JP4549002B2 - カーボンナノチューブからなる電気的に導電性の接続を有する電子部品とその製造方法 - Google Patents

カーボンナノチューブからなる電気的に導電性の接続を有する電子部品とその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4549002B2
JP4549002B2 JP2001560448A JP2001560448A JP4549002B2 JP 4549002 B2 JP4549002 B2 JP 4549002B2 JP 2001560448 A JP2001560448 A JP 2001560448A JP 2001560448 A JP2001560448 A JP 2001560448A JP 4549002 B2 JP4549002 B2 JP 4549002B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive layer
carbon nanotube
hole
layer
grown
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001560448A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003523608A (ja
JP2003523608A5 (ja
Inventor
エンゲルハート，マンフレット
ヘンライン，ヴォルフガング
クロイプル，フランツ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of JP2003523608A publication Critical patent/JP2003523608A/ja
Publication of JP2003523608A5 publication Critical patent/JP2003523608A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4549002B2 publication Critical patent/JP4549002B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
    • H01L21/76876—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers for deposition from the gas phase, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53276—Conductive materials containing carbon, e.g. fullerenes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/10—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
    • H01L2221/1068—Formation and after-treatment of conductors
    • H01L2221/1094—Conducting structures comprising nanotubes or nanowires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4076—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thin-film techniques

