JP5813682B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
第1の実施形態は、LSIの多層配線に関する技術であり、ビアホール側面の触媒下地層の外周に下地不活性層を形成することで、ビアホール側面からカーボンナノチューブが成長することを抑制するものである。
図1を用いて、第1の実施形態に係る半導体装置の構造について説明する。
図1乃至図8を用いて、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
第1の実施形態では、ビアホール14内の側面上には、下地不活性層15、下地層16及び触媒層17が積層され、ビアホール14内の底面上には、下地層16及び触媒層17が積層されている。すなわち、ビアホール14の側面における下地層16の外周にだけ、下地層16を不活性化させる下地不活性層15が形成されている。これにより、ビアホール14の側面における下地層16のみを触媒下地として不活性化し、ビアホール14の側面からカーボンナノチューブ18が成長することを抑制しつつ、ビアホール14の底面からはカーボンナノチューブ18を成長させることができる。従って、ビアホール14の側面から成長するカーボンナノチューブ18によるビア19の高抵抗化や、ビアホール14の上部を埋めてしまう問題を回避することができる。さらに、電子伝導に直接寄与するビアホール14の底面から成長するカーボンナノチューブ18の本数を従来よりも大幅に増加することができ、ビア19の低抵抗化が実現できる。よって、ビア19の電気特性を向上することができる。
第2の実施形態は、ビアホール14の底面の周囲にストッパ層30が設けられ、ビアホール14の底面近くの側面に下地不活性層14が形成されない構造になっている。
図9を用いて、第2の実施形態に係る半導体装置の構造について説明する。
図9を用いて、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。尚、第1の実施形態と同様の工程は、説明を省略する。
上記第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができるだけでなく、次のような効果も得ることができる。
前記配線上に形成され、前記配線を露出するホールを有する第1の絶縁膜と、
前記ホールの底面の前記配線を露出し、前記ホールの側面の前記第1の絶縁膜上に形成された下地不活性層と、
前記ホールの前記底面の前記配線の露出面上及び前記ホールの前記側面の前記下地不活性層上に形成された下地層と、
前記ホールの前記底面及び前記側面の前記下地層上に形成された触媒層と、
前記ホールの前記底面の前記触媒層から成長し伸び、前記ホールを埋め込むカーボンナノチューブと、
を具備する半導体装置。
前記ホールの前記底面近傍の前記側面では、前記下地層は、前記第2の絶縁膜上に形成されている、前記[1]に記載の半導体装置。
前記配線上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を選択的に除去し、前記配線を露出するホールを形成する工程と、
前記ホールの底面の前記配線を露出し、前記ホールの側面の前記絶縁膜上に下地不活性層を形成する工程と、
前記ホールの前記底面の前記配線の露出面上及び前記ホールの前記側面の前記下地不活性層上に下地層を形成する工程と、
前記ホールの前記底面及び前記側面の前記下地層上に触媒層を形成する工程と、
前記ホールの前記底面の前記触媒層からカーボンナノチューブを成長させ、前記カーボンナノチューブで前記ホールを埋め込む工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
前記配線上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜を選択的に除去し、前記第1の絶縁膜を露出するホールを形成する工程と、
前記ホールの底面の前記第1の絶縁膜の露出面上及び前記ホールの側面の前記第2の絶縁膜上に下地不活性層を形成する工程と、
前記ホールの前記底面の前記第1の絶縁膜及び前記下地不活性層を除去し、前記配線を露出し、前記ホールの前記側面の前記第2の絶縁膜上に前記下地不活性層を残存させる工程と、
前記ホールの前記底面の前記配線の露出面上、前記ホールの前記底面近傍の前記第1の絶縁膜上及び前記ホールの前記側面の前記下地不活性層上に下地層を形成する工程と、
前記ホールの前記底面及び前記側面の前記下地層上に触媒層を形成する工程と、
