KR101326885B1 - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 태양전지는, 지지기판; 상기 지지기판 상에 위치하는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 위치하는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 위치하는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 위치하는 전면전극층을 포함하고, 상기 광흡수층은 시드층 및 상기 시드층 상에 위치하는 벌크층을 포함하고, 상기 시드층 및 상기 벌크층의 그레인 직경이 서로 다르다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은, 지지기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층 상에 제1 온도에서 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층 상에 제2 온도에서 벌크층을 형성하는 단계; 상기 벌크층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

태양전지 및 이의 제조방법{SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
태양광 발전을 위한 태양전지의 제조방법은 다음과 같다. 먼저, 기판이 제공되고, 상기 기판 상에 후면전극층이 형성되고, 레이저에 의해서 패터닝되어, 다수 개의 이면전극들이 형성된다.
이후, 상기 이면전극들 상에 광 흡수층, 버퍼층 및 고저항 버퍼층이 차례로 형성된다. 상기 광 흡수층을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다. 상기 광 흡수층의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1 내지 1.8 eV 이다.
이후, 상기 광 흡수층 상에 황화 카드뮴(CdS)을 포함하는 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 상기 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 2.2 내지 2.4 eV 이다. 이후, 상기 버퍼층 상에 징크 옥사이드(ZnO)를 포함하는 고저항 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 내지 3.3 eV 이다.
이후, 상기 광 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 고저항 버퍼층에 홈 패턴이 형성될 수 있다.
이후, 상기 고저항 버퍼층 상에 투명한 도전물질이 적층되고, 상기 홈패턴이 상기 투명한 도전물질이 채워진다. 이에 따라서, 상기 고저항 버퍼층 상에 투명전극층이 형성되고, 상기 홈 패턴 내측에 접속배선들이 각각 형성된다. 상기 투명전극층 및 상기 접속배선으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드 등을 들 수 있다. 상기 투명전극층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 내지 3.3 eV 이다.
이후, 상기 투명전극층 등에 홈 패턴이 형성되어, 다수 개의 태양전지들이 형성될 수 있다. 상기 투명전극들 및 상기 고저항 버퍼들은 각각의 셀에 대응한다. 상기 투명전극들 및 상기 고저항 버퍼들은 스트라이프 형태 또는 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.
상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 서로 미스 얼라인되며, 상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 상기 접속배선들에 의해서 각각 전기적으로 연결된다. 이에 따라서, 다수 개의 태양전지들이 서로 전기적으로 직렬로 연결될 수 있다.
이와 같이, 태양광을 전기에너지로 변환시키기 위해서, 다양한 형태의 태양광 발전장치가 제조되고, 사용될 수 있다. 이와 같은 태양광 발전장치는 특허 공개 공보 10-2008-0088744 등에 개시된다.
한편, CIGS 태양전지 제조 시, 공정 온도는 550 ℃ 내지 600 ℃로, 플렉서블(flexible) 기판을 사용하기에는 부적합하다. 일반적으로 사용되는 플렉서블 기판인 스테인레스 스틸, 플라스틱 등은 상기 공정 온도에서 휨 현상이 발생해 성막이 불가하고, 상기 공정 온도보다 낮은 온도에서 성막할 경우, CIGS 내부 결함 및 결정화도가 감소할 수 있다. 이에 의해 태양전지의 효율이 감소한다는 문제가 있다. 또한, 고온 성막 시, 기판의 휨이 크고, CIGS 막과의 접착력이 저하된다는 문제가 있다.
실시예는 신뢰성이 향상된 태양전지를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 태양전지는, 지지기판; 상기 지지기판 상에 위치하는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 위치하는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 위치하는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 위치하는 전면전극층을 포함하고, 상기 광흡수층은 시드층 및 상기 시드층 상에 위치하는 벌크층을 포함하고, 상기 시드층 및 상기 벌크층의 그레인 직경이 서로 다르다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은, 지지기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층 상에 제1 온도에서 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층 상에 제2 온도에서 벌크층을 형성하는 단계; 상기 벌크층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양전지의 광 흡수층은 시드층 및 벌크층을 포함한다. 상기 시드층 및 벌크층은 저온에서 형성할 수 있다.
