JP4521243B2 - 不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ消去方法 - Google Patents
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Description
まず、この発明の第1の実施形態の不揮発性半導体記憶装置について説明する。
次に、この発明の第2の実施形態の不揮発性半導体記憶装置について説明する。この第2の実施形態の不揮発性半導体記憶装置の構成を示すブロック図は、図1と同様であり、その説明は省略する。
Claims (3)
- 複数のメモリセルを含むブロックが複数配置され、前記複数のメモリセルのうち少なくとも2つが同一のビット線に接続されているメモリセルアレイに対し、前記ブロックが含む複数のメモリセルに保持されたデータを一括して消去する、不揮発性半導体記憶装置のデータ消去方法において、
前記ブロックが含む複数のメモリセルに電圧を印加して書き込みを行い、前記複数のメモリセルの閾値を、書き込み判定電圧以上に設定するステップと、
前記ブロックが含む複数のメモリセルに対して一括して消去を行い、前記複数のメモリセルの閾値を、前記書き込み判定電圧より低い消去判定電圧以下に設定するステップと、
前記メモリセルの閾値が前記消去判定電圧より低い過消去判定電圧より低ければ、前記メモリセルに前記書き込みにおいて印加した前記電圧より低い電圧を印加する弱い書き込みを1回だけ行って、再度、前記メモリセルの閾値の確認及び前記弱い書き込みを行わず次のメモリセルの閾値の確認へ移行し、前記メモリセルの閾値が前記過消去判定電圧以上であれば、そのまま次のメモリセルの閾値の確認へ移行する処理を前記複数のメモリセルが最後のアドレスになるまで繰り返すステップと、
前記複数のメモリセルの閾値を各々順番に確認し、前記メモリセルの閾値が前記過消去判定電圧より低ければ前記弱い書き込みを行って、閾値が前記過消去判定電圧以上になるまで前記閾値の確認と前記弱い書き込みとを繰り返した後、次のメモリセルの閾値の確認へ移行し、前記メモリセルの閾値が前記過消去判定電圧以上であれば、そのまま次のメモリセルの閾値の確認へ移行するステップと、
前記複数のメモリセルの閾値を確認し、少なくとも1つの前記メモリセルの閾値が前記消去判定電圧より高ければ、前記複数のメモリセルの閾値を前記消去判定電圧以下に設定するステップに戻るステップと、
を具備し、
前記メモリセルは制御ゲート、浮遊ゲート、ソース、及びドレインを有する電界効果トランジスタから構成され、前記弱い書き込みは、前記電界効果トランジスタの制御ゲートとドレインに、前記書き込みにおいて印加した電圧よりも低い正の電圧を印加することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置のデータ消去方式。 - 前記複数のメモリセルの閾値を各々順番に確認し、前記メモリセルの閾値が前記過消去判定電圧より低ければ、前記弱い書き込みを1回だけ行って、再度、前記メモリセルの閾値の確認及び前記弱い書き込みを行わず次のメモリセルの閾値の確認へ移行し、前記メモリセルの閾値が前記過消去判定電圧以上であれば、そのまま次のメモリセルの閾値の確認へ移行する処理を前記複数のメモリセルが最後のアドレスになるまで繰り返す前記ステップを、複数回繰り返して行うことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置のデータ消去方法。
- 複数のメモリセルを含むブロックが複数配置され、前記複数のメモリセルのうち少なくとも2つが同一のビット線に接続されているメモリセルアレイと、
前記複数のメモリセルに対して書き込みを行う書き込み回路と、
前記ブロックが含む前記複数のメモリセルに対して一括して消去を行う消去回路と、
前記書き込み回路及び前記消去回路に書き込み及び消去の指示を出す制御回路とを具備し、
前記制御回路は、複数のメモリセルに電圧を印加して書き込みを行い、前記複数のメモリセルの閾値を第1の所定電圧以上に設定する手段と、
前記複数のメモリセルに対して一括して消去を行い、前記複数のメモリセルの閾値を前記第1の所定電圧より低い第2の所定電圧以下に設定する手段と、
前記複数のメモリセルのうち、前記第2の所定電圧より低い第3の所定電圧よりさらに低い閾値を持つメモリセルの各々に、前記書き込みにおいて印加した前記電圧より低い電圧を印加して弱い書き込みを1回だけ行い、再度、前記メモリセルの閾値の確認及び前記弱い書き込みを行わない処理を前記複数のメモリセルが最後のアドレスになるまで繰り返す手段と、
前記複数のメモリセルのアドレスが最後のアドレスになったとき、前記ブロック内における最初のアドレスのメモリセルに戻り、前記複数のメモリセルのうち、前記第3の所定電圧より低い閾値を持つメモリセルに対して、閾値が前記第3の所定電圧以上になるまで前記弱い書き込みを繰り返す手段と、
前記複数のメモリセルに対して、前記第2の所定電圧より閾値が高いメモリセルが存在しないか否か確認し、前記第2の所定電圧より閾値が高いメモリセルが存在するとき、前記複数のメモリセルの閾値を前記第2の所定電圧以下に設定する手段に戻る手段とを含み、
前記メモリセルは制御ゲート、浮遊ゲート、ソース、及びドレインを有する電界効果トランジスタから構成され、前記弱い書き込みは、前記電界効果トランジスタの制御ゲートとドレインに、前記書き込みにおいて印加した電圧よりも低い正の電圧を印加することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
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