JP5233147B2 - 電子デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1A〜図1Iは、本発明の第1実施形態に係る電子デバイスの形成工程を示す断面図である。
図4A〜図4Dは、本発明の第2実施形態に係る電子デバイスの形成工程を示す断面図である。なお、
まず、図1A〜図1Dに示したと同様な工程により、シリコン基板1上に第1層間絶縁膜2、下地絶縁膜3、第2層間絶縁膜4、配線5、第3層間絶縁膜7、ビア12、第1及び第2の接続ブロック13a,13b及び第4層間絶縁膜15を形成し、さらに図1E、図1Fに示した工程により第4層間絶縁膜15に配線溝15aを形成する。
図5A〜図5Hは、本発明の第3実施形態に係る電子デバイスの形成工程を示す断面図である。なお、
まず、図1A、図1Bに示したと同様な工程により、シリコン基板1上に第1層間絶縁膜2、下地絶縁膜3、第2層間絶縁膜4、配線5、第3層間絶縁膜7、ビア12を形成する。
(付記1)側面に第1の面を有する導電性の第1の接続ブロックと、前記第1の面に対向する第2の面を有する導電性の第2の接続ブロックと、前記第1の面上に接触して形成される、コバルト、鉄、ニッケル、パラジウム、プラチナのうちの一種からなる金属、または二種を含む合金のいずれかを有する触媒部と、前記第2の面上に形成される、モリブデン、タンタル、アルミニウム、銅のいずれかを有する炭素吸収媒介部と、前記炭素吸収媒介部上に接触して形成される、コバルト、鉄、ニッケル、パラジウム、プラチナのうちいずれか一種からなる金属、または二種を含む合金のいずれかを有する炭素吸収部と、前記触媒部から前記炭素吸収部に伸びて前記第1の接続ブロックと前記第2の接続ブロックを電気的に接続する炭素元素円筒型構造体とを有し、前記第1の接続ブロックの材料は前記炭素吸収媒介部の材料とは異なることを特徴とする電子デバイス。
(付記2)絶縁膜の上に導電材料よりなる第1の接続ブロックと第2の接続ブロックを互いに間隔をおいて形成する工程と、前記第1の接続ブロックのうち前記第2の接続ブロックに対向する第1の面に、コバルト、鉄、ニッケル、パラジウムのうちの一種からなる金属、または二種を含む合金のいずれかを有する触媒部を前記第1の面に接触して形成する工程と、前記第2の接続ブロックのうち前記第1の接続ブロックに対向する第2の面に、モリブデン、タンタル、アルミニウム、銅のいずれかを有し、前記第1の接続ブロックの材料とは異なる材料の炭素吸収媒介部を形成する工程と、前記炭素吸収媒介部の上に、コバルト、鉄、ニッケル、パラジウム、プラチナのうちいずれか一種からなる金属、または二種を含む合金のいずれかを有する炭素吸収部を前記炭素吸収媒介部に接触して形成する工程と、前記触媒部から炭素元素円筒型構造体を成長して前記第2の面に到達する工程と、を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
(付記3)前記炭素吸収部は、前記絶縁膜に対して斜め方向から金属を直進させて前記第2の面に向けて堆積されることを特徴とする付記2に記載の電子デバイスの製造方法。
(付記4)前記炭素吸収部の一部は、前記触媒部を構成する共通の金属であって、前記共通の金属は前記第1の面と前記第2の面に同時に形成されることを特徴とする付記2又は付記3のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
(付記5)前記炭素吸収部は、前記炭素吸収媒介部を形成した後に形成されることを特徴とする付記2乃至付記4のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
(付記6)前記第1、第2の接続ブロックを形成した後に、異なる金属からなる被覆層を前記第1、第2の接続ブロックの表面に形成する工程を有することを特徴とする付記2乃至付記5のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
(付記7)前記第1の面と前記第2の面を露出する溝を有する上側絶縁膜により前記第1、第2の接続部ブロックの一部を覆う工程と、前記炭素元素円筒型構造体を形成した後に、前記上側絶縁膜の上面を研磨する工程とを有することを特徴とする付記2乃至付記6のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
17a 触媒金属微粒子
17 触媒領域
18a 炭素吸収媒介用の金属微粒子又は薄膜
18b 炭素吸収金属微粒子又は薄膜
18c Mo膜
18d Ni膜
18 炭素元素円筒型構造体吸収領域兼成長阻止領域
19 カーボンナノチューブ(炭素元素円筒型構造体)
20 電気伝導性材料層
Claims (4)
- 側面に第1の面を有する導電性の第1の接続ブロックと、
前記第1の面に対向する第2の面を有する導電性の第2の接続ブロックと、
前記第1の面上に接触して形成される、コバルト、鉄、ニッケル、パラジウム、プラチナのうちの一種からなる金属、または二種を含む合金のいずれかを有する触媒部と、
前記第2の面上に形成される、モリブデン、タンタル、アルミニウム、銅のいずれかを有する炭素吸収媒介部と、
前記炭素吸収媒介部上に接触して形成される、コバルト、鉄、ニッケル、パラジウム、プラチナのうちいずれか一種からなる金属、または二種を含む合金のいずれかを有する炭素吸収部と、
前記触媒部から前記炭素吸収部に伸びて前記第1の接続ブロックと前記第2の接続ブロックを電気的に接続する炭素元素円筒型構造体と
を有し、
前記第1の接続ブロックの材料は前記炭素吸収媒介部の材料とは異なる
ことを特徴とする電子デバイス。 - 絶縁膜の上に導電材料よりなる第1の接続ブロックと第2の接続ブロックを互いに間隔をおいて形成する工程と、
前記第1の接続ブロックのうち前記第2の接続ブロックに対向する第1の面に、コバルト、鉄、ニッケル、パラジウムのうちの一種からなる金属、または二種を含む合金のいずれかを有する触媒部を前記第1の面に接触して形成する工程と、
前記第2の接続ブロックのうち前記第1の接続ブロックに対向する第2の面に、モリブデン、タンタル、アルミニウム、銅のいずれかを有し、前記第1の接続ブロックの材料とは異なる材料の炭素吸収媒介部を形成する工程と、
