JP2013510427A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】実施例は、太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施例による太陽電池は、基板の第１領域上に形成されて、後面電極パターン、光吸収層、バッファ層及び前面電極層をそれぞれ含む多数個の太陽電池セルと、前記基板の第２領域上に形成されて、前記多数個の太陽電池セルとそれぞれ電気的に連結されて、相互離隔されるように形成される金属膜パターンと、及び相互離隔されて形成された前記金属膜パターンの間に形成される連結部と、を含む。
【選択図】図１

Description

実施例は、太陽電池及びその製造方法に関するものである。
最近エネルギー需要が増加することによって、太陽光エネルギーを電気エネルギーに変換させる太陽電池に対する開発が進行されている。
特に、硝子基板、金属後面電極層、ｐ型ＣＩＧＳ系光吸収層、高抵抗バッファ層、ｎ型窓層などを含む基板構造のｐｎヘテロ接合装置であるＣＩＧＳ系太陽電池が広く使用されている。
このような太陽電池は、一つのパネル（ｐａｎｅｌ）に複数個のセルが形成されて、前記セルを直列で連結して使用している。
このような複数個のセルのうち何れか一つのセルに不良が発生すると、このパネルは使用することができずに廃棄するようになる。
実施例は、不良セルが発生しても太陽電池として使用することができる太陽電池及びその製造方法を提供する。
実施例による太陽電池は、基板の第１領域上に形成されて、後面電極パターン、光吸収層、バッファ層及び前面電極層をそれぞれ含む多数個の太陽電池セルと、前記基板の第２領域上に形成されて、前記多数個の太陽電池セルとそれぞれ電気的に連結されて、相互離隔されるように形成される金属膜パターンと、及び相互離隔されて形成された前記金属膜パターンの間に形成される連結部と、を含む。
実施例による太陽電池の製造方法は、基板上の第１領域にお互いに離隔されるように複数個の後面電極パターンを形成して、前記基板上の第２領域に前記後面電極パターンと連結されて、お互いに離隔されるように複数個の金属膜パターンを形成する段階と、前記後面電極パターンが形成された前記基板の第１領域上に順にバッファ層及び光吸収層を形成する段階と、前記バッファ層及び光吸収層を貫通するコンタクトパターンを形成する段階と、前記コンタクトパターンを含む前記バッファ層及び光吸収層上に上部電極を形成した後、前記バッファ層、光吸収層及び上部電極を貫通して、前記後面電極パターンの一部が露出して、単位セルで分けるための分離パターンを形成する段階と、及び前記基板の第２領域上に形成されて、前記太陽電池セルのうちで不良セル領域の後面電極パターンを電気的に連結する段階と、を含む。
実施例による太陽電池及びその製造方法は、不良セル領域と隣接したセルをお互いに連結して使用することで、不良セルが発生しても廃棄しないで太陽電池で使用することができる。
実施例による太陽電池の製造工程を示した断面図及び平面図である。 同じく、実施例による太陽電池の製造工程を示した断面図及び平面図である。 同じく、実施例による太陽電池の製造工程を示した断面図及び平面図である。 同じく、実施例による太陽電池の製造工程を示した断面図及び平面図である。 同じく、実施例による太陽電池の製造工程を示した断面図及び平面図である。 同じく、実施例による太陽電池の製造工程を示した断面図及び平面図である。 同じく、実施例による太陽電池の製造工程を示した断面図及び平面図である。 同じく、実施例による太陽電池の製造工程を示した断面図及び平面図である。 同じく、実施例による太陽電池の製造工程を示した断面図及び平面図である。 同じく、実施例による太陽電池の製造工程を示した断面図及び平面図である。 同じく、実施例による太陽電池の製造工程を示した断面図及び平面図である。 同じく、実施例による太陽電池の製造工程を示した断面図及び平面図である。
実施例の説明において、各基板、層、膜または電極などが各基板、層、膜、または電極などの“上（ｏｎ）”にまたは“下（ｕｎｄｅｒ）”に形成されることで記載する場合において、“上（ｏｎ）”と“下（ｕｎｄｅｒ）”は“直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）”または“他の構成要素を介して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）”形成されることをすべて含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は図面を基準に説明する。図面での各構成要素らの大きさは説明のために誇張されることがあるし、実際に適用される大きさを意味するものではない。
