JP4481913B2 - 基板ペデスタルアッセンブリ及び処理チャンバー - Google Patents

基板ペデスタルアッセンブリ及び処理チャンバー Download PDF

Info

Publication number
JP4481913B2
JP4481913B2 JP2005295533A JP2005295533A JP4481913B2 JP 4481913 B2 JP4481913 B2 JP 4481913B2 JP 2005295533 A JP2005295533 A JP 2005295533A JP 2005295533 A JP2005295533 A JP 2005295533A JP 4481913 B2 JP4481913 B2 JP 4481913B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base
fluid conduit
flow path
electrostatic chuck
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005295533A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006140455A (ja
Inventor
ホーランド ジョン
パナゴポウロス テオドロス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2006140455A publication Critical patent/JP2006140455A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4481913B2 publication Critical patent/JP4481913B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00—Chucks or sockets
    • Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Description

発明の背景
発明の分野
[0001]本発明の実施形態は、一般に、半導体基板処理システムに係る。より詳細には、本発明は、半導体基板処理システムにおいて基板の温度を制御するための方法及び装置に係る。
関連技術の説明
[0002]集積回路の製造においては、基板内に一貫した結果を得ると共に、基板から基板へ再現可能な結果を得るために、種々のプロセスパラメータを正確に制御することが必要となる。処理中に、基板の温度が変化したり基板にわたって温度勾配ができたりすると、半導体デバイスの材料堆積、エッチングレート、ステップカバレージ、特徴部テーパー角度、及びその他のパラメータに有害な影響を及ぼす。従って、基板にわたる温度分布の所定パターンの発生は、高い収率を得るための重要な要件の１つである。
[0003]ある処理用途では、基板が処理中に静電チャックにより基板ペデスタルに保持される。静電チャックは、クランプ、接着剤又は固定具によりペデスタルのベースに結合される。チャックには、埋設電気ヒータを設けることができると共に、処理中に基板温度を制御するために背面熱伝達ガス源に流体結合することができる。しかしながら、従来の基板ペデスタルは、基板の直径にわたり基板の温度分布を制御するための手段が不充分である。基板の温度を均一に制御できないと、単一基板内及び基板間のプロセス均一性、デバイスの収率、及び処理基板の全体的な品質に悪影響を及ぼすことになる。
[0004]それ故、この分野では、半導体基板処理装置において基板を処理する間に基板の温度を制御するための改良された方法及び装置が要望されている。
発明の概要
[0005]本発明は、一般に、半導体基板処理装置において基板を処理する間に基板の温度を制御するための方法及び装置に関する。この方法及び装置は、基板の直径にわたる温度制御を向上させ、更に、ワークピースの温度プロフィールの制御が要望される他の用途の中でも、エッチング、堆積、インプランテーション、及び熱処理システムに使用することができる。
[0006]本発明の一実施形態において、金属性ベースに結合された静電チャックを備えた基板ペデスタルアッセンブリが提供される。静電チャックは、少なくとも１つのチャック電極を備え、又、金属性ベースには、少なくとも２つの流体分離されたコンジットループが配置される。
[0007]別の実施形態において、ペデスタルアッセンブリは、材料層によりベースに結合された支持部材を備えている。材料層は、熱伝導係数が異なる少なくとも２つの領域を有する。別の実施形態では、基板ペデスタルアッセンブリが静電チャックを備えている。更に別の実施形態では、ペデスタルアッセンブリが、ベースと支持部材との間の形成されたチャンネルを有し、材料層の付近に冷却ガスを供給して、支持部材とベースとの間の熱伝達を更に制御し、これにより、支持部材に配置された基板の温度プロフィールを制御する。
[0008]ペデスタルアッセンブリは、材料層を使用してベースに結合された支持部材を備えている。材料層は、熱伝導係数が異なる少なくとも２つの領域を有する。別の実施形態では、支持部材が静電チャックである。更に別の実施形態では、ペデスタルアッセンブリが、ベースと支持部材との間の形成されたチャンネルを有し、材料層の付近に冷却ガスを供給して、支持部材とベースとの間の熱伝達を更に制御し、これにより、支持部材に配置された基板の温度プロフィールの制御を容易にする。
[0009]本発明の上述した特徴を詳細に理解できるように、前記で簡単に要約した本発明を、添付図面に幾つかが示された実施形態を参照して、より詳細に説明する。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態を示すに過ぎず、それ故、本発明の範囲を何ら限定するものではなく、本発明は、他の等しく有効な実施形態も受け入れられることに注意されたい。
[0023]理解を容易にするために、各図面に共通の同じ要素を示すのに、可能な限り、同じ参照番号を使用している。又、ある実施形態の要素及び特徴は、更に説明しないが、他の実施形態に有益に合体し得ることも意図される。
詳細な説明
[0024]本発明は、一般に、処理中に基板の温度を制御するための方法及び装置に関する。本発明は、説明上、半導体基板処理装置、例えば、カリフォルニア州サンタクララのアプライド・マテリアルズ・インクから入手できるＣＥＮＴＲＡ（登録商標）集積半導体ウェハ処理システムの処理リアクタ（又はモジュール）について述べるが、本発明は、エッチング、堆積、インプランテーション及び熱処理を含む他の処理システム、或いは基板又は他のワークピースの温度プロフィールの制御が望まれる他の用途に使用することもできる。
[0025]図１は、説明上本発明を実施するのに使用できる基板ペデスタルアッセンブリ１１６の一実施形態を有する例示的エッチングリアクタ１００の概略図である。ここに示すエッチングリアクタ１００の特定の実施形態は、説明上設けられたもので、本発明の範囲を限定するために使用されるのではない。
[0026]エッチングリアクタ１００は、一般に、プロセスチャンバー１１０と、ガスパネル１３８と、コントローラ１４０とを備えている。プロセスチャンバー１１０は、プロセス容積部を包囲する導電性本体（壁）１３０及び天井１２０を備えている。プロセスガスは、ガスパネル１３８からチャンバー１１０のプロセス容積部へ供給される。
[0027]コントローラ１４０は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１４４と、メモリ１４２と、サポート回路１４６とを備えている。コントローラ１４０は、エッチングリアクタ１００のコンポーネントに結合されてそれらを制御し、チャンバー１１０において遂行されるプロセスを制御し、且つ集積回路製造のデータベースとの任意のデータ交換を容易に行うことができる。
[0028]ここに示す実施形態では、天井１２０は、実質的にフラットな誘電体部材である。プロセスチャンバー１１０の他の実施形態は、他の形式の天井、例えば、ドーム状の天井を有してもよい。天井１２０の上には、１つ以上の誘導性コイルエレメント（説明上、２つの同軸コイルエレメント１１２Ａ及び１１２Ｂが示されている）で構成されるアンテナ１１２が配置される。このアンテナ１１２は、第１のマッチングネットワーク１７０を経て高周波（ＲＦ）プラズマ電源１１８に結合される。
[0029]一実施形態において、基板ペデスタルアッセンブリ１１６は、支持部材１２６と、熱伝導層１３４と、ベース１１４と、カラーリング１５２と、ジョイントリング１５４と、スペーサ１７８と、接地スリーブ１６４と、マウントアッセンブリ１６２とを備えている。マウントアッセンブリ１６２は、ベース１１４をプロセスチャンバー１１０に結合する。ベース１１４は、一般に、アルミニウム又は他の金属材料から形成される。ここに示す実施形態では、ベース１１４は、更に、少なくとも１つの任意の埋設ヒータ１５８（説明上、１つのヒータ１５８が示されている）と、少なくとも１つの任意の埋設インサート１６８（説明上、１つの環状インサート１６８が示されている）と、加熱又は冷却液体源１８２に流体結合された複数の任意のコンジット１６０とを備えている。この実施形態では、ベース１１４は、更に、任意のスペーサ１７８を使用して接地スリーブ１６４から熱分離される。
[0030]コンジット１６０及びヒータ１５８は、ベース１１４の温度を制御し、それにより、支持部材１２６を加熱又は冷却し、ひいては、処理中に支持部材１２６に配置される基板１５０の温度を一部分制御するように使用することができる。
