JPH0350526A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は，アクティブマトリクス型液晶表示装置に係り
、特に高精細，大画面の場合に良釘な画質を実現するの
に好適な液晶表示装置に関する．〔従来の技術〕 アクティブマトリクス型液晶表示装置に関しては，例え
ば特公昭５４−１８８８６号公報に記載されている． 第２図は、上記のごとき従来のアクティブマトリクス型
液晶パネルの一例図である． 第２図において、２１はマトリックス状に配された液晶
セル，２２は電荷蓄積用コンデンサ、２３は各液晶セル
２ｌ毎にその一方の電極（以下画素電極）に接続されて
いる薄膜トランジスタであり、これらによって一つの画
素を構威している．また、２４はアクティブマトリクス
の各列毎に薄膜トランジスタ２３のデータ電極に共通接
続された複数（ｍ本）のデータ線Ｄ１〜Ｄ１２５はアク
ティブマトリクスの各行毎に薄膜トランジスタ２３のゲ
ート電極に共通接続された複数（ｎ本）のゲート線ＧＩ
ＮＧｎである．また，２６はゲート線に順次走査パルス
を印加するゲート走査回路（以下，ゲートドライバと記
す）、２７は一水平走査分の画像信号をデータ線に並列
に印加するデータ走査回路（以下、データドライバと記
す）である。また、２８は薄膜トランジスタを形成した
基板と液晶を挾んで対向する基板上に形成された全ての
液晶セル２工の他方の電極に共通接続された透明な共通
電極である． 次に上記の液晶表示装置の駆動について説明する． 第３図は従来技術の駆動波形の例を模式的に示したもの
である． 第３図において，第ｉ番目のゲートｌＩｊＡ　Ｇ　ｉ　
に薄膜トランジスタをオンする電圧ＶＯＮが加わるのに
同期させて、第ｊ番目のデータｓＤＪ　に画像信号？ｏ
−が印加される．これによって画素Ｃｔ−では蓄積容量
及び液晶容量に電荷が蓄積される．この電荷の蓄積がい
わゆる画像信号の書き込みである．上記のごとき画像信
号の書き込みは，時刻ｔ１に始まってｔ１＋Δｔ　で終
了し、同時にゲート電圧はＶ　ＯＦＦとなる．そして画
索Ｃ　Ｉ　Ｊの電圧はｌフィールド周期１゛後の時刻ｔ
　ｔ　＋　１’　に再び信号書き込みが行われるまでＶ
　Ｄ　Ｊに保持されることになる．なお、線順次走査に
おいては、第ｉ番目のゲートｔｉｌｔ　Ｇ　ｉ　に接続
された薄膜トランジスタは同時に駆動され、画素Ｃ■（
ｋ＝１〜ｍ〉においても，直像信号は異なるが上記と同
様の信号書き込みが同時に行われる． 次に、時刻ｔｓ＋ｚ＝ｔ量＋Δｔに第ｉ＋１番目のゲー
ト線Ｇ　ｉ　＋　１に薄膜トランジスタをオンする電圧
ＶＯＮが加えられ、画素Ｃ　ｉ十ｓｅｈ　　（　ｋ　＝
　１　〜ｍ　）に信号が書き込まれる．この信号書き込
みは時刻ｔ　ｉ　＋　２Δｔ　に終了する． 以上のようにして、各ゲート線には一線毎に順次薄膜ト
ランジスタをオンする電圧が加えられ、そのゲート線に
接続されている画素を駆動することになる。

〔発明が解決しようとする課題〕

アクティブマトリクス型液晶表示装置の原理的な駆動方
法は上記の通りであるが、実際の駆動においては、液晶
を交流で駆動させるための駆動電圧関係がとられ，それ
によって＃膜トランジスタの動作特性が異なって来ると
いう問題がある。

この問題について第４図及び納５図を用いて説明する． 第４図に液晶を交流駆動する場合の駆動波形の一例を示
すｅ　Ｖａｓｅ　ＶＤＪは第３図にホしたのと同様であ
り、それぞれ第ｉ番目のゲート線Ｇｉに加えるゲート電
圧、第ｊ番目のデータ線Ｌ）ｔに加える曙像信号であり
、ここでは２フレーム分を示してあるｍＶ１ｐＪはｌｖ
＃ｃ　ｔ　．ａ　ノ電圧ヲ示Ｔ　−　Ｍ　図のように液
晶には１フレーム毎に正極性信号と負極性信号が交互に
印加されて高寿命化が図られている。