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

本発明は、電子部品、電子部品における導電接続の製造方法および電子部品の製造方法に関するものである。
【０００１】
総合的に設計された電子部品では、非導電層を貫通するホールがエッチングされることにより、非導電層によって電気的に絶縁されている２つの導電層が相互に電気的に導電して接続されているのが一般的である。ホールは、金属によって充填される。このことにより、両方の導電層を相互に電気的に導電して接続する金属接触（Durchkontaktierung）が生成される。
【０００２】
上記の方法では、特に、横の方への寸法が減少する場合、つまり非導電層を貫通するコンタクトホールの直径が小さくなる場合および垂直方向へ拡張する場合もしくは少なくとも縦横比（アスペクト比）（Aspektverhaeltnis）が大きくなる場合には、コンタクトホールを金属によって完全に充填することが困難であり、欠陥を含んでしまう傾向にある。特に、析出した金属によってコンタクトホールの上部領域に閉塞が頻繁に生じる。このことにより、コンタクトホール全体が金属によって充填されるのが妨害される。従って、多くの場合、両方の導電層の間に電気的に導電した接続は生じない。このことに加えて、不完全に充填されたコンタクトホールは、信頼性の問題に繋がる。
【０００３】
知られている方法のさらなる不都合は、縦横比が極めて大きなコンタクトホールの場合、金属接触の導電性が大きく低下することである。つまり、金属接触は、メタライジングシステム、すなわち集積回路のスケーリング用のかなり制限された要素である。この場合、電子部品の垂直方向に、非導電層を通って、複数の導電層が電気的に相互に導電して接続していることが必要である。
【０００４】
さらに、[１]から、導電性の高い物質として、いわゆるカーボンナノチューブに関する基本概念が知られており、その導電性は、同じ寸法の金属の導電性を大きく超えている。
【０００５】
[２]から、孔が開けられた三酸化二アルミニウムマトリックス（Aｌ２Ｏ３-Matrix）に自己整合して、カーボンナノチューブが成長する方法が知られている。
【０００６】
従って、本発明の目的は、電子部品における導電接続と、非導電層によって相互に絶縁されている２つの導電層の間に導電接続を有している電子部品とを提供することである。この要素では、たとえホールが大変大きな縦横比を有している場合でも、導電接続が生成される。
【０００７】
本目的は、電子部品、電子部品における導電接続の製造方法、および、従属特許請求項の特徴を有する電子部品の製造方法によって解決される。
【０００８】
電子部品は、第１導電層、第１導電層の上に非導電層、そして非導電層の上に第２導電層を備えている。非導電層には、非導電層を完全に貫通している少なくとも１つのホールが備えられている。このホールには、少なくとも１つのナノチューブが含まれており、このチューブを介して、第１導電層が第２導電層に導電して接続されている。
【０００９】
電子部品に導電接続を製造するための方法では、第１導電層の上に非導電層を析出させる。非導電層を貫通する、ホールを形成し、ホールに少なくとも１つのナノチューブを成長させる。続いて、第２導電層を、第１導電層がナノチューブを介して第２導電層に導電して接続されるように析出させる。
【００１０】
電子部品の製造方法では、第１工程で、第１導電層が用意される。第１導電層の上に非導電層を析出させる。そして非導電層を貫通するホールを製造（例えば、エッチング）する。ホールには、少なくとも１つのナノチューブを成長させる。そして、第２導電層を、第１導電層がナノチューブを介して第２導電層に導電して接続されるように析出させる。
【００１１】
本発明によって、たとえ大変小さな直径であり、大きな縦横比を有するコンタクトホールの場合でも、非導電層によって相互に電気的に分断されている２つの導電層の間に、信頼できる、電気的に導電性の接続を作り出すことが可能である。例えば、導電層は、銅、アルミニウム、銀などのような、どの金属性の導電性物質であってもよい。この際、導電層は、付着層、拡散層および反射防止層（ただし、例えばＴｉ,ＴｉＮ,Ｔａ,ＴａＮ,および/またはこれら物質の組み合わせ）を一般的に備えることができる。電気的に非導電層は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、ポリマイドなどのほかの有機物質からなる絶縁性の層、または、これらの任意の組み合わせなどによる合金の誘電体でもよい。少なくとも１つのナノチューブを用いた電気的に導電性の接続は、このようなナノチューブの直径によってのみ制限されている。いわゆるカーボンナノチューブの場合、ナノチューブは直径約１．５ｎｍである。
【００１２】
製造方法は容易さと確実性、つまり、わずかな欠陥性によって特徴づけられる。このことにより、信頼性のある電気的に導電性の接続が製造される。
【００１３】
従って、電子部品は、高精密構造、つまりコンタクトホールの直径が小さい場合でも容易かつ廉価に製造することができる。
【００１４】
本発明の好ましいさらなる構造を、従属請求項に挙げる。
【００１５】
本発明の形態では、ナノチューブがカーボンナノチューブであることが好ましい。
【００１６】
このようなカーボンナノチューブは、直径が小さなコンタクトホールにも、大変容易かつ確実に自己整合することができる。
【００１７】
さらに、カーボンナノチューブは、導電性が極めて高い。同じ寸法の場合、導電性は、例えば、銅または銀のような最もよい金属性の導体の導電性さえ大きく超えている。
【００１８】
両方の導電層を相互に電気的に導電して接続するため、このようなコンタクトホールには多数のナノチューブ、基本的には任意の数のナノチューブが備えられている。
【００１９】
ナノチューブの成長を促進するため、第１導電層の上のコンタクトホールには、本発明の形態に基づいて核形成層（Bekeimungsschicht）が備えられている。この層は、ナノチューブを成長させる触媒として作用する金属粒子（例えば、ニッケルおよび/または鉄からなる金属粒子、および/またはイットリウム、および/またはコバルトおよび/またはプラチナ）を備えていることが好ましい。
【００２０】
ホールは、非導電層を貫通するようにエッチングされる。
【００２１】
ただし、以下に示す実施例に、それぞれ半導体部品が示されている場合でも、本発明は、全く半導体部品に限定されず、どの電子部品にも使用することができる。この場合、層が半導体層であろうと無かろうと、非導電層によって分断されている２つの導電層が導電して相互に接続されているということが通用する。本発明は、集積回路の範囲内に使用するのに特に適している。
【００２２】
本発明の実施例を図に示し、以下に詳述する。図１は、第１実施例に基づく半導体部品の断面図を示す。図２Ａから２Ｄは、半導体部品の断面図であり、これに基づいて図１に示す半導体部品を製造するための個々の方法工程を説明する。図３は、本発明の第２実施例に基づく半導体部品の断面図を示す。図４Ａから４Ｃは、半導体部品の断面図であり、これを基に図３に示す半導体部品を製造するための個々の方法工程を説明する。図５は、本発明の第３実施例に基づく半導体部品の断面図を示す。図６Ａから６Ｅは、半導体部品の断面図であり、これを基に図５に示す半導体部品を製造するための個々の方法工程を説明する。
【００２３】
[実施例１]
図１は、第１実施例に基づく第１半導体部品１００を示す。
【００２４】
第１半導体部品１００は、付着層、拡散層および反射防止層（ただし、例えば、Ｔｉ,ＴｉＮ,Ｔａ,ＴａＮ、および/またはこれら物質の組み合わせ）を有しており、銅またはアルミニウムからなる第１導電層１０１を備えている。第１導電層１０１の上に、合金の誘電体（第１実施例では二酸化シリコン）からなる非導電層１０２を析出させる。
【００２５】
非導電層１０２には、コンタクトホール１０３がエッチングされており、コンタクトホールの底、つまり、第１導電層１０１の上に、核形成層１０４を析出させている。
【００２６】
核形成層１０４は、触媒として作用する金属粒子（例えば、ニッケル、鉄、イットリウム、コバルトおよび/またはプラチナ）からなる層である。核形成層１０４は、カーボンナノチューブが成長する触媒として作用する。
【００２７】
核形成層１０４の頂部には、基本的には任意の数のカーボンナノチューブ１０５を成長させる。
【００２８】
カーボンナノチューブ１０５が第２導電層１０６に電気的に導電して接続しているように、第２導電層１０６を、Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｔａ，ＴａＮおよび/または銅および/またはアルミニウムの順で、非導電層１０２の上に析出させる。
【００２９】
図２Ａから図２Ｄを参考に、第１半導体部品１００を製造するための個々の方法工程を詳述する。
【００３０】
第１工程では、例えば、ガス層の析出方法（化学気相反応法、ＣＶＤ方法）を用いて、第１導電層１０１の上に非導電層１０２を析出させる（図２Ａ参照）。
【００３１】