상기 벌크층은 상기 시드층을 기반으로 형성되므로, 낮은 온도에서 형성 가능하다. 또한, 지지기판과의 접착력이 향상될 수 있다. 즉, 저온에서도 광 흡수층의 형성이 가능하다. 이를 통해, 스테인레스 스틸 또는 폴리머 등의 플레시블한 지지기판을 사용할 수 있어 제조비용을 감소할 수 있다. 또한, 지지기판의 휨을 감소할 수 있어 내구성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 기판의 휨을 기존대비 10 % 내지 50 % 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 광 흡수층이 저온에서 형성되어, 광 흡수층 내부에 결함이 발생되거나 결정화도가 감소하는 것을 방지할 수 있다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 상술한 효과를 가지는 태양전지를 제조할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지에 포함되는 광 흡수층의 확대도이다.
도 3 내지 도 5는 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 실시예에 따른 태양전지를 상세하게 설명한다. 도 1은 실시예에 따른 태양전지의 일 단면을 도시한 단면도이다. 도 2는 실시예에 따른 태양전지에 포함되는 광 흡수층의 확대도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 태양전지는 지지기판(100), 후면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 전면전극층(600)을 포함한다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 후면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 상기 전면전극층(600)을 지지한다.
상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 또는, 상기 지지기판(100)은 스테인레스 스틸 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.
상기 후면전극층(200)은 상기 지지기판(100)의 상면에 배치된다. 상기 후면전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면전극층(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴(Mo) 등의 금속을 들 수 있다.
또한, 상기 후면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 후면전극층(200) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 시드층(310) 및 벌크층(320)을 포함한다. 이때, 상기 시드층(310)과 상기 벌크층(320)에 포함된 그레인의 직경이 서로 다르다.
상기 시드층(310)은 상기 후면전극층(200)에 직접 접촉한다.
상기 시드층(310)은 결정들을 포함하고 있다. 구체적으로, 상기 시드층(310)은 그레인(312)을 포함하고, 상기 그레인(312)의 크기는 5 nm 내지 10 nm 일 수 있다. 즉, 상기 시드층(310)의 그레인(312) 직경은 5 nm 내지 10 nm 일 수 있다.
상기 시드층(310)의 두께(TH1)는 상기 광 흡수층(300)의 두께의 1 % 내지 20 % 일 수 있다. 일례로, 상기 시드층(310)의 두께(TH1)는 20 nm 내지 400 nm 일 수 있다.
상기 벌크층(320)은 상기 시드층(310) 상에 위치한다.
상기 벌크층(320)은 결정들을 포함하고 있다. 구체적으로, 상기 벌크층(320)은 그레인(322)을 포함하고, 상기 그레인(322)의 크기는 20 nm 내지 40 nm 일 수 있다. 즉, 상기 벌크층(320)의 그레인(322) 직경은 20 nm 내지 40 nm 일 수 있다.
상기 벌크층(320)의 두께(TH2)는 상기 광 흡수층(300)의 두께의 80 % 내지 99 % 일 수 있다. 일례로, 상기 벌크층(320)의 두께(TH2)는 1600 nm 내지 1800 nm 일 수 있다.
상기 벌크층(320)은 상기 시드층(310)을 기반으로 형성되므로, 저온에서도 형성되기가 쉽다. 이에 대해서는 추후에 상세하게 설명하기로 한다.
상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300)에 직접 접촉한다.
상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV일 수 있다.
상기 전면전극층(600)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 전면전극층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다.
상기 전면전극층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다. 상기 전면전극층(600)은 투명하다. 상기 전면전극층(600)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnO;AZO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 등을 들 수 있다.
상기 전면전극층(600)의 두께는 약 500㎚ 내지 약 1.5㎛일 수 있다. 또한, 상기 전면전극층(600)이 알루미늄이 도핑되는 징크 옥사이드로 형성되는 경우, 알루미늄은 약 2.5wt% 내지 약 3.5wt%의 비율로 도핑될 수 있다. 상기 전면전극층(600)은 도전층이다.
이하, 도 3 내지 도 5를 참조하여, 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법을 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위하여 앞서 설명한 부분과 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.
