KR20090098438A - 불휘발성 메모리 소자의 테스트 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- 웨이퍼 상태인 불휘발성 메모리 소자의 테스트 방법에 있어서,상기 불휘발성 메모리 소자의 전체 메모리 셀에 대한 소거 및 제 1 검증을 수행하는 단계;상기 제 1 검증 결과를 저장하고 있는 페이지 버퍼의 데이터 저장된 제 1 래치의 데이터를 제 2 래치에 저장하고, 상기 제 1 래치를 검증 패스를 나타내는 데이터로 설정하는 단계; 및상기 전체 메모리 셀에 대한 소프트 프로그램 및 제 2 검증을 수행하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 소자의 테스트 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 검증을 위한 제 1 검증전압은 상기 제 2 검증을 위한 제 2 검증전압보다 낮은 전압인 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자의 테스트 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 전체 소거 동작 이전에 전원 테스트를 수행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자의 테스트 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 페이지 버퍼의 데이터를 설정하는 것은,상기 제 1 검증결과가 저장된 상기 제 1 래치의 데이터를 상기 제 2 래치로 전달하는 단계; 및상기 상기 제 1 래치의 데이터를 검증 패스 데이터로 변경하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 소자의 테스트 방법.
- 제 4항에 있어서,상기 제 1 래치의 데이터를 검증 패스 데이터로 변경하기 위해, 상기 제 2 래치에 전달된 데이터를 반전하여 상기 페이지 버퍼의 센싱노드로 전달하고, 상기 센싱노드의 전압 레벨에 따라 상기 제 1 래치의 데이터를 변경하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2 검증은 상기 메모리 셀들중 하나라도 패스되면 중단되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법.
- 웨이퍼 상태인 불휘발성 메모리 소자의 테스트 방법에 있어서,상기 불휘발성 메모리 소자의 전체 메모리 셀에 대한 소거 및 제 1 검증을 페이지 버퍼의 제1 래치로 수행하는 단계;상기 제 1 래치에 저장된 데이터를 상기 페이지 버퍼의 센싱노드를 통해 상 기 페이지 버퍼의 제 2 래치로 전달하는 제1 전달 단계;상기 제 2 래치의 데이터를 검증 패스 결과를 나타내는 데이터로 설정하는 단계; 및상기 메모리 셀들에 대한 소프트 프로그램 및 제 2 검증을 수행하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 소자의 테스트 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 전체 소거 동작 이전에 전원 테스트를 수행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자의 테스트 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 제 2 래치에 검증 패스 결과 데이터를 설정하기 위하여, 상기 제 2 래치의 데이터를 상기 센싱노드를 통해 상기 제 1 래치로 전달하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자의 테스트 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 제 1 검증을 위한 제 1 검증전압은 상기 제 2 검증을 위한 제 2 검증전압보다 낮은 전압인 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자의 테스트 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 제 1 전달 단계에 의해 상기 제 1 래치에 저장된 데이터를 이용하여 리페어 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자의 테스트 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 제 2 검증은 상기 메모리 셀들중 하나라도 패스되면 중단되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법.
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