TW503482B - Semiconductor electronic device, method for producing a conductive connection in a semiconductor electronic device, and method for producing a semiconductor electronic device - Google Patents

Semiconductor electronic device, method for producing a conductive connection in a semiconductor electronic device, and method for producing a semiconductor electronic device Download PDF

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TW503482B
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Wolfgang Hoenlein
Manfred Engelhardt
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Description

503482 A7 B7 五、發明說明（2 ) 式生長碳微管之方法。 • ΙΙΓΙΙΙΙ ΙΙΙ — — — · I I (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 結果，本發明係基於在電子裝置中提供導電連接之問 題，及在兩導電層間具有導電連接之電子裝置，兩個導 電層藉由非導電層而互相絕緣，在即使孔具有大縱橫尺 寸比仍能產生導電連接的情況下。 問題係由電子裝置，由在電子裝置中產生導電連接之 方法，及由產生具有申請專利範圍獨立項之特徵之電子 裝置之方法所解決。 電子裝置具有第一導電層，在第一導電層上之非導電 層，及在非導電層上之第二導電層。至少有一孔在非導 電層中且貫穿非導電層。孔至少包含一毫微管，第一導 電層藉此與第二導電層電氣連接。 -線· 在一電子裝置中產生導電連接之方法中，一非導電層 係澱積於第一導電層上。一孔穿過非導電層且在孔中 生成至少一個毫微管。之後，第二導電層係以經由毫微 管而與第一導電層導電連接之方式澱積。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在產生電子裝置之方法中，第一導電層係提供於第一 步驟中。一非導電層係澱積於第一導電層上，並產生一 孔，例如蝕刻穿過非導電層。至少一毫微管生長於孔中， 而第二導電層係以經由毫微管與第一導電層導電連接 之方法澱積。 即使在接觸孔具有小直徑及大縱橫尺寸比的情況下， 本發明仍能產生可靠地電氣導電導接在兩個導電層之 間，其藉由作導電層本爲電氣絕緣。導電層可以是任何 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 503482 A7 B7 五、發明說明（3 ) 導電金屬，例如，銅，銘，銀等5其中導電層可能有黏附，擴 散及反反射層，具有了丨，1^>^1^，1&叱及/或這些材料之結 合。非導電層可以是中間金屬介電，例如氧化砂，氮化 矽或其他由有機材料做成之絕緣層，例如polyimide或 任何適當的結合。藉由至少一毫微管之導電連接祇由 毫微管之直徑所限制5在碳毫微管之情況下爲1 .5llin之 直徑。 這個產生方法因其簡易性及不變性而特S[]，即是，不 谷易故_且可靠地產生導電連接。 結果，即使在細微結構的情況下，即接觸孔的直徑小， 電子裝置可簡易而省錢地產生。 本發明之較佳發展自附屬項發出。 根據本發明之一較佳實施例，毫微管係一碳毫微 管。 此種碳毫微管可以自行對齊方式，非常簡單而可靠地 產生，即使是在小直徑之接觸孔中亦然。 再者，碳毫微管具有非常高的導電性，超過最佳金屬 導體之導電性，例如銅或銀，假設在相同的尺寸下。 此種接觸孔含有複數個毫微管，原理上任何適當的毫 微管數目，以便導電地連接兩個導電層。 爲了加速毫微管的生長，本發明之一實施例提供種子 層於接觸孔中，在第一導電層之上方，其具有金屬粒子， 能催化毫微管的成長，例如下列金屬粒子：鎳及/或鐵，及 /或釔，及/或鈷及/或鈾。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） L I------^---I I I I ^--- <請先閱讀背面之注咅？事寫本頁) · --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503482 A7 B7 五、發明說明（） 孔可被蝕刻穿過非導電層。 —，一—^—-------— (請先閱讀背面之注咅？事項ml寫本頁) 雖然下列的每個實施例皆描述一半導體元件，但本發 明並不限制於半導體元件，而可使用於牽涉兩個由非導 電層絕緣的導電層之電子裝置，兩個導電層不管是否爲 半導體皆導電連接。特別是，本發明係適用於積體電路 中0 圖式之簡單說明： 第1圖顯示根據第一實施例之半導體元件之橫切面； 第2a至2d圖顯示一半導體元件之橫切面，解釋產生 顯示於第1圖中之半導體元件之各個步驟； 第3圖顯示根據本發明之第二實施例之半導體元件 之橫切面； 第4a至4c圖顯示一半導體元件之橫切面，解釋產生 顯示於第3圖中之半導體元件之各個步驟； --線· 第5圖顯示根據本發明之第三實施例之半導體元件 之橫切面； 第6a至6e圖顯示一半導體元件之橫切面，解釋產生 顯示於第5圖中之半導體元件之各個步驟。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第一實施例 第1圖顯示根據第一實施例之第一半導體元件 100。 第一半導體元件100具有由銅或鋁做成的第一導電 層101，及一黏附，擴散及反反射層，具有Ti，TiN,Ta，TaN 及/或這些材料之結合。由中間金屬介電做成之非導 用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 503482 A7 B7 五、發明說明（5 ) 電層1 0 2，根據第一實施例爲氧化矽，係澱積於第一導電 層1 0 1上。 • 4!-------裝--- (請先閱讀背面之注咅？事^^^寫本頁) 接觸孔103被蝕刻進入非導電層102,並澱積一種子 層104於接觸孔之下方，即是在第一導電層ιοί上。 種子層1 0 4由催化金屬粒子形成，例如鎳，鐵，|乙，鈷及 /或鉑。種子層104催化碳毫微管之生長。 原則上，在種子層104上生長任何適當數目之碳毫微 管 105。 由Ti，TiN，Ta，TaN序列，及/或銅及/或鋁形成之第二 導電層106係澱積於非導電層1〇2上，使得碳毫微管 105導電連接至第二導電層1〇6。 用於產生第一半導體元件100之各個步驟係參考第 2 a至2 d圖而詳盡地解釋。 --線- 在第一步驟中5非導電層102係澱積於第一導電層 1 〇 1上，例如藉由自氣相澱積之方法（化學氣相澱積方 法，CVD方法）（參考第2a圖）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 藉由適當地遮罩非導電層1 〇 2及濕蝕刻或乾蝕刻非 導電層1 0 2，孔（接觸孔）1 〇 3被触刻穿過非導電層1 〇 2至 第一導電層101之表面（參考第2b圖）。
