JP2010263227A - 電気的接続構造の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ビアホールの底部の導電体上に導電性触媒担持体層を設け、予め微粒子化した触媒微粒子を当該導電性触媒担持体層上に堆積し、その後リフトオフ法により前記ビアホール底部以外の前記触媒粒子を除去して触媒微粒子層となし、当該触媒微粒子層上に炭素細長構造体を設ける電気的接続構造の製造方法において、前記触媒微粒子が、Co、Ni、Feからなる群から選ばれた金属の微粒子であること。
【選択図】 図5−A
Description
導電体に炭素細長構造体が電気的に接続された電気的接続構造において、当該導電体上に、導電性触媒担持体層と当該炭素細長構造体を生成するための触媒微粒子層と当該炭素細長構造体とが順次積層されてなる
電気的接続構造。
前記触媒微粒子層が、前記導電性触媒担持体層上に、予め微粒子化した触媒微粒子を堆積してなるものである、請求項1に記載の電気的接続構造。
前記炭素細長構造体がビアホール中に設けられたものである、請求項1または2に記載の電気的接続構造。
前記導電性触媒担持体層が耐酸化性物質よりなる、請求項1〜3のいずれかに記載の電気的接続構造。
前記導電性触媒担持体層が炭素細長構造体の成長を促進する機能を有する、請求項1〜4のいずれかに記載の電気的接続構造。
前記導電性触媒担持体層が前記導電体を構成する金属の拡散防止機能を有する、請求項1〜5のいずれかに記載の電気的接続構造。
前記触媒微粒子が、Co、Ni、Fe、Pd、Ptおよびそれらの合金からなる群から選ばれた金属の微粒子である、請求項1〜6のいずれかに記載の電気的接続構造。
前記導電性触媒担持体層が、HfN膜層、ZrN膜層、TiN膜層、またはそれらの多層膜である、請求項1〜7のいずれかに記載の電気的接続構造。
前記導電性触媒担持体層が、前記導電体側に設けられた、前記導電体を構成する金属の拡散防止機能を有する第一層と、前記触媒微粒子層側に設けられた、炭素細長構造体の成長を促進する機能を有する第二層とを含んでなる、請求項1〜8のいずれかに記載の電気的接続構造。
前記第一層がTa層であり、前記第二層が、HfN膜層、ZrN膜層またはTiN膜層である、請求項9に記載の電気的接続構造。
請求項1〜10のいずれかに記載の電気的接続構造を有してなる半導体集積回路装置。
導電体上に導電性触媒担持体層を設け、
予め微粒子化した触媒微粒子を当該導電性触媒担持体層上に堆積して触媒微粒子層となし、
当該触媒微粒子層上に炭素細長構造体を設ける、
電気的接続構造の製造方法。
真空下において、粒径を揃えた触媒微粒子ビームを前記導電性触媒担持体層面上に照射して前記触媒微粒子層を形成する、請求項12に記載の電気的接続構造の製造方法。
前記炭素細長構造体がビアホール中に設けられたものである、請求項12または13に記載の電気的接続構造の製造方法。
前記導電性触媒担持体層が耐酸化性物質よりなる、請求項12〜14のいずれかに記載の電気的接続構造の製造方法。
前記導電性触媒担持体層が炭素細長構造体の成長を促進する機能を有する、請求項12〜15のいずれかに記載の電気的接続構造の製造方法。
前記導電性触媒担持体層が前記導電体を構成する金属の拡散防止機能を有する、請求項12〜16のいずれかに記載の電気的接続構造の製造方法。
前記触媒微粒子が、Co、Ni、Fe、Pd、Ptおよびそれらの合金からなる群から選ばれた金属の微粒子である、請求項12〜17のいずれかに記載の電気的接続構造の製造方法。
前記導電性触媒担持体層が、HfN膜層、ZrN膜層、TiN膜層、またはそれらの多層膜である、請求項12〜18のいずれかに記載の電気的接続構造の製造方法。
前記導電性触媒担持体層が、前記導電体側に設けられた、前記導電体を構成する金属の拡散防止機能を有する第一層と、前記触媒微粒子層側に設けられた、炭素細長構造体の成長を促進する機能を有する第二層とを含んでなる、請求項12〜19のいずれかに記載の電気的接続構造の製造方法。
前記第一層がTa層であり、前記第二層が、HfN膜層、ZrN膜層またはTiN膜層である、請求項20に記載の電気的接続構造の製造方法。
請求項12〜21のいずれかに記載の電気的接続構造の製造方法により製造された電気的接続構造を有してなる半導体集積回路装置。
2 下地層
3 Cu配線層
4 Ta膜
5 絶縁層
6 Ti膜
7 触媒金属膜
8 CNT
51 銅配線層
52 Ta膜
53 SiO2絶縁層
54 ビアホール
55 CNT
56 TiN膜
57 Co微粒子
58 フォトレジスト層
61 シリコン基板
62 トランジスタ
63a〜63f
層間絶縁膜
65 配線
66 ビア
67 コンタクト
68 保護層
70 基板
71 微粒子発生手段
72 ポンプ
73 分級手段
74 堆積チャンバー
75 差動排気部
75a,b 差動排気用真空ポンプ
76 ノズル
77 高真空部
78 微粒子収束部
79 可動ステージ
Claims (2)
- ビアホールの底部の導電体上に導電性触媒担持体層を設け、
予め微粒子化した触媒微粒子を当該導電性触媒担持体層上に堆積し、その後リフトオフ法により前記ビアホール底部以外の前記触媒粒子を除去して触媒微粒子層となし、
当該触媒微粒子層上に炭素細長構造体を設ける電気的接続構造の製造方法であって、
前記触媒微粒子が、Co、Ni、Feからなる群から選ばれた金属の微粒子である電気的接続構造の製造方法。 - 真空下において、粒径を揃えた触媒微粒子ビームを前記導電性触媒担持体層面上に照射して前記触媒微粒子層を形成する、請求項1に記載の電気的接続構造の製造方法。
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