図１０は、実施例による太陽電池を示した断面図である。
図１０に示すように、実施例による太陽電池は多数個の太陽電池セル（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５）、金属膜パターン２５０及び結晶質パターン２７０を含む。
前記太陽電池セル（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５）は、後面電極パターン２００、光吸収層、バッファ層及び前面電極層５００を含んで形成されて、第１領域（Ａ）に形成される。
前記金属膜パターン２５０は、第２領域（Ｂ）に形成されて、それぞれの後面電極パターンと連結されることができる。
前記金属膜パターン２５０の間には非晶質パターン２６０及び結晶質パターン２７０が配置されて、前記第３セル（Ｃ３）が不良セルである場合、不良セルに対応する前記金属膜パターン２５０の間のみに前記結晶質パターン２７０が形成される。
前記非晶質パターン２６０と隣接する前記金属膜パターン２５０は、お互いに電気的に連結されないが、前記結晶質パターン２７０と隣接する前記金属膜パターン２５０はお互いに電気的に連結されて、お互いに異なる前記後面電極パターン２００を電気的に連結させることができる。
すなわち、前記金属膜パターン２５０は、前記不良セル領域の前記後面電極パターン２００と前記不良セルと隣接したセルの後面電極パターン２００を連結することができる。
本実施例では、前記金属膜パターン２５０の間に前記結晶質パターン２７０を配置して、不良セル領域の前記後面電極パターン２００を電気的に連結させたが、図１１に示すように、前記金属膜パターン２５０の間に導電性物質２８０を配置させることができる。
すなわち、図１１に示すように、正常なセル領域と対応される前記金属膜パターン２５０の間はそのまま置いて、不良セル領域と対応される前記金属膜パターン２５０の間のみに前記導電性物質２８０を配置させることができる。
この時、前記導電性物質２８０は、導電性ペースト（ｐａｓｔｅ）または導電性テープ（ｔａｐｅ）でなされることができる。
前記導電ペーストは、シルバー（Ａｇ）ペーストとすることができるし、前記導電性テープは銅（Ｃｕ）または炭素（Ｃａｒｂｏｎ）テープとすることができる。
以下、太陽電池製造工程によって前記太陽電池をさらに詳しく説明する。
図１乃至図１２は、実施例による太陽電池の製造工程を示した断面図である。
まず、図１及び図２に示すように、基板１００上の第１領域（Ａ）上に後面電極パターン２００を形成する。
前記基板１００は、硝子（ｇｌａｓｓ）が使用されているが、アルミナのようなセラミックス基板、ステンレススチール、チタン基板またはポリマー基板なども使用されることができる。
硝子基板としては、ソーダライム硝子（ｓｏｄａｌｉｍｅ ｇｌａｓｓ）を使用することができるし、ポリマー基板としては、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）を使用することができる。
また、前記基板１００はリジット（ｒｉｇｉｄ）とするか、またはフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）とすることができる。
前記後面電極パターン２００は、金属などの導電体で形成されることができるし、導電性物質を形成した後、パターニングして形成されることができる。
この時、前記後面電極パターン２００は、後面電極膜に溝２１０を形成してパターニングすることによって形成されることができる。
例えば、前記後面電極パターン２００は、モリブデン（Ｍｏ）ターゲットを使用して、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工程によって形成されることができる。
これは、モリブデン（Ｍｏ）が有する高い電気伝導度、光吸収層とのオーミック（ｏｈｍｉｃ）接合、Ｓｅ雰囲気下での高温安全性のためである。
また、図面には示さなかったが、前記後面電極パターン２００は、少なくとも一つ以上の層で形成されることができる。
前記後面電極パターン２００が複数個の層で形成される時、前記後面電極パターン２００をなす層はお互いに異なる物質で形成されることができる。
本実施例で前記後面電極パターン２００は、ストライプ（ｓｔｒｉｐｅ）形態で形成されたが、これに限定されないでマトリックス（ｍａｔｒｉｘ）形態またはその以外の多様な形態に形成されることができる。