種子層104藉由一適當方法澱積至孔1〇3中（第2C 圖），例如，根據一 CVD方法。種子層104之厚度爲o」nm 至 5 0 n m ° 根據第一實施例之種子層丨0 4，係由鎳金屬粒子形 成。 本紙張尺度適財國國家標準（CNS)A4規格⑵G X 297公釐) 503482 A7 B7 五、發明說明（6 ) 在下個步驟中，碳毫微管1 0 5係根據描述於[2 ]之方 法生長於在孔103中之種子層104(參考第2d圖）。碳 毫微管105之長度係根據碳毫微管生長於種子層1〇4 之時間長度。 碳毫微管1〇5 —直生長直到超過非導電層1〇2之上 方。 假使如此，則在下個步驟中，第二導電層106係藉由 CVD方法或噴濺或氣相澱積方法澱積到非導電層1 02 上。 因爲碳毫微管105超過非導電層102,他們直接進入 第二導電層106。第二導電層106藉由化學機構磨光 (CPM方法）或離子來蝕刻被移除至適當厚度。 以此方式，經由碳毫微管105,經過種子層104(其亦 包括導電金屬粒子）在第一導電層101及第二導電層 1 〇 6之間形成導電式連接。 第二實施例 .第3圖顯示根據第二實施例之半導體元件3 00之橫 切面。 在第二實施例之圖式中之相同元件以與第一實施例 相同之參考標號標示。 第二半導體元件300具有與第一半導體元件100相 同之結構，其不同處在於第二實施例之種子層3 0 1不僅 祇延伸至孔103之底部，而是覆蓋在整個第一導電層 101 上 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再本頁) -I ·1111111 _________ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 J^482 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i、發明說明（7 ) 第二實施例之各個層之材料與第一實施例之對應層 相同。 用於）生生弟_*半導體貫施例3 0 0之各別步驟係參考 第4a至第4c圖而詳盡解釋。 首先，由金屬粒子（鎳，鐵，銘及/或鈷）形成之種子層 3 〇 1係澱積於第一導電層1 0 1上。種子層3 〇〗係藉由 適當的CVD方法，噴濺方法，或氣相澱積方法澱積於第 —導電層101之整個表面上。種子層301之厚度爲 O.lnm 至 50nmo 非導電層102係藉由CVD方法（參考第4a圖）澱積 於種子層3 0 1上。 在孔1 〇 3被蝕刻住入非導電層1 〇 2直至種子層3 0 1 之表面時。如第4 b圖所示，碳毫微管1 〇 5係根據描述 於[2]之方法生長於種子層301。 生長程序持續一直到碳毫微管1 0 5之長度是夠超過 非導電層102之表面（參考第4c圖）。 在下個步驟中，第二導電層1 06係藉由CVD方法澱 積於非導電層102之上。 結果爲一半導體元件藉由在兩導電層之間，經由接觸 孔之碳毫微管而具有導電連接。 第三實施例 第5圖顯示根據第三實施例之第三半導體元件 5 0 0 0 半導體元件之相同元件以相同參考標號標示之。 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項HI寫本頁)
言 Γ 503482 A7 B? 五、發明說明（8) 第三半導體元件500與第二半導體元件300之不同 處在於溝渠5 0 1係蝕刻進入非導電層1 〇 2，而碳毫微管 105並不超過非導電層102之表面，而是超過溝渠501 之底部進入非導體層102。 第三半導體元件5 0 0之各別層之材料係與第一半導 體元件1〇〇及第二半導體元件3 0 0相同。 用於產生第三半導體元件5 00之方法係參考第6a至 6e圖解釋之。 如第6 a圖所示，具有厚度〇 . 1 n m至5 0 n m之種子層係 藉由適當的CVD方法，噴濺方法，或氣相澱積方法澱 積於第一導電層101。非導電層102係藉由CVD方法 澱積於種子層3 01上。孔1 〇 3被触刻進入非導電層 102直到種子層301之表面（參考第6b圖）。 再者，溝渠5 0 1係藉由乾蝕刻或濕飩刻而鈾刻進入非 導電層1〇2(參考第6c圖）。 在下個步驟中，碳毫微管102在種子層301上生長直 到碳毫微管1 02超過溝渠1 〇 1之下表面但不超過整個φ 非導電層1〇2(參考第6d圖）。 如第6e圖所示，在下個步驟中，第二導電層106係藉 由CVD方法而澱積於溝渠501中及在非導電層1〇2 上。 第二導電層1 06係藉由適當的蝕刻方法，化學機械磨 光方法或離子束鈾刻而被減少到一適當之厚度，其結果 爲第二導電層106之表面與非導電層102之表面同平 、 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 © 之 >主 意- 事 項 再 填 % 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503482 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 面。 數個上述實施例之變化係解釋於下： 使用之CVD方法可以是使用CO，CH4或其他C2H25 或所謂電漿強化CVD方法之CVD方法。 再者，碳毫微管105不需要超過非導電層之表面或超 過溝渠501之下表面。做爲一變化例，碳毫微管105可 藉由化學機械磨光或以一傾斜角度之離子束而達到所 要的長度（其結果爲離子在離子束蝕刻期間不能滲入接 觸孔），即是，到一長度使得碳毫微管105至少與第二導 電層1 0 6接觸。 假使碳毫微管1 05之部分超過第二導電層，則他們可 藉由焚化程序而被移除，焚化程序在使用光阻罩冪做金 屬蝕刻時是必須的。