非導電層１０２の適切なマスキング、および、非導電層１０２のウエットエッチングまたはドライエッチングを経て、ホール（コンタクトホール）１０３を、非導電層１０２を貫通するように第１導電層１０１の表面までエッチングする（図２Ｂ参照）。
【００３２】
ホール１０３には、例えば、ＣＶＤ方法などの適切な方法を用いて核形成層１０４を析出させる（図２Ｃ参照）。核形成層１０４は、０．１ｎｍから５０ｎｍの厚さである。
【００３３】
第１実施例の核形成層１０４は、ニッケル金属粒子から構成されている。
【００３４】
さらなる工程では、[２]に記載の方法に基づいて、ホール１０３の核形成層１０４にカーボンナノチューブ１０５を成長させる（図２Ｄ参照）。
【００３５】
カーボンナノチューブ１０５の長さは、核形成層１０４にカーボンナノチューブが成長する期間次第である。
【００３６】
カーボンナノチューブ１０５を、非導電層１０２の上端を超えて突出するまで成長させる。
【００３７】
このようになったら、次の工程で、ＣＶＤ法、スパッタ法または蒸着法を用いて、非導電層１０２の上に第２導電層１０６を析出させる。
【００３８】
カーボンナノチューブ１０５は、非導電層１０２を超えて突出しているので、チューブは第２導電層１０６に直接入りこむ。続いて、化学機械研磨（ＣＭＰ方法）またはイオン放射によって、第２導電層１０６を所望の厚さまで平坦化する。
【００３９】
このようにして、カーボンナノチューブ１０５によって、第１導電層１０１と第２導電層１０６との間の電気的に導電性の接続を、核形成層１０４（それ自体が導電性の金属粒子も含有している）を介して確立することができる。
【００４０】
[実施例２]
図３は、第２実施例に基づく第２半導体部品３００の断面を示す。
【００４１】
図の同じ部材は、第２実施例では、第１実施例の部材と同じ参照番号を付けた。
【００４２】
第２半導体部品３００は、基本的には第１半導体部品１００と同じ構造である。しかし、第２実施例の核形成層３０１は、ホール１０３の底にだけではなく、核形成層３０１が、第１導電層１０１の全体に備えられているという違いがある。
【００４３】
第２実施例の個々の層は、第１実施例の該当する層と同じ物質からなる。
【００４４】
図４Ａから４Ｃを参考にして、以下に第２半導体部品３００を製造するための個々の方法工程を詳述する。
【００４５】
まず、第１導電層１０１の上に、金属粒子（ニッケル、鉄、イットリウム、および/またはコバルト）からなる核形成層３０１を析出させる。核形成層３０１は、適切なＣＶＤ法、スパッタ法または蒸着法を用いて第１導電層３０１の全表面に析出される。核形成層３０１は、０．１ｎｍから５０ｎｍの厚さである。
【００４６】
核形成層３０１の上に、非導電層１０２を、例えばＣＶＤ法を用いて析出させる（図４Ａ参照）。
【００４７】
図４Ｂに示すように、核形成層３０１の表面に達するまで、非導電層１０２に、ホール１０３がエッチングされた後、カーボンナノチューブ１０５を、核形成層３０１に、[２]に記載の方法に基づき成長させる。
【００４８】
成長は、カーボンナノチューブ１０５の長さが十分となるまで行われる。その結果、カーボンナノチューブ１０５は、非導電層１０２の表面を超えて突出する（図４Ｃ参照）。
【００４９】
さらなる工程では、ＣＶＤ法を用いて、非導電層１０２の上に第２導電層１０６を析出させる。
【００５０】
同様に、結果は、コンタクトホールを貫通する、２つの導電層の間のカーボンナノチューブを用いて、電気的に導電している接続を有する、半導体部品である。
【００５１】
[実施例３]
図５は、第３実施例に基づく第３半導体部品５００を示す。
【００５２】
半導体部品の同じ部材は、同様に同じ参照番号を付けた。
【００５３】
第３半導体部品５００は、溝５０１が非導電層１０２にエッチングされ、従って、カーボンナノチューブ１０５が、非導電層１０２の表面を超えはしないが、非導電層１０２に形成された溝５０１の底よりも上には突出するという点のみ、第２半導体部品３００と本質的に異なっている。
【００５４】
第３半導体部品５００の個々の層は、第１半導体部品１００および第２半導体部品３００と同じ物質からなる。
【００５５】
図６Ａから６Ｅを参考に、第３半導体部品５００の製造方法を詳説する。
【００５６】
図６Ａに示すように、０．１ｎｍから５０ｎｍの厚さの核形成層３０１を、適切なＣＶＤ法、スパッタ法または蒸着法を用いて第１導電層１０１の上に析出させる。核形成層３０１の上には、ＣＶＤ法を用いて非導電層１０２を析出させる。
【００５７】
非導電層１０２に、核形成層３０１の表面までホール１０３がエッチングされる（図６Ｂ参照）。
【００５８】
さらに、ドライエッチングまたはウエットエッチングによって、非導電層１０２に溝５０１がエッチングされる（図６Ｃ参照）。
【００５９】
さらなる工程では、核形成層３０１にカーボンナノチューブ１０２が、溝５０１の下側の表面を超えて突出するが、非導電層１０２の全面を超えない長さまで成長する。
【００６０】
図６Ｅに示すように、さらなる方法工程では、ＣＶＤ法によって、第２導電層１０６を、溝５０１の中および非導電層１０２に析出させる。
【００６１】
第２導電層１０６は、適切なエッチング方法、化学機械研磨方法を用いて、あるいはイオン放射によって、所望の厚さに減少される。その結果、第２導電層１０６の表面は、非導電層の表面と同じ平坦面となる。
【００６２】
以下に、上述の実施例のほかの実施例を説明する。
【００６３】
ＣＶＤ法として、一酸化炭素ＣＯ、メタン（ＣＨ ４ ）、またはアセチレン（Ｃ ２ Ｈ ２ ）を使用したＣＶＤ法が行われる。あるいは、いわゆるプラズマ強化ＣＶＤ法も使用される。
【００６４】
さらに、カーボンナノチューブ１０５が、非導電層の表面を超えて、もしくは、溝５０１の下側の表面の表面を超えて突出している必要はない。あるいは、カーボンナノチューブ１０５は、化学機械研磨または傾斜した角度（このことにより、イオンはイオン放射の際にコンタクトホールに基本的に浸透することが無い）でのイオン放射によって必要な長さ、つまり、カーボンナノチューブ１０５が少なくとも第２導電層１０６に接触する長さにされる。
【００６５】
カーボンナノチューブ１０５の一部が、第２誘電性の層を超えている場合、チューブは、灰化プロセスによって除去される。この灰化プロセスは、金属エッチング用のレジストマスクを使用する場合にはどちらにしろ必要なプロセスである。例えば、有機物質の構造化のために使用される異方性プラズマエッチングプロセスを用いても、カーボンナノチューブを必要な長さにすることができる。
【００６６】
本発明は、３層構造に限定されない。半導体部品は、各任意の半導体構造に使用することができる。つまり、半導体部品にある２つの導電層の接触のために、非常に多層の半導体部品の部分半導体部品を提供することができる。
【００６７】
本発明は、半導体部品の中で非導電層によって電気的に相互から分断されている２つの電気的に導電層が、カーボンナノチューブを用いるコンタクトホールを通って、電気的に相互に導電して接続されることが明らかである。
【００６８】
このようにして、これまで知られている半導体部品の製造プロセスから最小の変化によって、半導体部品の大きな安定性が達成される。
【００６９】
さらに加えて、コンタクトホールを貫通する接触の場合、ほぼ１０００の値までの高い縦横比が可能である。
【００７０】
本発明の範囲では、ＣＶＤ法の代わりに、スパッタ法または蒸着法を使用することも何の問題も無く容易に可能である。
【００７１】
本文に、以下の刊行物を引用した：
[１] 「分子内量子ワイヤとしてのカーボンナノチューブ」フィジックス・トゥディ、２２〜２８頁、１９９９年５月（C.Dekker, Carbon Nanotubes as Molecular Quantum Korea, Physics Today, S. 22 - 26, Mai 1999）
[２] 「高順序２次元カーボンナノチューブエリア」応用物理冊子、７５巻１４号、２０４７〜２０４９頁、１９９９年１０月（Jung Sang Suh und Jin Seung Lee, Highly Ordered Two-Dimensional Carbon Nanotubes Areas, Applied Physics Lettere, Vol. 7~, Nr. 14, 5. 2047 - 2049, Oktober 1999）。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】 図１は、第１実施例に基づく半導体部品の断面図である。
【図２】 図２Ａから２Ｄは、図１に示す半導体部品を製造するための個々の方法工程を説明するための半導体部品の断面図である。
【図３】 図３は、本発明の第２実施例に基づく半導体部品の断面図である。
【図４】 図４Ａから４Ｃは、図３に示す半導体部品を製造するための個々の方法工程を説明するための半導体部品の断面図である。
【図５】 図５は、本発明の第３実施例に基づく半導体部品の断面図である。
【図６】 図６Ａから６Ｅは、図５に示す半導体部品を製造するための個々の方法工程を説明するための半導体部品の断面図である。

