JP4462743B2 - パワーオンリセット回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明はパワーオンリセット回路に関し、特に、半導体装置に内蔵され、電源投入時に半導体装置をリセットするためのリセット信号を生成するパワーオンリセット回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体集積回路装置(たとえばDRAM、SRAM)には、外部電源電圧VDDの投入時に内部回路をリセットするためのパワーオンリセット回路(以下、POR回路と称す)が設けられている。
【0003】
POR回路の出力信号POR♯は、外部電源電圧VDDが0Vから所定の電圧Vresになるまでは「L」レベルであり、外部電源電圧VDDがVresを越えると「H」レベルになる。電圧Vresは、製品が正常に動作する電源電圧の保証範囲よりも低く設定される。たとえば製品が3.3V品であれば、電源電圧の保証範囲は通常3.0〜3.6Vであるので、Vresは2.5V程度に設定される。電源電圧VDDがVres以下で信号POR♯が「L」レベルの期間に、半導体集積回路装置の内部回路、具体的にはメモリデバイスの冗長回路、各種レジスタあるいは各種ステートマシンの初期化が行なわれる。
【0004】
一方、半導体集積回路装置においては、MOSトランジスタの微細化に伴って電源電圧もスケーリングされ、当初は5Vであった電源電圧が3.3Vあるいは2.5Vにスケーリングされ、さらには1.8Vあるいは1.5Vにスケーリングされつつある。これに伴い、POR回路のVresもスケーリングされている。
【0005】
図9は、そのようなPOR回路30の構成を示す回路図である。このようなPOR回路30は、たとえば米国特許5,703,510号に開示されている。
【0006】
図9において、このPOR回路30は、PチャネルMOSトランジスタ31、NチャネルMOSトランジスタ32、キャパシタ33,34、およびCMOSインバータ35〜37を含む。PチャネルMOSトランジスタ31は、電源電位VDDのラインとノードN1との間に接続され、そのゲートはノードN1に接続されている。PチャネルMOSトランジスタ31は、ダイオード素子を構成する。NチャネルMOSトランジスタ32は、ノードN1と接地電位GNDのラインとの間に接続され、そのゲートは電源電位VDDのラインに接続される。NチャネルMOSトランジスタ32は、高い抵抗値を有する抵抗素子を構成する。キャパシタ33は、ノードN1と接地電位GNDのラインとの間に接続される。
【0007】
インバータ35は、PチャネルMOSトランジスタ38およびNチャネルMOSトランジスタ39を含む。PチャネルMOSトランジスタ38は、電源電位VDDのラインとノードN2との間に接続され、そのゲートはノードN1に接続される。NチャネルMOSトランジスタ39は、ノードN2と接地電位GNDのラインとの間に接続され、そのゲートはノードN1に接続される。
【0008】
インバータ36は、PチャネルMOSトランジスタ40およびNチャネルMOSトランジスタ41を含む。PチャネルMOSトランジスタ40は、電源電位VDDのラインとノードN1との間に接続され、そのゲートはノードN2に接続される。NチャネルMOSトランジスタ41は、ノードN1と接地電位GNDのラインとの間に接続され、そのゲートはノードN2に接続される。インバータ35と36は、ラッチ回路を構成する。
【0009】
キャパシタ34は、電源電位VDDのラインとノードN2との間に接続される。ノードN2は、インバータ37の入力ノードに接続される。インバータ37の出力信号が信号POR♯となる。
【0010】
ここで、このPOR回路30のVresについて説明する。このPOR回路30では、上記米国特許5,703,510号のPOR回路よりも低いVresを得るため、電源電位VDDのラインとノードN1との間に接続されるダイオード素子(PチャネルMOSトランジスタ31)を2段から1段に減らすとともに、インバータ35のしきい値電圧VTCをNチャネルMOSトランジスタ39のしきい値電圧VTNまで下げている。
【0011】
すなわち、CMOSインバータ35のしきい値電圧VTCは、次式で表わされる。
【0012】
【数1】
【0013】
但し、VTPはPチャネルMOSトランジスタ38のしきい値電圧であり、βRはNチャネルMOSトランジスタ39のβNとPチャネルMOSトランジスタ38のβPの比βN/βPである。また、βNはNチャネルMOSトランジスタ39のゲート幅WNとゲート長LNの比WN/LN、βPはPチャネルMOSトランジスタ38のゲート幅WPとゲート長LPの比WP/LPである。したがって、βN=WN/LNおよびβP=WP/LPを調整することにより、βR=βN/βPを1よりも十分に大きくすることができ、VTC≒VTNとすることができる。
【0014】
一方、ノードN1が「L」レベルのとき、インバータ36のPチャネルMOSトランジスタ40が非導通になり、NチャネルMOSトランジスタ41は導通している。NチャネルMOSトランジスタ41のβNを十分に小さくしておくと、ノードN1の電位V1は、V1≒VDD−VTPとなる。但し、VTPは、PチャネルMOSトランジスタ41のしきい値電圧である。
【0015】
ノードN1の電位V1がインバータ35のしきい値電位VTNを越えると、ノードN1の電位V1が「L」レベルから「H」レベルに反転する。したがって、ノードN1の電位V1が「L」レベルから「H」レベルに反転するときの電源電圧VDDであるVresは、Vres=VTN+VTPとなる。
【0016】
図10は、図9で示したPOR回路30の動作を示すタイムチャートである。図10において、初期状態では、ノードN1は、高抵抗の抵抗素子(NチャネルMOSトランジスタ32)を介して接地されているので、接地電位GNDとなっている。ある時刻t0に外部電源電位VDDが投入され、電源電位VDDは1.8Vまで時間に比例して上昇するものとする。電源電位VDDが上昇してVDD>VTPになると、ダイオード素子(NチャネルMOSトランジスタ31)がオンしてノードN1の電位V1はV1=VDD−VTPとなる。
【0017】