碳毫微管可藉由各向異性電漿蝕 刻程序，例如用於圖案化有機材料時所用之蝕刻來達到 所要的長度。 本發明並不受限於三層結構。半導體元件可用在任 何所要的半導體結構中，即它可構成高度層化之半導體 元件之部分半導體元件，用於與在半導體元件中的兩個 導電層形成接觸。 本發明之主旨各爲非導電層絕緣之兩個在半導體元 件中之導電層係藉由在接觸孔中之碳毫微管而形成導 電連接。 以此方式，半導體兀件之局穩定度可被達成而不偏離 習知用於製造半導體元件之程序。 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注咅？事項β寫本頁) »ΐ 裝 . 503482 A7 P--------- -— B7___ 五、發明說明（1G ) 再者，在經由接觸孔之接觸形成中可以有高縱橫尺寸 比，可到約1 000之値，在本發明中，可以噴濺方法或氣相 澱積方法代替C V D方法。 下列爲在本文中之參考： [1 ] C · D e k k e r 所著之” C a r b ο η n a 11 〇 t u b e s a s Μ ο 1 e c u 1 a r
Quantum Wires”，Physics Today，pp22-28，May 1999 [2]Jung Sang Suh 及 Jin Seung Lee 所著之，，Highly Ordered Two-Dimensional Carbon Nanotubes Areas”，Applied Physics Letters，Vol. 75，No· 14， pp2047-2049, October 1999。 符號說明 100.. .第一半導體元件 ιοί…第一導電層 102.. .非導電層 103…接觸孔 (請先閱讀背面之注音2事 寫本頁) 裝 .. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 件 件 元 元 層體 體 管電導 導 層微導半層半 子毫二二子三渠 種碳第第種第溝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. α华q //¾絛正/吏正/補先六、申請專利範圍 第90103370號「半導體電子裝置，其製造方法及半導體電子 裝置中形成導電性連接所用之方法」專利案 (91年5月修正） 六申請專利範圍 1. 一種半導體電子裝置，其特徵爲具有： 第一導電層， < 在第一導電層上之非導電層， 在非導電層上之第二導電層， 穿過非導電層之至少一孔， 在孔中之至少一毫微管，經由該孔使第一導電層與第二 導電層導電連接。 2·如申請專利範圍第1項之半導體電子裝置，其中毫微管爲 碳毫微管。 3·如申請專利範圍第1或2項中之半導體電子裝置，其中孔 包含複數個毫微管，理由此毫微管使第一導電層與第二導 電層導電連接。 4. 如申請專利範圍第1或2項之半導體電子裝置， 具有一種子層於第一導電層之上，在其上可生長毫微 管。 5. 如申請專利範圍第3項之半導體電子裝置， 具有一種子層於第一導電層之上，在其上可生長毫微 管。 6·如申請專利範圍第4項之半導體電子裝置，其中種子層具 有金屬粒子，可催化毫微管之生長。 六、申請專利範圍 7·如申請專利範圍第6項之半導體電子裝置，其中金屬粒子 具有下列金屬中之至少一種： 鎳，及/或 鐵，及/或 釔，及/或 鈷，及/或 鉑。 8.如申請專利範圍第1項之半導體電子裝置，其中非導電層 具有一金屬間介電質。 a如申請專利範圍第1項之半導體電子裝置，其中第一及/或 第二導電層具有金屬或不同金屬之結合。 10.如申請專利範圍第9項之半導體電子裝置，其中第一導電 層及/或第二導電層具有銅及/或鋁及/或Ta，TaN，Ti，TiN之 組合。 u·如申請專利範圍第1項之半導體電子裝置，其中電子裝置 係一半導體元件。 Us種用於在半導體電子裝置中產生導電連接之方法，其 特徵爲將非導電層係澱積於第一導電層之上，其中在非導 電層中形成一孔，穿透該層， 其中至少有一毫微管生長於孔中， 其中第二導電層之澱積會使第一導電層與第二導電層 經由毫微管而導電連接。 U〜種用於產生半導體電子裝置之方法’其特徵爲提供第 S導電層， -2- 503482 六、申請專利範圍 其中將非導電層澱積於第一導電層上， 其中形成一孔穿透非導電層， 其中至少有一毫微管生長於孔中， 其中澱積第二導電層使得第一導電層與第二導電層經 由毫微管而導電連接。 14·如申請專利範圍第1 2或1 3項中之方法，其中蝕刻穿過非 導電層而形成一孔。 15·如申請專利範圍第12或13項中之方法，其中碳毫微管係 用做毫微管。 16·如申請專利範圍第1 2或1 3項之方法，其中複數個毫微管 係生長於孔中，經由這些毫微管使得第一導電層與第二導 電層導電連接。 17·如申請專利範圍第15項之方法，其中複數個毫微管係生長 於孔中，經由這些毫微管使得第一導電層與第二導電層導 電連接。 18·如申請專利範圍第15項之方法，其中種子層係至少施加於 在第一導電層上之孔區， 其中毫微管係生長於孔中之種子層上。 19.如申請專利範圍第1 6項之方法，其中種子層係至少施加於 在第一導電層上之孔區， 其中毫微管係生長於孔中之種子層上。 20·如申請專利範圍第16項之方法，其中用於催化毫微管之生 長金屬粒子係用於種子層。 21·如申請專利範圍第18項之方法，其中用於催化毫微管之生 503482 六、申請專利範圍 長金屬粒子係用於種子層。 2Z如申請專利範圍第20項之方法，其中下列金屬之至少一種 被用做金屬粒子： 鎳，及/或 鐵，及/或 釔，及/或 鈷，及/或 鉑。 23·如申請專利範圍第12或13項之方法，其中使用一中間介 電作爲非導電層。 ㈣申請專利範圍第η項之方法，其中使用金屬作爲 第一及/或第二導電層。 这如申請專利範圍第24項之方法，其中銅及/或銘及/或 Ta，TaN，Ti，TiN之組合係被用做第〜導電層及/或第二導電 層。 - 4- —
TW090103370A 2000-02-16 2001-02-15 Semiconductor electronic device, method for producing a conductive connection in a semiconductor electronic device, and method for producing a semiconductor electronic device TW503482B (en)