Claims (18)

  1. 第１導電層と、
    第１導電層の上の非導電層と、
    非導電層の上の第２導電層と、
    非導電層を貫通する少なくとも１つのホールと、
    上記第１導電層と上記第２導電層とを導電接続する電気的接続部とを備え、
    上記電気的接続部は、上記ホール内で成長させた少なくとも１つのカーボンナノチューブによって形成されている、電子部品であって、
    上記第１導電層の上に、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが成長する核形成層を有し、
    上記核形成層は、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを成長させる触媒として作用する金属粒子を有しており、
    上記非導電層の上端を超えて突出した上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが上記ホールから上記第２導電層へと入り込んでいるように、上記非導電層の上に上記第２導電層が析出されている、電子部品。
  2. 第１導電層と、
    第１導電層の上の非導電層と、
    非導電層の上の第２導電層と、
    非導電層を貫通する少なくとも１つのホールと、
    上記第１導電層と上記第２導電層とを導電接続する電気的接続部とを備え、
    上記電気的接続部は、上記ホール内で成長させた少なくとも１つのカーボンナノチューブによって形成されている、電子部品であって、
    上記第１導電層の上に、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが成長する核形成層を有し、
    上記核形成層は、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを成長させる触媒として作用する金属粒子を有しており、
    上記非導電層に、上記ホール内で成長させた上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが溝の底を超えて突出するように上記溝が設けられており、上記溝の底を超えて突出した上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが上記ホールから上記第２導電層へと入り込んでいるように、上記非導電層の上に上記第２導電層が析出されている、電子部品。
  3. 上記電気的接続部は、上記ホール内にある複数の上記カーボンナノチューブによって形成されている、請求項１または２に記載の電子部品。
  4. 上記金属粒子が、以下の金属：
    ニッケル、および/または
    鉄、および/または
    イットリウム、および/または
    コバルト、および/または
    プラチナ
    の少なくとも１つを含んでいる、請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品。
  5. 上記非導電層が、層間絶縁膜である、請求項１ないし４のいずれかに記載の電子部品。
  6. 上記第１導電層および/または上記第２導電層が、金属または様々な金属の組み合わせを含む、請求項１ないし５のいずれかに記載の電子部品。
  7. 上記第１導電層および/または上記第２導電層が、銅および/またはアルミニウムおよび/またはＴａ，ＴａＮ，Ｔｉ，ＴｉＮの組み合わせを含む、請求項６に記載の電子部品。
  8. 上記電子部品が、半導体部品であることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれかに記載の電子部品。
  9. 第１導電層の上に非導電層を析出させ、
    上記非導電層を貫通するホールを形成し、
    少なくとも上記第１導電層の上の上記ホールの領域に、触媒として作用する金属粒子をカーボンナノチューブを成長させるために使用した核形成層を設け、
    少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを、上記ホール内の上記核形成層で成長させて、上記ホール内で成長させ、
    上記第１導電層が上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブによって第２導電層と導電接続されるように、上記第２導電層を析出させる、電子部品に導電接続を製造する方法であって、
    上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記ホール内で成長させるときに、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記非導電層の上端を超えて突出させ、
    上記第２導電層を析出させるときに、上記非導電層の上端を超えて突出した上記少なくとも１つのカーボンナノチューブが上記ホールから上記第２導電層へと入り込むように、上記非導電層の上に上記第２導電層を析出させる、電子部品に導電接続を製造する方法。
  10. 第１導電層の上に非導電層を析出させ、
    上記非導電層を貫通するホールを形成し、
    少なくとも上記第１導電層の上の上記ホールの領域に、触媒として作用する金属粒子をカーボンナノチューブを成長させるために使用した核形成層を設け、
    少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを、上記ホール内の上記核形成層で成長させて、上記ホール内で成長させ、
    上記第１導電層が上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブによって第２導電層と導電接続されるように、上記第２導電層を析出させる、電子部品に導電接続を製造する方法であって、
    上記非導電層を貫通する上記ホールを形成した後に、上記非導電層に、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記ホール内で成長させたときに上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが溝の底を超えて突出するための上記溝を設け、
    上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記ホール内で成長させるときに、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記溝の底を超えて突出させ、
    上記第２導電層を析出させるときに、上記溝の底を超えて突出した上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが上記ホールから上記第２導電層へと入り込むように、上記非導電層の上に上記第２導電層を析出させる、電子部品に導電接続を製造する方法。
  11. 第１導電層を用意し、
    上記第１導電層の上に非導電層を析出させ、
    上記非導電層を貫通するホールを形成し、
    少なくとも上記第１導電層の上の上記ホールの領域に、触媒として作用する金属粒子をカーボンナノチューブを成長させるために使用した核形成層を設け、
    少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを、上記ホール内の上記核形成層で成長させて、上記ホール内で成長させ、
    上記第１導電層が上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブによって第２導電層と導電接続されるように、上記非導電層の上に上記第２導電層を析出させる、電子部品の製造方法であって、
    上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記ホール内で成長させるときに、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記非導電層の上端を超えて突出させ、
    上記第２導電層を析出させるときに、上記非導電層の上端を超えて突出した上記少なくとも１つのカーボンナノチューブが上記ホールから上記第２導電層へと入り込むように、上記非導電層の上に上記第２導電層を析出させる、電子部品の製造方法。
  12. 第１導電層を用意し、
    上記第１導電層の上に非導電層を析出させ、
    上記非導電層を貫通するホールを形成し、
    少なくとも上記第１導電層の上の上記ホールの領域に、触媒として作用する金属粒子をカーボンナノチューブを成長させるために使用した核形成層を設け、
    少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを、上記ホール内の上記核形成層で成長させて、上記ホール内で成長させ、
    上記第１導電層が上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブによって第２導電層と導電接続されるように、上記非導電層の上に上記第２導電層を析出させる、電子部品の製造方法であって、
    上記非導電層を貫通する上記ホールを形成した後に、上記非導電層に、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記ホール内で成長させたときに上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが溝の底を超えて突出するための上記溝を設け、
    上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記ホール内で成長させるときに、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記溝の底を超えて突出させ、
    上記第２導電層を析出させるときに、上記溝の底を超えて突出した上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが上記ホールから上記第２導電層へと入り込むように、上記非導電層の上に上記第２導電層を析出させる、電子部品の製造方法。
  13. 上記ホールを、上記非導電層を貫通するようにエッチングする、請求項９ないし１２のいずれかに記載の方法。
  14. 複数の上記カーボンナノチューブを上記ホール内で成長させて、上記複数の上記カーボンナノチューブによって上記第１導電層と上記第２導電層とをそれぞれ導電接続する、請求項９ないし１３のいずれかに記載の方法。
  15. 上記金属粒子として以下の金属：
    ニッケル、および/または
    鉄、および／または
    イットリウム、および／または
    コバルト、および／または
    プラチナの少なくとも１つを使用する、請求項９ないし１４のいずれかに記載の方法。
  16. 上記非導電層に、層間絶縁膜を使用する、請求項９ないし１５のいずれかに記載の方法。
  17. 上記第１導電層および／または上記第２導電層に金属を使用する、請求項９ないし１６のいずれかに記載の方法。
  18. 上記第１導電層および／または上記第２導電層に、銅および／またはアルミニウムおよび／またはＴａ，ＴａＮ，Ｔｉ，ＴｉＮの組み合わせを使用する、請求項１７に記載の方法。
JP2001560448A 2000-02-16 2001-02-02 カーボンナノチューブからなる電気的に導電性の接続を有する電子部品とその製造方法 Expired - Fee Related JP4549002B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10006964A DE10006964C2 (de) 2000-02-16 2000-02-16 Elektronisches Bauelement mit einer leitenden Verbindung zwischen zwei leitenden Schichten und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements
DE10006964.9 2000-02-16
PCT/DE2001/000419 WO2001061753A1 (de) 2000-02-16 2001-02-02 Elektronisches bauelement mit einer elektrisch leitenden verbindung aus carbon-nanoröhren und verfahren zu seiner herstellung