さて上記の正負向極性の画像信号は、前述のようにｖｏ
．がＶＯＮとなるΔｔの間に薄膜トランジスタがデータ
電極から画素電極に電圧を伝達することにより液晶に印
加される。この信号電達は、画像信号の極性によってそ
の速度が蛮化する．第５図にその様子を示す。

第５図の曲線■は正極性信号書込に対応し、書込が進行
するに従って矢印の方向すなわち原点に向かって動作点
が移動することが示されている．正極性信号書込の場合
は常にデータ電極の電圧Ｖ　（ＤＡＴＡ）が画素電極の
電圧Ｖ（ｐｒｘＩ！Ｌ）よりも大きくなっている．すな
わちチャネルの主たるキャリャが電子とすると、電子の
注入される電極であるソース電極は画素電極である． 一方，第５図の曲線■は負極性信号書込みの場合を示し
ている．この場合は常にＶ　ＣＤＡＴ＾）くＶ（ＰＩＸ
ＥＬ）が或立し、ソース電極はデータ電極である。

曲線ｔ，Ｕは、ソース電極が薄膜トランジスタのデータ
電極，画素電極のいすであっても電子注入はほぼ同等に
行なわれ、その程度はゲート・ソ一ス間屯圧、ゲート・
ドレイン間電圧にのみ依存するトランジスタ特性に基づ
いて得られる。

第５図の曲線１，ＩＩを比較すると、同一のドレイン・
ソース間電圧（すなわちＩＶ（ＤＡＴＡ）一Ｖ（ｐｒκ
ＥＬ）ｌ）に対してトランジスタを流れる’＃ｆ．　’
ｄｏｔ値は、負極性信号書込の方が大きいことがわかる
。

これはゲート・ソース間電圧の条件の差異により生ずる
．このことから、信号書込の速度がその極性により変化
することがわかる。以上のような極性により異なる帯込
速度について特に問題となるのは第５図曲線■に示され
るような正極性信号書込の速度である．すなわち正極性
信号書込時にも十分な電流を確保することが良好な画質
を得るための必要条件である．この点に関して、これま
で特に配慮がなされてはいなかった． 従来技術を用いて薄膜トランジスタの電流を拡大するに
は、例えばトランジスタサイズを大きくする等で伝導度
をと昇させ、第５図曲線ｕｔ，ｔｖに示すように動作領
域をシフトさせるなどの方法がとられる．ここで上記曲
線ｕｉ，ｔｖは曲線【，■のトランジスタのチャネル幅
を２倍にした場合の特性である．しかしより大面積、高
１’＃Ｊ１１　（ｍ大）のディスプレイを実現するのに
は、上記の対策では不十分であり，かつ基板作製時の歩
留り低下を招くという問題もあった。

本発明の目的は，薄膜トランジスタのサイズを変えるこ
となく、上記正極性信号書込時に大きな電流を取り出す
ことが可能な薄膜トランジスタによって駆動される液晶
表示装置を提供することにある． 〔課題を解決するための手段〕 上記の目的を達或するため、本発明においては、液晶表
示装置を披動ずる薄膜トランジスタの電流［０能力に非
対称性をもたせることで、正極性信号書込時の電流を増
大させたものである．ここで上記薄膜トランジスタの電
流駆動能力の非対称性とは、以ドのことを意味する．即
ち、上述の第２図のように構威された液晶表ボ装５’ｔ
であって、画素電極とデータ線間の電荷の仏達を制御す
る薄膜トランジスタについて、データ線から画素電極の
向きに電荷を伝達する能力よりも画素電極からデータ線
に電荷を伝達する能力の方が少なくとも一部の駆動電圧
領域で優っていることである・これを＠５図を用いて説
明すれば、第５図の従来例では対称な駆動能力を有する
薄膜トランジスタの動作電流曲線を描いてあり曲線ｌは
曲線Ｈの下に常に位置するが、これに対し、本発ｌ１ｌ
ｊによる非対称なｔｉ流駆動能力を有する薄膜トランジ
スタでは動作電流曲ｍｌが曲ｌｌＡ］Ｉよりも、大きく
なる領域がある電圧Ｉ　Ｖ　（ＤＡＴＡ）　−　Ｖ　（
ＰＩＸＥＬ）　Ｉ　　で存在する。