前記炭素吸収媒介部の上に、コバルト、鉄、ニッケル、パラジウム、プラチナのうちいずれか一種からなる金属、または二種を含む合金のいずれかを有する炭素吸収部を前記炭素吸収媒介部に接触して形成する工程と、
前記触媒部から炭素元素円筒型構造体を成長して前記第2の面に到達する工程と、
を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 前記触媒部は、前記絶縁膜に対して斜め方向から金属を直進させて前記第1の面に向けて堆積されることを特徴とする請求項2に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記炭素吸収部は、前記絶縁膜に対して斜め方向から金属を直進させて前記第2の面に向けて堆積されることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の電子デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007095286A JP5233147B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 電子デバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007095286A JP5233147B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 電子デバイス及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008258184A JP2008258184A (ja) | 2008-10-23 |
JP5233147B2 true JP5233147B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=39981501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007095286A Active JP5233147B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 電子デバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5233147B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5423029B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2014-02-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9099537B2 (en) | 2009-08-28 | 2015-08-04 | International Business Machines Corporation | Selective nanotube growth inside vias using an ion beam |
JP5238775B2 (ja) * | 2010-08-25 | 2013-07-17 | 株式会社東芝 | カーボンナノチューブ配線の製造方法 |
WO2012059967A1 (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-10 | 富士通株式会社 | シート状構造体及びその製造方法 |
CN103718296B (zh) * | 2011-07-29 | 2016-09-07 | 富士通株式会社 | 石墨烯纳米网的制造方法和半导体装置的制造方法 |
JP2015050305A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP6244770B2 (ja) * | 2013-09-20 | 2017-12-13 | 富士通株式会社 | カーボン導電構造及びその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4448356B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2010-04-07 | 富士通株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006148063A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-06-08 | Renesas Technology Corp | 配線構造、半導体装置、mramおよび半導体装置の製造方法 |
WO2006043329A1 (ja) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Fujitsu Limited | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4555695B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2010-10-06 | 富士通株式会社 | カーボンナノチューブ配線を備えた電子デバイス及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-03-30 JP JP2007095286A patent/JP5233147B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008258184A (ja) | 2008-10-23 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120705 |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130107 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160405 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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