JP4351666B2 - シリコン粉砕物を低汚染で自動的に粉砕する方法 - Google Patents
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Description
10cmまでの辺の長さ(Kantenlaenge)の大きな装填物のためのロールクラッシャーの場合には、ロールは有利に60〜100cmの直径を有する。特に有利に80cm〜100cmである。約1.5mmの辺の長さの小さな装填物のためには、ロールは有利に30cmの直径を有する。ロールクラッシャーの特に有利な実施態様の場合には、かみ角は20゜より小さく、粉砕ロールは30cmの直径を有する単結晶シリコンからなる。
Cu<2
Ni<2
Cr<2
Zn<4
Na<12。
粒度30mm〜最大50mmの汚染のない粗砕された砕片状のシリコン100kgを、平滑ロールクラッシャー(このロールはコバルトマトリックス中の85%を超えるWからなる)で粉砕した。このマニュアルで粗砕された砕片状のシリコンは、次の出発汚染濃度を有していた:Fe:0.57ppbw、W:0.51ppbw、Co:0.050ppbw(ppbw:parts per billion in weight)最大粒度2mmを有する粉砕品の割合は、ナイロン篩いを用いて篩別した。最大粒度>2mmを有する粒子は、再度粉砕機に供給した。このロールクラッシャーの使用したパラメータを表1にまとめた。
粒度65mm〜最大120mmのマニュアルで粗砕された砕片状のシリコン100kgを、ジョークラッシャー(この粉砕顎部はCoマトリックス中の80%を超えるWからなる)で粉砕した。このマニュアルで粗砕された砕片状のシリコンは、次の出発汚染濃度を有していた:Fe:0.45ppbw、W:0.37ppbw、Co:0.034ppbw(ppbw:parts per billion in weight)。
Claims (12)
- 半導体級のシリコン粉砕物又は太陽電池級のシリコン粉砕物から、半導体用途のため及び太陽電池のための原料として直接使用することができるシリコン微粉砕物を自動的に製造する方法において、半導体級のシリコン粉砕物又は太陽電池級のシリコン粉砕物を、硬質金属からなる、有利にコバルトマトリックス中の炭化タングステンからなる、特に有利に80質量%を上回る炭化タングステンの割合を有する表面を有する、1.5〜3の粉砕比εを有する複数の粉砕工具を有する粉砕機に供給して粉砕品を製造し、前記粉砕品を分級物に分級し、その際、所望のシリコン微粉砕物の最大の辺の長さより小さいか又は等しい辺の長さを有する粉砕品の部分(分級物1)を捕集容器1中に捕集し、所望のシリコン粉砕物の辺の長さよりも大きい辺の長さを有する粉砕品の部分(分級物2)を同様に捕集する、シリコン微粉砕物の自動的製造方法。
- 粉砕機としてジョークラッシャーを使用し、前記ジョークラッシャーの粉砕工具は一定の粉砕角αで相互に配置されていて、その際、前記粉砕角αが14゜より小さい、有利に10゜〜12゜であることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 粉砕機としてロールクラッシャーを使用し、前記ロールクラッシャーの粉砕工具は一定の粉砕角αで相互に配置されていて、その際、前記粉砕角αが25゜より小さい、有利に20゜より小さいことを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 粉砕機として平滑ロールクラッシャー又は異形ロールクラッシャー(例えばスパイク付きロールクラッシャー又は溝付きロールクラッシャー)を使用することを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 粉砕機としてジャイレトリークラッシャーを使用し、前記ジャイレトリークラッシャーの粉砕工具は一定の粉砕角αで相互に配置されていて、その際、前記粉砕角αが12゜より小さい、有利に10゜〜12゜であることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 粉砕品を2つの分級物に分級し、前記分級は篩を用いて行うことを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 分級物1から所望のシリコン微粉砕物の最小の長さよりも小さい辺の長さを有する微粉砕物の部分を選び出し、捕集する(分級物3)、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- 分級物3の選び出しを、篩を用いて行うことを特徴とする、請求項7記載の方法。
- 所望のシリコン微粉砕物の辺の長さよりも大きな辺の長さを有する粉砕品の部分を、再度、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法で利用された粉砕機に供給し、粉砕し、同様に分級しかつ捕集することを特徴とする請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。
- 所望のシリコン微粉砕物の辺の長さよりも大きな辺の長さを有する粉砕品の部分を、さらにもう一度、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法で利用された粉砕機に供給し、粉砕し、同様に分級しかつ捕集することを特徴とする請求項9記載の方法。
- 粉砕機で最大で4回処理を実施することを特徴とする、請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。
- 各粉砕処理により得られた分級物1もしくは3をそれぞれ合わせ、直接包装することを特徴とする、請求項9から11までのいずれか1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004048948A DE102004048948A1 (de) | 2004-10-07 | 2004-10-07 | Vorrichtung und Verfahren zum kontaminationsarmen, automatischen Brechen von Siliciumbruch |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006192423A JP2006192423A (ja) | 2006-07-27 |
JP4351666B2 true JP4351666B2 (ja) | 2009-10-28 |
Family
ID=35262050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005292549A Active JP4351666B2 (ja) | 2004-10-07 | 2005-10-05 | シリコン粉砕物を低汚染で自動的に粉砕する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7549600B2 (ja) |