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Families Citing this family (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7084507B2 (en) 2001-05-02 2006-08-01 Fujitsu Limited Integrated circuit device and method of producing the same
JP2002341060A (ja) * 2001-05-11 2002-11-27 Seiko Instruments Inc 複合電気部品、地板構造体及びこれを用いた電子時計
US6919592B2 (en) 2001-07-25 2005-07-19 Nantero, Inc. Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same
DE10144704B4 (de) * 2001-09-11 2007-10-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Verbinden eines Bauelements mit einem Träger
EP1456124A4 (en) 2001-11-20 2009-01-28 Univ Wm Marsh Rice COATED FULL RENEES AND COMPOSITE MATERIALS AND DIELECTRICS MANUFACTURED THEREFROM
US6921462B2 (en) * 2001-12-17 2005-07-26 Intel Corporation Method and apparatus for producing aligned carbon nanotube thermal interface structure
SE0200868D0 (sv) * 2002-03-20 2002-03-20 Chalmers Technology Licensing Theoretical model för a nanorelay and same relay
DE10220194A1 (de) * 2002-05-06 2003-11-27 Infineon Technologies Ag Kontaktierung von Nanoröhren
US20030211724A1 (en) * 2002-05-10 2003-11-13 Texas Instruments Incorporated Providing electrical conductivity between an active region and a conductive layer in a semiconductor device using carbon nanotubes
US6891724B2 (en) * 2002-06-12 2005-05-10 Intel Corporation Increasing thermal conductivity of thermal interface using carbon nanotubes and CVD
US7507987B2 (en) * 2002-10-11 2009-03-24 Massachusetts Institute Of Technology Method of making packets of nanostructures
DE10250868B8 (de) * 2002-10-31 2008-06-26 Qimonda Ag Vertikal integrierter Feldeffekttransistor, Feldeffekttransistor-Anordnung und Verfahren zum Herstellen eines vertikal integrierten Feldeffekttransistors
WO2005000735A2 (en) * 2002-11-19 2005-01-06 William Marsh Rice University Method for creating a functional interface between a nanoparticle, nanotube or nanowire, and a biological molecule or system
AU2003295721A1 (en) 2002-11-19 2004-06-15 William Marsh Rice University Fabrication of light emitting film coated fullerenes and their application for in-vivo light emission
JP4683188B2 (ja) * 2002-11-29 2011-05-11 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7656027B2 (en) * 2003-01-24 2010-02-02 Nanoconduction, Inc. In-chip structures and methods for removing heat from integrated circuits
US7316061B2 (en) 2003-02-03 2008-01-08 Intel Corporation Packaging of integrated circuits with carbon nano-tube arrays to enhance heat dissipation through a thermal interface
EP1592551A4 (en) * 2003-02-12 2009-05-13 Nantero Inc NANOSTEGRATS AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
DE10307815B3 (de) 2003-02-24 2004-11-11 Infineon Technologies Ag Integriertes elektronisches Bauelement mit gezielt erzeugten Nanoröhren in vertikalen Strukturen und dessen Herstellungsverfahren