引き継いで、図３に示すように、前記基板１００の第２領域（Ｂ）に金属膜パターン２５０を形成する。
この時、前記金属膜パターン２５０は、前記後面電極パターン２００ごとにそれぞれ形成されることができるし、前記金属膜パターン２５０と後面電極パターン２００は、電気的に連結されることができる。
前記後面電極パターン２００と連結されたそれぞれの前記金属膜パターン２５０は、お互いに離隔されて形成される。
すなわち、前記後面電極パターン２００とは電気的に連結されるが、前記金属膜パターン２５０はお互いに離隔されて形成されるので、電気的に連結されない。
前記金属膜パターン２５０は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）などの物質で形成されることができる。
引き継いで、図４に示すように、前記後面電極パターン２００上に光吸収層３００及びバッファ層４００を形成する。
この時も、前記光吸収層３００及びバッファ層４００は、第１領域（Ａ）上のみに形成されることができる。
前記光吸収層３００は、Ｉｂ−ＩＩＩｂ−ＶＩｂ系化合物で形成されることができる。
さらに詳しくは、前記光吸収層３００は、銅−インジウム−ガリウム−セレン系（Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓｅ２、ＣＩＧＳ系）化合物を含む。
これとは異なるように、前記光吸収層３００は銅−インジウム−セレン系（ＣｕＩｎＳｅ２、ＣＩＳ系）化合物または銅−ガリウム−セレン系（ＣｕＧａＳｅ２、ＣＩＳ系）化合物を含むことができる。
例えば、前記光吸収層３００を形成するために、銅ターゲット、インジウムターゲット及びガリウムターゲットを使用して、前記後面電極パターン２００上にＣＩＧ系金属プレカーソル（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）膜が形成される。
以後、前記金属プリカーソルー膜は、セレニゼイション（ｓｅｌｅｎｉｚａｔｉｏｎ）工程によって、セレニウム（Ｓｅ）と反応してＣＩＧＳ系光吸収層３００が形成される。
また、前記金属プリカーソルー膜を形成する工程及びセレニゼイション工程間に、前記基板１００に含まれたアルカリ（ａｌｋａｌｉ）成分が前記後面電極パターン２００を通じて、前記金属プレカーソル膜及び前記光吸収層３００に拡散される。
アルカリ（ａｌｋａｌｉ）成分は、前記光吸収層３００のグレーン（ｇｒａｉｎ）大きさを向上させて、結晶性を向上させることができる。
また、前記光吸収層３００は、銅、インジウム、ガリウム、セレン（Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅ）を同時蒸着法（ｃｏ−ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）によって形成することもできる。
前記光吸収層３００は外部の光の入射を受けて、電気エネルギーに変換させる。前記光吸収層３００は、光電効果によって光起電力を生成する。
前記バッファ層４００は、少なくとも一つの層で形成されて、前記後面電極パターン２００が形成された前記基板１００上に、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ｉ−ＺｎＯのうち何れか一つまたはこれらの積層で形成されることができる。
前記バッファ層４００は、透明な電極で形成されることができる。
この時、前記バッファ層４００は、ｎ型半導体層であり、前記光吸収層３００は、ｐ型半導体層である。よって、前記光吸収層３００及びバッファ層４００は、ｐｎ接合を形成する。
すなわち、前記光吸収層３００と前面電極５００は、格子定数とエネルギーバンドギャップの差が大きいために、バンドギャップが二つの物質の中間に位置する前記バッファ層４００を挿入して良好な接合を形成することができる。
本実施例では一つのバッファ層を前記光吸収層３００上に形成したが、これに限定されないで、前記バッファ層は二つ以上の層で形成されることもできる。
そして、図５に示すように、前記光吸収層３００及びバッファ層４００を貫通するコンタクトパターン３１０を形成する。
前記コンタクトパターン３１０は、機械的（Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ）な方法で形成するか、またはレーザー（ｌａｓｅｒ）を照射（ｉｒｒａｄｉａｔｅ）して形成することができる。前記コンタクトパターン３１０の形成で、前記後面電極パターン２００の一部が露出される。