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003523608A JP2003523608A (ja) 2003-08-05
JP2003523608A5 JP2003523608A5 (ja) 2010-07-01
JP4549002B2 true JP4549002B2 (ja) 2010-09-22

Family

ID=7631134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001560448A Expired - Fee Related JP4549002B2 (ja) 2000-02-16 2001-02-02 カーボンナノチューブからなる電気的に導電性の接続を有する電子部品とその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7321097B2 (ja)
EP (1) EP1264344A1 (ja)
JP (1) JP4549002B2 (ja)
KR (1) KR100494248B1 (ja)
DE (1) DE10006964C2 (ja)
TW (1) TW503482B (ja)
WO (1) WO2001061753A1 (ja)

Families Citing this family (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7084507B2 (en) 2001-05-02 2006-08-01 Fujitsu Limited Integrated circuit device and method of producing the same
JP2002341060A (ja) * 2001-05-11 2002-11-27 Seiko Instruments Inc 複合電気部品、地板構造体及びこれを用いた電子時計
US6919592B2 (en) 2001-07-25 2005-07-19 Nantero, Inc. Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same
DE10144704B4 (de) * 2001-09-11 2007-10-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Verbinden eines Bauelements mit einem Träger
US8062702B2 (en) * 2001-11-20 2011-11-22 William Marsh Rice University Coated fullerenes, composites and dielectrics made therefrom
US6921462B2 (en) * 2001-12-17 2005-07-26 Intel Corporation Method and apparatus for producing aligned carbon nanotube thermal interface structure
SE0200868D0 (sv) * 2002-03-20 2002-03-20 Chalmers Technology Licensing Theoretical model för a nanorelay and same relay
DE10220194A1 (de) * 2002-05-06 2003-11-27 Infineon Technologies Ag Kontaktierung von Nanoröhren
US20030211724A1 (en) * 2002-05-10 2003-11-13 Texas Instruments Incorporated Providing electrical conductivity between an active region and a conductive layer in a semiconductor device using carbon nanotubes
US6891724B2 (en) * 2002-06-12 2005-05-10 Intel Corporation Increasing thermal conductivity of thermal interface using carbon nanotubes and CVD
US7507987B2 (en) * 2002-10-11 2009-03-24 Massachusetts Institute Of Technology Method of making packets of nanostructures
DE10250868B8 (de) 2002-10-31 2008-06-26 Qimonda Ag Vertikal integrierter Feldeffekttransistor, Feldeffekttransistor-Anordnung und Verfahren zum Herstellen eines vertikal integrierten Feldeffekttransistors
AU2003304249A1 (en) * 2002-11-19 2005-01-13 William Marsh Rice University Method for creating a functional interface between a nanoparticle, nanotube or nanowire, and a biological molecule or system
EP1563530A4 (en) * 2002-11-19 2009-04-29 Univ Rice William M FABRICATION OF FULLERENES COATED WITH LUMINESCENT FILM AND THEIR APPLICATION IN THE FIELD OF LUMINESCENCE IN VIVO
CN1720606A (zh) * 2002-11-29 2006-01-11 日本电气株式会社 半导体器件及其制造方法
US7656027B2 (en) * 2003-01-24 2010-02-02 Nanoconduction, Inc. In-chip structures and methods for removing heat from integrated circuits
US7316061B2 (en) * 2003-02-03 2008-01-08 Intel Corporation Packaging of integrated circuits with carbon nano-tube arrays to enhance heat dissipation through a thermal interface
WO2004072334A2 (en) * 2003-02-12 2004-08-26 Nantero, Inc. Nanofabric articles and methods of making the same
DE10307815B3 (de) * 2003-02-24 2004-11-11 Infineon Technologies Ag Integriertes elektronisches Bauelement mit gezielt erzeugten Nanoröhren in vertikalen Strukturen und dessen Herstellungsverfahren
JP4454242B2 (ja) * 2003-03-25 2010-04-21 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその製造方法
KR100982419B1 (ko) * 2003-05-01 2010-09-15 삼성전자주식회사 탄소나노튜브를 이용한 반도체 소자의 배선 형성 방법 및이 방법에 의해 제조된 반도체 소자
DE10324377A1 (de) * 2003-05-28 2005-01-05 Infineon Technologies Ag Wärmeableiteinrichtung, deren Verwendung und Halbleiterbauelementeanordnung
US7168484B2 (en) * 2003-06-30 2007-01-30 Intel Corporation Thermal interface apparatus, systems, and methods
JP2005041835A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Fuji Xerox Co Ltd カーボンナノチューブ構造体、その製造方法、カーボンナノチューブ転写体および溶液
JP4689218B2 (ja) * 2003-09-12 2011-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE10351230B3 (de) * 2003-11-03 2005-03-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Abscheidung eines Katalysators
DE10359424B4 (de) * 2003-12-17 2007-08-02 Infineon Technologies Ag Umverdrahtungsplatte für Halbleiterbauteile mit engem Anschlussraster und Verfahren zur Herstellung derselben
AU2003301031A1 (en) 2003-12-18 2005-08-03 International Business Machines Corporation Carbon nanotube conductor for trench capacitors
US7180174B2 (en) * 2003-12-30 2007-02-20 Intel Corporation Nanotube modified solder thermal intermediate structure, systems, and methods
US7456052B2 (en) * 2003-12-30 2008-11-25 Intel Corporation Thermal intermediate apparatus, systems, and methods
US7135773B2 (en) * 2004-02-26 2006-11-14 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip utilizing carbon nanotube composite interconnection vias
US20060086994A1 (en) 2004-05-14 2006-04-27 Susanne Viefers Nanoelectromechanical components
DE102004031128A1 (de) * 2004-06-28 2006-01-19 Infineon Technologies Ag Elektrischer Schaltkreis mit einer Kohlenstoff-Leiterstruktur und Verfahren zum Herstellen einer Kohlenstoff-Leiterstruktur eines elektrischen Schaltkreises
DE102004035368B4 (de) * 2004-07-21 2007-10-18 Infineon Technologies Ag Substrat mit Leiterbahnen und Herstellung der Leiterbahnen auf Substraten für Halbleiterbauteile
KR100689813B1 (ko) 2004-09-08 2007-03-08 삼성전자주식회사 탄소나노튜브를 가진 반도체 메모리 장치 및 이의 제조 방법
US20080020499A1 (en) * 2004-09-10 2008-01-24 Dong-Wook Kim Nanotube assembly including protective layer and method for making the same
US7943418B2 (en) * 2004-09-16 2011-05-17 Etamota Corporation Removing undesirable nanotubes during nanotube device fabrication
US7776307B2 (en) * 2004-09-16 2010-08-17 Etamota Corporation Concentric gate nanotube transistor devices
US7345296B2 (en) 2004-09-16 2008-03-18 Atomate Corporation Nanotube transistor and rectifying devices
US7462890B1 (en) 2004-09-16 2008-12-09 Atomate Corporation Nanotube transistor integrated circuit layout
JP2006108210A (ja) * 2004-10-01 2006-04-20 Fujitsu Ltd 配線接続構造およびその形成方法
JP4167212B2 (ja) 2004-10-05 2008-10-15 富士通株式会社 カーボンナノチューブ構造体、半導体装置、および半導体パッケージ
JP2006120730A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Fujitsu Ltd 層間配線に多層カーボンナノチューブを用いる配線構造及びその製造方法
JP2006148063A (ja) * 2004-10-22 2006-06-08 Renesas Technology Corp 配線構造、半導体装置、ｍｒａｍおよび半導体装置の製造方法
US20100065820A1 (en) * 2005-02-14 2010-03-18 Atomate Corporation Nanotube Device Having Nanotubes with Multiple Characteristics
US7271079B2 (en) * 2005-04-06 2007-09-18 International Business Machines Corporation Method of doping a gate electrode of a field effect transistor