上に述べたことは，いずれも薄膜トランジスタの主たる
電荷が電子の場合についてであるが、その主たる電荷が
正孔の場合は、電荷の伝播能カの大小関係は逆転する。

さて、上記の如き薄汲トランジスタの電流駆動能力の非
対称性を実現するにあたり、本発明では特に画素電極側
からの電子注入を増倍させたものである・そのために、
画素電極側で薄ＩＬＪ　トランジスタのゲート電界が大
きくなるように実効的なゲート絶縁膜厚を薄くしたもの
である．あるいは、薄膜トランジスタの半導体層の厚み
を画素電極側で薄くして、寄生抵抗を小さくしたもので
ある．特に上記本発明の構成になる液晶表示装置は、良
好な一質を実現でき，信頼性も高いという特徴を有する
のでこれらをテレビジョン画像表示装置あるいは情報用
端末または文字・図形表示装置に用いて好適である． 〔作用〕 上記の手段によれば，正極性信号の書込時、すなわち画
＊ａ極からデータ線に電子が伝播されるときに、画素電
極側からの電子注入がデータ線側からのそれと比べて増
倍されているために、大きな電流を流すことができるの
でトランジスタの設計裕度が拡大されるほか、加えて画
質，信頼性の向上が達或される． この非対称な電子注入は，虐索電極側での実効的ゲート
絶縁膜厚をデータ線側のそれと比べて薄くすることによ
り実現される．すなわち同一のゲート電圧に対し、半導
体とゲート絶縁膜界面での電界効果が画素電極側で大き
くなり、電子注入が促進される． もちろん、薄膜トランジスタ全体でゲート絶縁膜を薄く
しても正極性信号書込の改善が達成されることはいうま
でもない．しかしながらこの場合はデータ線とゲート線
の短絡確率を高めることになるので上記短絡を回避する
必要がある。

第６図は，ゲート絶縁膜厚を変えた場合の作用を説明す
るための動作曲線図の例である．第６図に示されるよう
に本発明によれば、＃膜トランジスタの電流駆動能力の
非対称性により少なくとも正極性信号書込時の電流を従
来に比べて大きくすることが可能となる． この電流値は、従来比で約２〜３倍以上とすることがで
きるので、トランジスタサイズを大きくしなくても正極
性信号書込に係わる従来の問題が解消される． また画素電極側の半導体層を薄くすることによっても上
記の如き電流の非対称性を実現できる。