時刻t1においてノードN1の電位V1=VDD−VTPがインバータ35のしきい値電位VTNを越えると、インバータ35の出力レベルが「H」レベルから「L」レベルに反転してインバータ36の出力レベルが「L」レベルから「H」レベルに反転し、ノードN1の電位V1がVDD−VTPからVDDに立上がる。このときの電源電圧VDDがVresであり、このPOR回路30ではVres=VTN+VTPである。したがって、信号POR♯は、時刻t0〜t1では「L」レベルであり、時刻t1で「H」レベルに立上がる。この後で電源電圧VDDがVTNよりも高い範囲で変動してもV1=VDDとなり、信号POR♯は「H」レベルのまま変化しない(時刻t1〜t7)。電源電圧VDDが低下してVTNよりも低くなると(時刻t8)、MOSトランジスタ31,38,39,40,41が非導通になり、キャパシタ33に蓄積されていた電荷が高抵抗の抵抗素子(NチャネルMOSトランジスタ32)を介して放電され、POR回路30は初期状態に戻る。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体集積回路装置の電源電圧VDDがスケーリングされて下げられると、それに伴ってMOSトランジスタのしきい値電圧も下げられるべきであるが、実際には、リーク電流を抑えて低消費電力化を図るため、MOSトランジスタのしきい値電圧はスケーリングされない。すなわち5V品および3V品ではMOSトランジスタのしきい値電圧は0.8Vであったが、1.8V品および1.5V品でもMOSトランジスタのしきい値電圧は0.8Vのまま維持されている。したがって、図9のPOR回路30のVresは、Vres=VTN+VTP=0.8+0.8=1.6Vとなる。
【0019】
しかし、1.8V品の電源電圧の保証範囲は1.62〜1.98Vであり、Vres=1.6Vではマージンが小さすぎる。また、1.5V品には、図9のPOR回路30は使用できない。
【0020】
それゆえに、この発明の主たる目的は、低消費電力で低電源電圧の半導体装置でも使用可能なパワーオンリセット回路を提供することである。
【0021】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るパワーオンリセット回路は、半導体装置に内蔵され、電源投入時に半導体装置をリセットするためのリセット信号を生成するパワーオンリセット回路であって、電源電位および基準電位が与えられたことに応じてリセット信号を活性化レベルにし、その入力ノードの電位が予め定められたしきい値電位を越えたことに応じてリセット信号を非活性化レベルにするインバータと、その一方電極が電源電位を受け、その他方電極がインバータの入力ノードに接続された第1の抵抗素子と、その第1の電極が基準電位を受け、その第2の電極がインバータの入力ノードに接続され、リセット信号が活性化レベルにされたことに応じて導通する第1の導電形式の第1のトランジスタとを備えたものである。
【0022】
好ましくは、第1の抵抗素子は、その第1の電極が電源電位を受け、その他方電極がインバータの入力ノードに接続され、その入力電極が基準電位を受ける第2の導電形式の第2のトランジスタを含む。
【0023】
また好ましくは、インバータは、その第1の電極が電源電位を受け、その第2の電極がインバータの出力ノードに接続され、その入力電極がインバータの入力ノードに接続された第2の導電形式の第3のトランジスタと、その第1の電極が基準電位を受け、その第2の電極が出力ノードに接続され、その入力電極が入力ノードに接続された第1の導電形式の第4のトランジスタとを含み、予め定められたしきい値電位は、第4のトランジスタのしきい値電位に略等しくされている。
【0024】
また好ましくは、その一方電極が基準電位を受け、その他方電極がインバータの入力ノードに接続された第1のキャパシタと、その一方電極が電源電位を受け、その他方電極がインバータの出力ノードに接続された第2のキャパシタとがさらに設けられる。
【0025】
また好ましくは、第1のキャパシタは、その第1および第2の電極がともに基準電位を受け、その入力電極がインバータの入力ノードに接続された第1の導電形式の第5のトランジスタを含み、第2のキャパシタは、その第1および第2の電極がともに電源電位を受け、その入力電極がインバータの出力ノードに接続された第2の導電形式の第6のトランジスタを含む。
【0026】
また好ましくは、その第1の電極および入力電極がともに基準電位を受け、その第2の電極がインバータの入力ノードに接続された第1の導電形式の第7のトランジスタと、その第1の電極および入力電極がともに電源電位を受け、その第2の電極がインバータの出力ノードに接続された第2の導電形式の第8のトランジスタとがさらに設けられる。
【0027】
また好ましくは、その一方電極が基準電位を受け、その他方電極がインバータの入力ノードに接続された第2の抵抗素子がさらに設けられる。
【0028】
また好ましくは、第2の抵抗素子は、その第1の電極が基準電位を受け、その第2の電極がインバータの入力ノードに接続され、その入力電極が電源電位を受ける第1の導電形式の第9のトランジスタを含む。
【0029】
また好ましくは、その第1の電極が電源電位を受け、その第2の電極がインバータの入力ノードに接続された第1の導電形式の第10のトランジスタと、その一方電極が電源電位を受け、その他方電極が第10のトランジスタの入力電極に接続された第3の抵抗素子と、その一方電極が基準電位を受け、その他方電極が第10のトランジスタの入力電極に接続された第3のキャパシタとがさらに設けられる。
【0030】
また好ましくは、第3の抵抗素子は、その第1の電極が電源電位を受け、その第2の電極がインバータの入力ノードに接続され、その入力電極が基準電位を受ける第2の導電形式の第11のトランジスタを含む。
【0031】
また好ましくは、電源電位のラインとインバータの入力ノードとの間に第1の抵抗素子と直列接続され、第1の抵抗素子の抵抗値よりも十分に大きな抵抗値を有する第4の抵抗素子と、基準電位のラインとインバータの入力ノードとの間に第1のトランジスタと直列接続され、第1のトランジスタの導通抵抗値よりも十分に大きな抵抗値を有する第5の抵抗素子とがさらに設けられる。
【0032】
また好ましくは、第4および第5の抵抗素子は、同一材質で形成されて同一幅を有し、各々の抵抗値は各々の長さで設定されている。
【0033】
また好ましくは、第4および第5の抵抗素子の各々は、拡散抵抗層で形成されている。
【0034】
また好ましくは、第4および第5の抵抗素子の各々は、ポリシリコン層で形成されている。
【0035】
【発明の実施の形態】
図1は、この発明の一実施の形態によるPOR回路1の構成を示す回路図であって、図9と対比される図である。
【0036】
