JP4575471B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
K.Ota et al.,"Novel Locally Strained Channel Technique for High Performance 55nm CMOS,"IEDM Tech.Dig.,pp.27−30(2002).
前記直方体状半導体層の少なくとも前記側面上に形成されるゲート絶縁膜と、前記チャネル領域を、前記ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極と、前記直方体状半導体層内に、前記チャネル領域を挟み込むよう形成されるソース/ドレイン領域とを有し、前記ゲート電極が半導体層を有し、前記半導体層の不純物濃度が前記半導体層の前記半導体基板側から上方に向けて高く、前記チャネル領域に、前記半導体基板主面に対して垂直方向の圧縮歪みが印加されていることを特徴とする。
前記直方体状半導体層の少なくとも前記側面上に形成されるゲート絶縁膜と、前記チャネル領域を、前記ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極と、前記直方体状半導体層内に、前記チャネル領域を挟み込むよう形成されるソース/ドレイン領域とを有し、前記ゲート電極が金属層と前記金属層上の前記半導体層を有し、前記pMISFETが複数個隣接して設けられ、隣接する前記pMISFETの前記直方体状半導体層間が前記ゲート絶縁膜を介して前記金属層で埋め込まれ、前記半導体層の最下面が、前記直方体状半導体層上面より上方にあり、前記チャネル領域に、前記半導体基板主面に対して垂直方向の圧縮歪みが印加され、前記側面に対して垂直方向の伸張歪みが印加されていることを特徴とする。
pMISFETを形成することを特徴とする。
本実施の形態の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上部に形成され、半導体基板主面に平行な上面と、半導体基板主面に垂直な(100)面方位の側面を有する直方体状半導体層と、pMISFETとを備えている。そして、pMISFETは、直方体状半導体層の少なくとも側面に形成されるチャネル領域と、直方体状半導体層の側面上に形成されるゲート絶縁膜と、チャネル領域を、ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極と、直方体状半導体層内に、チャネル領域を挟み込むよう形成されるソース/ドレイン領域とを有している。そして、チャネル領域に、半導体基板主面に対して垂直方向の圧縮歪みが印加されている。
本実施の形態の半導体装置は、図1に示す第1の実施の形態の半導体装置において、ハードマスク層42を除去し、直方体状半導体層40すなわちチャネル領域18上面上にもゲート絶縁膜を介してゲート電極を設けたp型チャネルのナノワイヤトランジスタである。FinFETの構造をナノワイヤトランジスタの構造とする以外は、第1の実施の形態と同様であるので、重複する内容については記述を省略する。
本実施の形態の半導体装置は、図1に示す第1の実施の形態の半導体装置において、ゲート電極の半導体層の最下面が、直方体状半導体層上面より上方にあるp型チャネルFinFETである。この構造の相違以外は、第1の実施の形態と同様であるので、重複する内容については記述を省略する。
本実施の形態の半導体装置は、図1に示す第1の実施の形態の半導体装置において、SOI基板ではなく、バルクシリコン基板が適用されること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、重複する内容については記述を省略する。
本実施の形態の半導体装置は、図1に示す第1の実施の形態の半導体装置において、金属層が省略され、ゲート電極がポリシリコン層単層であること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、重複する内容については記述を省略する。
本実施の形態の半導体装置は、p型チャネル(100)側面FinFETとn型チャネル(100)側面FinFETとで構成される相補型半導体装置である。この半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上部に形成され、半導体基板主面に平行な上面と、半導体基板主面に垂直な(100)面方位の側面を有する直方体状半導体層と、pMISFETとを備えている。このpMISFETは、直方体状半導体層内に形成されるチャネル領域と、チャネル領域の側面上に形成されるゲート絶縁膜と、チャネル領域を、ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極と、直方体状半導体層内に、チャネル領域を挟み込むよう形成されるソース/ドレイン領域とを有し、チャネル領域に、半導体基板主面に対して垂直方向の圧縮歪みが印加されている。さらに、半導体基板の上部に形成され、半導体基板主面に平行な第2の上面と、半導体基板主面に垂直な(100)面方位の第2の側面を有する第2の直方体状半導体層と、nMISFETとを備えている。このnMISFETは、第2の直方体状半導体層内に形成される第2のチャネル領域と、第2のチャネル領域の第2の側面上に形成される第2のゲート絶縁膜と、第2のチャネル領域を、第2のゲート絶縁膜を介して覆う第2のゲート電極と、第2の直方体状半導体層内に、第2のチャネル領域を挟み込むよう形成される第2のソース/ドレイン領域とを有し、第2のチャネル領域に、半導体基板主面に対して垂直方向の圧縮歪みと、第2の側面に対して垂直方向の圧縮歪みとが印加されている。