[0031]インサート１６８は、ベース１１４の隣接領域の材料とは熱伝導係数が異なる材料で形成される。通常、インサート１６８は、ベース１１４より熱伝導係数が小さい。更に別の実施形態では、インサート１６８は、非等方性（即ち、方向に依存する熱伝導係数）の材料で形成されてもよい。インサート１６８は、支持部材１２６からベース１１４を経てコンジット１６０へ至る熱伝達の割合を、熱伝達経路にインサート１６８をもたないベース１１４の隣接部分を通る熱伝達の割合に対して局部的に変化させるように機能する。従って、インサートの数、形状、サイズ、位置及び熱伝達係数を制御することにより、支持部材１２６、及びそこに載せられた基板１５０の温度プロフィールを制御することができる。インサート１６８は、図１には、環状リングの形状で示されているが、インサート１６８の形状は、多数の形態をとることができる。
[0032]熱伝導層１３４は、ベース１１４のチャック支持面１８０に配置され、支持部材１２６とベース１１４との間の熱的な結合（即ち熱交換）を容易にする。１つの実施形態では、熱伝導層１３４は、支持部材１２６を部材支持面１８０に機械的に結合する接着剤層である。或いは又（図示せず）、基板ペデスタルアッセンブリ１１６は、支持部材１２６をベース１１４に固定するように適応されるハードウェア（例えば、クランプ、スクリュー等）を含んでもよい。支持部材１２６及びベース１１４の温度は、サーモカップル等の複数のセンサ（図示せず）を使用して監視され、これらセンサは温度モニタ１７４に結合される。
[0033]支持部材１２６は、ベース１１４に配置されて、リング１５２、１５４により包囲される。支持部材１２６は、処理中に基板１５０を支持するのに適したアルミニウム、セラミック又は他の材料から形成されてもよい。一実施形態において、支持部材１２６は、セラミックである。基板１５０は、支持部材１２６に重力で載せられてもよいし、或いは真空、静電力、機械的クランプ等によりそこに固定されてもよい。図１に示す実施形態では、支持部材１２６が静電チャック１８８である。
[0034]静電チャック１８８は、一般に、セラミック又は同様の誘電体材料から形成され、電源１２８を使用して制御される少なくとも１つのクランプ電極１８６を備えている。更に別の実施形態では、静電チャック１８８は、第２のマッチングネットワーク１２４を経て基板バイアス電源１２２に結合された少なくとも１つのＲＦ電極（図示せず）を備えてもよく、又、電源１３２を使用して制御される少なくとも１つの埋設ヒータ１８４を備えてもよい。
[0035]静電チャック１８８は、更に、該チャックの基板支持面１７６に形成されて熱伝達（又は背面）ガス源１４８に流体結合されたグルーブのような複数のガス通路（図示せず）を備えてもよい。運転中に、背面ガス（例えば、ヘリウム（Ｈｅ））が、制御された圧力で、ガス通路に供給され、静電チャック１８８と基板１５０との間の熱伝達を向上させる。従来、少なくとも静電チャックの基板支持面１７６には、基板を処理する間に使用される化学物質及び温度に耐えるコーティングが設けられる。
[0036]一実施形態において、支持部材１２６は、該支持部材１２６の隣接領域の材料（１つ又は複数）とは異なる熱伝導係数をもつ少なくとも１つの材料から形成された少なくとも１つの埋設インサート１６６（説明上、１つの環状インサート１６６が示されている）を備えている。通常、インサート１６６は、隣接領域の材料（１つ又は複数）より熱伝導係数が小さい材料から形成される。更に別の実施形態では、インサート１６６は、非等方性の熱伝導係数を有する材料から形成することができる。別の実施形態（図示せず）では、少なくとも１つのインサート１６６が基板支持面１７６と同一平面で配置されてもよい。
[0037]ベース１１４のインサート１６８の場合と同様に、支持部材１２６のインサート１６６の熱伝導率、並びに形状、寸法、位置及び数は、運転中に、支持部材１２６の基板支持面１７６、ひいては、基板１５０の直径にわたり所定の温度分布パターンを達成するように、ペデスタルアッセンブリ１１６を通る熱伝達を制御するよう選択的に選ぶことができる。
[0038]熱伝導層１３４は、複数の材料領域（説明上、２つの環状領域１０２、１０４及び円形領域１０６が示されている）を備え、そのうちの少なくとも２つは、熱伝導係数が異なる。各領域１０２、１０４、１０８は、熱伝導層１３４の隣接領域の材料（１つ又は複数）とは異なる熱伝導係数を有する少なくとも１つの材料から形成されてもよい。更に別の実施形態では、領域１０２、１０４、１０６を構成する１つ以上の材料が、非等方性の熱伝導係数を有してもよい。例えば、部材支持面１８０に直交又は平行な方向における層１３４の材料の熱伝導係数が、少なくとも１つの他の方向の係数とは異なってもよい。層１３４の領域１０２、１０４、１０６間の熱伝導係数は、チャック１２６とベース１１４との間に横方向に異なる熱伝達率を促進して基板１５０の直径にわたる温度分布を制御するように、選択されてもよい。
[0039]更に別の実施形態では、熱伝導層１３４の少なくとも２つの隣接領域間にギャップ１９０（図２Ａに示す）が設けられてもよい。層１３４において、このようなギャップ１９０は、所定のフォームファクタを有するガス充填又は真空容積部を形成してもよい。或いは又、ギャップ１９０は、層１３４のある領域内に形成されてもよい（図１Ｃに示すように）。
[0040]図２は、図１Ａの２−２線に沿った基板ペデスタルの概略断面図である。ここに示す実施形態において、熱伝導層１３４は、説明上、環状領域１０２、１０４と、円形領域１０６とを含む。別の実施形態では、層１３４は、３つより多い又は少ない領域を含んでもよいし、フォームファクタの異なる領域を含んでもよく、例えば、これら領域は、とりわけ、格子、半径方向を向いた形状及び極アレイとして配列されてもよい。熱伝導層１３４の領域は、固い接着剤コンパウンドへと更に展開されるペーストの形態、及び接着テープ又は接着ホイルの形態で適用される材料（例えば、接着材料）から構成されてもよい。熱伝導層１３４の材料の熱伝導率は、０．０１から２００Ｗ／ｍｋの範囲で選択することができ、一実施形態では、０．１から１０Ｗ／ｍＫの範囲で選択することができる。更に別の実施形態では、隣接領域の熱伝導率の差が約０．１から１０Ｗ／ｍＫの範囲であり、又、層１３４の最も内側の領域と最も外側の領域との間の伝導率の差が約０．１から約１０Ｗ／ｍＫでよい。適当な接着材料は、例えば、アクリル系及びシリコン系コンパウンドで構成されたペースト及びテープを含むが、これに限定されない。接着材料は、更に、少なくとも１つの熱伝導セラミックフィラー、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、チタニウムジボライド（ＴｉＢ２）、等を含んでもよい。伝導層１３４に適した接着テープは、例えば、マサチューセッツ州ウオルバムに所在するパーカー・ハニフィン・コーポレーションの事業部であるコメリックスから入手できるもので、商標名ＴＨＥＲＭＡＴＴＡＣＨ（登録商標）のもとに販売されている。
[0041]熱伝導層１３４において、その熱伝導率と、所定の熱伝導係数を有する領域のフォームファクタ、寸法及び個数とは、静電チャック１２６とベース１１４との間の熱伝達を制御して、運転中に、チャックの基板支持面１７６、ひいては、基板１５０に所定の温度分布パターンを得るように、選択的に選ぶことができる。ベース１１４と支持部材１２６との間で伝導層１３４を通る熱伝達を更に制御するために、１つ以上のチャンネル１０８を設けて、熱伝達媒体をそこに流す。チャンネル１０８は、ベース１１４を通して、冷却ガスのような熱伝達媒体の源１５０に結合される。適当な冷却ガスは、例えば、とりわけ、ヘリウムや、窒素を含む。チャンネル１０８に入れられる冷却ガスは、チャック１２６とベース１１４との間の熱伝達経路の一部分であるから、チャンネル１０８の位置と、供給される冷却ガスである熱伝達媒体の圧力、流量、温度、密度及び組成とで、ペデスタルアッセンブリ１１６を通る熱伝達プロフィールの制御改善が与えられる。更に、チャンネル１０８内のガスの密度及び流量は、基板１５０の処理中にその場で制御できるので、基板１５０の温度制御を処理中に変更して、処理性能を更に向上させることができる。単一の冷却ガス源１５６が示されているが、１つ以上の冷却ガス源をチャンネル１０８に結合して、個々のチャンネル１０８内の冷却ガスの形式、圧力及び／又は流量を独立して制御し、これにより、更に大きなレベルの温度制御を容易に行うことができる。
[0042]図１Ａに示す実施形態では、チャンネル１０８は、部材支持面１８０に形成されるものとして示されている。しかしながら、チャンネル１０８は、その少なくとも一部分が部材支持面１８０に形成され、その少なくとも一部分が支持部材１２６の底面に形成され、或いはその少なくとも一部分が熱伝導層１３４に形成されてもよく、又、それらの組合せでもよいことが意図される。一実施形態において、約２から１０個のチャンネル１０８がペデスタルアッセンブリ１１６に配置され、約７６０Ｔｏｒｒ（大気圧）から約１０Ｔｏｒｒまでの圧力に維持されるという選択性が与えられる。例えば、少なくとも１つのチャンネル１０８は、図３−図４に示すように、静電チャック１２６に部分的に又は完全に形成されてもよい。より詳細には、図３は、チャンネル１０８が静電チャック１２６に完全に形成される基板ペデスタルアッセンブリ１１６の一部分を示す概略図である。図４は、チャンネル１０８がベース１１４に一部分形成され且つ静電チャック１２６に一部分形成される基板ペデスタルアッセンブリ１１６の一部分を示す概略図である。図５は、チャンネル１０８が熱伝導層１３４に形成される基板ペデスタルアッセンブリ１１６の一部分を示す概略図である。図５において、チャンネルは、熱伝導層１３４の異なる領域１０２、１０４、１０６間に配置されて示されているが、これら領域１０２、１０４、１０６の１つ以上を通してチャンネルの１つ以上が形成されてもよい。
[0043]図１Ａに戻ると、チャンネル１０８及びインサート１６６、１６８の位置、形状、寸法及び個数の少なくとも１つと、インサート１６６、１６８及びチャンネル１０８に入れられるガスの熱伝導率とは、支持部材１２６とベース１１４との間の熱伝達を制御して、運転中に、チャック１２６の基板支持面１７６に所定の温度分布パターンを得て、ひいては、基板１５０の温度プロフィールを制御するように、選択的に選ぶことができる。更に別の実施形態では、少なくとも１つのチャンネル１０８における冷却ガスの圧力と、少なくとも１つのコンジット１５６における冷却液体の流量も、基板の温度制御を達成し及び／又は向上させるように選択的に制御することができる。又、熱伝達率も、ガスの形式、圧力、及び／又は流量を各チャンネル１０８間で個々に制御することにより、制御できる。
[0044]更に別の実施形態では、基板１５０の所定の温度分布パターンは、ここに述べる制御手段、例えば、熱伝導層１３４、インサート１６６、１６８、チャンネル１０８、コンジット１６０、チャンネル１０８の冷却ガスの圧力、及びコンジット１６０の冷却液体の流量を個々に又は組み合わせて使用して得ることができる。更に、上述した実施形態では、基板支持面１７６及び基板１５０における所定の温度分布パターンは、基板１５０の処理中に、プロセスガスのプラズマ及び／又は基板バイアスにより発生する熱束の非均一性を補償するように選択的に制御することもできる。
[0045]図６は、半導体基板処理装置で処理される基板の温度を制御するための本発明の方法の一実施形態のフローチャートをプロセス６００として示している。このプロセス６００は、説明上、前記実施形態で述べたリアクタ１００における処理中に基板１５０に対して遂行される処理ステップを含む。プロセス６００は、他の処理システムで実行されてもよいことが意図される。
[0046]プロセス６００は、ステップ６０１において開始され、ステップ６０２へ進む。ステップ６０２において、基板１５０は、プロセスチャンバー１１０内に配置されたペデスタルアッセンブリ１１６へ移送される。ステップ６０４において、基板１５０は、静電チャック１８８の基板支持面１７６に位置される（例えば、図示されていない基板ロボットを使用して）。ステップ６０６において、電源１３２が静電チャック１８８に係合して、基板１５０をチャック１８８の支持面１７６にクランプさせる。ステップ６０８において、基板１５０は、コントローラ１４０により命令されるように実行されるプロセスレシピに基づいてプロセスチャンバー１１０において処理（例えば、エッチング）される。ステップ６０８の間に、基板ペデスタルアッセンブリ１１６は、図１から５を参照して上述したペデスタルアッセンブリ１１６の温度制御属性の１つ以上を使用して、基板１５０に所定の温度分布パターン容易に得る。任意であるが、ステップ６０８の間に、チャック１１４を経て伝達される熱の割合及び／又はプロフィールを、１つ以上のチャンネル１０８に存在するガスの１つ以上の特性を変更することにより現場で調整することができる。処理が完了すると、ステップ６１０において、電源１３２は、静電チャック１８８から解離し、従って、基板１５０をチャック解除し、基板１５０は、更に、プロセスチャンバー１１０から取り出される。ステップ６１２において、プロセス６００が終了となる。
[0047]図７−図９は、ベース７００の一実施形態の縦断面図、底面図及び部分断面図である。ベース７００は、ここに述べたいずれかの基板ペデスタルアッセンブリと共に効果的に使用できることが意図される。図７−図９に示す実施形態では、ベース７００は、頂面７０２及び底面７０４を含む。ベース７００の底面７０４には、チャンネル７０６が形成される。このチャンネル７０６は、キャップ７０８でカバーされて、流体コンジット７１０を形成する。このコンジット７１０は、図１に示す熱伝達流体制御源１８２への取り付けを容易にするフィッティングを受け入れるように構成された入口７１４及び出口７１６を備えている。
[0048]図７−図９に示す実施形態では、チャンネル７０６は、ベース７００の底面７０４へと加工される。この加工作業は、チャンネル７０６により画成されたエリアへと延びる１つ以上のフィン７１２を残すように遂行される。フィン７１２は、熱伝達に利用できるコンジット７１０の表面積を増加し、これにより、コンジット７１０に流れる流体とベース７００との間の熱伝達を向上させる。
[0049]キャップ７０８は、チャンネル７０６に配置され、ベース７００へ結合されて、コンジット７１０を画成する。図７−図９に示す実施形態では、キャップ７０８は、コンジット７１０に流れる流体が真空状態のもとで漏れるのを防止するためにベース７００に連続的に溶接される。キャップ７０８は、他の漏れ密方法を使用してベース７００へシール結合されてもよいことが意図される。
[0050]図１０Ａ−図１０Ｈは、コンジット７１０を引き回すための異なる構成を有するベース７００の底面図である。図示されたように、コンジット７１０は、支持アッセンブリの所定温度プロフィールを与えるように引き回されて、そこに支持される基板の温度プロフィールを制御することができる。
[0051]図１１−図１２は、ここに述べる基板ペデスタルアッセンブリに使用できる別の実施形態のベース１１００の底面図及び部分断面図である。図１１−図１２に示すベース１１００は、一般に、該ベース１１００に形成された少なくとも２つの別々の冷却ループ１１０２、１１０４を備え、少なくとも２つの独立制御可能な温度ゾーン１１０６、１１０８を画成する。冷却ループ１１０２、１１０４は、一般に、上述したように又は他の適当な方法で形成されたコンジットである。１つの実施形態では、温度制御ゾーン１１０６、１１０８が同心的となるように、第１の冷却ループ１１０２が第２の冷却ループ１１０４の半径方外方に配列される。ループ１１０２、１１０４は、半径方向に向けられてもよいし、又は他の幾何学的構成を有してもよいことが意図される。冷却ループ１１０２、１１０４は、単一の温度制御熱伝達流体源に結合されてもよいし、或いは図１１に示す実施形態のように、各ループ１１０２、１１０４が別々の熱伝達流体源１１１２、１１１４に各々結合されて、ゾーン１１０６、１１０８の温度を独立制御できるようにしてもよい。任意であるが、上述したインサート１６８と同様のインサート１１１０を、第１及び第２冷却ループのインサート１６８間に横方向に配置して、ゾーン１１０６、１１０８間の熱分離を向上させてもよい。インサート１１１０は、図１１に示すように、ベース１１００の下面へと延びてもよいし、或いは図１２に示すように、ベース１１００に埋設されてもよい。
[0052]従って、基板支持体の柔軟な温度制御を可能にする基板支持ペデスタルアッセンブリが提供された。複数の温度制御ゾーンを与えるように、この基板支持ペデスタルアッセンブリに対する異なる特徴を選択して、基板の温度プロフィールを制御することができる。
[0053]以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明の基本的な範囲から逸脱せずに、本発明の他の及び更に別の実施形態を案出でき、それ故、本発明の範囲は、特許請求の範囲により決定されるものとする。
本発明の一実施形態による基板ペデスタルを備えた半導体基板処理装置を例示する概略図である。 基板ペデスタルの材料層の異なる位置にギャップが形成された基板ペデスタルの実施形態の部分断面図である。 基板ペデスタルの材料層の異なる位置にギャップが形成された基板ペデスタルの実施形態の部分断面図である。 図１Ａの２−２線に沿った基板ペデスタルの概略断面図である。 本発明の別の実施形態の概略部分断面図である。 本発明の別の実施形態の概略部分断面図である。 本発明の更に別の実施形態の概略部分断面図である。 基板ペデスタルに配置された基板の温度を制御するための方法の一実施形態を示すフローチャートである。 ペデスタルアッセンブリのベースの別の実施形態を示す縦断面図である。 図７のベースの底面図である。 図７のベースの部分断面図である。 ベースに形成されたコンジットを引き回すための構成を示すベースの底面図である。 ベースに形成されたコンジットを引き回すための異なる構成を示すベースの底面図である。 ベースに形成されたコンジットを引き回すための異なる構成を示すベースの底面図である。 ベースに形成されたコンジットを引き回すための異なる構成を示すベースの底面図である。 ベースに形成されたコンジットを引き回すための異なる構成を示すベースの底面図である。 ベースに形成されたコンジットを引き回すための異なる構成を示すベースの底面図である。 ベースに形成されたコンジットを引き回すための異なる構成を示すベースの底面図である。 ベースに形成されたコンジットを引き回すための異なる構成を示すベースの底面図である。 ペデスタルアッセンブリのベースの別の実施形態を示す底面図である。 図１１のベースの部分断面図である。
符号の説明
１００…リアクタ、１０２…領域、１０４…領域、１０６…領域、１０８…チャンネル、１１０…チャンバー、１１２Ａ…コイルエレメント、１１２Ｂ…コイルエレメント、１１４…ベース、１１６…ペデスタルアッセンブリ、１１８…プラズマ電源、１２０…天井、１２２…バイアス電源、１２４…マッチングネットワーク、１２６…支持部材、１２８…チャック電源、１３０…壁、１３２…電源、１３４…熱伝導層、１３８…ガスパネル、１４０…コントローラ、１４２…メモリ、１４４…ＣＰＵ、１４６…サポート回路、１４８…ガス源、１５０…基板、１５２…カラーリング、１５４…ジョイントリング、１５６…ガス源、１５８…ヒータ、１６０…コンジット、１６２…マウントアッセンブリ、１６４…接地スリーブ、１６６…インサート、１６８…インサート、１７０…マッチングネットワーク、１７４…モニタ、１７６…基板支持面、１７８…スペーサ、１８０…チャック支持面、１８２…流体源、１８４…ヒータ、１８８…チャック電極、１８８…静電チャック、１９０…ギャップ、６００…方法、６０１…開始して静電チャックを設ける、６０４…基板を位置させる、６０６…静電チャックに係合する、６０８…基板を処理する、６１０…基板を取り出す、６１２…終了、７００…ベース、７０２…頂面、７０４…底面、７０６…チャンネル、７０８…キャップ、７１０…コンジットループ、７１２…フィン、１１００…ベース、１１０２…第１のコンジットループ、１１０４…第２のコンジットループ、１１０６…第１ゾーン、１１０８…第２ゾーン、１１１０…インサート、１１１２…第１熱伝達流体源、１１１４…第２熱伝達流体源

Claims (13)

  1. 少なくとも１つのチャック電極を有する静電チャックと、
    上記静電チャックに結合された金属性ベースであって、互いに分離された第１及び第２の流体コンジットループが配置されている金属性ベースと、を備え、
    前記第１及び第２の流体コンジットループのそれぞれは、入口から折り返し部分にまで延びる第１流路と、前記折り返し部分から出口にまで延びており前記第１流路と並行するように形成された第２流路と、を有し、
    前記第１の流体コンジットループの前記第１流路、前記折り返し部分、及び前記第２流路は、第１の温度制御ゾーンを画成し、
    前記第２の流体コンジットループの前記第１流路、前記折り返し部分、及び前記第２流路は、第２の温度制御ゾーンを画成し、
    前記第１の温度制御ゾーンと前記第２の温度制御ゾーンとが同心的となるように、前記第１の流体コンジットループが前記第２の流体コンジットループの半径方外方に配列されている、基板ペデスタルアッセンブリ。
  2. 上記コンジットループ間に配置されたインサートであって、上記ベースの熱伝導係数より低い熱伝導係数を有するインサートを更に備えた、請求項１に記載の基板ペデスタルアッセンブリ。
  3. 上記ベースは、更に、上記コンジットループの少なくとも１つへと延びる少なくとも１つのフィンを備えた、請求項１に記載の基板ペデスタルアッセンブリ。
  4. 上記ベースは、更に、
    上記ベースに形成されたチャンネルと、
    上記コンジットループの１つを画成するように上記チャンネルにシール式に配置されたキャップと、を備えた請求項１に記載の基板ペデスタルアッセンブリ。
  5. 上記チャンネルは、更に、上記キャップ又は上記ベースの少なくとも１つから、上記チャンネルにより画成されたスペースへと延びる少なくとも１つのフィンを備えた、請求項４に記載の基板ペデスタルアッセンブリ。
  6. 上記静電チャックと上記ベースとの間に形成された少なくとも１つのガスチャンネルを更に備えた、請求項１に記載の基板ペデスタルアッセンブリ。
  7. 熱伝導率の異なる少なくとも２つの領域を有する材料が上記静電チャックと上記ベースとの間に更に配置された、請求項１に記載の基板ペデスタルアッセンブリ。
  8. セラミックの静電チャックと、
    上記セラミックの静電チャックに配置されたチャック電極と、
    上記静電チャックの底面に結合された金属性ベースと、
    上記静電チャック又は上記金属性ベースの少なくとも１つに配置されたヒータと、
    上記金属性ベースに形成された第１の流体コンジットループと、
    上記金属性ベースに形成され且つ上記第１の流体コンジットループの内方に横方向に離間された第２の流体コンジットループと、を備え、
    前記第１及び第２の流体コンジットループのそれぞれは、入口から折り返し部分にまで延びる第１流路と、前記折り返し部分から出口にまで延びており前記第１流路と並行するように形成された第２流路と、を有し、
    前記第１の流体コンジットループの前記第１流路、前記折り返し部分、及び前記第２流路は、第１の温度制御ゾーンを画成し、
    前記第２の流体コンジットループの前記第１流路、前記折り返し部分、及び前記第２流路は、第２の温度制御ゾーンを画成し、
    前記第１の温度制御ゾーンと前記第２の温度制御ゾーンとが同心的となるように、前記第１の流体コンジットループが前記第２の流体コンジットループの半径方外方に配列されている、基板ペデスタルアッセンブリ。
  9. 上記ベースより熱伝導係数が小さいインサートが上記第１と第２のコンジットループ間に配置される、請求項８に記載の基板ペデスタルアッセンブリ。
  10. 熱伝導率の異なる少なくとも２つの領域を有する接着材料が上記静電チャックと上記ベースとの間に更に配置された、請求項８に記載の基板ペデスタルアッセンブリ。
  11. チャンバー本体と、
    上記チャンバー本体に配置された金属性ベースと、
    上記金属性ベースに結合されたセラミックの静電チャックと、
    上記セラミックの静電チャックに配置されたチャック電極と、
    上記静電チャック又は上記金属性ベースの少なくとも１つに配置されたヒータと、
    上記金属性ベースに形成された第１の流体コンジットループと、
    上記金属性ベースに形成され且つ上記第１の流体コンジットループの内方に横方向に離間された第２の流体コンジットループと、を備え、
    前記第１及び第２の流体コンジットループのそれぞれは、入口から折り返し部分にまで延びる第１流路と、前記折り返し部分から出口にまで延びており前記第１流路と並行するように形成された第２流路と、を有し、
    前記第１の流体コンジットループの前記第１流路、前記折り返し部分、及び前記第２流路は、第１の温度制御ゾーンを画成し、
    前記第２の流体コンジットループの前記第１流路、前記折り返し部分、及び前記第２流路は、第２の温度制御ゾーンを画成し、
    前記第１の温度制御ゾーンと前記第２の温度制御ゾーンとが同心的となるように、前記第１の流体コンジットループが前記第２の流体コンジットループの半径方外方に配列されている、処理チャンバー。
  12. 上記ベースより熱伝導係数が小さいインサートが上記第１と第２のコンジットループ間に配置される、請求項１１に記載の処理チャンバー。
  13. 熱伝導率の異なる少なくとも２つの領域を有する接着材料が上記静電チャックと上記ベースとの間に更に配置された、請求項１１に記載の処理チャンバー。
JP2005295533A 2004-10-07 2005-10-07 基板ペデスタルアッセンブリ及び処理チャンバー Expired - Fee Related JP4481913B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/960,874 US7544251B2 (en) 2004-10-07 2004-10-07 Method and apparatus for controlling temperature of a substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006140455A JP2006140455A (ja) 2006-06-01
JP4481913B2 true JP4481913B2 (ja) 2010-06-16