JP4454242B2 (ja) * 2003-03-25 2010-04-21 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその製造方法
KR100982419B1 (ko) 2003-05-01 2010-09-15 삼성전자주식회사 탄소나노튜브를 이용한 반도체 소자의 배선 형성 방법 및이 방법에 의해 제조된 반도체 소자
DE10324377A1 (de) * 2003-05-28 2005-01-05 Infineon Technologies Ag Wärmeableiteinrichtung, deren Verwendung und Halbleiterbauelementeanordnung
US7168484B2 (en) * 2003-06-30 2007-01-30 Intel Corporation Thermal interface apparatus, systems, and methods
JP2005041835A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Fuji Xerox Co Ltd カーボンナノチューブ構造体、その製造方法、カーボンナノチューブ転写体および溶液
JP4689218B2 (ja) * 2003-09-12 2011-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE10351230B3 (de) * 2003-11-03 2005-03-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Abscheidung eines Katalysators
DE10359424B4 (de) * 2003-12-17 2007-08-02 Infineon Technologies Ag Umverdrahtungsplatte für Halbleiterbauteile mit engem Anschlussraster und Verfahren zur Herstellung derselben
US7932549B2 (en) 2003-12-18 2011-04-26 International Business Machines Corporation Carbon nanotube conductor for trench capacitors
US7180174B2 (en) * 2003-12-30 2007-02-20 Intel Corporation Nanotube modified solder thermal intermediate structure, systems, and methods
US7456052B2 (en) * 2003-12-30 2008-11-25 Intel Corporation Thermal intermediate apparatus, systems, and methods
US7135773B2 (en) * 2004-02-26 2006-11-14 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip utilizing carbon nanotube composite interconnection vias
US20060086994A1 (en) 2004-05-14 2006-04-27 Susanne Viefers Nanoelectromechanical components
DE102004031128A1 (de) * 2004-06-28 2006-01-19 Infineon Technologies Ag Elektrischer Schaltkreis mit einer Kohlenstoff-Leiterstruktur und Verfahren zum Herstellen einer Kohlenstoff-Leiterstruktur eines elektrischen Schaltkreises
DE102004035368B4 (de) 2004-07-21 2007-10-18 Infineon Technologies Ag Substrat mit Leiterbahnen und Herstellung der Leiterbahnen auf Substraten für Halbleiterbauteile
KR100689813B1 (ko) 2004-09-08 2007-03-08 삼성전자주식회사 탄소나노튜브를 가진 반도체 메모리 장치 및 이의 제조 방법
US20080020499A1 (en) * 2004-09-10 2008-01-24 Dong-Wook Kim Nanotube assembly including protective layer and method for making the same
US7345296B2 (en) 2004-09-16 2008-03-18 Atomate Corporation Nanotube transistor and rectifying devices
US7776307B2 (en) * 2004-09-16 2010-08-17 Etamota Corporation Concentric gate nanotube transistor devices
US7462890B1 (en) 2004-09-16 2008-12-09 Atomate Corporation Nanotube transistor integrated circuit layout
US7943418B2 (en) * 2004-09-16 2011-05-17 Etamota Corporation Removing undesirable nanotubes during nanotube device fabrication
JP2006108210A (ja) * 2004-10-01 2006-04-20 Fujitsu Ltd 配線接続構造およびその形成方法
JP4167212B2 (ja) 2004-10-05 2008-10-15 富士通株式会社 カーボンナノチューブ構造体、半導体装置、および半導体パッケージ
JP2006120730A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Fujitsu Ltd 層間配線に多層カーボンナノチューブを用いる配線構造及びその製造方法