도 3 내지 도 5는 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
먼저, 도 3을 참조하면, 지지기판(100) 상에 스퍼터링 공정에 의해서 몰리브덴 등과 같은 금속이 증착되고, 후면전극층(200)이 형성된다. 상기 후면전극층(200)은 공정 조건이 서로 다른 두 번의 공정들에 의해서 형성될 수 있다.
상기 지지기판(100) 및 상기 후면전극층(200) 사이에는 확산 방지막과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있다.
이어서, 도 4를 참조하면, 상기 후면전극층(200) 상에 시드층(310)이 형성된다. 상기 시드층(310)은 증발법에 의해서 형성될 수 있다.
이때, 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시에 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 시드층(310)을 형성할 수 있다.
상기 시드층(310)은 제1 온도에서 형성될 수 있다. 상기 제1 온도는 200 ℃ 내지 250 ℃ 일 수 있다. 상기 제1 온도는 상기 시드층(310)이 형성되는 공정온도이다. 구체적으로, 상기 제1 온도는 상기 시드층(310)이 형성되는 상기 지지기판의 온도이다.
상기 시드층(310)이 저온에서 형성되므로, 상기 시드층(310)에 포함된 그레인의 크기가 작을 수 있다. 구체적으로, 상기 시드층(310)의 그레인 직경은 5 nm 내지 10 nm 일 수 있다.
이어서, 도 5를 참조하면, 상기 시드층(310) 상에 벌크층(320)이 형성된다. 상기 벌크층(320)은 증발법에 의해서 형성될 수 있다. 이때, 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시에 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 벌크층(320)을 형성할 수 있다. 즉, 상기 시드층(310) 및 상기 벌크층(320)을 포함하는 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.
상기 벌크층(320)은 제2 온도에서 형성될 수 있다. 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 높을 수 있다. 상기 제2 온도는 350 ℃ 내지 400 ℃ 일 수 있다. 상기 제2 온도는 상기 벌크층(320)이 형성되는 공정온도이다. 구체적으로, 상기 제2 온도는 상기 벌크층(320)이 형성되는 상기 지지기판의 온도이다.
그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 시드층(310)은 상기 제1 온도에서 인듐, 갈륨, 셀레늄을 증발시켜 형성될 수 있고, 상기 벌크층(320)은 상기 제2 온도에서 구리, 셀레늄을 증발시킨 후, 상기 제2 온도에서 인듐, 갈륨, 셀레늄을 증발시켜 형성될 수 있다. 즉, 상기 시드층(310) 및 상기 벌크층(320)은 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 구분하여 증발시키면서 형성될 수 있다.
상기 벌크층(320)에 포함된 그레인의 크기는 상기 시드층(310)에 포함된 그레인의 크기보다 클 수 있다. 구체적으로, 상기 벌크층(320)의 그레인 직경은 20 nm 내지 40 nm 일 수 있다.
상기 벌크층(320)은 상기 시드층(310)을 기반으로 형성되므로, 낮은 온도에서 형성 가능하다. 또한, 지지기판(100)과의 접착력이 향상될 수 있다. 즉, 저온에서도 광 흡수층(300)의 형성이 가능하다. 이를 통해, 스테인레스 스틸 또는 폴리머 등의 플레시블한 지지기판(100)을 사용할 수 있어 제조비용을 감소할 수 있다. 또한, 지지기판(100)의 휨을 감소할 수 있어 내구성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 기판의 휨을 기존대비 10 % 내지 50 % 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 광 흡수층(300)이 저온에서 형성되어, 광 흡수층(300) 내부에 결함이 발생되거나 결정화도가 감소하는 것을 방지할 수 있다.
이어서, 상기 벌크층(320) 상에 버퍼층(400)이 형성된다. 상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴이 스퍼터링 공정 또는 용액성장법(chemical bath depositon;CBD) 등에 의해서 증착됨으로써 형성될 수 있다.
이후, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)은 낮은 두께로 증착된다. 예를 들어, 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)의 두께는 약 1㎚ 내지 약 80㎚이다.