Family

ID=36144104

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005295533A Expired - Fee Related JP4481913B2 (ja) 2004-10-07 2005-10-07 基板ペデスタルアッセンブリ及び処理チャンバー
JP2006009474U Expired - Fee Related JP3129419U (ja) 2004-10-07 2006-11-21 基板の温度を制御する装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006009474U Expired - Fee Related JP3129419U (ja) 2004-10-07 2006-11-21 基板の温度を制御する装置

Country Status (5)

Country Link
US (3) US7544251B2 (ja)
JP (2) JP4481913B2 (ja)
KR (2) KR100815539B1 (ja)
CN (2) CN1779938A (ja)
TW (2) TWI323018B (ja)

Families Citing this family (224)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7648914B2 (en) * 2004-10-07 2010-01-19 Applied Materials, Inc. Method for etching having a controlled distribution of process results
US7544251B2 (en) * 2004-10-07 2009-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
US7436645B2 (en) * 2004-10-07 2008-10-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
JP4869610B2 (ja) * 2005-03-17 2012-02-08 東京エレクトロン株式会社 基板保持部材及び基板処理装置
US7718007B2 (en) * 2005-03-17 2010-05-18 Tokyo Electron Limited Substrate supporting member and substrate processing apparatus
US8709162B2 (en) * 2005-08-16 2014-04-29 Applied Materials, Inc. Active cooling substrate support
US7988872B2 (en) * 2005-10-11 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Method of operating a capacitively coupled plasma reactor with dual temperature control loops
US8157951B2 (en) * 2005-10-11 2012-04-17 Applied Materials, Inc. Capacitively coupled plasma reactor having very agile wafer temperature control
US8034180B2 (en) * 2005-10-11 2011-10-11 Applied Materials, Inc. Method of cooling a wafer support at a uniform temperature in a capacitively coupled plasma reactor
US8092638B2 (en) * 2005-10-11 2012-01-10 Applied Materials Inc. Capacitively coupled plasma reactor having a cooled/heated wafer support with uniform temperature distribution
US8221580B2 (en) 2005-10-20 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with wafer backside thermal loop, two-phase internal pedestal thermal loop and a control processor governing both loops
US8603248B2 (en) * 2006-02-10 2013-12-10 Veeco Instruments Inc. System and method for varying wafer surface temperature via wafer-carrier temperature offset
US8226769B2 (en) * 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US8475625B2 (en) * 2006-05-03 2013-07-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching high aspect ratio features
US8440049B2 (en) * 2006-05-03 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching high aspect ratio features
JP5183058B2 (ja) * 2006-07-20 2013-04-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 急速温度勾配コントロールによる基板処理
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
JP4732978B2 (ja) * 2006-08-02 2011-07-27 東京ガスケミカル株式会社 サーモチャック装置およびサーモチャック装置の製造方法
US20080073032A1 (en) * 2006-08-10 2008-03-27 Akira Koshiishi Stage for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus
US20080038448A1 (en) * 2006-08-11 2008-02-14 Lam Research Corp. Chemical resistant semiconductor processing chamber bodies
US7501605B2 (en) * 2006-08-29 2009-03-10 Lam Research Corporation Method of tuning thermal conductivity of electrostatic chuck support assembly
US7901509B2 (en) * 2006-09-19 2011-03-08 Momentive Performance Materials Inc. Heating apparatus with enhanced thermal uniformity and method for making thereof
US7838800B2 (en) * 2006-09-25 2010-11-23 Tokyo Electron Limited Temperature controlled substrate holder having erosion resistant insulating layer for a substrate processing system
US7723648B2 (en) * 2006-09-25 2010-05-25 Tokyo Electron Limited Temperature controlled substrate holder with non-uniform insulation layer for a substrate processing system
US20080169183A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Plasma Source with Liner for Reducing Metal Contamination
US20080188011A1 (en) * 2007-01-26 2008-08-07 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method of temperature conrol during cleaving processes of thick film materials
US8123902B2 (en) 2007-03-21 2012-02-28 Applied Materials, Inc. Gas flow diffuser
KR100905258B1 (ko) * 2007-07-11 2009-06-29 세메스 주식회사 플레이트, 온도 조절 장치 및 이를 갖는 기판 처리 장치
JP5660753B2 (ja) 2007-07-13 2015-01-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ プラズマエッチング用高温カソード
JP5169097B2 (ja) * 2007-09-14 2013-03-27 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造装置および製造方法
US7649729B2 (en) * 2007-10-12 2010-01-19 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly
US7777160B2 (en) * 2007-12-17 2010-08-17 Momentive Performance Materials Inc. Electrode tuning method and apparatus for a layered heater structure
WO2009086013A2 (en) * 2007-12-21 2009-07-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
KR100960391B1 (ko) * 2007-12-26 2010-05-28 포항공과대학교 산학협력단 나노 디바이스의 제조 방법 및 그 제조 장치
KR20090071060A (ko) * 2007-12-27 2009-07-01 주성엔지니어링(주) 정전척 및 그를 포함하는 기판처리장치
US8066895B2 (en) * 2008-02-28 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Method to control uniformity using tri-zone showerhead
KR100916186B1 (ko) * 2008-05-14 2009-09-08 주식회사 템네스트 온도균일화 수단이 내장되어 있는 정전척
JP5324251B2 (ja) * 2008-05-16 2013-10-23 キヤノンアネルバ株式会社 基板保持装置
KR101768983B1 (ko) * 2008-06-10 2017-08-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 광학 요소를 열적으로 컨디셔닝하는 방법 및 시스템
US8227768B2 (en) * 2008-06-25 2012-07-24 Axcelis Technologies, Inc. Low-inertia multi-axis multi-directional mechanically scanned ion implantation system
EP2562290A3 (en) * 2008-08-29 2016-10-19 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with varying thermal resistance
JP2010062195A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及び試料載置電極
JP5198226B2 (ja) * 2008-11-20 2013-05-15 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置
CN102308380B (zh) * 2009-02-04 2014-06-04 马特森技术有限公司 用于径向调整衬底的表面上的温度轮廓的静电夹具系统及方法
WO2010150590A1 (ja) * 2009-06-24 2010-12-29 キヤノンアネルバ株式会社 真空加熱冷却装置および磁気抵抗素子の製造方法
WO2011056433A2 (en) * 2009-11-03 2011-05-12 Applied Materials, Inc. Temperature control of a substrate during a plasma ion implantation process for patterned disc media applications
US8274017B2 (en) * 2009-12-18 2012-09-25 Applied Materials, Inc. Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control
WO2011082371A2 (en) * 2009-12-30 2011-07-07 Solexel, Inc. Mobile electrostatic carriers for thin wafer processing
KR101108337B1 (ko) * 2009-12-31 2012-01-25 주식회사 디엠에스 2단의 냉매 유로를 포함하는 정전척의 온도제어장치
US8916793B2 (en) * 2010-06-08 2014-12-23 Applied Materials, Inc. Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow
US9338871B2 (en) 2010-01-29 2016-05-10 Applied Materials, Inc. Feedforward temperature control for plasma processing apparatus
JP2011181677A (ja) * 2010-03-01 2011-09-15 Tokyo Electron Ltd フォーカスリング及び基板載置システム
JP5675138B2 (ja) * 2010-03-25 2015-02-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8880227B2 (en) 2010-05-27 2014-11-04 Applied Materials, Inc. Component temperature control by coolant flow control and heater duty cycle control
KR101636764B1 (ko) * 2010-05-31 2016-07-06 주식회사 미코 정전척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP5618638B2 (ja) * 2010-06-07 2014-11-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置または試料載置台
US8608852B2 (en) * 2010-06-11 2013-12-17 Applied Materials, Inc. Temperature controlled plasma processing chamber component with zone dependent thermal efficiencies
US8591755B2 (en) * 2010-09-15 2013-11-26 Lam Research Corporation Methods for controlling plasma constituent flux and deposition during semiconductor fabrication and apparatus for implementing the same
US8822876B2 (en) * 2010-10-15 2014-09-02 Applied Materials, Inc. Multi-zoned plasma processing electrostatic chuck with improved temperature uniformity
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US20120196242A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with heater and rapid temperature change
JP5982758B2 (ja) 2011-02-23 2016-08-31 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波照射装置
JP5882614B2 (ja) * 2011-06-29 2016-03-09 株式会社日本セラテック セラミックスヒータ
KR101240538B1 (ko) * 2011-08-17 2013-03-11 주성엔지니어링(주) 기판 온도조절장치, 이를 포함하는 증착장치, 및 이를 이용한 태양전지 제조방법
EP2752083A1 (en) * 2011-08-30 2014-07-09 Watlow Electric Manufacturing Company System and method for controlling a thermal array
US10274270B2 (en) 2011-10-27 2019-04-30 Applied Materials, Inc. Dual zone common catch heat exchanger/chiller
CN103165377B (zh) * 2011-12-12 2016-02-03 中国科学院微电子研究所 一种等离子体浸没注入电极结构
JP5973731B2 (ja) 2012-01-13 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法
US10316412B2 (en) 2012-04-18 2019-06-11 Veeco Instruments Inc. Wafter carrier for chemical vapor deposition systems
US20130284372A1 (en) * 2012-04-25 2013-10-31 Hamid Tavassoli Esc cooling base for large diameter subsrates
US9089007B2 (en) 2012-04-27 2015-07-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for substrate support with multi-zone heating