引き継いで、図６に示すように、前記バッファ層４００上に透明な導電性物質を積層して、前面電極５００及び接続配線３５０を形成する。
この時、前記前面電極５００も前記第１領域（Ａ）上のみに形成されることができる。
前記透明な導電性物質を前記バッファ層４００上に積層させる時、前記透明な導電物質が前記コンタクトパターン３１０の内部にも挿入されて、前記接続配線３５０を形成することができる。
前記後面電極パターン２００と上部電極５００は、前記接続配線３５０によって電気的に連結される。
前記上部電極５００は、前記基板１００上にスパッタリング工程を進行してアルミニウムでドーピングされた酸化亜鉛で形成される。
前記上部電極５００は、前記光吸収層３００とｐｎ接合を形成するウィンドウ（ｗｉｎｄｏｗ）層であり、太陽電池前面の透明電極の機能をするために光透過率が高くて、電気伝導性が良い酸化亜鉛（ＺｎＯ）で形成される。
この時、前記酸化亜鉛にアルミニウムをドーピングすることで、低い抵抗値を有する電極を形成することができる。
前記上部電極５００である酸化亜鉛薄膜は、ＲＦスパッタリング方法でＺｎＯターゲットを使用して蒸着する方法と、Ｚｎターゲットを利用した反応性スパッタリング、そして、有機金属化学蒸着法などで形成されることができる。
また、電気光学的特性が優れたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）薄膜を酸化亜鉛薄膜上に蒸着した二重構造を形成することもできる。
そして、図７及び図８に示すように、前記光吸収層３００及びバッファ層４００を貫通する分離パターン３２０を形成する。
前記分離パターン３２０は、機械的（Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ）な方法で形成するか、またはレーザー（ｌａｓｅｒ）を照射（ｉｒｒａｄｉａｔｅ）して形成することができるし、前記後面電極パターン２００の上面が露出されるように形成されることができる。
前記バッファ層４００及び上部電極５００は、前記分離パターン３２０によって区分されることができ、前記分離パターン３２０によってそれぞれのセル（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）はお互いに分離されることができる。
前記分離パターン３２０によって前記バッファ層４００及び光吸収層３００は、ストライプ形態またはマトリックス形態で配置されることができる。
前記分離パターン３２０は、前記の形態に限定されず、多様な形態で形成されることができる。
前記分離パターン３２０によって前記後面電極パターン２００、光吸収層３００、バッファ層４００及び上部電極５００を含むセル（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５）が形成される。
この時、前記接続配線３５０によってそれぞれのセル（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５）はお互いに連結されることができる。
すなわち、前記接続配線３５０は、第３セル（Ｃ３）の後面電極パターン２００と前記第３セル（Ｃ３）に隣接する前記第２セル（Ｃ２）の上部電極５００を電気的に連結する。
また、前記接続配線３５０は、第４セル（Ｃ４）の後面電極パターン２００と前記第４セル（Ｃ４）に隣接する前記第３セル（Ｃ３）の上部電極５００を電気的に連結する。
そして、前記分離パターン３２０によって分離された多数個の太陽電池セル（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５）に対して不良セルが発生したかをチェックをする。
前記不良セルチェックは、前記太陽電池セル（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５）が形成されたパネルに熱画像カメラなどを利用して不良セルを捜し出すことができる。
前記第３セル（Ｃ３）が不良セルであると、前記第３セル（Ｃ３）に負荷が大きくなって過熱が発生するようになって、直列連結された前記第２セル（Ｃ２）と第４セル（Ｃ４）はお互いに連結されなくなる。
引き継いで、図９に示すように、前記金属膜パターン２５０がお互いに連結されるように前記金属膜パターン２５０の間に非晶質パターン２６０を形成する。
前記非晶質パターン２６０で前記金属膜パターン２５０は、お互いに連結される構造を有するが、前記非晶質パターン２６０によって電気的には連結されない。