EP (1) | EP1645333B1 (ja) |
JP (1) | JP4351666B2 (ja) |
AT (1) | ATE404288T1 (ja) |
DE (2) | DE102004048948A1 (ja) |
ES (1) | ES2313177T3 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170037669A (ko) | 2014-10-14 | 2017-04-04 | 가부시키가이샤 도쿠야마 | 다결정 실리콘 파쇄물, 다결정 실리콘 파쇄물의 제조 방법 및 다결정 실리콘 덩어리 파쇄 장치 |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005039118A1 (de) | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Zerkleinern von Silicium |
DE102006016323A1 (de) * | 2006-04-06 | 2007-10-11 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Zerkleinern und Sortieren von Polysilicium |
CN103787336B (zh) | 2008-09-16 | 2016-09-14 | 储晞 | 生产高纯颗粒硅的方法 |
DE102008054519A1 (de) | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Wacker Chemie Ag | Polykristallines germaniumlegiertes Silicium und ein Verfahren zu seiner Herstellung |
KR101678661B1 (ko) * | 2009-11-18 | 2016-11-22 | 알이씨 실리콘 인코포레이티드 | 유동층 반응기 |
US8434707B2 (en) | 2010-10-28 | 2013-05-07 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus for fracturing polycrystalline silicon and method for producing fractured fragments of polycrystalline silicon |
JP5760384B2 (ja) | 2010-10-28 | 2015-08-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコンの破砕装置及び多結晶シリコン破砕物の製造方法 |
JP2012091138A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコンの破砕装置及び多結晶シリコン破砕物の製造方法 |
JP2012091137A (ja) | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコンの破砕装置及び多結晶シリコン破砕物の製造方法 |
JP5736728B2 (ja) | 2010-10-28 | 2015-06-17 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコンの破砕装置及び多結晶シリコン破砕物の製造方法 |
JP5760385B2 (ja) | 2010-10-28 | 2015-08-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコンの破砕装置及び多結晶シリコン破砕物の製造方法 |
DE102011003875A1 (de) * | 2011-02-09 | 2012-08-09 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Dosieren und Verpacken von Polysiliciumbruchstücken sowie Dosier- und Verpackungseinheit |
JP5817185B2 (ja) | 2011-04-05 | 2015-11-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコン破砕物の製造方法 |
DE102011081196A1 (de) | 2011-08-18 | 2013-02-21 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Verpackung von polykristallinem Silicium |
EP2749532A4 (en) * | 2011-09-29 | 2015-04-22 | Choshu Industry Co Ltd | SHREDDING DEVICE FOR RAW MATERIAL SILICON |
JP5853580B2 (ja) | 2011-10-21 | 2016-02-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 破砕装置及び破砕物製造方法 |
JP5782986B2 (ja) | 2011-10-21 | 2015-09-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 破砕装置及び破砕物製造方法 |
DE102012204050B4 (de) * | 2012-03-15 | 2017-03-23 | Solarworld Industries Sachsen Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten von Silizium-Stücken |
DE102012207505A1 (de) | 2012-05-07 | 2013-11-07 | Wacker Chemie Ag | Polykristallines Siliciumgranulat und seine Herstellung |
DE102012213869A1 (de) | 2012-08-06 | 2014-02-06 | Wacker Chemie Ag | Polykristalline Siliciumbruchstücke und Verfahren zu deren Herstellung |
DE102012222249A1 (de) | 2012-12-04 | 2014-06-05 | Wacker Chemie Ag | Verpackung von Polysilicium |
CN102974440A (zh) * | 2012-12-06 | 2013-03-20 | 马钢集团设计研究院有限责任公司 | 一种钨矿石的高压辊磨超细碎方法 |
DE102013203336A1 (de) | 2013-02-28 | 2014-08-28 | Wacker Chemie Ag | Verpacken von Polysiliciumbruchstücken |
DE102013105177A1 (de) | 2013-05-21 | 2014-11-27 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Gewinnung metallischer Anteile sowie von metallabgereichertem Material aus metallhaltigen Materialien |
DE102013216557A1 (de) * | 2013-08-21 | 2015-02-26 | Wacker Chemie Ag | Polykristalline Siliciumbruchstücke und Verfahren zum Zerkleinern von polykristallinen Siliciumstäben |
CN103723313B (zh) * | 2013-11-25 | 2015-09-02 | 安徽赛耐尔机械制造有限公司 | 多晶硅快速分类包装工艺 |
DE102014211037A1 (de) | 2014-06-10 | 2015-12-17 | Wacker Chemie Ag | Siliciumkeimpartikel für die Herstellung von polykristallinem Siliciumgranulat in einem Wirbelschichtreaktor |
DE102014217179A1 (de) | 2014-08-28 | 2016-03-03 | Wacker Chemie Ag | Kunststoffsubstrate mit Siliciumbeschichtung |
JP6420640B2 (ja) * | 2014-11-27 | 2018-11-07 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコン塊破砕装置、多結晶シリコン破砕物の製造方法及び多結晶シリコン破砕物 |
JP6058610B2 (ja) * | 2014-10-14 | 2017-01-11 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコン破砕物、多結晶シリコン破砕物の製造方法および多結晶シリコン塊破砕装置 |
DE102015207466A1 (de) | 2015-04-23 | 2016-10-27 | Wacker Chemie Ag | Verpackung von Polysilicium |
DE102015209629A1 (de) | 2015-05-26 | 2016-12-01 | Wacker Chemie Ag | Verpackung von Polysilicium |
US10005614B2 (en) | 2016-02-25 | 2018-06-26 | Hemlock Semiconductor Operations Llc | Surface conditioning of conveyor materials or contact surfaces |
CN111936418B (zh) | 2018-03-28 | 2021-11-23 | 株式会社德山 | 多晶硅破碎块及其制造方法 |
CN113182052A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-07-30 | 上海英雄金笔厂有限公司 | 一种文具生产用废料收集处理设备 |
CN114985061B (zh) * | 2022-08-08 | 2022-10-21 | 徐州逸创建筑科技发展有限公司 | 一种分级式球磨装置 |
CN116078525B (zh) * | 2023-03-07 | 2023-06-30 | 国药肽谷有限公司 | 人参肽工艺设备 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2831214C2 (de) * | 1978-07-15 | 1984-03-08 | Buckau-Walther AG, 4048 Grevenbroich | Walze für eine Zuckerrohrmühle |
JPS5767019A (en) * | 1980-10-13 | 1982-04-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Manufacture of pure silicon granule for manufacturing polycrystalline silicon by fluidized bed method |
JPS58145611A (ja) | 1982-02-23 | 1983-08-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シリコン粒子の粉砕、篩別方法 |
DD241557A1 (de) * | 1985-10-08 | 1986-12-17 | Bitterfeld Chemie | Verfahren zur bearbeitung von siliziummonoxid |
DE3811091A1 (de) | 1988-03-31 | 1989-10-12 | Heliotronic Gmbh | Verfahren zum kontaminationsarmen zerkleinern von massivem stueckigem silicium |
JP2565759B2 (ja) * | 1988-12-02 | 1996-12-18 | 高純度シリコン株式会社 | 多結晶シリコンの破砕装置 |
KR940006017B1 (ko) | 1992-03-19 | 1994-07-02 | 재단법인 한국화학연구소 | 실리콘 입자의 제트분쇄방법 |
DE4218283A1 (de) | 1992-05-27 | 1993-12-02 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum kontaminationsfreien Zerkleinern von Halbleitermaterial, insbesondere Silicium |
US5336335A (en) * | 1992-10-09 | 1994-08-09 | Astropower, Inc. | Columnar-grained polycrystalline solar cell and process of manufacture |
DE4316626A1 (de) * | 1993-05-18 | 1994-11-24 | Wacker Chemitronic | Verfahren und Vorrichtung zur Zerkleinerung von Halbleitermaterial |
DE19727441A1 (de) | 1997-06-27 | 1999-01-07 | Wacker Chemie Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Zerkleinern von Halbleitermaterial |
DE19842078B4 (de) * | 1998-09-15 | 2008-07-10 | Sicrystal Ag | Hochohmiges Substratmaterial, Verfahren zu dessen Herstellung sowie Substrat für elektronische Bauteile |
DE19914998A1 (de) | 1999-04-01 | 2000-10-12 | Wacker Chemie Gmbh | Schwingförderer und Verfahren zur Förderung von Siliciumbruch |
DE19948395A1 (de) | 1999-10-06 | 2001-05-03 | Wacker Chemie Gmbh | Strahlungsbeheizter Fliessbettreaktor |
US8021483B2 (en) | 2002-02-20 | 2011-09-20 | Hemlock Semiconductor Corporation | Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods |
JP4658453B2 (ja) | 2002-11-14 | 2011-03-23 | ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション | 流動性チップ、それを製造する方法及び使用する方法並びにその方法の実施に用いる装置 |
-
2004
- 2004-10-07 DE DE102004048948A patent/DE102004048948A1/de not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-09-29 EP EP05021297A patent/EP1645333B1/de active Active
- 2005-09-29 US US11/238,854 patent/US7549600B2/en active Active
- 2005-09-29 ES ES05021297T patent/ES2313177T3/es active Active
- 2005-09-29 DE DE502005004997T patent/DE502005004997D1/de active Active
- 2005-09-29 AT AT05021297T patent/ATE404288T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-10-05 JP JP2005292549A patent/JP4351666B2/ja active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170037669A (ko) | 2014-10-14 | 2017-04-04 | 가부시키가이샤 도쿠야마 | 다결정 실리콘 파쇄물, 다결정 실리콘 파쇄물의 제조 방법 및 다결정 실리콘 덩어리 파쇄 장치 |
US10307763B2 (en) | 2014-10-14 | 2019-06-04 | Tokuyama Corporation | Polycrystalline silicon fragment, method for manufacturing polycrystalline silicon fragment, and polycrystalline silicon block fracture device |
US11590509B2 (en) | 2014-10-14 | 2023-02-28 | Tokuyama Corporation | Method for manufacturing polycrystalline silicon fragment and polycrystalline silicon block fracture device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1645333A1 (de) | 2006-04-12 |
DE102004048948A1 (de) | 2006-04-20 |
US20060088970A1 (en) | 2006-04-27 |
DE502005004997D1 (de) | 2008-09-25 |
US7549600B2 (en) | 2009-06-23 |
ATE404288T1 (de) | 2008-08-15 |
JP2006192423A (ja) | 2006-07-27 |
ES2313177T3 (es) | 2009-03-01 |
EP1645333B1 (de) | 2008-08-13 |
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JPS641183B2 (ja) | ||
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Nassetti et al. | Methods for classification of the size of grinding media in mills for continuous wet grinding of ceramic mixes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080813 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20081112 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20081117 |
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A601 | Written request for extension of time |
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