KR100707190B1 (ko) * 2005-05-07 2007-04-13 삼성전자주식회사 나노 와이어를 포함하는 상변환 메모리 소자 및 그 제조방법
KR100645064B1 (ko) * 2005-05-23 2006-11-10 삼성전자주식회사 금속 산화물 저항 기억소자 및 그 제조방법
JP5009511B2 (ja) * 2005-06-06 2012-08-22 富士通株式会社 電気的接続構造、その製造方法および半導体集積回路装置
US20060281306A1 (en) * 2005-06-08 2006-12-14 Florian Gstrein Carbon nanotube interconnect contacts
WO2007002297A2 (en) 2005-06-24 2007-01-04 Crafts Douglas E Temporary planar electrical contact device and method using vertically-compressible nanotube contact structures
US20070105356A1 (en) * 2005-11-10 2007-05-10 Wei Wu Method of controlling nanowire growth and device with controlled-growth nanowire
CN1964028B (zh) * 2005-11-11 2010-08-18 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 散热器
US7990037B2 (en) 2005-11-28 2011-08-02 Megica Corporation Carbon nanotube circuit component structure
US7625817B2 (en) * 2005-12-30 2009-12-01 Intel Corporation Method of fabricating a carbon nanotube interconnect structures
KR100721020B1 (ko) * 2006-01-20 2007-05-23 삼성전자주식회사 콘택 구조체를 포함하는 반도체 소자 및 그 형성 방법
JP2007268692A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Fujitsu Ltd カーボンナノチューブ連結体及びその製造方法、並びに、標的検出素子及び標的検出方法
KR100822799B1 (ko) 2006-04-25 2008-04-17 삼성전자주식회사 나노크기의 도전성 구조물을 위한 선택적인 촉매 형성 방법및 선택적인 나노크기의 도전성 구조물 형성 방법
KR101322310B1 (ko) * 2006-06-30 2013-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기전기발광소자 및 그 제조방법
US8354855B2 (en) * 2006-10-16 2013-01-15 Formfactor, Inc. Carbon nanotube columns and methods of making and using carbon nanotube columns as probes
US8130007B2 (en) 2006-10-16 2012-03-06 Formfactor, Inc. Probe card assembly with carbon nanotube probes having a spring mechanism therein
CA2666815C (en) * 2006-10-17 2013-05-28 Purdue Research Foundation Electrothermal interface material enhancer
KR100874912B1 (ko) * 2006-12-06 2008-12-19 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
FR2910706B1 (fr) 2006-12-21 2009-03-20 Commissariat Energie Atomique Element d'interconnexion a base de nanotubes de carbone
US8168495B1 (en) 2006-12-29 2012-05-01 Etamota Corporation Carbon nanotube high frequency transistor technology
DE102007006175A1 (de) 2007-02-07 2008-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wärmeleitfähige Schicht und Verfahren zur Herstellung einer wärmeleitfähigen Schicht
KR100827524B1 (ko) * 2007-04-06 2008-05-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법
US20080272361A1 (en) * 2007-05-02 2008-11-06 Atomate Corporation High Density Nanotube Devices
FR2917893B1 (fr) 2007-06-22 2009-08-28 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une connexion electrique a base de nanotubes de carbone
FR2919111B1 (fr) 2007-07-17 2009-10-09 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une connexion electrique a base de nanotubes et ayant des cavites d'air
US8149007B2 (en) * 2007-10-13 2012-04-03 Formfactor, Inc. Carbon nanotube spring contact structures with mechanical and electrical components
US8919428B2 (en) * 2007-10-17 2014-12-30 Purdue Research Foundation Methods for attaching carbon nanotubes to a carbon substrate
US8283786B2 (en) * 2007-12-21 2012-10-09 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit system with contact integration
WO2009088882A2 (en) * 2007-12-31 2009-07-16 Atomate Corporation Edge-contacted vertical carbon nanotube transistor
US8110476B2 (en) 2008-04-11 2012-02-07 Sandisk 3D Llc Memory cell that includes a carbon-based memory element and methods of forming the same
WO2009151397A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Qunano Ab Nanostructured mos capacitor
US7858506B2 (en) 2008-06-18 2010-12-28 Micron Technology, Inc. Diodes, and methods of forming diodes
US8039380B2 (en) 2008-06-27 2011-10-18 Commissariat A L'energie Atomique Procedure for obtaining nanotube layers of carbon with conductor or semiconductor substrate
FR2933106B1 (fr) 2008-06-27 2010-12-24 Commissariat Energie Atomique Procede d'obtention de tapis de nanotubes de carbone sur substat conducteur ou semi-conducteur
KR100997788B1 (ko) * 2008-06-30 2010-12-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지
US8557685B2 (en) 2008-08-07 2013-10-15 Sandisk 3D Llc Memory cell that includes a carbon-based memory element and methods of forming the same
US9494615B2 (en) * 2008-11-24 2016-11-15 Massachusetts Institute Of Technology Method of making and assembling capsulated nanostructures
US7943989B2 (en) * 2008-12-31 2011-05-17 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Nano-tube MOSFET technology and devices
US9508805B2 (en) 2008-12-31 2016-11-29 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Termination design for nanotube MOSFET
JP5423029B2 (ja) * 2009-02-12 2014-02-19 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
US8541058B2 (en) * 2009-03-06 2013-09-24 Timothy S. Fisher Palladium thiolate bonding of carbon nanotubes
US20100252317A1 (en) * 2009-04-03 2010-10-07 Formfactor, Inc. Carbon nanotube contact structures for use with semiconductor dies and other electronic devices
US8272124B2 (en) * 2009-04-03 2012-09-25 Formfactor, Inc. Anchoring carbon nanotube columns
US8299494B2 (en) 2009-06-12 2012-10-30 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Nanotube semiconductor devices
US7910486B2 (en) * 2009-06-12 2011-03-22 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Method for forming nanotube semiconductor devices
US7892924B1 (en) * 2009-12-02 2011-02-22 Alpha And Omega Semiconductor, Inc. Method for making a charge balanced multi-nano shell drift region for superjunction semiconductor device
KR101015507B1 (ko) * 2010-01-25 2011-02-22 삼성전자주식회사 탄소나노튜브를 이용한 반도체 소자의 배선 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 반도체 소자
US8946903B2 (en) 2010-07-09 2015-02-03 Micron Technology, Inc. Electrically conductive laminate structure containing graphene region
US8872176B2 (en) 2010-10-06 2014-10-28 Formfactor, Inc. Elastic encapsulated carbon nanotube based electrical contacts
CN102468220B (zh) * 2010-11-08 2013-12-25 中国科学院微电子研究所 一种金属互连结构及其形成方法
JP5813682B2 (ja) * 2013-03-08 2015-11-17 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US9406888B2 (en) 2013-08-07 2016-08-02 GlobalFoundries, Inc. Carbon nanotube device
US9391023B2 (en) * 2014-02-14 2016-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Method for producing salicide and a carbon nanotube metal contact
US10002826B2 (en) * 2014-10-27 2018-06-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Semiconductor device structure with conductive pillar and conductive line and method for forming the same
KR101728986B1 (ko) 2016-07-18 2017-04-20 박달수 간에 이로운 한약재 추출물을 이용한 식품 제조방법 및 그 식품