前記非晶質パターン２６０は、５族と６族の化合物であるＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５で形成されることができる。
そして、図１０に示すように、第３セル（Ｃ３）及び第４セル（Ｃ４）と隣接する前記後面電極パターン２００が電気的に連結されるように、それに対応される前記後面電極パターン２００の間に結晶質パターン２７０を形成する。
前記結晶質パターン２７０は、それに対応される前記非晶質パターン２６０にレーザー（ｌａｓｅｒ）工程を進行して、選択された前記非晶質パターン２６０だけ結晶質パターン２７０に変更させることができる。
すなわち、前記第３セル（Ｃ３）及び第４セル（Ｃ４）の前記後面電極パターン２００と連結された前記金属膜パターン２５０の間に形成された前記非晶質パターン２６０を結晶質パターン２７０に変更して、前記第３セル（Ｃ３）及び第４セル（Ｃ４）の前記後面電極パターン２００を電気的に連結させることができる。
本実施例では不良セルに対応する領域の前記非晶質パターン２６０を結晶質パターン２７０に変更したが、これに限定されず、図１１に示すように、不良セルに対応する領域の前記金属膜パターン２５０を導電性物質２８０で連結させることができる。
すなわち、不良セルをチェックした後、それに対応する領域をすぐ前記導電性物質２８０に隣り合う前記後面電極パターン２００を電気的に連結させることができる。
この時、前記導電性物質２８０は、導電性ペースト（ｐａｓｔｅ）または導電性テープ（ｔａｐｅ）でなされることができる。
前記導電ペーストは、シルバー（Ａｇ）ペーストになることができるし、前記導電性テープは、銅（Ｃｕ）または炭素（Ｃａｒｂｏｎ）テープになることができる。
図１２は、前記第３セル（Ｃ３）と第４セル（Ｃ４）が連結された構造を簡単に示す。
すなわち、不良セルである前記第３セル（Ｃ３）の前記後面電極パターン２００と前記第４セル（Ｃ４）の後面電極パターン２００が前記金属膜パターン２５０と結晶質パターン２７０によって電気的に連結されて、前記第３セル（Ｃ３）と連結された前記第２セル（Ｃ２）と第４セル（Ｃ４）は電気的に連結される。
本実施例では前記第３セル（Ｃ３）だけ不良になった場合を提示したが、少なくとも一つ以上のセルが不良になった場合も含まれることができる。
例えば、前記第２セル（Ｃ２）と第３セル（Ｃ３）が同時に不良になった場合、前記第４セル（Ｃ４）の後面電極パターン２００と前記第２セル（Ｃ２）の後面電極パターン２００を連結することができるように、前記第３セル（Ｃ３）及び第４セル（Ｃ４）に対応される前記非晶質パターン２６０を結晶窒化させることができる。
これによって、太陽電池セル中間に不良セルが発生しても不良セル領域と隣接したセルらをお互いに連結して使用することで、不良セルが発生しても廃棄しないで太陽電池で使用することができる。
以上実施例を中心に説明したが、これは単に例示であるだけで、本発明を限定するものではなく、本発明が属する分野の通常の知識を有した者なら本実施例の本質的な特性を脱しない範囲で以上に例示されないさまざまな変形と応用が可能であることが分かるであろう。例えば、実施例に具体的に現われた各構成要素は、変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に係る差異点は、添付された請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものとして解釈されなければならないであろう。
２００ 後面電極パターン
２５０ 金属膜パターン
２６０ 非晶質パターン
２７０ 結晶質パターン
５００ 前面電極層
Ａ 第１領域
Ｂ 第２領域

Claims (17)

  1. 基板の第１領域上に形成されて、後面電極パターン、光吸収層、バッファ層及び前面電極層をそれぞれ含む多数個の太陽電池セルと、
    前記基板の第２領域上に形成されて、前記多数個の太陽電池セルとそれぞれ電気的に連結されて相互離隔されるように形成される金属膜パターンと、及び
    相互離隔されて形成された前記金属膜パターンの間に形成される連結部と、を含む太陽電池。
  2. 前記金属膜パターンは、前記多数個の太陽電池セルの後面電極パターンとそれぞれ電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  3. 前記連結部は、非晶質パターン及び結晶質パターンを含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  4. 前記結晶質パターンは、前記多数個の太陽電池セルのうちで不良セル領域と連結された金属膜パターンと電気的に接するように形成されることを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。