JP2006148063A (ja) * 2004-10-22 2006-06-08 Renesas Technology Corp 配線構造、半導体装置、ｍｒａｍおよび半導体装置の製造方法
US20100065820A1 (en) * 2005-02-14 2010-03-18 Atomate Corporation Nanotube Device Having Nanotubes with Multiple Characteristics
US7271079B2 (en) * 2005-04-06 2007-09-18 International Business Machines Corporation Method of doping a gate electrode of a field effect transistor
KR100707190B1 (ko) * 2005-05-07 2007-04-13 삼성전자주식회사 나노 와이어를 포함하는 상변환 메모리 소자 및 그 제조방법
KR100645064B1 (ko) * 2005-05-23 2006-11-10 삼성전자주식회사 금속 산화물 저항 기억소자 및 그 제조방법
JP5009511B2 (ja) * 2005-06-06 2012-08-22 富士通株式会社 電気的接続構造、その製造方法および半導体集積回路装置
US20060281306A1 (en) * 2005-06-08 2006-12-14 Florian Gstrein Carbon nanotube interconnect contacts
US7439731B2 (en) 2005-06-24 2008-10-21 Crafts Douglas E Temporary planar electrical contact device and method using vertically-compressible nanotube contact structures
US20070105356A1 (en) * 2005-11-10 2007-05-10 Wei Wu Method of controlling nanowire growth and device with controlled-growth nanowire
CN1964028B (zh) * 2005-11-11 2010-08-18 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 散热器
US7990037B2 (en) * 2005-11-28 2011-08-02 Megica Corporation Carbon nanotube circuit component structure
US7625817B2 (en) * 2005-12-30 2009-12-01 Intel Corporation Method of fabricating a carbon nanotube interconnect structures
KR100721020B1 (ko) 2006-01-20 2007-05-23 삼성전자주식회사 콘택 구조체를 포함하는 반도체 소자 및 그 형성 방법
JP2007268692A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Fujitsu Ltd カーボンナノチューブ連結体及びその製造方法、並びに、標的検出素子及び標的検出方法
KR100822799B1 (ko) 2006-04-25 2008-04-17 삼성전자주식회사 나노크기의 도전성 구조물을 위한 선택적인 촉매 형성 방법및 선택적인 나노크기의 도전성 구조물 형성 방법
KR101322310B1 (ko) * 2006-06-30 2013-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기전기발광소자 및 그 제조방법
US8130007B2 (en) 2006-10-16 2012-03-06 Formfactor, Inc. Probe card assembly with carbon nanotube probes having a spring mechanism therein
US8354855B2 (en) * 2006-10-16 2013-01-15 Formfactor, Inc. Carbon nanotube columns and methods of making and using carbon nanotube columns as probes
EP2086872A2 (en) * 2006-10-17 2009-08-12 Purdue Research Foundation Electrothermal interface material enhancer
KR100874912B1 (ko) * 2006-12-06 2008-12-19 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
FR2910706B1 (fr) 2006-12-21 2009-03-20 Commissariat Energie Atomique Element d'interconnexion a base de nanotubes de carbone
US8168495B1 (en) 2006-12-29 2012-05-01 Etamota Corporation Carbon nanotube high frequency transistor technology
DE102007006175A1 (de) 2007-02-07 2008-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wärmeleitfähige Schicht und Verfahren zur Herstellung einer wärmeleitfähigen Schicht
KR100827524B1 (ko) * 2007-04-06 2008-05-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법
US20080272361A1 (en) * 2007-05-02 2008-11-06 Atomate Corporation High Density Nanotube Devices
FR2917893B1 (fr) * 2007-06-22 2009-08-28 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une connexion electrique a base de nanotubes de carbone
FR2919111B1 (fr) * 2007-07-17 2009-10-09 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une connexion electrique a base de nanotubes et ayant des cavites d'air
US8149007B2 (en) * 2007-10-13 2012-04-03 Formfactor, Inc. Carbon nanotube spring contact structures with mechanical and electrical components
US8919428B2 (en) * 2007-10-17 2014-12-30 Purdue Research Foundation Methods for attaching carbon nanotubes to a carbon substrate
US8283786B2 (en) 2007-12-21 2012-10-09 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit system with contact integration
US7960713B2 (en) * 2007-12-31 2011-06-14 Etamota Corporation Edge-contacted vertical carbon nanotube transistor
US8110476B2 (en) 2008-04-11 2012-02-07 Sandisk 3D Llc Memory cell that includes a carbon-based memory element and methods of forming the same
WO2009151397A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Qunano Ab Nanostructured mos capacitor
US7858506B2 (en) 2008-06-18 2010-12-28 Micron Technology, Inc. Diodes, and methods of forming diodes
US8039380B2 (en) 2008-06-27 2011-10-18 Commissariat A L'energie Atomique Procedure for obtaining nanotube layers of carbon with conductor or semiconductor substrate
FR2933106B1 (fr) 2008-06-27 2010-12-24 Commissariat Energie Atomique Procede d'obtention de tapis de nanotubes de carbone sur substat conducteur ou semi-conducteur
KR100997788B1 (ko) * 2008-06-30 2010-12-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지
US20100032640A1 (en) * 2008-08-07 2010-02-11 Sandisk 3D Llc Memory cell that includes a carbon-based memory element and methods of forming the same
US9494615B2 (en) * 2008-11-24 2016-11-15 Massachusetts Institute Of Technology Method of making and assembling capsulated nanostructures
US7943989B2 (en) * 2008-12-31 2011-05-17 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Nano-tube MOSFET technology and devices
US9508805B2 (en) 2008-12-31 2016-11-29 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Termination design for nanotube MOSFET
JP5423029B2 (ja) * 2009-02-12 2014-02-19 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
US8541058B2 (en) * 2009-03-06 2013-09-24 Timothy S. Fisher Palladium thiolate bonding of carbon nanotubes
US8272124B2 (en) * 2009-04-03 2012-09-25 Formfactor, Inc. Anchoring carbon nanotube columns
US20100252317A1 (en) * 2009-04-03 2010-10-07 Formfactor, Inc. Carbon nanotube contact structures for use with semiconductor dies and other electronic devices
US7910486B2 (en) * 2009-06-12 2011-03-22 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Method for forming nanotube semiconductor devices