本実施の形態の半導体装置は、p型チャネル(110)側面FinFETとn型チャネル(110)側面FinFETとで構成される相補型半導体装置である。この半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上部に形成され、半導体基板主面に平行な上面と、半導体基板主面に垂直な(110)面方位の側面を有する直方体状半導体層と、半導体基板の上部に形成され、半導体基板主面に平行な第2の上面と、半導体基板主面に垂直な(110)面方位の第2の側面を有する第2の直方体状半導体層と、pMISFETと、nMISFETとを備えている。このpMISFETは、直方体状半導体層内に形成されるチャネル領域と、チャネル領域の側面上に形成されるゲート絶縁膜と、チャネル領域を、ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極と、直方体状半導体層内に、チャネル領域を挟み込むよう形成されるソース/ドレイン領域とを有している。そして、nMISFETは、第2の直方体状半導体層内に形成される第2のチャネル領域と、第2のチャネル領域の第2の側面上に形成される第2のゲート絶縁膜と、第2のチャネル領域を、第2のゲート絶縁膜を介して覆う第2のゲート電極と、第2の直方体状半導体層内に、第2のチャネル領域を挟み込むよう形成される第2のソース/ドレイン領域とを有し、第2のチャネル領域に、半導体基板主面に対して垂直方向の圧縮歪みが印加されている。
本実施の形態の半導体装置は、p型チャネル(100)側面FinFETとn型チャネル(100)側面FinFETとで構成される相補型半導体装置である。この半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上部に形成され、半導体基板主面に平行な上面と、半導体基板主面に垂直な(100)面方位の側面を有する直方体状半導体層と、pMISFETとを備えている。このpMISFETは、直方体状半導体層の少なくとも側面に形成されるチャネル領域と、直方体状半導体層の側面上に形成されるゲート絶縁膜と、チャネル領域を、ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極と、直方体状半導体層内に、チャネル領域を挟み込むよう形成されるソース/ドレイン領域とを有し、チャネル領域に、半導体基板主面に対して垂直方向の圧縮歪みと、側面に対して垂直方向の伸張歪みが印加されている。さらに、半導体基板の上部に形成され、半導体基板主面に平行な第2の上面と、半導体基板主面に垂直な(100)面方位の第2の側面を有する第2の直方体状半導体層と、nMISFETとを備えている。このnMISFETは、第2の直方体状半導体層のすくなくとも側面に形成される第2のチャネル領域と、第2の直方体状半導体層の第2の側面上に形成される第2のゲート絶縁膜と、第2のチャネル領域を、第2のゲート絶縁膜を介して覆う第2のゲート電極と、第2の直方体状半導体層内に、第2のチャネル領域を挟み込むよう形成される第2のソース/ドレイン領域とを有し、第2のチャネル領域に、半導体基板主面に対して垂直方向の圧縮歪みと、第2の側面に対して垂直方向の圧縮歪みとが印加されている。
本実施の形態の半導体装置は、p型チャネル(110)側面FinFETとn型チャネル(110)側面FinFETとで構成される相補型半導体装置である。この半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上部に形成され、半導体基板主面に平行な上面と、半導体基板主面に垂直な(110)面方位の側面を有する直方体状半導体層と、半導体基板の上部に形成され、半導体基板主面に平行な第2の上面と、半導体基板主面に垂直な(110)面方位の第2の側面を有する第2の直方体状半導体層と、pMISFETと、nMISFETとを備えている。このpMISFETは、直方体状半導体層の少なくとも側面に形成されるチャネル領域と、直方体状半導体層の側面上に形成されるゲート絶縁膜と、チャネル領域を、ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極、直方体状半導体層内に、チャネル領域を挟み込むよう形成されるソース/ドレイン領域とを有している。そして、nMISFETは、第2の直方体状半導体層の少なくとも側面に形成される第2のチャネル領域と、第2の直方体状半導体層の第2の側面上に形成される第2のゲート絶縁膜と、前記第2のチャネル領域を、前記第2のゲート絶縁膜を介して覆う第2のゲート電極と、第2の直方体状半導体層内に、第2のチャネル領域を挟み込むよう形成される第2のソース/ドレイン領域とを有し、第2のチャネル領域に、半導体基板主面に対して垂直方向の圧縮歪みと、第2の側面に対して垂直方向の伸張歪みが印加されている。
12 埋め込み酸化膜
14 SOI基板
18 チャネル領域
20 ゲート絶縁膜
22 金属層
24 ポリシリコン層
30 ゲート電極
32 ソース/ドレイン領域
34 側壁絶縁膜
40 直方体状半導体層
42 ハードマスク層
44 SOI層
50 ストレスライナー絶縁膜
60 バルクシリコン基板
62 素子分離絶縁膜
64 パンチスルー抑制用半導体層
Claims (13)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上部に形成され、前記半導体基板主面に平行な(100)面方位の上面と、前記半導体基板主面に垂直な(100)面方位の側面を有する直方体状半導体層と、
pMISFETとを具備し、
前記pMISFETは、
前記直方体状半導体層の少なくとも前記側面に形成されるチャネル領域と、
前記直方体状半導体層の少なくとも前記側面上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記チャネル領域を、前記ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極と、
前記直方体状半導体層内に、前記チャネル領域を挟み込むよう形成されるソース/ドレイン領域とを有し、
前記ゲート電極が半導体層を有し、前記半導体層の不純物濃度が前記半導体層の前記半導体基板側から上方に向けて高く、
前記チャネル領域に、前記半導体基板主面に対して垂直方向の圧縮歪みが印加されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート電極が、前記半導体層と前記ゲート絶縁膜との間に形成される金属層をさらに有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記半導体基板の上部に形成され、前記半導体基板主面に平行な(100)面方位の第2の上面と、前記半導体基板主面に垂直な(100)面方位の第2の側面を有する第2の直方体状半導体層と、
nMISFETとをさらに具備し、
前記nMISFETは、
前記第2の直方体状半導体層の少なくとも前記第2の側面に形成される第2のチャネル領域と、