  5. 前記多数個の太陽電池セルのうちで不良セル領域に対応する金属膜パターンと接する連結部は導電性物質を含み、前記導電性物質は導電性ペースト（ｐａｓｔｅ）または導電性テープ（ｔａｐｅ）であることを含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  6. 前記導電性ペーストは、シルバーペーストを含み、前記導電性テープは銅または炭素を含むことを特徴とする請求項５に記載の太陽電池。
  7. 前記金属膜パターンは、ＡｌまたはＣｕを含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  8. 前記非晶質パターンは、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５を含むことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。
  9. 前記前面電極層は、前記後面電極パターンと電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  10. 前記多数個の太陽電池セルのうちで一つのセルの後面電極パターンと前記一つのセルと隣接するセルの上部電極を電気的に連結する接続配線をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  11. 前記接続配線は、透明な導電物質を含むことを特徴とする請求項１０に記載の太陽電池。
  12. 基板上の第１領域にお互いに離隔されるように複数個の後面電極パターンを形成して、前記基板上の第２領域にそれぞれの前記後面電極パターンと連結されて、お互いに離隔されるように複数個の金属膜パターンを形成する段階と、
    前記後面電極パターンが形成された前記基板の第１領域上に順にバッファ層及び光吸収層を形成する段階と、
    前記バッファ層及び光吸収層を貫通するコンタクトパターンを形成する段階と、
    前記コンタクトパターンを含む前記バッファ層及び光吸収層上に上部電極を形成した後、前記バッファ層、光吸収層及び上部電極を貫通して、前記後面電極パターンの一部が露出されて、単位セルに分けるための分離パターンを形成する段階と、及び
    前記基板の第２領域上に形成されて、前記太陽電池セルのうちで不良セル領域の後面電極パターンを電気的に連結する段階を含み、
    前記後面電極パターン、光吸収層、バッファ層及び前面電極層は、第１領域に形成されて、前記金属膜パターンと結晶質パターンは第２領域に形成されることを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
  13. 前記分離パターンを形成した後、
    前記基板の第２領域上に形成された前記金属膜パターンの間に非晶質パターンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の太陽電池の製造方法。
  14. 前記不良セル領域と対応する前記非晶質パターンにレーザー工程を進行させて、前記非晶質パターンを結晶質パターンに形成する段階を含み、
    前記結晶質パターンによって前記不良セル領域の後面電極パターンだけ電気的に連結されることを含むことを特徴とする請求項１３に記載の太陽電池の製造方法。
  15. 前記金属膜パターンは、ＡｌまたはＣｕで形成され、前記非晶質パターンは、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５で形成されることを含むことを特徴とする請求項１３に記載の太陽電池の製造方法。
  16. 前記不良セル領域の後面電極パターンを電気的に連結する段階は、
    前記不良セル領域と対応する前記金属膜パターンの間に導電性物質を形成する段階を含み、
    前記導電性物質によって前記不良セル領域の後面電極パターンだけ電気的に連結されたことを含むことを特徴とする請求項１２に記載の太陽電池の製造方法。
  17. 前記導電性物質は、導電性ペースト（ｐａｓｔｅ）または導電性テープ（ｔａｐｅ）で形成されたことを含むことを特徴とする請求項１６に記載の太陽電池の製造方法。
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