４１で平坦化する例を挙げたが、第２層間絶縁膜で平坦化することもできる。その場合、ゲート線の膜厚のみで段差の設計を行うことができる。あるいは、基板本体１０Ａに格子状の溝を形成し、走査線３ａ、データ線６ａ、ＴＦＴ素子３０等の配線や素子をこの溝内に埋め込む構成としても良い。この場合には、配線、素子等が存在する領域と存在しない領域との間の段差が緩和され、この段差に起因した液晶の配向不良等の画像不良を低減することができる。また、パターン形状、断面構造、各膜の構成材料等に関する記載はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。また本発明は、例えば、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、あるいはプラズマ発光や電子放出による蛍光等を用いた様々な電気光学素子を用いた電気光学装置および該電気光学装置を備えた電子機器に対しても適用可能であることは言うまでもない。
【００７６】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、走査線がデータ線と画素電極に平面的に重なっている部分が画素電極とデータ線とのカップリングを遮蔽するシールド層として機能するため、データ線の影響で画素電極の電位が変動するのが抑制され、フィールド反転駆動が可能になる。その結果、例えば高コントラスト、高開口率の液晶装置等の電気光学装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】同、液晶装置に用いるＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）の１ドットのパターン構成を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の液晶装置に用いるＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）の１ドットのパターン構成を示す平面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態の液晶装置に用いるＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）の１ドットのパターン構成を示す平面図である。
【図７】本発明の液晶装置の全体構成を示す図であり、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図である。
【図８】図７のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図９】本発明の電子機器の一例である液晶プロジェクタの概略構成を示す図である。
【符号の説明】
１　半導体層
３ａ　走査線
６ａ　データ線
９　画素電極
１０　ＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）
２２　ゲートコンタクトホール
３０　ＴＦＴ素子（薄膜トランジスタ）
３５　ゲート電極
４５　下側遮光膜
４７　中継導電膜
５０　液晶層
７０　保持容量
７１　保持容量電極

Claims (18)

1. 基板本体に、互いに交差して設けられた複数のデータ線および複数の走査線と、これらデータ線および走査線に電気的に接続された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタにそれぞれ電気的に接続された複数の画素電極とが備えられたアクティブマトリクス基板であって、
   前記薄膜トランジスタを構成するゲート電極と前記走査線とが別の層で構成されるとともに、前記ゲート電極と前記走査線との間の層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続され、
   前記走査線を構成する層が、前記データ線を構成する層よりも上層側かつ前記画素電極を構成する層よりも下層側に位置し、前記走査線のパターンと前記データ線のパターンと前記画素電極のパターンとが平面的に一部重なっていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
2. 前記走査線が金属を含む材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
3. 前記データ線が金属を含む材料で形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のアクティブマトリクス基板。
4. 前記ゲート電極が多結晶シリコンで形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
5. 前記薄膜トランジスタのチャネル領域を構成する半導体層の下方に、層間絶縁膜を介して前記走査線および前記データ線に沿う方向に格子状に延びる遮光膜が設けられたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
6. 前記薄膜トランジスタのチャネル領域を構成する半導体層との間で保持容量を形成する保持容量電極が設けられ、前記保持容量電極が、前記ゲート電極を構成する層と同一の層で形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
7. 前記保持容量電極と前記遮光膜とが、これら保持容量電極と遮光膜との間の層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項６に記載のアクティブマトリクス基板。
8. 前記走査線が、走査線本線から前記データ線に沿って突出する部分を有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
9. 前記データ線が、データ線本線から前記走査線に沿って突出する部分を有することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
10. 前記データ線を構成する層と同一の層からなる中継導電膜が設けられ、前記半導体層と前記画素電極とが前記中継導電膜を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
11. 前記画素電極が透明導電膜からなり、前記中継導電膜の少なくとも上面が、前記透明導電膜とオーミック接合がなされる材料で構成されていることを特徴とする請求項１０に記載のアクティブマトリクス基板。
12. 前記走査線もしくは前記データ線を駆動するための駆動回路が設けられ、前記駆動回路を構成する薄膜トランジスタ用のゲート線が、前記走査線を構成する層、前記データ線を構成する層、前記ゲート電極を構成する層のいずれかを用いて構成されていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
13. 前記画素電極の形成領域の中央部の上面よりも、前記走査線もしくは前記データ線の形成領域の上面の方が高い位置にあることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
14. 前記データ線の下側で該データ線に接する層間絶縁膜の上面が平坦化されていることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
15. 前記走査線の下側で該走査線に接する層間絶縁膜の上面が平坦化されていることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
16. 前記基板本体の前記薄膜トランジスタの形成領域に凹部が設けられたことを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
17. 請求項１ないし１６のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
18. 請求項１７に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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