図1において、このPOR回路1が図9のPOR回路30と異なる点は、PチャネルMOSトランジスタ31がPチャネルMOSトランジスタ2で置換され、インバータ36がNチャネルMOSトランジスタ3で置換されている点である。PチャネルMOSトランジスタ2は、電源電位VDDのラインとノードN1との間に接続され、そのゲートは接地されている。PチャネルMOSトランジスタ2は、抵抗素子を構成する。NチャネルMOSトランジスタ3は、ノードN1と接地電位GNDのラインとの間に接続され、そのゲートはノードN2に接続されている。
【0037】
ここで、このPOR回路1のVresについて説明する。インバータ35のしきい値電圧VTCはNチャネルMOSトランジスタ39のしきい値電圧VTN=0.8Vとなっている。したがって、ノードN1の電位V1がVTNよりも低い場合は、ノードN2が「H」レベルとなり、NチャネルMOSトランジスタ3が導通する。また、PチャネルMOSトランジスタ2は、そのゲートが接地されているので、導通している。このため、ノードN1の電位V1は、電源電圧VDDをPチャネルMOSトランジスタ2とNチャネルMOSトランジスタ3で分圧した電位となる。すなわちPチャネルMOSトランジスタ2の導通抵抗値をR2とし、NチャネルMOSトランジスタ3の導通抵抗値をR3とすると、ノードN1の電位V1は、V1=VDD・R3/(R2+R3)となる。
【0038】
ノードN1の電位V1がインバータ35のしきい値電位VTNを越えると、ノードN1の電位V1が「L」レベルから「H」レベルに反転する。したがって、ノードN1の電位V1が「L」レベルから「H」レベルに反転するときの電源電圧VDDであるVresは、Vres=VTN(R2+R3)/R3となる。たとえば、R2:R3=2:3とすると、Vres=0.8×5/3=1.33Vとなる。この値は、図9のPOR回路30のVres=1.6Vよりも低くなっている。このPOR回路1は、1.8V品および1.5V品で使用可能である。
【0039】
図2は、図1で示したPOR回路1の動作を示すタイムチャートであって、図10と対比される図である。
【0040】
図2において、初期状態では、ノードN1は高抵抗の抵抗素子(NチャネルMOSトランジスタ32)を介して接地されているので、接地電位GNDとなっている。ある時刻t0において外部電源電位VDDが投入され、電源電位VDDは1.8Vまで時間に比例して上昇するものとする。
【0041】
ノードN1の電位V1がインバータ35のしきい値電位VTNよりも低い期間は、ノードN2が「H」レベルになってNチャネルMOSトランジスタ3が導通し、ノードN1の電位V1は電源電位VDDをPチャネルMOSトランジスタ2とNチャネルMOSトランジスタ3で分圧した値3VDD/5になる(時刻t0〜t1)。
【0042】
時刻t1においてノードN1の電位V1=3VDD/5がインバータ35のしきい値電位VTNを越えると、インバータ35の出力レベルが「H」レベルから「L」レベルに反転してNチャネルMOSトランジスタ3が非導通になり、ノードN1の電位V1が3VDD/5=VTNからVDDに立上がる。このときの電源電圧VDDがVresであり、このPOR回路1ではVres=1.33Vである。したがって、信号POR♯は、時刻t0〜t1では「L」レベルであり、時刻t1で「H」レベルに立上がる。
【0043】
この後、電源電圧VDDがVTNよりも高い範囲で変動してもV1=VDDとなり、信号POR♯は「H」レベルのまま変化しない(時刻t1〜t7)。電源電圧VDDが低下してVTNよりも低くなると(時刻t8)、MOSトランジスタ2,3,38,39が非導通になり、キャパシタ33に蓄積されていた電荷が高抵抗の抵抗素子(NチャネルMOSトランジスタ32)を介して放電され、POR回路1は初期状態に戻る。
【0044】
以下、この実施の形態の種々の変更例について説明する。図3の変更例では、図1のPOR回路1のNチャネルMOSトランジスタ32およびキャパシタ33,34がそれぞれ抵抗素子4、NチャネルMOSトランジスタ5およびPチャネルMOSトランジスタ6で置換される。抵抗素子4は、高い抵抗値を有し、電源電位VDDを0Vに下げたときにノードN1の電位V1を0Vにするために設けられている。抵抗素子4は、拡散抵抗層、ポリシリコン層などで形成される。NチャネルMOSトランジスタ5のゲートはノードN1に接続され、そのソースおよびドレインは接地電位GNDのラインに接続される。PチャネルMOSトランジスタ6のゲートはノードN2に接続され、そのソースおよびドレインは電源電位VDDのラインに接続される。NチャネルMOSトランジスタ5およびPチャネルMOSトランジスタ6のゲート容量は、それぞれノードN1,N2の電位を安定化させるために設けられている。この変更例でも、図1のPOR回路1と同じ効果が得られる。
【0045】
図3の変更例では、NチャネルMOSトランジスタ5およびPチャネルMOSトランジスタ6のゲート容量が小さい場合は、電源電位VDDがスローアップするとNチャネルMOSトランジスタ39のリーク電流によってノードN2がすぐに「L」レベルになるとともにPチャネルMOSトランジスタ2のリーク電流によってノードN1がすぐに「H」レベルになり、信号POR♯が「L」レベルの期間が極めて短くなって半導体集積回路装置に誤動作が生じてしまう。一方、NチャネルMOSトランジスタ5およびPチャネルMOSトランジスタ6のゲート容量を大きくすると、レイアウト面積が大きくなってしまう。
【0046】
そこで、図4の変更例では、図3のPOR回路のNチャネルMOSトランジスタ5およびPチャネルMOSトランジスタ6がそれぞれNチャネルMOSトランジスタ7およびPチャネルMOSトランジスタ8で置換される。NチャネルMOSトランジスタ7のドレインはノードN1に接続され、そのゲートおよびソースは接地電位GNDのラインに接続される。PチャネルMOSトランジスタ8のドレインはノードN2に接続され、そのゲートおよびソースは電源電位VDDのラインに接続される。電源投入直後におけるNチャネルMOSトランジスタ7のリーク電流はPチャネルMOSトランジスタ2のリーク電流よりも大きくなるようにMOSトランジスタ2,7のサイズが設定されている。また、電源投入直後におけるPチャネルMOSトランジスタ8のリーク電流はNチャネルMOSトランジスタ39のリーク電流よりも大きくなるようにMOSトランジスタ8,39のサイズが設定されている。
【0047】