US9267739B2 (en) * 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
JP5996340B2 (ja) * 2012-09-07 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置
WO2014046840A1 (en) * 2012-09-19 2014-03-27 Applied Materials, Inc. Methods for bonding substrates
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
JP5992388B2 (ja) * 2012-12-03 2016-09-14 日本碍子株式会社 セラミックヒーター
US9916998B2 (en) 2012-12-04 2018-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having a plasma resistant protective layer
US9685356B2 (en) 2012-12-11 2017-06-20 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having metal bonded protective layer
US9358702B2 (en) 2013-01-18 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Temperature management of aluminium nitride electrostatic chuck
CH707480B1 (de) * 2013-01-21 2016-08-31 Besi Switzerland Ag Bondkopf mit einem heiz- und kühlbaren Saugorgan.
US20140209242A1 (en) * 2013-01-25 2014-07-31 Applied Materials, Inc. Substrate processing chamber components incorporating anisotropic materials
US8970114B2 (en) 2013-02-01 2015-03-03 Lam Research Corporation Temperature controlled window of a plasma processing chamber component
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9669653B2 (en) 2013-03-14 2017-06-06 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck refurbishment
US10167571B2 (en) 2013-03-15 2019-01-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems
US9668373B2 (en) * 2013-03-15 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Substrate support chuck cooling for deposition chamber
US10209016B2 (en) 2013-03-22 2019-02-19 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Thermal energy guiding systems including anisotropic thermal guiding coatings and methods for fabricating the same
US9887121B2 (en) 2013-04-26 2018-02-06 Applied Materials, Inc. Protective cover for electrostatic chuck
US9666466B2 (en) * 2013-05-07 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having thermally isolated zones with minimal crosstalk
JP6239894B2 (ja) * 2013-08-07 2017-11-29 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
JP6196095B2 (ja) * 2013-08-07 2017-09-13 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
WO2015042302A1 (en) * 2013-09-20 2015-03-26 Applied Materials, Inc. Substrate carrier with integrated electrostatic chuck
TW201518538A (zh) 2013-11-11 2015-05-16 Applied Materials Inc 像素化冷卻溫度控制的基板支撐組件
CN103594312A (zh) * 2013-11-13 2014-02-19 上海华力微电子有限公司 点状高电流离子注入机
CN103762145B (zh) * 2013-12-23 2016-03-09 中国电子科技集团公司第四十八研究所 旋转盘高温靶室系统
EP3100298B1 (en) 2014-01-27 2020-07-15 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems
US10153191B2 (en) 2014-05-09 2018-12-11 Applied Materials, Inc. Substrate carrier system and method for using the same
US20150332942A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Eng Sheng Peh Pedestal fluid-based thermal control
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US11302520B2 (en) * 2014-06-28 2022-04-12 Applied Materials, Inc. Chamber apparatus for chemical etching of dielectric materials
US9786539B2 (en) * 2014-07-16 2017-10-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Wafer chuck
US10431435B2 (en) * 2014-08-01 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Wafer carrier with independent isolated heater zones
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
JP6278277B2 (ja) * 2015-01-09 2018-02-14 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
JP6655310B2 (ja) * 2015-07-09 2020-02-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
TWI808334B (zh) * 2015-08-06 2023-07-11 美商應用材料股份有限公司 工件握持器
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US20170051402A1 (en) * 2015-08-17 2017-02-23 Asm Ip Holding B.V. Susceptor and substrate processing apparatus
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10154542B2 (en) * 2015-10-19 2018-12-11 Watlow Electric Manufacturing Company Composite device with cylindrical anisotropic thermal conductivity
US10020218B2 (en) 2015-11-17 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly with deposited surface features
US10499461B2 (en) * 2015-12-21 2019-12-03 Intel Corporation Thermal head with a thermal barrier for integrated circuit die processing
JP6633931B2 (ja) * 2016-02-10 2020-01-22 日本特殊陶業株式会社 保持装置および保持装置の製造方法
JP6639940B2 (ja) * 2016-02-17 2020-02-05 日本特殊陶業株式会社 保持装置および保持装置の製造方法
US10648080B2 (en) * 2016-05-06 2020-05-12 Applied Materials, Inc. Full-area counter-flow heat exchange substrate support
WO2017195672A1 (ja) * 2016-05-09 2017-11-16 株式会社 アルバック 静電チャック、および、プラズマ処理装置
WO2017195893A1 (ja) * 2016-05-13 2017-11-16 Toto株式会社 静電チャック
JP6183567B1 (ja) * 2016-05-13 2017-08-23 Toto株式会社 静電チャック
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
CN106091470A (zh) * 2016-06-21 2016-11-09 上海工程技术大学 一种制冷设备及其制冷方法
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
DE102017200588A1 (de) * 2017-01-16 2018-07-19 Ers Electronic Gmbh Vorrichtung zum Temperieren eines Substrats und entsprechendes Herstellungsverfahren
US20180213608A1 (en) * 2017-01-20 2018-07-26 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with radio frequency isolated heaters
JP6982394B2 (ja) * 2017-02-02 2021-12-17 東京エレクトロン株式会社 被加工物の処理装置、及び載置台
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11043401B2 (en) * 2017-04-19 2021-06-22 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Ceramic member
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
JP6924618B2 (ja) * 2017-05-30 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 静電チャック及びプラズマ処理装置
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
KR20200019235A (ko) * 2017-06-23 2020-02-21 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 고온 가열판 받침대
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
CN109213086B (zh) * 2017-06-29 2020-10-23 台湾积体电路制造股份有限公司 制程系统与制程方法
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10424487B2 (en) 2017-10-24 2019-09-24 Applied Materials, Inc. Atomic layer etching processes
DE112018005933B4 (de) 2017-11-21 2021-11-18 Watlow Electric Manufacturing Company Keramiksockelanordnung und Verfahren zur Bildung einer Keramiksockelanordnung
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
CN109962030B (zh) * 2017-12-22 2022-03-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种静电吸盘
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US11232966B2 (en) * 2018-02-01 2022-01-25 Lam Research Corporation Electrostatic chucking pedestal with substrate backside purging and thermal sinking
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US11848177B2 (en) * 2018-02-23 2023-12-19 Lam Research Corporation Multi-plate electrostatic chucks with ceramic baseplates
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US11133212B2 (en) * 2018-05-16 2021-09-28 Applied Materials, Inc. High temperature electrostatic chuck
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11133211B2 (en) * 2018-08-22 2021-09-28 Lam Research Corporation Ceramic baseplate with channels having non-square corners
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
JP7262194B2 (ja) 2018-09-18 2023-04-21 東京エレクトロン株式会社 載置台及び基板処理装置
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
JP7203585B2 (ja) * 2018-12-06 2023-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板支持器、基板処理装置、基板処理システム、及び基板支持器における接着剤の浸食を検出する方法
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
KR20210117338A (ko) 2019-02-12 2021-09-28 램 리써치 코포레이션 세라믹 모놀리식 바디를 갖는 정전 척
US20220181126A1 (en) * 2019-03-14 2022-06-09 Lam Research Corporation Lamellar ceramic structure
CN110289241B (zh) * 2019-07-04 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 静电卡盘及其制作方法、工艺腔室和半导体处理设备
JP7394556B2 (ja) * 2019-08-09 2023-12-08 東京エレクトロン株式会社 載置台及び基板処理装置
US11610792B2 (en) * 2019-08-16 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Heated substrate support with thermal baffles
US11515190B2 (en) * 2019-08-27 2022-11-29 Watlow Electric Manufacturing Company Thermal diffuser for a semiconductor wafer holder
JP7316179B2 (ja) * 2019-10-04 2023-07-27 東京エレクトロン株式会社 基板支持台、及びプラズマ処理装置
JP7304799B2 (ja) * 2019-11-28 2023-07-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および配管アセンブリ
KR102372810B1 (ko) * 2020-03-27 2022-03-11 주식회사 케이에스티이 정전척
KR102615216B1 (ko) * 2020-05-15 2023-12-15 세메스 주식회사 정전 척, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11699602B2 (en) * 2020-07-07 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Substrate support assemblies and components
KR102607844B1 (ko) * 2020-07-10 2023-11-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 지지 유닛
CN112144033B (zh) * 2020-09-09 2022-12-09 北京北方华创微电子装备有限公司 基座组件及半导体加工设备
CN114388323A (zh) * 2020-10-20 2022-04-22 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种静电夹盘及其等离子体处理装置
JP2023003003A (ja) * 2021-06-23 2023-01-11 東京エレクトロン株式会社 基板支持部及び基板処理装置
CN114975178B (zh) * 2022-05-18 2024-04-05 江苏微导纳米科技股份有限公司 温度控制组件、半导体处理腔室及半导体处理设备
CN117127154B (zh) * 2023-10-16 2024-08-06 粤芯半导体技术股份有限公司 一种半导体器件中的互连金属的沉积方法