상기 고저항 버퍼층(500) 상에 전면전극층(600)을 형성하는 단계를 거친다. 상기 전면전극층(600)은 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드 등과 같은 투명한 도전물질이 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 스퍼터링 공정에 의해서 증착되어 형성될 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
실험예
소라라임 글라스 기판 상에 몰리브덴이 스퍼터링 공정에 의해서, 약 1㎛의 두께로 증착되어 후면전극층이 형성되었다 이후, 상기 후면전극층 상에 약 250 ℃의 온도에서 증발법에 의해서, CuIn0.3Ga0.7Se2이 약 400 nm 의 두께로 증착되어, 시드층이 형성되었다. 상기 시드층 상에 약 350 ℃의 온도에서 증발법에 의해서, CuIn0.3Ga0.7Se2이 약 1600 nm 의 두께로 증착되어, 벌크층이 형성되었다. 즉, 상기 시드층 및 벌크층을 포함하는 광 흡수층이 형성되었다. 이후, 상기 광 흡수층 상에, CdS가 화학 용액 성장법에 의해서, 약 70㎚의 두께로 증착되어 버퍼층이 형성되었다. 이후, 상기 버퍼층 상에 불순물이 포함되지 않는 징크 옥사이드가 약 70㎚의 두께로 증착되어, 고저항 버퍼층이 형성되었다. 이후, 알루미늄이 약 3wt%로 도핑된 징크 옥사이드 타겟이 사용되어, 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 고저항 버퍼층 상에 전면전극층이 형성되었다.
비교예
실험예와 동일하게 후면전극층이 형성된 후, 약 550 ℃의 온도에서 증발법에 의해서, CuIn0.3Ga0.7Se2이 약 1㎛의 두께로 증착되어, 광 흡수층이 형성되었다. 이후, 실험예와 동일하게 버퍼층, 고저항 버퍼층 및 전면전극층이 형성되었다.
실험예의 태양전지는 비교예의 태양전지에 비해 기판의 휨이 40 % 감소함을 알 수 있다.

Claims (15)

  1. 지지기판;
    상기 지지기판 상에 위치하는 후면전극층;
    상기 후면전극층 상에 위치하는 광 흡수층;
    상기 광 흡수층 상에 위치하는 버퍼층; 및
    상기 버퍼층 상에 위치하는 전면전극층을 포함하고,
    상기 광흡수층은 시드층 및 상기 시드층 상에 위치하는 벌크층을 포함하고,
    상기 시드층 및 상기 벌크층의 그레인 직경이 서로 다르고,
    상기 시드층 및 상기 벌크층은 서로 동일한 물질을 포함하는 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 시드층의 그레인 직경은 5 nm 내지 10 nm인 태양전지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 벌크층의 그레인 직경은 20 nm 내지 40 nm인 태양전지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 시드층의 두께는 20 nm 내지 400 nm인 태양전지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 벌크층의 두께는 1600 nm 내지 1800 nm 인 태양전지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 시드층의 두께는 상기 광흡수층의 두께의 1 % 내지 20 %인 태양전지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 벌크층의 두께는 상기 광흡수층의 두께의 80 % 내지 99 % 인 태양전지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 시드층은 상기 후면전극층에 직접 접촉하는 태양전지.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 지지기판은 스테인레스 스틸 또는 플라스틱을 포함하는 태양전지.
  10. 지지기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;
    상기 후면전극층 상에 제1 온도에서 시드층을 형성하는 단계;
    상기 시드층 상에 제2 온도에서 벌크층을 형성하는 단계;
    상기 벌크층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및
    상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 시드층 및 상기 벌크층의 그레인 직경이 서로 다르고,
    상기 시드층 및 상기 벌크층은 서로 동일한 물질을 포함하는 태양전지의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 시드층을 형성하는 단계 및 상기 벌크층을 형성하는 단계는 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄을 증발시키는 태양전지의 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 온도는 200 ℃ 내지 250 ℃ 인 태양전지의 제조 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제2 온도는 350 ℃ 내지 400 ℃ 인 태양전지의 제조 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 시드층의 그레인 직경은 5 nm 내지 10 nm인 태양전지의 제조 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 벌크층의 그레인 직경은 20 nm 내지 40 nm인 태양전지의 제조 방법.
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