これは半導体厚さ方向の寄生抵抗を減少できるからであ
る． 〔実施例〕 （実施例１） 第１図に本発明の第１の実施例による液晶表示装置を示
す．（ａ）はブロック構成図、（ｂ），（ｃ）は液晶パ
ネルの回路図、（ｄ）は液晶パネルの一画素部の断面図
である． 第１図（ａ）において２はゲートドライバであり、液晶
パネルｌの各ゲート線に接続されている．このドライバ
の出力は制御信号発生部４において発生されたクロック
信号で制御される．また、３はデータドライバであり、
シフトレジスタ，ラッチ等によって構成される．５は画
像信号発生部であり、画像信号を表示に整合する駆動波
形に変換してデータドライバ３に出力する．液晶パネル
エは第１図（ｂ）に示した通りであるが前記第２図に示
した従来例と同様にゲート線とデータ線とでマトリクス
電極が形成され、その各交点に薄膜トランジスタが設け
られている．ただし、第２図の従来例と異なって、本発
明では各画素での薄膜トランジスタの電流駆動能力に非
対称性がある．これを明示するために第１図（ｃ）のよ
うなトランジスタの記号を用いた．ここではゲート線数
ｎ，データ線数ｍはそれぞれ、２４０〜４８０及び４８
０〜１０８０とした．第１図（ｄ）に示した液晶パネル
の一画索部の断面図を用いてこれをさらに詳しく説明す
る．ガラス基板３０上に金属Ｃｒをスパッタリング法に
より膜厚１０００人に堆積し、ホトエッチング法により
所望のゲート配線パターン３１を形成する。次にプラズ
マＣｖＬ）法により第１のゲート絶縁膜３２としてＳ　
ｉ　ＮＰＩＡを厚さ１５００〜３０００人堆積し、その
上にＣｒを厚さ約４００Ａ堆積して第２のゲート電極３
３を形成する．ここで、第１のゲート電極と第２のゲー
ト電極は第１のゲート絶縁膜にコンタクト穴を設けてパ
ネル内部で接続した． 引き続いてＣＶＤ法により，勤２のゲート絶縁膜３４と
してＳｉＮ膜を厚さ４００〜８００Ａ堆積し、次に半導
体層３５として真性のａ−Ｓｉ：Ｈ膜を厚さ５００〜２
０００入堆積し、またオーミツクコンタクト層３６とし
てｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を厚さ３００〜６００人堆積する
． 上記の各工程において，第２のゲート絶縁膜３３以降の
膜形成は同一チャンバにおいてガス挿を切替えながら行
なった．切替に際しては一旦チャンバを真空に引く（背
圧１　０””Ｔｏｒｒ以下）ことにより膜相互の純度を
保った．なお、ＳｉＮ膜形成時のガス種は、ＳｉＨａ，
Ｎｚ，ＮＨａまたはＳ　ｉ　Ｈａ，　Ｎ２，　ＮＨ８１
　Ｈ２の混合゛ガスを用いた．またｎ＋ドーピングに際
しては水素希釈のＰＨａガスを用いた。上記のごとき膜
堆積後、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を島状に加工する． 次にＣｒ層（約８０ＯＡ）３７及びＡｆｉ層（約４００
ＯＡ）３８をスパッタリングにより形成した後、所望の
データ配線パターン３９と画素電極側の島状パターン生
立を形成する．この場合、データ電極３９と上記第２の
ゲート電極３３とは約５μｍ程度の間隙を設け、上記画
素電極側の島状Ｃｒ／ＡＭパターン４０と第２のゲート
電極は少なくとも２μｍ以上重畳させる。また、第１の
ゲート電極３１とＣ　ｒ　／　Ａ　Ｑのデータ１！極及
び島状パターンとは、いずれも少なくとも２μｍ以上重
畳させる．この後でＣ　ｒ　／　Ａ　Ｑパターンをマス
クにしてｎ＋　ａ−Ｓｉ　：Ｈ［３６をエツチオフした
．次に、Ｉ　Ｔ　Ｏ　（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉ
ｄａ）透明′４ｔ極をスパッタリング法により８００−
１２００人の膜厚に堆積し．ＨＣＱ系水溶液を用いたホ
トエッチング法により画素ｔ極パターン４１を形成する
，最後に．ＴＰＴ基板の画血′領域全体を被覆するよう
に保護膜４２を形成して液晶ディスプレイパネル用ＴＰ
Ｔ基板４３が完成する．この基板を対向電１４４４を設
けた通常の対向基板４５，液晶４６等と組合せることに
より液晶ディスプレイパネルが完或する． 上記の工程によって形成された薄膜トランジスタは，第
１のゲート電極と第２のゲー１一電極がほぼ同電位で駆
動されるが、この場合，有効なゲート絶縁膜厚がデータ
電極側では、第１のゲート絶＊Ｍ厚と第２のゲート絶縁
膜厚の和であり、画素電極側では第２のゲート絶縁膜厚
のみとなる．すなわち画素電極側がソース電極となる場
合には大きなゲート絶縁膜容量に対応して電子注入が促
進される．換言すると正極性信号書込が容易な構成とな
っている。その効果は第６図に示した通りである． 以上本発明を一実施例によって説明して来たが、本発明
はこの実施例に限定されない．特に、各画素に電荷蓄積
容量を設けてはいないが、この限りではなく，必要な場
合には付加することも可能である．また本実施例では作
り易さのために、Ｃｒ／Ａｌｌパターンと第２のゲート
電極の位置関係を上記のように設定したが，例えばデー
タ電極と第２のゲート電極を〜ｌμｍ程度の間隙として
負極性信号書込も向上することができる．この場合には
さらに第２のゲート電極とー索電極の重なりは〜２μｍ
程度の間隙としても本発明の効果を得ることができる。

（実施例２） 本発明の第２の実施例では、第６図に示したような非対
称な特性の薄膜トランジスタの別の構成法について述べ
る． 第７図（ａ）はトランジスタ部の断面図である。