したがって、電源投入直後はノードN1,N2はそれぞれ「L」レベルおよび「H」レベルになる。その後電源電位VDDが上昇するに従ってPチャネルMOSトランジスタ2のオン電流が増加し、ノードN1の電位V1が上昇する。ノードN1の電位V1がインバータ35のしきい値電位VTNを超えるとノードN2の電位が「H」レベルから「L」レベルに立下げられ、信号POR♯が「L」レベルレベルから「H」レベルに立上げられる。つまり、ノードN1の電位V1は電源電位VDDの立上がり速度に関係なくPチャネルMOSトランジスタ2およびNチャネルMOSトランジスタ7の電流駆動能力で決まるので、電源電位VDDがスローアップされる場合でも信号POR♯が所定時間だけ「L」レベルになり、半導体集積回路装置に誤動作が生じることがない。
【0048】
図5の変更例では、図4のPOR回路の抵抗素子4がプルダウン回路10で置換される。プルダウン回路10は、NチャネルMOSトランジスタ11、抵抗素子12およびキャパシタ13を含む。NチャネルMOSトランジスタ11は、電源電位VDDのラインとノードN1との間に接続され、そのゲートは抵抗素子12を介して電源電位VDDのラインに接続されるとともにキャパシタ13を介して接地電位GNDのラインに接続される。
【0049】
電源電位VDDが印加されている期間はキャパシタ13は電源電位VDDに充電されている。ノードN1の電位V1が「H」レベルになっている期間はNチャネルMOSトランジスタ11にリーク電流は流れないので、抵抗素子4にリーク電流が流れていた図4のPOR回路に比べて消費電流が小さくてすむ。電源電位VDDの印加が停止されると、キャパシタ13の電荷は抵抗素子12を介して電源電位VDDのラインに徐々に放電され、NチャネルMOSトランジスタ11のゲート電位は徐々に低下する。このとき、NチャネルMOSトランジスタ11はオン状態になり、ノードN1の電荷はNチャネルMOSトランジスタ11を介して電源電位VDDのラインに放電され、ノードN1の電位V1は0Vになる。
【0050】
図6は、図5のPOR回路の効果を示すタイムチャートである。ある時刻に電源電位VDDの印加を停止すると、電源電位VDDのラインの電位は時間の経過に伴って低下する。プルダウン回路10がない場合は、ノードN1の電位V1が0Vになるまで長時間を要し、電位V1が0Vになっていないときに電源電位VDDが再投入されると、半導体集積回路装置に誤動作が生じる。プルダウン回路10がある場合は、ノードN1の電位V1は短時間で0Vになり、その後に電源電位VDDが再投入されても半導体集積回路装置に誤動作は生じない。
【0051】
図7の変更例では、図5のPOR回路のプルダウン回路10がプルダウン回路14で置換される。プルダウン回路14は、プルダウン回路10の抵抗素子12をPチャネルMOSトランジスタ15で置換したものである。PチャネルMOSトランジスタ15は、電源電位VDDのラインとNチャネルMOSトランジスタ11のゲートとの間に接続され、そのゲートが接地電位GNDを受ける。この変更例でも、図5のPOR回路と同じ効果が得られる。
【0052】
図1〜図7で示したPOR回路では、電源電位VDDをPチャネルMOSトランジスタ2の抵抗値R2とNチャネルMOSトランジスタ3の抵抗値R3とで分圧してインバータ35に与えていた。しかし、製造プロセスの変動によってMOSトランジスタ2,3のゲート長やしきい値電圧が変動すると、MOSトランジスタ2,3の抵抗値R2,R3が変動し、POR回路のしきい値電圧Vresが大きく変動してしまう。
【0053】
そこで、図8の変更例では、図7で説明したPOR回路に抵抗素子16,17が追加される。抵抗素子16は、PチャネルMOSトランジスタ2のドレインとノードN1との間に介挿される。抵抗素子17は、ノードN1とNチャネルMOSトランジスタ3のドレインとの間に介挿される。抵抗素子16,17は、拡散抵抗層、ポリシリコン層などで形成される。抵抗素子16と17は、同じ材質で同じ幅に形成され、各々の長さによって各々の抵抗値R16,R17が設定される。抵抗素子16,17の抵抗値R16,R17は、電源電位VDDがこのPOR回路のしきい値電位VresになったときのMOSトランジスタ2,3の抵抗値R2,R3よりも十分に大きく設定されている。したがって、このPOR回路のしきい値電圧Vresは、Vres=VTN(R16+R17)/R17となる。したがって、この変更例では、抵抗素子16,17の抵抗値R16,R17はMOSトランジスタ2,3の抵抗値R2,R3よりもプロセス変動の影響を受けにくいので、POR回路のしきい値電圧Vresの安定化を図ることができる。
【0054】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0055】
【発明の効果】
以上のように、この発明に係るパワーオンリセット回路は、電源電位および基準電位が与えられたことに応じてリセット信号を活性化レベルにし、その入力ノードの電位が予め定められたしきい値電位を越えたことに応じてリセット信号を非活性化レベルにするインバータと、その一方電極が電源電位を受け、その他方電極がインバータの入力ノードに接続された第1の抵抗素子と、その第1の電極が基準電位を受け、その第2の電極がインバータの入力ノードに接続され、リセット信号が活性化レベルにされたことに応じて導通する第1の導電形式の第1のトランジスタとを備える。したがって、電源投入時は第1の抵抗素子の抵抗値と第1のトランジスタの導通抵抗値で電源電圧を分圧した電位がインバータに与えられてリセット信号が活性化レベルになり、その分圧電位がインバータのしきい値電位を越えたときにリセット信号が非活性化レベルにされる。よって、リセット信号を活性化レベルから非活性化レベルにするときの電源電圧のレベルを従来よりも低く設定することができ、低消費電力・低電源電圧の半導体装置でもリセット信号を生成することができる。
【0056】
好ましくは、第1の抵抗素子は、その第1の電極が電源電位を受け、その他方電極がインバータの入力ノードに接続され、その入力電極が基準電位を受ける第2の導電形式の第2のトランジスタを含む。この場合は、第1および第2のトランジスタの導通抵抗値で電源電圧を分圧した電位がインバータに入力される。
【0057】
また好ましくは、インバータは、その第1の電極が電源電位を受け、その第2の電極がインバータの出力ノードに接続され、その入力電極がインバータの入力ノードに接続された第2の導電形式の第3のトランジスタと、その第1の電極が基準電位を受け、その第2の電極が出力ノードに接続され、その入力電極が入力ノードに接続された第1の導電形式の第4のトランジスタとを含み、予め定められたしきい値電位は、第4のトランジスタのしきい値電位に略等しく設定されている。この場合は、インバータのしきい値電位を最も低くすることができる。
【0058】
また好ましくは、その一方電極が基準電位を受け、その他方電極がインバータの入力ノードに接続された第1のキャパシタと、その一方電極が電源電位を受け、その他方電極がインバータの出力ノードに接続された第2のキャパシタとがさらに設けられる。この場合は、インバータの入力ノードおよび出力ノードの電位の安定化を図ることができる。
【0059】
また好ましくは、第1のキャパシタは、その第1および第2の電極がともに基準電位を受け、その入力電極がインバータの入力ノードに接続された第1の導電形式の第5のトランジスタを含み、第2のキャパシタは、その第1および第2の電極がともに電源電位を受け、その入力電極がインバータの出力ノードに接続された第2の導電形式の第6のトランジスタを含む。この場合は、第1および第2のキャパシタを容易に構成できる。
【0060】
また好ましくは、その第1の電極および入力電極がともに基準電位を受け、その第2の電極がインバータの入力ノードに接続された第1の導電形式の第7のトランジスタと、その第1の電極および入力電極がともに電源電位を受け、その第2の電極がインバータの出力ノードに接続された第2の導電形式の第8のトランジスタとがさらに設けられる。この場合は、電源電位がスローアップされた場合でもリセット信号を活性化レベルにすることができ、半導体装置の誤動作を防止することができる。
【0061】
また好ましくは、その一方電極が基準電位を受け、その他方電極がインバータの入力ノードに接続された第2の抵抗素子が設けられる。この場合は、電源電位の印加を停止した後にインバータの入力ノードの電荷を第2の抵抗素子を介して基準電位のラインに放電させることができ、インバータの入力ノードを短時間で基準電位にすることができる。
【0062】
また好ましくは、第2の抵抗素子は、その第1の電極が基準電位を受け、その第2の電極がインバータの入力ノードに接続され、その入力電極が電源電位を受ける第1の導電形式の第9のトランジスタを含む。この場合は、第2の抵抗素子を容易に構成できる。
【0063】
また好ましくは、その第1の電極が電源電位を受け、その第2の電極がインバータの入力ノードに接続された第1の導電形式の第10のトランジスタと、その一方電極が電源電位を受け、その他方電極が第10のトランジスタの入力電極に接続された第3の抵抗素子と、その一方電極が基準電位を受け、その他方電極が第10のトランジスタの入力電極に接続された第3のキャパシタとがさらに設けられる。この場合は、電源電位の印加を停止した後にインバータの入力ノードの電荷を第1のトランジスタを介して放電させることができ、インバータの入力ノードを短時間で基準電位にすることができる。
【0064】
また好ましくは、第3の抵抗素子は、その第1の電極が電源電位を受け、その第2の電極がインバータの入力ノードに接続され、その入力電極が基準電位を受ける第2の導電形式の第11のトランジスタを含む。この場合は、第3の抵抗素子を容易に構成できる。
【0065】
また好ましくは、電源電位のラインとインバータの入力ノードとの間に第1の抵抗素子と直列接続され、第1の抵抗素子の導通抵抗値よりも十分に大きな抵抗値を有する第4の抵抗素子と、基準電位のラインとインバータの入力ノードとの間に第1のトランジスタと直列接続され、第1のトランジスタの導通抵抗値よりも十分に大きな抵抗値を有する第5の抵抗素子とがさらに設けられる。この場合は、第4および第5の抵抗素子で電源電圧を分圧した電位がインバータに与えられるので、パワーオンリセット回路のしきい値電圧の安定化を図ることができる。
【0066】
また好ましくは、第4および第5の抵抗素子は、同一材質で形成されて同一幅を有し、各々の抵抗値は各々の長さで設定されている。この場合は、第4および第5の抵抗素子の抵抗値のばらつきを小さくすることができ、パワーオンリセット回路のしきい値電圧の一層の安定化を図ることができる。
【0067】
また好ましくは、第4および第5の抵抗素子の各々は、拡散抵抗層で形成されている。この場合は、第4および第5の抵抗素子を容易に構成できる。
【0068】
また好ましくは、第4および第5の抵抗素子の各々は、ポリシリコン層で形成されている。この場合も、第4および第5の抵抗素子を容易に構成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の一実施の形態によるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図である。
【図2】 図1に示したパワーオンリセット回路の動作を示すタイムチャートである。
【図3】 この実施の形態の変更例を示す回路図である。
【図4】 この実施の形態の他の変更例を示す回路図である。
【図5】 この実施の形態のさらに他の変更例を示す回路図である。
【図6】 図5に示したパワーオンリセット回路の効果を説明するためのタイムチャートである。
【図7】 この実施の形態のさらに他の変更例を示す回路図である。
【図8】 この実施の形態のさらに他の変更例を示す回路図である。
【図9】 従来のパワーオンリセット回路の構成を示す回路図である。
【図10】 図9に示したパワーオンリセット回路の動作を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
1,30 パワーオンリセット回路、2,6,8,15,31,38,40 PチャネルMOSトランジスタ、3,7,11,32,39,41 NチャネルMOSトランジスタ、4,12,16,17 抵抗素子、10,14 プルダウン回路、13,33,34 キャパシタ、35〜37 CMOSインバータ。
Claims (14)
- 半導体装置に内蔵され、電源投入時に前記半導体装置をリセットするためのリセット信号を生成するパワーオンリセット回路であって、
電源電位および基準電位が与えられたことに応じて前記リセット信号を活性化レベルにし、その入力ノードの電位が予め定められたしきい値電位を越えたことに応じて前記リセット信号を非活性化レベルにするインバータ、
その一方電極が前記電源電位を受け、その他方電極が前記インバータの入力ノードに接続された第1の抵抗素子、および
その第1の電極が前記基準電位を受け、その第2の電極が前記インバータの入力ノードに接続され、前記リセット信号が活性化レベルにされたことに応じて導通する第1の導電形式の第1のトランジスタを備える、パワーオンリセット回路。 - 前記第1の抵抗素子は、その第1の電極が前記電源電位を受け、その他方電極が前記インバータの入力ノードに接続され、その入力電極が前記基準電位を受ける第2の導電形式の第2のトランジスタを含む、請求項1に記載のパワーオンリセット回路。
- 前記インバータは、
その第1の電極が前記電源電位を受け、その第2の電極が前記インバータの出力ノードに接続され、その入力電極が前記インバータの入力ノードに接続された第2の導電形式の第3のトランジスタ、および
その第1の電極が前記基準電位を受け、その第2の電極が前記出力ノードに接続され、その入力電極が前記入力ノードに接続された第1の導電形式の第4のトランジスタを含み、
前記予め定められたしきい値電位は、前記第4のトランジスタのしきい値電位に略等しくされている、請求項1または請求項2に記載のパワーオンリセット回路。 - さらに、その一方電極が前記基準電位を受け、その他方電極が前記インバータの入力ノードに接続された第1のキャパシタ、および
その一方電極が前記電源電位を受け、その他方電極が前記インバータの出力ノードに接続された第2のキャパシタを備える、請求項1から請求項3のいずれかに記載のパワーオンリセット回路。 - 前記第1のキャパシタは、その第1および第2の電極がともに前記基準電位を受け、その入力電極が前記インバータの入力ノードに接続された第1の導電形式の第5のトランジスタを含み、
前記第2のキャパシタは、その第1および第2の電極がともに前記電源電位を受け、その入力電極が前記インバータの出力ノードに接続された第2の導電形式の第6のトランジスタを含む、請求項4に記載のパワーオンリセット回路。 - さらに、その第1の電極および入力電極がともに前記基準電位を受け、その第2の電極が前記インバータの入力ノードに接続された第1の導電形式の第7のトランジスタ、および
その第1の電極および入力電極がともに前記電源電位を受け、その第2の電極が前記インバータの出力ノードに接続された第2の導電形式の第8のトランジスタを備える、請求項1から請求項3のいずれかに記載のパワーオンリセット回路。 - さらに、その一方電極が前記基準電位を受け、その他方電極が前記インバータの入力ノードに接続された第2の抵抗素子を備える、請求項1から請求項6のいずれかに記載のパワーオンリセット回路。
- 前記第2の抵抗素子は、その第1の電極が前記基準電位を受け、その第2の電極が前記インバータの入力ノードに接続され、その入力電極が前記電源電位を受ける第1の導電形式の第9のトランジスタを含む、請求項7に記載のパワーオンリセット回路。
- さらに、その第1の電極が前記電源電位を受け、その第2の電極が前記インバータの入力ノードに接続された第1の導電形式の第10のトランジスタ、
その一方電極が前記電源電位を受け、その他方電極が前記第10のトランジスタの入力電極に接続された第3の抵抗素子、および
その一方電極が前記基準電位を受け、その他方電極が前記第10のトランジスタの入力電極に接続された第3のキャパシタを備える、請求項1から請求項6のいずれかに記載のパワーオンリセット回路。 - 前記第3の抵抗素子は、その第1の電極が前記電源電位を受け、その第2の電極が前記インバータの入力ノードに接続され、その入力電極が前記基準電位を受ける第2の導電形式の第11のトランジスタを含む、請求項9に記載のパワーオンリセット回路。
- さらに、前記電源電位のラインと前記インバータの入力ノードとの間に前記第1の抵抗素子と直列接続され、前記第1の抵抗素子の抵抗値よりも十分に大きな抵抗値を有する第4の抵抗素子、および
前記基準電位のラインと前記インバータの入力ノードとの間に前記第1のトランジスタと直列接続され、前記第1のトランジスタの導通抵抗値よりも十分に大きな抵抗値を有する第5の抵抗素子を備える、請求項1から請求項10のいずれかに記載のパワーオンリセット回路。 - 前記第4および第5の抵抗素子は、同一材質で形成されて同一幅を有し、各々の抵抗値は各々の長さで設定されている、請求項11に記載のパワーオンリセット回路。
- 前記第4および第5の抵抗素子の各々は、拡散抵抗層で形成されている、請求項11または請求項12に記載のパワーオンリセット回路。
- 前記第4および第5の抵抗素子の各々は、ポリシリコン層で形成されている、請求項11または請求項12に記載のパワーオンリセット回路。
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US6952122B2 (en) * | 2001-09-28 | 2005-10-04 | Intel Corporation | Generating pulses for resetting integrated circuits |
JP3595799B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2004-12-02 | 松下電器産業株式会社 | 半導体集積回路及びそのリセット方法 |
KR100476703B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2005-03-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 파워 업 회로 |
KR100427034B1 (ko) * | 2002-07-22 | 2004-04-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 피워온리셋 회로 |
JP4047689B2 (ja) * | 2002-10-03 | 2008-02-13 | 沖電気工業株式会社 | パワーオンリセット回路 |
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FR2863420B1 (fr) * | 2003-12-05 | 2006-04-07 | St Microelectronics Sa | Dispositif de neutralisation a la mise sous tension |
US7015732B1 (en) | 2004-01-05 | 2006-03-21 | National Semiconductor Corporation | Power-on reset circuit with low standby current and self-adaptive reset pulse width |
DE102004001578B4 (de) * | 2004-01-10 | 2006-11-02 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltung und Verfahren zum Erzeugen eines Bereitschaftssignals |
DE102004006254A1 (de) * | 2004-02-09 | 2005-09-01 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Rücksetzsignals nach einem Absinken und Wiederansteigen einer Versorgungsspannung |
US7075341B1 (en) * | 2004-04-13 | 2006-07-11 | National Semiconductor Corporation | Low area linear time-driver circuit |
KR100614645B1 (ko) * | 2004-06-03 | 2006-08-22 | 삼성전자주식회사 | 파워-온 리셋회로 |
DE102004049744B4 (de) * | 2004-10-13 | 2009-07-30 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung |
TWI241767B (en) * | 2004-11-25 | 2005-10-11 | Sunplus Technology Co Ltd | Power-low reset circuit |
TWI244261B (en) * | 2004-11-25 | 2005-11-21 | Sunplus Technology Co Ltd | Power on reset circuit |
CN100369378C (zh) * | 2004-12-06 | 2008-02-13 | 凌阳科技股份有限公司 | 低压重置电路 |
JP4919704B2 (ja) * | 2006-06-01 | 2012-04-18 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | パワーオンリセット回路 |
JP2009152735A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Seiko Instruments Inc | パワーオンクリア回路 |
US7671643B2 (en) * | 2008-01-03 | 2010-03-02 | Memsic, Inc. | Power-on-reset circuit having zero static power consumption |
JP5133804B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2013-01-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | リセット信号生成回路 |
CN101751099B (zh) * | 2008-12-18 | 2012-01-25 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 信号发生电路 |
JP2010212934A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
DE102009015840B3 (de) * | 2009-04-01 | 2010-09-02 | Austriamicrosystems Ag | Schaltungsanordnung zur Betriebsspannungsdetektion |
JP5326830B2 (ja) * | 2009-06-04 | 2013-10-30 | 富士電機株式会社 | レベルシフト回路 |
US8299825B2 (en) * | 2009-10-30 | 2012-10-30 | Apple Inc. | Electronic age detection circuit |
US9239612B2 (en) * | 2010-08-25 | 2016-01-19 | Renesas Electronics Corporation | First power-on reset circuit with higher power consumption than a second power-on reset circuit |
JP5863160B2 (ja) * | 2010-12-21 | 2016-02-16 | ローム株式会社 | 制御回路及びこれを用いたデータ保持装置 |
TW201246788A (en) * | 2011-05-06 | 2012-11-16 | Raydium Semiconductor Corp | A power on reset circuit |
US8878576B2 (en) | 2011-07-20 | 2014-11-04 | Rf Micro Devices, Inc. | Low current, high accuracy power-on-reset |
TW201417497A (zh) * | 2012-10-22 | 2014-05-01 | Holtek Semiconductor Inc | 電源重置電路 |
GB2509147A (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | Nordic Semiconductor Asa | A power-on reset circuit using current tunnelling through a thin MOSFET gate dielectric |
TWI497267B (zh) * | 2013-09-10 | 2015-08-21 | Himax Tech Ltd | 電源開啟重置電路 |
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JP6619145B2 (ja) * | 2014-11-11 | 2019-12-11 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体回路、電圧検出回路、及び電圧判定回路 |
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Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0496018B1 (de) * | 1991-01-23 | 1996-03-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierte Schaltung zur Erzeugung eines Reset-Signals |
EP0575687B1 (en) * | 1992-06-26 | 1997-01-29 | STMicroelectronics S.r.l. | Power-on reset circuit having a low static consumption |
DE59209683D1 (de) | 1992-09-30 | 1999-06-02 | Siemens Ag | Integrierte Schaltung zur Erzeugung eines Reset-Signals |
US5323067A (en) * | 1993-04-14 | 1994-06-21 | National Semiconductor Corporation | Self-disabling power-up detection circuit |
US6005423A (en) * | 1994-02-10 | 1999-12-21 | Xilinx, Inc. | Low current power-on reset circuit |
EP0700159A1 (en) * | 1994-08-31 | 1996-03-06 | STMicroelectronics S.r.l. | Threshold detection circuit |
US5552736A (en) * | 1995-04-19 | 1996-09-03 | Hewlett-Packard Company | Power supply detect circuit operable shortly after an on/off cycle of the power supply |
FR2744303B1 (fr) * | 1996-01-31 | 1998-03-27 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif pour neutraliser un circuit electronique lors de sa mise sous tension ou sa mise hors tension |
US5703510A (en) | 1996-02-28 | 1997-12-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power on reset circuit for generating reset signal at power on |
US5929673A (en) * | 1996-04-08 | 1999-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Ultra low current power-up signal switching circuit |
US5898327A (en) * | 1996-06-11 | 1999-04-27 | Rohm Co. Ltd. | Low-power reset signal generating circuit improved in voltage rising characteristic |
FR2753579B1 (fr) * | 1996-09-19 | 1998-10-30 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit electronique pourvu d'un dispositif de neutralisation |
KR100240423B1 (ko) * | 1997-02-05 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체 장치의 레벨 검출 회로 |
US5942925A (en) * | 1997-09-30 | 1999-08-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Power-on detection and enabling circuit with very fast detection of power-off |
US6084446A (en) * | 1998-03-30 | 2000-07-04 | Macronix International Co., Ltd. | Power on reset circuit |
US6198318B1 (en) * | 1999-01-28 | 2001-03-06 | Legerity, Inc. | Power-on-reset circuit |
US6335646B1 (en) * | 1999-04-28 | 2002-01-01 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Power-on reset circuit for generating a reset pulse signal upon detection of a power supply voltage |
US6259284B1 (en) * | 1999-12-22 | 2001-07-10 | Hitachi America, Ltd. | Charge free power-on-reset circuit |
US6288584B1 (en) * | 2000-10-05 | 2001-09-11 | Pericom Semiconductor Corp. | Zero standby-current power-on reset circuit with Schmidt trigger sensing |
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