前記ホールの前記底面の前記触媒層からカーボンナノチューブを成長させ、前記カーボンナノチューブで前記ホールを埋め込む工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
Claims (7)
- 配線と、
前記配線上に形成され、前記配線を露出するホールを有する第1の絶縁膜と、
前記ホールの底面の前記配線を露出し、前記ホールの側面の前記第1の絶縁膜上に形成された下地不活性層と、
前記ホールの前記底面の前記配線の露出面上及び前記ホールの前記側面の前記下地不活性層上に形成された下地層と、
前記ホールの前記底面及び前記側面の前記下地層上に形成された触媒層と、
前記ホールの前記底面の前記触媒層から伸び、前記ホールを埋め込むカーボンナノチューブと、
を具備し、
前記ホールの前記底面の前記下地層の膜厚は、前記ホールの前記側面の前記下地層の膜厚より厚く、
前記下地不活性層の材料は、前記下地層の組成を変える第1の材料、前記下地層の結晶構造を変える第2の材料、前記下地層の結晶方位又は格子定数を変える第3の材料、前記下地層の配向を崩すような配向性の強い第4の材料、前記下地層の格子間隔を変える第5の材料のいずれかである、半導体装置。 - 配線と、
前記配線上に形成され、前記配線を露出するホールを有する第1の絶縁膜と、
前記ホールの底面の前記配線を露出し、前記ホールの側面の前記第1の絶縁膜上に形成された下地不活性層と、
前記ホールの前記底面の前記配線の露出面上及び前記ホールの前記側面の前記下地不活性層上に形成された下地層と、
前記ホールの前記底面及び前記側面の前記下地層上に形成された触媒層と、
前記ホールの前記底面の前記触媒層から伸び、前記ホールを埋め込むカーボンナノチューブと、
を具備し、
前記下地不活性層は、前記下地層を不活性にする材料により構成されている、半導体装置。 - 前記ホールの前記底面の前記下地層の膜厚は、前記ホールの前記側面の前記下地層の膜厚より厚い、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記配線と前記下地不活性層との間に形成された第2の絶縁膜をさらに具備し、
前記ホールの前記底面近傍の前記側面では、前記下地層は、前記第2の絶縁膜上に形成されている、請求項2に記載の半導体装置。 - 前記下地不活性層の材料は、前記下地層の組成を変える第1の材料、前記下地層の結晶構造を変える第2の材料、前記下地層の結晶方位又は格子定数を変える第3の材料、前記下地層の配向を崩すような配向性の強い第4の材料、前記下地層の格子間隔を変える第5の材料のいずれかである、請求項2に記載の半導体装置。
- 配線を形成する工程と、
前記配線上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を選択的に除去し、前記配線を露出するホールを形成する工程と、
前記ホールの底面の前記配線を露出し、前記ホールの側面の前記絶縁膜上に下地不活性層を形成する工程と、
前記ホールの前記底面の前記配線の露出面上及び前記ホールの前記側面の前記下地不活性層上に下地層を形成する工程と、
前記ホールの前記底面及び前記側面の前記下地層上に触媒層を形成する工程と、
前記ホールの前記底面の前記触媒層からカーボンナノチューブを成長させ、前記カーボンナノチューブで前記ホールを埋め込む工程と、
を具備し、
前記下地不活性層は、前記下地層を不活性にする材料により構成されている、半導体装置の製造方法。 - 配線を形成する工程と、
前記配線上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜を選択的に除去し、前記第1の絶縁膜を露出するホールを形成する工程と、
前記ホールの底面の前記第1の絶縁膜の露出面上及び前記ホールの側面の前記第2の絶縁膜上に下地不活性層を形成する工程と、
前記ホールの前記底面の前記第1の絶縁膜及び前記下地不活性層を除去し、前記配線を露出し、前記ホールの前記側面の前記第2の絶縁膜上に前記下地不活性層を残存させる工程と、
前記ホールの前記底面の前記配線の露出面上、前記ホールの前記底面近傍の前記第1の絶縁膜上及び前記ホールの前記側面の前記下地不活性層上に下地層を形成する工程と、
前記ホールの前記底面及び前記側面の前記下地層上に触媒層を形成する工程と、
前記ホールの前記底面の前記触媒層からカーボンナノチューブを成長させ、前記カーボンナノチューブで前記ホールを埋め込む工程と、
を具備し、
前記下地不活性層は、前記下地層を不活性にする材料により構成されている、半導体装置の製造方法。
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