ガラス基板上にＡ２を１７０ＯＡ抵抗加熱蒸着もしくは
スパツタ蒸着により形成しゲート電極及び配線パターン
５０を形成する．次にホトレジストを３．０μｍ塗布し
、通常のホトエッチングプロセスにより所望の部分のレ
ジストを除去する．この状態で、基板を化或掖に浸し、
ゲート配線に＋７２Ｖを供給する．約３０分後、上記の
ホトレジスト除去部分のＡｆｆｉ表向に約１００ＯＡの
ＡｆｉｚＯｊ５１が得られる．コノ時ＡＭ１７００人の
うち約７０ＯＡが酸化される．化成液としては３％酒石
酸溶液をエチレングリコールもしくはプロピレングリコ
ールで希釈し、アンモニア水を添加してｐ　Ｈ　７　．
　０±０．５に調整した溶液を用いる．このように局所
的に陽極化或することにより、ゲート配線のＡ２の大部
分がそのまま残るので，配線抵抗を低く保つことができ
る。またＡ２とＡｎｚＯｓの選択エッチング技術も不要
となる．次にレジストを除去した後、大気中あるいは真
空中で２００〜４００℃で６０分加熱する．この加熱に
よってＡｆｆｉｚＯａのリーク電流が一桁以上減少する
．この上にプラズマＣＶＤにより窒化シリコン（Ｓ　ｉ
　Ｎ）を４００〜８００λ、水素化非晶質シリコン（ａ
−Ｓｉ）５２を３００〜２０００人，リンを０．６〜２
．５％ドーピングした非晶貿シリコン（ｎ十層）５３を
２００〜５００人堆積し，島状パターンを形成する． 次にＣｒ５４と５００〜１０００人，ＡＱ５５を３００
０〜ｓｏｏｏ人抵抗加熱蒸着あるいはスパツタ蒸着にて
堆積しホトエッチングにてデータ配線、データ電極５６
及び画素電極側のＣｒ／ＡＱパターン５７を形成する．
このＣ　ｒ　／　Ａ　Ｉｔパターンをマスクにしてｎ◆
層５３の露出部のエッチングを行う． この上にＩＴＯを約１０００人スパツタ蒸着により堆積
しパターン化して画ｌ４１！極５８を形成する． 以上の工程で，トランジスタのゲート絶縁膜は、ＳｉＮ
単層とＳｉＮ／ＡＱｚＯｓの２層の部分ができるが、こ
の場合，ＳｉＮ単層の部分を画素電極側に寄せておくこ
とが肝要となる．すなわち図のｄの値を−２〜２μｍ程
度とすることが望ましい。

以下の工程では、実施例１に記したものと同様の手順で
液晶パネルが作製される。

本実施例の効果としては、実施例１に示したトランジス
タの非対称駆動の効果に加えて、配１ｆＡ抵抗を十分に
小さくできるので，大型・高精細化が容易になるという
利点がある． 本実施例では，ゲート電極をひとつで構成したが，これ
と同様な構成は陽極化成を用いなくても可能である． 例えば第７図（ｂ）のようにＣｒ電極、第１のゲート絶
縁膜を形成後，その第１のゲート絶縁膜を所望の膜厚ｔ
だけエツチオフすればよい．その後の工程は本実施例と
全く同様の構成とすればよい． なお以上の実施例では実効的なゲート絶縁膜厚を薄くす
る場合のみを記述したが、同様に画素電極側の半導体層
厚を薄くしても電流の非対称性は実現できる。

（実施例３） 第８図は本発明の第３の実施例図であり、テレビジョン
受像機のブロック構或図を示す．この実施例は、前記実
施例１あるいは２の液晶表示装置を用いてＴＶ画像表示
を行うものである．第８図において７は通常のカラーＴ
Ｖに使用される標準的な駆動圓路である．また、映像信
号処理回路への人力をＶＴＲ信号とすればビデオモニタ
としても用いることができる． また、この実施例においては本発明の液晶表示装置をＴ
Ｖ画像表示用に用いる場合を説明したが、本発明の液晶
表示装置は゛１゜Ｖ画像表示に限らず，他のディスプレ
イとして用いることも、もちろん１■能である．特に、
本発明を適川すれば、大画面高精細の表示装置において
従来より大幅に良好な画面を実現することができ，精密
な図形や小さな文字等を明瞭に表示することができるの
で、情報用端末装置または文字，図形表示装置等の表示
装・　１ 置として好適である。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明による液晶表示装置によれ
ば、＃膜トランジスタの電流駆動能力の非対称性により
正極性信号書込時の電流を独立に従来の２〜３倍以上と
することができる。