前記第2の直方体状半導体層の少なくとも前記第2の側面上に形成される第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のチャネル領域を、前記第2のゲート絶縁膜を介して覆う第2のゲート電極と、
前記第2の直方体状半導体層内に、前記第2のチャネル領域を挟み込むよう形成される第2のソース/ドレイン領域とを有し、
前記第2のゲート電極が第2の半導体層を有し、前記第2の半導体層中の不純物濃度が均一であり、
前記第2のチャネル領域に、前記半導体基板主面に対して垂直方向の圧縮歪みと、前記第2の側面に対して垂直方向の圧縮歪みが印加されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の上部に形成され、前記半導体基板主面に平行な(100)面方位の上面と、前記半導体基板主面に垂直な(100)面方位の側面を有する直方体状半導体層と、
pMISFETとを具備し、
前記pMISFETは、
前記直方体状半導体層の少なくとも前記側面に形成されるチャネル領域と、
前記直方体状半導体層の少なくとも前記側面上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記チャネル領域を、前記ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極と、
前記直方体状半導体層内に、前記チャネル領域を挟み込むよう形成されるソース/ドレイン領域とを有し、
前記ゲート電極が金属層と、前記金属層上の半導体層を有し、
前記直方体状半導体層が複数個隣接して設けられ、隣接する前記直方体状半導体層間が前記ゲート絶縁膜を介して前記金属層で埋め込まれ、前記半導体層の最下面が、前記直方体状半導体層上面より上方にあり、
前記チャネル領域に、前記半導体基板主面に対して垂直方向の圧縮歪みが印加され、
前記側面に対して垂直方向の伸張歪みが印加されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板の上部に形成され、前記半導体基板主面に平行な(100)面方位の第2の上面と、前記半導体基板主面に垂直な(100)面方位の第2の側面を有する第2の直方体状半導体層と、
nMISFETとをさらに具備し、
前記nMISFETは、
前記第2の直方体状半導体層の少なくとも前記第2の側面に形成される第2のチャネル領域と、
前記第2の直方体状半導体層の少なくとも前記第2の側面上に形成される第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のチャネル領域を、前記第2のゲート絶縁膜を介して覆う第2のゲート電極と、
前記第2の直方体状半導体層内に、前記第2のチャネル領域を挟み込むよう形成される第2のソース/ドレイン領域とを有し、
前記第2のゲート電極が第2の半導体層を有し、前記第2の半導体層中の不純物濃度が均一であり、
前記第2のチャネル領域に、前記半導体基板主面に対して垂直方向の圧縮歪みと、前記第2の側面に対して垂直方向の圧縮歪みが印加されていることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。 - 前記第2のゲート電極が、前記第2の半導体層と前記第2のゲート絶縁膜との間に形成される第2の金属層をさらに有することを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
- 前記直方体状半導体層の前記側面上にのみ前記ゲート絶縁膜が形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記直方体状半導体層の前記上面上にも前記ゲート絶縁膜が形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記半導体基板がSOI基板であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記半導体基板がバルクシリコン基板であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記半導体層の不純物濃度が、前記半導体層の前記半導体基板側最下層で2×1019cm−3以上2×1020cm−3未満であり、最上層で2×1020cm−3以上2×1021cm−3以下であること請求項1記載の半導体装置。
- 半導体基板の上部に、前記半導体基板主面に平行な(100)面方位の上面と、前記半導体基板主面に垂直な(100)面方位の側面を有する複数の直方体状半導体層を形成し、
前記直方体状半導体層の少なくとも前記側面に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に金属層を形成し、
前記金属層上に、前記直方体状半導体層間が埋め込まれるように半導体層を堆積し、
前記半導体層上部を非晶質化するために不純物をイオン注入し、
前記半導体層および前記金属層をパターニングしてゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にストレスライナー絶縁膜を形成し、
前記半導体層上部を結晶化するための熱処理を行い、
前記ストレスライナー絶縁膜を除去し、
pMISFETを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の上部に、前記半導体基板主面に平行な(100)面方位の上面と、前記半導体基板主面に垂直な(100)面方位の側面を有する複数の直方体状半導体層を形成し、
前記直方体状半導体層の少なくとも側面に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記直方体状半導体層間が埋め込まれるように金属層を形成し、
前記金属層を研磨により平坦化し、
前記金属層上に半導体層を堆積し、
前記半導体層上部を非晶質化するために不純物をイオン注入し、
前記半導体層および前記金属層をパターニングしてゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にストレスライナー絶縁膜を形成し、
前記半導体層上部を結晶化するための熱処理を行い、
前記ストレスライナー絶縁膜を除去し、
pMISFETを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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