US8299494B2 (en) 2009-06-12 2012-10-30 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Nanotube semiconductor devices
US7892924B1 (en) * 2009-12-02 2011-02-22 Alpha And Omega Semiconductor, Inc. Method for making a charge balanced multi-nano shell drift region for superjunction semiconductor device
KR101015507B1 (ko) * 2010-01-25 2011-02-22 삼성전자주식회사 탄소나노튜브를 이용한 반도체 소자의 배선 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 반도체 소자
US8946903B2 (en) 2010-07-09 2015-02-03 Micron Technology, Inc. Electrically conductive laminate structure containing graphene region
US8872176B2 (en) 2010-10-06 2014-10-28 Formfactor, Inc. Elastic encapsulated carbon nanotube based electrical contacts
CN102468220B (zh) * 2010-11-08 2013-12-25 中国科学院微电子研究所 一种金属互连结构及其形成方法
JP5813682B2 (ja) * 2013-03-08 2015-11-17 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US9406888B2 (en) * 2013-08-07 2016-08-02 GlobalFoundries, Inc. Carbon nanotube device
US9391023B2 (en) * 2014-02-14 2016-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Method for producing salicide and a carbon nanotube metal contact
US10002826B2 (en) * 2014-10-27 2018-06-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Semiconductor device structure with conductive pillar and conductive line and method for forming the same
KR101728986B1 (ko) 2016-07-18 2017-04-20 박달수 간에 이로운 한약재 추출물을 이용한 식품 제조방법 및 그 식품

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5192835A (en) * 1990-10-09 1993-03-09 Eastman Kodak Company Bonding of solid state device to terminal board
US5698496A (en) * 1995-02-10 1997-12-16 Lucent Technologies Inc. Method for making an anisotropically conductive composite medium
US5712607A (en) * 1996-04-12 1998-01-27 Dittmer; Timothy W. Air-dielectric stripline
US5818700A (en) * 1996-09-24 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated Microelectronic assemblies including Z-axis conductive films
JP3740295B2 (ja) * 1997-10-30 2006-02-01 キヤノン株式会社 カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子
JP3363759B2 (ja) 1997-11-07 2003-01-08 キヤノン株式会社 カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法
US6730541B2 (en) 1997-11-20 2004-05-04 Texas Instruments Incorporated Wafer-scale assembly of chip-size packages
KR19990043770A (ko) * 1997-11-29 1999-06-15 정선종 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자의 제조 방법
US6870263B1 (en) 1998-03-31 2005-03-22 Infineon Technologies Ag Device interconnection
JP3955386B2 (ja) 1998-04-09 2007-08-08 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6297063B1 (en) 1999-10-25 2001-10-02 Agere Systems Guardian Corp. In-situ nano-interconnected circuit devices and method for making the same
US7335603B2 (en) * 2000-02-07 2008-02-26 Vladimir Mancevski System and method for fabricating logic devices comprising carbon nanotube transistors

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