したがってトランジスタサイズを拡大することなく，大
画面，高精細のディスプレイにおいて良好な画質を実現
することができるという優れた効果が得られる．

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の一実施例の装置構成の概略ブロ
ック図、第１図（ｂ）は表ボ装置の表示部の回路図、第
１図（ｃ）は画素表示駆動園路の回路図、第１図（ｄ）
はＤＭ素表示駆動部の凹路素子の断面図、第２図は従来
の液晶表示装置の表本部の圓略図、第３図，第４１１，
第５図は液品表示装置の動作を説明するための図、第６
図は本発明による液晶表示装置に用いられる薄膜トラン
ジスタの動作曲線図，第７回（ａ），（ｂ）は本発明の
別の実施例による液晶表示装置の回路素子部の断面図、
第８図は本発明による液．晶表示装置を応用したＴＶ受
像あるいはビデオモニターのブロック図である． １・・・液晶パネル，２．１６・・・ゲートドライバ、
３，工７・・・データドライバ、１３・・・非対称な駆
動能力を有する薄膜トランジスタ、工１・・・液晶、１
８・・・対向電極、１４・・・データ線、１５・・・ゲ
ート線．奉 Ｉ ■ （α） 弟 ！ 臼 （ｂ） 夢 ｌ 昭 （ｄ−） 第 ２ 日 ２７ 茅 ３ 日 早 Ｓ ■ ｌ　Ｖ’（ＣＩＡＴＡ）　一Ｖ　（ＰＩＸＥＬ］（Ｖ） 第 ６ 切 ＩＶ　（ＤＡＴＡ）−　Ｖ（ＰＩＸＥＬ）　Ｉ　（Ｖ）
秦 ７ 切 （αつ ６ｚ 第２Ｉ） 不 δ 目 ｌ ７通宇′のカラーＴＶの焉巨動回工４

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、複数のデータ線と、該複数のデータ線と交差する複
   数のゲート線を有し、上記データ線と上記ゲート線の各
   交点に画素電極と該画素電極を駆動する薄膜トランジス
   タを形成して成る第１の基板と、 透明導電体を形成した第２の基板と、 上記第１の基板と第２の基板の間に挾まれた液晶層とを
   備えた液晶表示装置であつて、 上記薄膜トランジスタが少なくとも半導体層からなる能
   動層、ゲート絶縁層、ゲート電極を有する絶縁ゲート型
   電界効果トランジスタであり、その電流駆動能力に非対
   称性を具備させて駆動することを特徴とする液晶表示装
   置。 ２、請求項１に記載の液晶表示装置において、上記薄膜
   トランジスタのゲート絶縁膜の膜厚を画素電極近傍で薄
   く、その他の部分では厚くすることにより、電流駆動能
   力に非対称性を生ぜしめ、これを用いて駆動することを
   特徴とする液晶表示装置。 ３、請求項２に記載の液晶表示装置において、上記薄膜
   トランジスタのゲート絶縁膜が２層以上の多層構造から
   なることを特徴とする液晶表示装置。 ４、請求項２ないし３のいずれかに記載の液晶表示装置
   において、上記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜が２層
   以上の多層構造からなり、かつ、複数のゲート電極が上
   記ゲート絶縁膜を介して積層された多層構造を有するこ
   とを特徴とする液晶表示装置。 ５、請求項２ないし４のいずれかに記載の液晶表示装置
   において、上記薄膜トランジスタのチャネルを形成する
   能動層が水素化非晶質シリコンからなることを特徴とす
   る液晶表示装置。 ６、表示手段として、請求項１ないし５に記載の液晶表
   示装置を用いたことを特徴とするテレビジョン画像表示
   装置。 ７、表示手段として、請求項１ないし５に記載の液晶表
   示装置を用いたことを特徴とする情報用端末装置または
   文字、図形表示装置。