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5192835A (en) * 1990-10-09 1993-03-09 Eastman Kodak Company Bonding of solid state device to terminal board
US5698496A (en) * 1995-02-10 1997-12-16 Lucent Technologies Inc. Method for making an anisotropically conductive composite medium
US5712607A (en) * 1996-04-12 1998-01-27 Dittmer; Timothy W. Air-dielectric stripline
US5818700A (en) * 1996-09-24 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated Microelectronic assemblies including Z-axis conductive films
JP3740295B2 (ja) 1997-10-30 2006-02-01 キヤノン株式会社 カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子
JP3363759B2 (ja) 1997-11-07 2003-01-08 キヤノン株式会社 カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法
US6730541B2 (en) 1997-11-20 2004-05-04 Texas Instruments Incorporated Wafer-scale assembly of chip-size packages
KR19990043770A (ko) * 1997-11-29 1999-06-15 정선종 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자의 제조 방법
US6870263B1 (en) 1998-03-31 2005-03-22 Infineon Technologies Ag Device interconnection
JP3955386B2 (ja) 1998-04-09 2007-08-08 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6297063B1 (en) * 1999-10-25 2001-10-02 Agere Systems Guardian Corp. In-situ nano-interconnected circuit devices and method for making the same
US7335603B2 (en) * 2000-02-07 2008-02-26 Vladimir Mancevski System and method for fabricating logic devices comprising carbon nanotube transistors

