JP4735314B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る半導体装置の断面図である。
図7は、第2実施形態に係る半導体装置の断面図である。本実施形態では、触媒層6は、プラグの領域のみ、すなわちカーボンナノチューブ11の下面にのみ触媒層6が形成されている。
本実施形態で挙げた材料、製造条件は一例であり、これに限定されるものではない。また、多層配線構造のうち、1つの層のみエアギャップ20を適用しても、複数の層にエアギャップ20を適用してもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
Claims (5)
- 基板上に形成された第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜内に形成された第1配線と、
前記第1配線の上に形成された触媒層と、
前記第1層間絶縁膜および前記触媒層の上部に、前記第1層間絶縁膜に接して形成された第1保護膜と、
前記第1保護膜の上層に形成され、前記第1保護膜との間にエアギャップを介在させて配置された第2保護膜と、
前記第2保護膜の上部に、前記第2保護膜に接して形成された第2層間絶縁膜と、
前記第2層間絶縁膜内に形成された第2配線と、
前記エアギャップ内に形成され、前記第1保護膜および前記第2保護膜を貫通して前記第1配線と前記第2配線とを接続する、前記触媒層を成長核として成長したカーボンナノチューブとを有し、
前記第1配線は前記第1保護膜によって、前記第2配線は前記第2保護膜によって、前記エアギャップに対して非露出の状態に保持される、
半導体装置。 - 前記第1層間絶縁膜および前記第2層間絶縁膜は、酸化シリコン膜よりも誘電率の低い低誘電率膜である、
請求項1記載の半導体装置。 - 前記第1保護膜および前記第2保護膜は炭窒化ケイ素(SiCN)である、
請求項1記載の半導体装置。 - 基板上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜に配線溝を形成し、該配線溝内に第1配線を形成する工程と、
前記第1配線の表面上に触媒層を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜および前記触媒層の上部に、第1保護膜、ギャップ用絶縁膜および第2保護膜を順に形成する工程と、
前記第1保護膜、前記ギャップ用絶縁膜および前記第2保護膜に接続孔を形成して前記触媒層の表面を露出する工程と、
前記接続孔に、前記触媒層からカーボンナノチューブを成長させて埋め込む工程と、
前記カーボンナノチューブおよび前記第2保護膜の上部に第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜に配線溝を形成し、該配線溝内に前記カーボンナノチューブに接続する第2配線を形成する工程と、
前記ギャップ用絶縁膜を除去してエアギャップを形成する工程とを有する、
半導体装置の製造方法。 - 基板上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜に配線溝を形成し、該配線溝内に第1配線を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜および前記第1配線の上部に、第1保護膜、ギャップ用絶縁膜および第2保護膜を順に形成する工程と、
前記第1保護膜、前記ギャップ用絶縁膜および前記第2保護膜に接続孔を形成して前記第1配線の表面を露出する工程と、
前記第1配線の表面上に触媒層を形成する工程と、
前記接続孔に、前記触媒層からカーボンナノチューブを成長させて埋め込む工程と、
前記カーボンナノチューブおよび前記第2保護膜の上部に第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜に配線溝を形成し、該配線溝内に前記カーボンナノチューブに接続する第2配線を形成する工程と、
前記ギャップ用絶縁膜を除去してエアギャップを形成する工程とを有する、
半導体装置の製造方法。
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