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5427670A (en) * 1992-12-10 1995-06-27 U.S. Philips Corporation Device for the treatment of substrates at low temperature
US6052271A (en) * 1994-01-13 2000-04-18 Rohm Co., Ltd. Ferroelectric capacitor including an iridium oxide layer in the lower electrode
US5673647A (en) 1994-10-31 1997-10-07 Micro Chemical, Inc. Cattle management method and system
JP3537544B2 (ja) 1995-06-22 2004-06-14 大日本スクリーン製造株式会社 グラビア彫刻システム
JPH0917770A (ja) * 1995-06-28 1997-01-17 Sony Corp プラズマ処理方法およびこれに用いるプラズマ装置
TW286414B (en) 1995-07-10 1996-09-21 Watkins Johnson Co Electrostatic chuck assembly
US5609720A (en) * 1995-09-29 1997-03-11 Lam Research Corporation Thermal control of semiconductor wafer during reactive ion etching
JPH09256153A (ja) 1996-03-15 1997-09-30 Anelva Corp 基板処理装置
US5846375A (en) * 1996-09-26 1998-12-08 Micron Technology, Inc. Area specific temperature control for electrode plates and chucks used in semiconductor processing equipment
JP3979694B2 (ja) * 1997-01-22 2007-09-19 株式会社巴川製紙所 静電チャック装置およびその製造方法
US6035101A (en) 1997-02-12 2000-03-07 Applied Materials, Inc. High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods
US6482747B1 (en) 1997-12-26 2002-11-19 Hitachi, Ltd. Plasma treatment method and plasma treatment apparatus
US6256187B1 (en) 1998-08-03 2001-07-03 Tomoegawa Paper Co., Ltd. Electrostatic chuck device
JP4040814B2 (ja) * 1998-11-30 2008-01-30 株式会社小松製作所 円盤状ヒータ及び温度制御装置
US6290825B1 (en) * 1999-02-12 2001-09-18 Applied Materials, Inc. High-density plasma source for ionized metal deposition
TW582050B (en) 1999-03-03 2004-04-01 Ebara Corp Apparatus and method for processing substrate
US6310755B1 (en) 1999-05-07 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having gas cavity and method
JP3805134B2 (ja) 1999-05-25 2006-08-02 東陶機器株式会社 絶縁性基板吸着用静電チャック
US20030155079A1 (en) 1999-11-15 2003-08-21 Andrew D. Bailey Plasma processing system with dynamic gas distribution control
JP3723398B2 (ja) 2000-01-28 2005-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR20010111058A (ko) * 2000-06-09 2001-12-15 조셉 제이. 스위니 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법
JP4697833B2 (ja) 2000-06-14 2011-06-08 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着機構及び表面処理装置
JP2002009064A (ja) 2000-06-21 2002-01-11 Hitachi Ltd 試料の処理装置及び試料の処理方法
JP4753460B2 (ja) 2000-08-16 2011-08-24 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック及びその製造方法
US6606234B1 (en) 2000-09-05 2003-08-12 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Electrostatic chuck and method for forming an electrostatic chuck having porous regions for fluid flow
KR100378187B1 (ko) 2000-11-09 2003-03-29 삼성전자주식회사 정전척을 구비한 웨이퍼 지지대 및 이를 이용한 웨이퍼 디척킹 방법
KR100434487B1 (ko) * 2001-01-17 2004-06-05 삼성전자주식회사 샤워 헤드 및 이를 포함하는 박막 형성 장비
JP2002270680A (ja) * 2001-02-28 2002-09-20 Applied Materials Inc 基板支持方法及び基板支持装置
JP4003540B2 (ja) 2001-05-30 2007-11-07 ヤマハ株式会社 基板処理方法と装置
KR20030000768A (ko) * 2001-06-27 2003-01-06 삼성전자 주식회사 새도우 링이 부착된 정전척
US7199328B2 (en) 2001-08-29 2007-04-03 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for plasma processing
US20030089457A1 (en) 2001-11-13 2003-05-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling a thermal conductivity profile for a pedestal in a semiconductor wafer processing chamber
JP2003243490A (ja) 2002-02-18 2003-08-29 Hitachi High-Technologies Corp ウエハ処理装置とウエハステージ及びウエハ処理方法
US6664738B2 (en) 2002-02-27 2003-12-16 Hitachi, Ltd. Plasma processing apparatus
US6677167B2 (en) 2002-03-04 2004-01-13 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer processing apparatus and a wafer stage and a wafer processing method
KR100455430B1 (ko) * 2002-03-29 2004-11-06 주식회사 엘지이아이 열교환기 표면처리장비의 냉각장치 및 그 제조방법
JP3639268B2 (ja) 2002-06-14 2005-04-20 株式会社日立製作所 エッチング処理方法
JP4218822B2 (ja) 2002-07-19 2009-02-04 東京エレクトロン株式会社 真空断熱層を有する載置機構
CN2585414Y (zh) 2002-11-08 2003-11-05 冯自平 具有温度均衡通道的散热器
US7347901B2 (en) 2002-11-29 2008-03-25 Tokyo Electron Limited Thermally zoned substrate holder assembly
US7029536B2 (en) 2003-03-17 2006-04-18 Tokyo Electron Limited Processing system and method for treating a substrate
US20040187787A1 (en) 2003-03-31 2004-09-30 Dawson Keith E. Substrate support having temperature controlled substrate support surface
US7221553B2 (en) 2003-04-22 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Substrate support having heat transfer system
US20050042881A1 (en) * 2003-05-12 2005-02-24 Tokyo Electron Limited Processing apparatus
CN100365795C (zh) 2003-06-17 2008-01-30 创意科技股份有限公司 双极型静电卡盘
US7993460B2 (en) 2003-06-30 2011-08-09 Lam Research Corporation Substrate support having dynamic temperature control
GB0320469D0 (en) * 2003-09-01 2003-10-01 Nokia Corp A method of controlling connection admission
US20060027169A1 (en) 2004-08-06 2006-02-09 Tokyo Electron Limited Method and system for substrate temperature profile control
US7544251B2 (en) * 2004-10-07 2009-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
US7436645B2 (en) 2004-10-07 2008-10-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
US7886687B2 (en) * 2004-12-23 2011-02-15 Advanced Display Process Engineering Co. Ltd. Plasma processing apparatus
EP1748331B1 (fr) * 2005-07-29 2010-10-06 ETA SA Manufacture Horlogère Suisse Montre électronique de plongée comportant un affichage analogique redondant de la profondeur instantanée
US8226769B2 (en) * 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones

Also Published As

Publication number Publication date
US8075729B2 (en) 2011-12-13
US20060076109A1 (en) 2006-04-13
US20070102118A1 (en) 2007-05-10
US7544251B2 (en) 2009-06-09
TWM314913U (en) 2007-07-01
JP3129419U (ja) 2007-02-22
CN1945807A (zh) 2007-04-11
US20060076108A1 (en) 2006-04-13
CN1945807B (zh) 2012-11-28
JP2006140455A (ja) 2006-06-01
CN1779938A (zh) 2006-05-31
KR100815539B1 (ko) 2008-03-20
KR101045730B1 (ko) 2011-06-30
TWI323018B (en) 2010-04-01
KR20060121773A (ko) 2006-11-29
TW200616139A (en) 2006-05-16
KR20060052119A (ko) 2006-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4481913B2 (ja) 基板ペデスタルアッセンブリ及び処理チャンバー
US7436645B2 (en) Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
JP7169319B2 (ja) ガス孔に開口縮小プラグを有する大電力静電チャック
US10879053B2 (en) Temperature controlled substrate support assembly
TWI780597B (zh) 具有獨立隔離的加熱器區域的晶圓載體
US9681497B2 (en) Multi zone heating and cooling ESC for plasma process chamber
CN107431032B (zh) 用于减少基板处理夹盘冷凝的气流
KR20040028989A (ko) 반도체 처리 반응기를 위한 샤워헤드 전극 구조
KR20070061884A (ko) 개선된 반도체 프로세싱 균일성을 위한 열 전송 시스템
TW201448109A (zh) 具有多個獨立邊緣區域的多區域加熱之靜電吸座
US20200013595A1 (en) Electrostatic chuck and plasma processing apparatus including the same
JP2003243492A (ja) ウエハ処理装置とウエハステージ及びウエハ処理方法
US6508062B2 (en) Thermal exchanger for a wafer chuck
US20230075462A1 (en) Electrostatic edge ring mounting system for substrate processing
KR20070000225U (ko) 기판의 온도를 제어하기 위한 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090707

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100309

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100318

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4481913

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees