JP4055053B2 - 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 45
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 41
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 24
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 2
- -1 compound compound Chemical class 0.000 claims 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 6
- YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Chemical compound CC(N)=S YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Natural products CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 102100022068 Serine palmitoyltransferase 1 Human genes 0.000 description 1
- 102100022059 Serine palmitoyltransferase 2 Human genes 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKCIUOYPDVLQFW-UHFFFAOYSA-K indium(3+);trichloride;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.Cl[In](Cl)Cl UKCIUOYPDVLQFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は、一般的な化合物半導体による薄膜太陽電池の基本構造を示している。それは、ＳＬＧ（ソーダライムガラス）基板１上に裏面電極（プラス電極）となるＭｏ電極２が成膜され、そのＭｏ電極２上にｐ型の光吸収層５が成膜され、その光吸収層５上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層６を介して透明電極（マイナス電極）７が成膜されている。
【０００３】
その化合物半導体による薄膜太陽電池における光吸収層４としては、現在１８％を超す高いエネルギー変換効率が得られるものとして、Ｃｕ，（Ｉｎ，Ｇａ），ＳｅをベースとしたＩ−ＩＩＩ−ＶＩ２族系のＣｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２によるＣＩＧＳ薄膜が用いられている。
【０００４】
従来、この種の化合物薄膜太陽電池におけるバッファ層として、溶液から化学的にＩＩ一ＶＩ族化合物半導体であるＣｄＳ膜を成長させることにより、ＣＩＳ光吸収層と最適なヘテロ接合を得ることができるようにしている（米国特許第４６１１０９１号明細書参照）。
【０００５】
また、従来、有害物質であるＣｄを含まない高い変換効率のヘテロ結合を得ることができるバッファ層として、Ｚｎを採用したものがある（特開平８−３３０６１４号公報参照）。
【０００６】
このような従来の化合物薄膜太陽電池では、ｐ型化合物半導体である光吸収層とｎ型半導体であるバッファ層の組成が全く異なるために、その接合に欠陥が生じやすいものになっている。
【０００７】
そして、溶液に光吸収層を浸す際に光吸収層へのＺｎ成分の拡散とＺｎＳの成膜とが同時に進行するので、光吸収層の結晶性やその表面状態によって変換効率のバラツキを生じやすいものになっている。
【０００８】
また、従来、ＣＩＧＳ薄膜による光吸収層に対する良好なヘテロ接合を得るために、ＣＢＤ法によってＩｎＳ系（ＩｎＳ，ＩｎＯ，ＩｎＯＨ）のバッファ層を形成するようにして、組成の均一性および再現性の改善を図るようにしたものが開発されている（Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＆ Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌｓ ６９ ２００１ １３１−１３７の文献参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
解決しようとする問題点は、ＣＩＧＳ薄膜による光吸収層に対する良好なヘテロ接合を得るために、ＣＢＤ法によってＩｎＳ系のバッファ層を形成するのでは、一般的にＩｎＳはバンドギャップが小さくて短波長側の光を透過しにくいので、太陽電池としてＪｓｃ特性の点で不利になってしまうことである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、光吸収層を水溶液に浸してＣＢＤ法によるバッファ層を形成するに際して、バンドギャップが小さくて短波長側の光を透過しにくいＩｎＳ系材料を用いても、ＩｎＳの微粒子が堆積した構造によって光の透過率を良くすることができるようにするべく、ＣＢＤ法により光吸収層を水溶液に浸して微粒子を堆積させるようにしている。
【００１１】
そして、その際、特に本発明では、第１の設定時間のあいだその水溶液を第１の温度に保持する第１の工程と、第２の設定時間のあいだその水溶液を第１の温度よりも高い第２の温度に上昇させる第２の工程と、第３の設定時間のあいだその水溶液を第２の温度に保持させる第３の工程とをとることにより、水溶液の温度を低から高に変化させながら堆積される微粒子のサイズが中から大に変化するようにしている。
【００１２】
また、本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のＩｎＳ系バッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池にあって、バッファ層がｎ型半導体材料の微粒子の堆積層からなるバッファ層を設けるようにしている。
【００１３】
そして、その際、特に本発明では、ｎ型半導体材料の微粒子の堆積層からなり、光吸収層の外方へ向って微粒子のサイズが徐々にまたは段階的に大きくなる構造のＩｎＳ系バッファ層を設けるようにしている。また、その際、特に本発明では、ｎ型半導体材料の微粒子の堆積層からなり、下側ほどｐＨの低い層が形成され、上側ほどｐＨの高い層が形成されている構造のＩｎＳ系バッファ層を設けるようにしている。
【００１４】
【実施例】
図２および図３は、化合物薄膜太陽電池の製造過程を示している。
【００１５】
まず、図２に示すように、ＳＬＧ（ソーダライムガラス）基板１上に裏面電極としてのＭｏ電極２をスパッタリングにより成膜する。次いで、そのＭｏ電極２上にＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を作製するに際して、先にＩｎ単体ターゲットＴ１を用いた第１のスパッタ工程ＳＰＴ−１によってＩｎ層３２を成膜したうえで、その上に、Ｃｕ−Ｇａの合金ターゲットＴ２を用いた第２のスパッタ工程ＳＰＴ−２によってＣｕ−Ｇａ合金層３１を成膜して、Ｉｎ層３２およびＣｕ−Ｇａ合金層３１からなる積層プリカーサ３を形成する。そして、熱処理工程ＨＥＡＴにおいて、その積層プリカーサ３をＳｅ雰囲気中で熱処理することにより、ＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を作製する。
【００１６】
このように、Ｍｏ電極層２上にＩｎ層３２を設けたうえで、その上にＣｕ−Ｇａ合金層３１を設けて積層プリカーサ３を形成するようにしているので、Ｍｏ電極層２との界面における元素の固層拡散による合金化を抑制することができる。そして、その積層プリカーサ３をＳｅ雰囲気中で熱処理してセレン化する際に、Ｍｏ電極層２側にＩｎ成分を充分に拡散させることができるとともに、拡散速度の遅いＧａがＭｏ電極層２との界面に偏析して結晶性の悪いＣｕ−Ｇａ−Ｓｅ層が形成されることがないようにして、均一な結晶による高品質なＰ型半導体のＣｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２によるＣＩＧＳの光吸収層５を作製することができる。
【００１７】
したがって、Ｍｏ電極層２との界面に、結晶性が悪くて構造的に脆く、かつ導電性を有する異層（Ｃｕ−Ｇａ−Ｓｅ層）が偏析するようなことがなくなり、Ｍｏ電極層２との密着性が高くて構造的に強固な、しかもセル間でリークをきたして電池特性が劣化することのない品質の良い光吸収層を得ることができるようになる。
【００１８】
次に、図３に示すように、ｐ型の光吸収層５とのヘテロ接合をとるためにｎ型のバッファ層６を形成する。そして、そのバッファ層６上にＺｎＳなどからなる透明電極７をスパッタリングにより成膜する。
【００１９】
本発明は、特に、バッファ層６を形成するに際して、湿式のＣＢＤ法を採用して、塩化インジウムとチオアセドアミドの水溶液を用いて、ＩｎＳ系のバッファ層を成膜させるようにしている。
【００２０】
実際には、水溶液として、３塩化インジウム４水和物（ＩｎＣｌ３・４Ｈ２Ｏ） ０．０１Ｍ／１と、チオアセトアミド（ＣＨ３ＣＳＮＨ２） ０．３０Ｍ／ｌとの２液を１：１の割合で混合したものを用いる。
【００２１】
そして、その水溶液を用いて、ＣＢＤ法によるバッファ層６の形成が、図４に示す処理工程にしたがって、以下のようにして行われる。
【００２２】
まず、第１段階として、室温Ｔ１℃で、水溶液中に光吸収層５の面を浸して、水溶液を攪はんしながら、設定時間（５〜１０分間）ｔ１のあいだその状態を保持する水溶液の攪はんは、以後バッファ層６の成膜が終了するまで持続される。
【００２３】
第２段階として、水溶液中に光吸収層５の面を浸した状態のままで、水溶液の温度を所定時間（約１０分間）ｔ２かけて設定温度Ｔ２℃（６０℃程度）にまで上昇させる。
【００２４】
次いで、第３段階として、水溶液を設定温度Ｔ２℃に維持しながら、水溶液中に光吸収層５の面を浸し続けて、昇温後所定時間（約４０分間）ｔ３の経過をまってバッファ層６の成膜を終了する。そして、成膜されたバッファ層６の純水によるオーバフロー洗浄を行う。
【００２５】
このような段階的な処理工程をとることによって、第１段階ではＩｎＳによる小さな微粒子が堆積した膜が形成され、第２段階では先の第１段階よりも大きなＩｎＳによる微粒子状の膜が重ねて形成され、第３段階ではさらに第２段階よりも大きなＩｎＳによる微粒子状の膜が重ねて形成されるようになる。
【００２６】
このことは、以下のようにして考えられる。
【００２７】
水溶液は、室温では、わずかにチオアセトアミド溶液による薄茶色をしたほとんど透明な色をしている。
【００２８】
水溶液中でのコロイド成長によってＩｎＳの微粒子が堆積することによってバッファ層６が形成される過程としては、以下のとおりである。
【００２９】
水溶液は昇温とともに白濁し、その白濁は反応が進行するにしたがって濃い白濁から次第に黄色へと変色してくる。ＩｎＳ自体はオレンジ色の固体であることから、水溶液の白濁はＩｎＳ結晶が液中で成長しているものと考えられる。また、白濁色から黄色へと変化することから、水溶液中でＩｎＳの微粒子が次第に大きく成長しているものと考えられる。
【００３０】
すなわち、白濁色のコロイドは微粒子のサイズが黄色の光の波長に比べて小さいためである。黄色のコロイドは、粒子が成長してＩｎＳとしてのオレンジ色の光を反射できるサイズとなるためである。
【００３１】
また、白濁色から黄色への変色速度は塩化インジウムとチオアセトアミドとの濃度比に関係があり、塩化インジウムの相対濃度が低いと早く変色する傾向にある。
【００３２】
そして、室温で光吸収層５の面を水溶液に浸してから昇温するまでの間は膜成長し、その昇温後の白濁した水溶液では膜は成長しないことが判明している。
【００３３】
したがって、第１段階から第３段階までの処理工程をとることによって、光吸収層５の面に形成されるバッファ層６がＩｎＳの微粒子のサイズが小から大に変化しながら連続的に分布したものとなるので、図５に示すように、ラフネスの大きな光吸収層５の表面に対して密着性良くバッファ層６を形成することができ、カバレージが改善する。
【００３４】
白濁した状態の水溶液では膜が成長しないことの理由として、大径の粒子では光吸収層５の表面との接触面縮が小さくなるためであると考えられる。また、小径の粒子が接着剤としての役割を果たすことで、膜が成長するものと考えられる。
【００３５】
ＩｎＳによる微粒子状の膜をバッファ層６として用いることの利点としては、以下のことが考えられる。
ａ．量子サイズ効果によるバンドギャップの拡張
ｂ，粒子表面効果によるバンドギャップの拡張
ｃ．プラズマダメージに対する耐性の改善
ｄ．高抵抗膜であることによるシャントパスの低減
【００３６】
ＩｎＳはバンドギャップが小さくて、短波長側の光を透過しにくいので太陽電池に用いる場合に効率的に不利であると考えられているが、それを微粒子状の膜とすることでバンドギャップが小さいことによるネガが克服される。
【００３７】
また、本発明では、第１段階から第３段階の処理工程によってバッファ層６を形成するに際して、水溶液のｐＨの調整を行わせることによって膜質を変化させるようにしている。
【００３８】
具体的には、第１段階および第２段階の処理工程にあっては水溶液のｐＨを１〜３．５程度にし、第３段階の処理工程では水溶液のｐＨを３．５〜１２．０程度にする。
【００３９】
それにより、形成されるバッファ層６の下層部分では水溶液を酸性側に調整することでＩｎＳリッチな膜質となり、その上層部分では水溶液をアルカリ側に調整することでＩｎＯＨ・ＩｎＯリッチな膜質となる。
【００４０】
塩化インジウムとチオアセトアミドとの水溶液のｐＨを１〜３．５程度としたときの反応は、次式のように進行する。
２ＩｎＣｌ３＋３ＣＨ３ＣＳＮＨ２＋６Ｈ２Ｏ
→Ｉｎ２Ｓ３＋３ＣＨ３ＣＯ２＋３ＮＨ４＋６ＨＣｌ
【００４１】
インジウムの３価イオンを含む水溶液ではｐＨｒｙ３．４〜１２程度にすることで、次式の反応が進行する。
ＩｎＣｌ３＋３Ｈ２Ｏ←→Ｉｎ（ＯＨ）３＋３ＨＣｌ
【００４２】
これらの反応を利用することで、水溶液のｐＨを調整することでバッファ層６の膜質を変化させることができるようになる。
【００４３】
したがって、光吸収層５とバッファ層６との界面とバッファ層６と透明電極７との界面との両方において、以下のように、最適な条件を満たすことができるようになる。
【００４４】
水溶液を酸性側に調整したときに形成されるＩｎ２Ｓ３リッチな膜はカバレージが良く、光吸収層５の面に対して良好な接合性が得られる。また、透明電極７の形成過程でのプラズマダメージをバッファ層６との接合界面に到達させないようにするためにはバッファ層６の膜厚を大きくする必要がある。しかし、その際、ＩｎＳリッチな膜を厚くすることは、ＩｎＳがバンドギャップが小さい特性を有しているために光の透過率が悪くなるので得策ではない。そのため、水溶液をアルカリ側に調整したとき形成されるＩｎ（ＯＨ）３・Ｉｎ２Ｏ３リッチな膜質はバンドギャップが大きくなるとともに、透明導電膜としても使用されることから、透明電極７の形成過程でのプラズマダメージの影響を受けることがないように比較的膜厚を大きくしても、光の透過率を低下させることなく透明電極７との整合性が良くなる。
【００４５】
【効果】
以上、本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、バッファ層を形成するに際して、ＣＢＤ法により光吸収層を水溶液に浸して微粒子を堆積させるようにし、その際、特に、水溶液の温度を低から高に変化させながら堆積される微粒子のサイズが小から大に変化するようにしたもので、バンドギャップが小さくて短波長側の光を透過しにくいＩｎＳ系材料を用いても光の透過率が良く、また光吸収層との密着性および透明電極との整合性が良いバッファ層を形成することができるという利点を有している。
【００４６】
また、本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のＩｎＳ系バッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池にあって、ｎ型半導体材料の微粒子の堆積層からなるバッファ層を設け、その際、特に、光吸収層の外方へ向って微粒子のサイズが徐々にまたは段階的に大きくなる構造のバッファ層、または下側ほどｐＨの低い層が形成され、上側ほどｐＨの高い層が形成されている構造のバッファ層を設けるようにしたもので、バンドギャップが小さくて短波長側の光を透過しにくいＩｎＳ系材料によるバッファ層を用いても光の透過率が良くなり、また光吸収層との密着性および透明電極との整合性が良くなるという利点を有している。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な個合物半導体による薄膜太陽電池の基本構造を示す正断面図である。
【図２】ＳＬＧ基板上に裏面電極および光吸収層を形成するまでの製造過程を示す図である。
【図３】光吸収層上にバッファ層および透明電極を形成するまでの製造過程を示す図である。
【図４】本発明によるＣＢＤ法によってバッファ層を形成する際の水溶液の温度変化の状態を示す特性図である。
【図５】本発明によるＣＢＤ法によって光吸収層の表面に形成されるバッファ層のＩｎＳ微粒子による成膜状態を示す正断面図である。
【符号の説明】
１ ＳＬＧ基板
２ Ｍｏ電極（裏面電極）
５ 光吸収層
６ バッファ層
７ 透明電極
【産業上の利用分野】
本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は、一般的な化合物半導体による薄膜太陽電池の基本構造を示している。それは、ＳＬＧ（ソーダライムガラス）基板１上に裏面電極（プラス電極）となるＭｏ電極２が成膜され、そのＭｏ電極２上にｐ型の光吸収層５が成膜され、その光吸収層５上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層６を介して透明電極（マイナス電極）７が成膜されている。
【０００３】
その化合物半導体による薄膜太陽電池における光吸収層４としては、現在１８％を超す高いエネルギー変換効率が得られるものとして、Ｃｕ，（Ｉｎ，Ｇａ），ＳｅをベースとしたＩ−ＩＩＩ−ＶＩ２族系のＣｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２によるＣＩＧＳ薄膜が用いられている。
【０００４】
従来、この種の化合物薄膜太陽電池におけるバッファ層として、溶液から化学的にＩＩ一ＶＩ族化合物半導体であるＣｄＳ膜を成長させることにより、ＣＩＳ光吸収層と最適なヘテロ接合を得ることができるようにしている（米国特許第４６１１０９１号明細書参照）。
【０００５】
また、従来、有害物質であるＣｄを含まない高い変換効率のヘテロ結合を得ることができるバッファ層として、Ｚｎを採用したものがある（特開平８−３３０６１４号公報参照）。
【０００６】
このような従来の化合物薄膜太陽電池では、ｐ型化合物半導体である光吸収層とｎ型半導体であるバッファ層の組成が全く異なるために、その接合に欠陥が生じやすいものになっている。
【０００７】
そして、溶液に光吸収層を浸す際に光吸収層へのＺｎ成分の拡散とＺｎＳの成膜とが同時に進行するので、光吸収層の結晶性やその表面状態によって変換効率のバラツキを生じやすいものになっている。
【０００８】
また、従来、ＣＩＧＳ薄膜による光吸収層に対する良好なヘテロ接合を得るために、ＣＢＤ法によってＩｎＳ系（ＩｎＳ，ＩｎＯ，ＩｎＯＨ）のバッファ層を形成するようにして、組成の均一性および再現性の改善を図るようにしたものが開発されている（Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＆ Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌｓ ６９ ２００１ １３１−１３７の文献参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
解決しようとする問題点は、ＣＩＧＳ薄膜による光吸収層に対する良好なヘテロ接合を得るために、ＣＢＤ法によってＩｎＳ系のバッファ層を形成するのでは、一般的にＩｎＳはバンドギャップが小さくて短波長側の光を透過しにくいので、太陽電池としてＪｓｃ特性の点で不利になってしまうことである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、光吸収層を水溶液に浸してＣＢＤ法によるバッファ層を形成するに際して、バンドギャップが小さくて短波長側の光を透過しにくいＩｎＳ系材料を用いても、ＩｎＳの微粒子が堆積した構造によって光の透過率を良くすることができるようにするべく、ＣＢＤ法により光吸収層を水溶液に浸して微粒子を堆積させるようにしている。
【００１１】
そして、その際、特に本発明では、第１の設定時間のあいだその水溶液を第１の温度に保持する第１の工程と、第２の設定時間のあいだその水溶液を第１の温度よりも高い第２の温度に上昇させる第２の工程と、第３の設定時間のあいだその水溶液を第２の温度に保持させる第３の工程とをとることにより、水溶液の温度を低から高に変化させながら堆積される微粒子のサイズが中から大に変化するようにしている。
【００１２】
また、本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のＩｎＳ系バッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池にあって、バッファ層がｎ型半導体材料の微粒子の堆積層からなるバッファ層を設けるようにしている。
【００１３】
そして、その際、特に本発明では、ｎ型半導体材料の微粒子の堆積層からなり、光吸収層の外方へ向って微粒子のサイズが徐々にまたは段階的に大きくなる構造のＩｎＳ系バッファ層を設けるようにしている。また、その際、特に本発明では、ｎ型半導体材料の微粒子の堆積層からなり、下側ほどｐＨの低い層が形成され、上側ほどｐＨの高い層が形成されている構造のＩｎＳ系バッファ層を設けるようにしている。
【００１４】
【実施例】
図２および図３は、化合物薄膜太陽電池の製造過程を示している。
【００１５】
まず、図２に示すように、ＳＬＧ（ソーダライムガラス）基板１上に裏面電極としてのＭｏ電極２をスパッタリングにより成膜する。次いで、そのＭｏ電極２上にＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を作製するに際して、先にＩｎ単体ターゲットＴ１を用いた第１のスパッタ工程ＳＰＴ−１によってＩｎ層３２を成膜したうえで、その上に、Ｃｕ−Ｇａの合金ターゲットＴ２を用いた第２のスパッタ工程ＳＰＴ−２によってＣｕ−Ｇａ合金層３１を成膜して、Ｉｎ層３２およびＣｕ−Ｇａ合金層３１からなる積層プリカーサ３を形成する。そして、熱処理工程ＨＥＡＴにおいて、その積層プリカーサ３をＳｅ雰囲気中で熱処理することにより、ＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を作製する。
【００１６】
このように、Ｍｏ電極層２上にＩｎ層３２を設けたうえで、その上にＣｕ−Ｇａ合金層３１を設けて積層プリカーサ３を形成するようにしているので、Ｍｏ電極層２との界面における元素の固層拡散による合金化を抑制することができる。そして、その積層プリカーサ３をＳｅ雰囲気中で熱処理してセレン化する際に、Ｍｏ電極層２側にＩｎ成分を充分に拡散させることができるとともに、拡散速度の遅いＧａがＭｏ電極層２との界面に偏析して結晶性の悪いＣｕ−Ｇａ−Ｓｅ層が形成されることがないようにして、均一な結晶による高品質なＰ型半導体のＣｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２によるＣＩＧＳの光吸収層５を作製することができる。
【００１７】
したがって、Ｍｏ電極層２との界面に、結晶性が悪くて構造的に脆く、かつ導電性を有する異層（Ｃｕ−Ｇａ−Ｓｅ層）が偏析するようなことがなくなり、Ｍｏ電極層２との密着性が高くて構造的に強固な、しかもセル間でリークをきたして電池特性が劣化することのない品質の良い光吸収層を得ることができるようになる。
【００１８】
次に、図３に示すように、ｐ型の光吸収層５とのヘテロ接合をとるためにｎ型のバッファ層６を形成する。そして、そのバッファ層６上にＺｎＳなどからなる透明電極７をスパッタリングにより成膜する。
【００１９】
本発明は、特に、バッファ層６を形成するに際して、湿式のＣＢＤ法を採用して、塩化インジウムとチオアセドアミドの水溶液を用いて、ＩｎＳ系のバッファ層を成膜させるようにしている。
【００２０】
実際には、水溶液として、３塩化インジウム４水和物（ＩｎＣｌ３・４Ｈ２Ｏ） ０．０１Ｍ／１と、チオアセトアミド（ＣＨ３ＣＳＮＨ２） ０．３０Ｍ／ｌとの２液を１：１の割合で混合したものを用いる。
【００２１】
そして、その水溶液を用いて、ＣＢＤ法によるバッファ層６の形成が、図４に示す処理工程にしたがって、以下のようにして行われる。
【００２２】
まず、第１段階として、室温Ｔ１℃で、水溶液中に光吸収層５の面を浸して、水溶液を攪はんしながら、設定時間（５〜１０分間）ｔ１のあいだその状態を保持する水溶液の攪はんは、以後バッファ層６の成膜が終了するまで持続される。
【００２３】
第２段階として、水溶液中に光吸収層５の面を浸した状態のままで、水溶液の温度を所定時間（約１０分間）ｔ２かけて設定温度Ｔ２℃（６０℃程度）にまで上昇させる。
【００２４】
次いで、第３段階として、水溶液を設定温度Ｔ２℃に維持しながら、水溶液中に光吸収層５の面を浸し続けて、昇温後所定時間（約４０分間）ｔ３の経過をまってバッファ層６の成膜を終了する。そして、成膜されたバッファ層６の純水によるオーバフロー洗浄を行う。
【００２５】
このような段階的な処理工程をとることによって、第１段階ではＩｎＳによる小さな微粒子が堆積した膜が形成され、第２段階では先の第１段階よりも大きなＩｎＳによる微粒子状の膜が重ねて形成され、第３段階ではさらに第２段階よりも大きなＩｎＳによる微粒子状の膜が重ねて形成されるようになる。
【００２６】
このことは、以下のようにして考えられる。
【００２７】
水溶液は、室温では、わずかにチオアセトアミド溶液による薄茶色をしたほとんど透明な色をしている。
【００２８】
水溶液中でのコロイド成長によってＩｎＳの微粒子が堆積することによってバッファ層６が形成される過程としては、以下のとおりである。
【００２９】
水溶液は昇温とともに白濁し、その白濁は反応が進行するにしたがって濃い白濁から次第に黄色へと変色してくる。ＩｎＳ自体はオレンジ色の固体であることから、水溶液の白濁はＩｎＳ結晶が液中で成長しているものと考えられる。また、白濁色から黄色へと変化することから、水溶液中でＩｎＳの微粒子が次第に大きく成長しているものと考えられる。
【００３０】
すなわち、白濁色のコロイドは微粒子のサイズが黄色の光の波長に比べて小さいためである。黄色のコロイドは、粒子が成長してＩｎＳとしてのオレンジ色の光を反射できるサイズとなるためである。
【００３１】
また、白濁色から黄色への変色速度は塩化インジウムとチオアセトアミドとの濃度比に関係があり、塩化インジウムの相対濃度が低いと早く変色する傾向にある。
【００３２】
そして、室温で光吸収層５の面を水溶液に浸してから昇温するまでの間は膜成長し、その昇温後の白濁した水溶液では膜は成長しないことが判明している。
【００３３】
したがって、第１段階から第３段階までの処理工程をとることによって、光吸収層５の面に形成されるバッファ層６がＩｎＳの微粒子のサイズが小から大に変化しながら連続的に分布したものとなるので、図５に示すように、ラフネスの大きな光吸収層５の表面に対して密着性良くバッファ層６を形成することができ、カバレージが改善する。
【００３４】
白濁した状態の水溶液では膜が成長しないことの理由として、大径の粒子では光吸収層５の表面との接触面縮が小さくなるためであると考えられる。また、小径の粒子が接着剤としての役割を果たすことで、膜が成長するものと考えられる。
【００３５】
ＩｎＳによる微粒子状の膜をバッファ層６として用いることの利点としては、以下のことが考えられる。
ａ．量子サイズ効果によるバンドギャップの拡張
ｂ，粒子表面効果によるバンドギャップの拡張
ｃ．プラズマダメージに対する耐性の改善
ｄ．高抵抗膜であることによるシャントパスの低減
【００３６】
ＩｎＳはバンドギャップが小さくて、短波長側の光を透過しにくいので太陽電池に用いる場合に効率的に不利であると考えられているが、それを微粒子状の膜とすることでバンドギャップが小さいことによるネガが克服される。
【００３７】
また、本発明では、第１段階から第３段階の処理工程によってバッファ層６を形成するに際して、水溶液のｐＨの調整を行わせることによって膜質を変化させるようにしている。
【００３８】
具体的には、第１段階および第２段階の処理工程にあっては水溶液のｐＨを１〜３．５程度にし、第３段階の処理工程では水溶液のｐＨを３．５〜１２．０程度にする。
【００３９】
それにより、形成されるバッファ層６の下層部分では水溶液を酸性側に調整することでＩｎＳリッチな膜質となり、その上層部分では水溶液をアルカリ側に調整することでＩｎＯＨ・ＩｎＯリッチな膜質となる。
【００４０】
塩化インジウムとチオアセトアミドとの水溶液のｐＨを１〜３．５程度としたときの反応は、次式のように進行する。
２ＩｎＣｌ３＋３ＣＨ３ＣＳＮＨ２＋６Ｈ２Ｏ
→Ｉｎ２Ｓ３＋３ＣＨ３ＣＯ２＋３ＮＨ４＋６ＨＣｌ
【００４１】
インジウムの３価イオンを含む水溶液ではｐＨｒｙ３．４〜１２程度にすることで、次式の反応が進行する。
ＩｎＣｌ３＋３Ｈ２Ｏ←→Ｉｎ（ＯＨ）３＋３ＨＣｌ
【００４２】
これらの反応を利用することで、水溶液のｐＨを調整することでバッファ層６の膜質を変化させることができるようになる。
【００４３】
したがって、光吸収層５とバッファ層６との界面とバッファ層６と透明電極７との界面との両方において、以下のように、最適な条件を満たすことができるようになる。
【００４４】
水溶液を酸性側に調整したときに形成されるＩｎ２Ｓ３リッチな膜はカバレージが良く、光吸収層５の面に対して良好な接合性が得られる。また、透明電極７の形成過程でのプラズマダメージをバッファ層６との接合界面に到達させないようにするためにはバッファ層６の膜厚を大きくする必要がある。しかし、その際、ＩｎＳリッチな膜を厚くすることは、ＩｎＳがバンドギャップが小さい特性を有しているために光の透過率が悪くなるので得策ではない。そのため、水溶液をアルカリ側に調整したとき形成されるＩｎ（ＯＨ）３・Ｉｎ２Ｏ３リッチな膜質はバンドギャップが大きくなるとともに、透明導電膜としても使用されることから、透明電極７の形成過程でのプラズマダメージの影響を受けることがないように比較的膜厚を大きくしても、光の透過率を低下させることなく透明電極７との整合性が良くなる。
【００４５】
【効果】
以上、本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、バッファ層を形成するに際して、ＣＢＤ法により光吸収層を水溶液に浸して微粒子を堆積させるようにし、その際、特に、水溶液の温度を低から高に変化させながら堆積される微粒子のサイズが小から大に変化するようにしたもので、バンドギャップが小さくて短波長側の光を透過しにくいＩｎＳ系材料を用いても光の透過率が良く、また光吸収層との密着性および透明電極との整合性が良いバッファ層を形成することができるという利点を有している。
【００４６】
また、本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のＩｎＳ系バッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池にあって、ｎ型半導体材料の微粒子の堆積層からなるバッファ層を設け、その際、特に、光吸収層の外方へ向って微粒子のサイズが徐々にまたは段階的に大きくなる構造のバッファ層、または下側ほどｐＨの低い層が形成され、上側ほどｐＨの高い層が形成されている構造のバッファ層を設けるようにしたもので、バンドギャップが小さくて短波長側の光を透過しにくいＩｎＳ系材料によるバッファ層を用いても光の透過率が良くなり、また光吸収層との密着性および透明電極との整合性が良くなるという利点を有している。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な個合物半導体による薄膜太陽電池の基本構造を示す正断面図である。
【図２】ＳＬＧ基板上に裏面電極および光吸収層を形成するまでの製造過程を示す図である。
【図３】光吸収層上にバッファ層および透明電極を形成するまでの製造過程を示す図である。
【図４】本発明によるＣＢＤ法によってバッファ層を形成する際の水溶液の温度変化の状態を示す特性図である。
【図５】本発明によるＣＢＤ法によって光吸収層の表面に形成されるバッファ層のＩｎＳ微粒子による成膜状態を示す正断面図である。
【符号の説明】
１ ＳＬＧ基板
２ Ｍｏ電極（裏面電極）
５ 光吸収層
６ バッファ層
７ 透明電極
Claims (5)
- 裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のＩｎＳ系バッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法であって、ＣＢＤ法により光吸収層を水溶液に浸して微粒子を堆積させてＩｎＳ系バッファ層を形成する際に、第１の設定時間のあいだその水溶液を第１の温度に保持する第１の工程と、第２の設定時間のあいだその水溶液を第１の温度よりも高い第２の温度に上昇させる第２の工程と、第３の設定時間のあいだその水溶液を第２の温度に保持させる第３の工程とをとるようにしたことを特徴とする化合物薄膜太陽電池の製造方法。
- 第１の工程ないし第３の工程のあいだ水溶液を攪伴するようにしたことを特徴とする請求項１の記載による化合物薄膜太陽電池の製造方法。
- 第３の工程のあいだ水溶液のｐＨが高くなるように調整することを特徴とする請求項１の記載による化合物薄膜太陽電池の製造方法。
- 裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のＩｎＳ系バッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法であって、ＣＢＤ法により光吸収層を水溶液に浸して微粒子を堆積させてＩｎＳ系バッファ層を形成する際に、その水溶液のｐＨを低から高に変化させながら内部で膜質の異なるバッファ層を形成させるようにしたことを特徴とする化合物薄膜太陽電池の製造方法。
- 裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のＩｎＳ系バッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池において、ＩｎＳ系バッファ層がｎ型半導体材料の微粒子の堆積層からなり、光吸収層の外方へ向って微粒子のサイズが徐々にまたは段階的に大きくなる構造を有していることを特徴とする化合物薄膜太陽電池。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002129381A JP4055053B2 (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| US10/509,303 US7939745B2 (en) | 2002-03-26 | 2003-03-24 | Compound thin-film solar cell and process for producing the same |
| AU2003220984A AU2003220984A1 (en) | 2002-03-26 | 2003-03-24 | Compound thin-film solar cell and process for producing the same |
| PCT/JP2003/003500 WO2003081684A1 (fr) | 2002-03-26 | 2003-03-24 | Photopile composite a film mince et son procede de production |
| EP03712838A EP1489666B1 (en) | 2002-03-26 | 2003-03-24 | Process for producing a compound thin-film solar cell |
| EP10161750A EP2216824B1 (en) | 2002-03-26 | 2003-03-24 | Compound thin-film solar cell and process for producing the same |
| US13/103,659 US20110203646A1 (en) | 2002-03-26 | 2011-05-09 | Compound thin-film solar cell and process for producing the same |
| US14/192,701 US20140224309A1 (en) | 2002-03-26 | 2014-02-27 | Compound thin-film solar cell and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002129381A JP4055053B2 (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003282909A JP2003282909A (ja) | 2003-10-03 |
| JP2003282909A5 JP2003282909A5 (ja) | 2005-06-30 |
| JP4055053B2 true JP4055053B2 (ja) | 2008-03-05 |
Family
ID=28450001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002129381A Expired - Fee Related JP4055053B2 (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US7939745B2 (ja) |
| EP (2) | EP2216824B1 (ja) |
| JP (1) | JP4055053B2 (ja) |
| AU (1) | AU2003220984A1 (ja) |
| WO (1) | WO2003081684A1 (ja) |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050271827A1 (en) * | 2004-06-07 | 2005-12-08 | Malle Krunks | Solar cell based on CulnS2 absorber layer prepared by chemical spray pyrolysis |
| JP4549193B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2010-09-22 | 本田技研工業株式会社 | カルコパイライト型薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| JP2007201304A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
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| ATE448569T1 (de) * | 2006-04-18 | 2009-11-15 | Dow Corning | Fotovoltaische anordnung auf kupfer-indium- diselenidbasis und herstellungsverfahren dafür |
| CN101473448B (zh) * | 2006-04-18 | 2011-05-11 | 道康宁公司 | 硒化铟铜基光伏器件及其制造方法 |
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| KR101028192B1 (ko) | 2009-06-16 | 2011-04-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| KR101081194B1 (ko) * | 2009-06-16 | 2011-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지의 제조장치, 이를 이용한 태양전지의 제조방법 |
| JP2011018857A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
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-
2002
- 2002-03-26 JP JP2002129381A patent/JP4055053B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-24 AU AU2003220984A patent/AU2003220984A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-24 WO PCT/JP2003/003500 patent/WO2003081684A1/ja active Application Filing
- 2003-03-24 EP EP10161750A patent/EP2216824B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-24 US US10/509,303 patent/US7939745B2/en active Active
- 2003-03-24 EP EP03712838A patent/EP1489666B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-05-09 US US13/103,659 patent/US20110203646A1/en not_active Abandoned
-
2014
- 2014-02-27 US US14/192,701 patent/US20140224309A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2003081684A1 (fr) | 2003-10-02 |
| JP2003282909A (ja) | 2003-10-03 |
| US20140224309A1 (en) | 2014-08-14 |
| EP1489666A1 (en) | 2004-12-22 |
| US7939745B2 (en) | 2011-05-10 |
| AU2003220984A1 (en) | 2003-10-08 |
| EP2216824A3 (en) | 2010-09-22 |
| EP2216824A2 (en) | 2010-08-11 |
| EP2216824B1 (en) | 2012-07-18 |
| US20050236032A1 (en) | 2005-10-27 |
| US20110203646A1 (en) | 2011-08-25 |
| EP1489666B1 (en) | 2011-10-05 |
| EP1489666A4 (en) | 2008-06-04 |
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Legal Events
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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