Also Published As

Publication number Publication date
TW503482B (en) 2002-09-21
DE10006964A1 (de) 2001-09-13
US20030179559A1 (en) 2003-09-25
KR100494248B1 (ko) 2005-06-13
US7321097B2 (en) 2008-01-22
JP2003523608A (ja) 2003-08-05
EP1264344A1 (de) 2002-12-11
DE10006964C2 (de) 2002-01-31
KR20020079854A (ko) 2002-10-19
WO2001061753A1 (de) 2001-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4549002B2 (ja) カーボンナノチューブからなる電気的に導電性の接続を有する電子部品とその製造方法
US7217650B1 (en) Metallic nanowire interconnections for integrated circuit fabrication
US7094692B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
CN103515304B (zh) 无蚀刻损伤和电子系统级(esl)的双镶嵌金属互连件
TWI286384B (en) Damascene integration scheme for developing metal-insulator-metal capacitors
CN101617394B (zh) 降低BEoL互连结构中的总介电常数的工艺集成方案
US8338822B2 (en) Electrical connection structure having elongated carbon structures with fine catalyst particle layer
EP1975999A1 (en) Electronic device and method of manufacturing the same
US8981569B2 (en) Semiconductor device with low resistance wiring and manufacturing method for the device
US6469609B2 (en) Method of fabricating silver inductor
JP2009027157A (ja) カーボンナノチューブベースの電気的接続の製造方法
JP5233125B2 (ja) 半導体装置
CN100459098C (zh) 铅直结构中具特制纳米管的集成电子组件及其制造方法
US20060138658A1 (en) Carbon nanotube interconnects in porous diamond interlayer dielectrics
JPH0228253B2 (ja)
JP2006108210A (ja) 配線接続構造およびその形成方法
US8011091B2 (en) Fabrication method of a nanotube-based electric connection having air gaps
JP4735314B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2008016464A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2016063097A (ja) カーボンナノチューブ配線構造およびその製造方法
US20240014071A1 (en) Cmos-compatible graphene structures, interconnects and fabrication methods
JP3119198B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS628542A (ja) 半導体装置の製造方法
WO2003069662A1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur, et dispositif semi-conducteur
KR20040002012A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050315

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20050614

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20050614

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20050630

A524 Written submission of copy of amendment under section 19 (pct)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20050915

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070306

A524 Written submission of copy of amendment under section 19 (pct)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20100518

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100706

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130716

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees