KR101382819B1 - 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

태양광 발전장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 배리어층; 상기 배리어층 상에 배치되는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층; 및 상기 배리어층 및 상기 후면전극층 사이에 개재되는 후면 버퍼층을 포함하고, 상기 후면 버퍼층은 금속 또는 합금을 포함한다.

Description

태양광 발전장치 및 이의 제조방법{PHOTOVOLTAIC APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 태양광 발전장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
태양광 발전을 위한 태양전지의 제조방법은 다음과 같다. 먼저, 기판이 제공되고, 상기 기판 상에 후면전극층이 형성되고, 레이저에 의해서 패터닝되어, 다수 개의 이면전극들이 형성된다.
이후, 상기 이면전극들 상에 광 흡수층, 버퍼층 및 고저항 버퍼층이 차례로 형성된다. 상기 광 흡수층을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다. 상기 광 흡수층의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1 내지 1.8 eV 이다.
이후, 상기 광 흡수층 상에 황화 카드뮴(CdS)을 포함하는 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 상기 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 2.2 내지 2.4 eV 이다. 이후, 상기 버퍼층 상에 징크 옥사이드(ZnO)를 포함하는 고저항 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 내지 3.3 eV 이다.
이후, 상기 광 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 고저항 버퍼층에 홈 패턴이 형성될 수 있다.
이후, 상기 고저항 버퍼층 상에 투명한 도전물질이 적층되고, 상기 홈패턴이 상기 투명한 도전물질이 채워진다. 이에 따라서, 상기 고저항 버퍼층 상에 투명전극층이 형성되고, 상기 홈 패턴 내측에 접속배선들이 각각 형성된다. 상기 투명전극층 및 상기 접속배선으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드 등을 들 수 있다. 상기 투명전극층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 내지 3.3 eV 이다.
이후, 상기 투명전극층 등에 홈 패턴이 형성되어, 다수 개의 태양전지들이 형성될 수 있다. 상기 투명전극들 및 상기 고저항 버퍼들은 각각의 셀에 대응한다. 상기 투명전극들 및 상기 고저항 버퍼들은 스트라이프 형태 또는 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.
상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 서로 미스 얼라인되며, 상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 상기 접속배선들에 의해서 각각 전기적으로 연결된다. 이에 따라서, 다수 개의 태양전지들이 서로 전기적으로 직렬로 연결될 수 있다.
이와 같이, 태양광을 전기에너지로 변환시키기 위해서, 다양한 형태의 태양광 발전장치가 제조되고, 사용될 수 있다. 이와 같은 태양광 발전장치는 특허 공개 공보 10-2008-0088744 등에 개시된다.
실시예는 향상된 광-전 변환 효율을 가지는 태양광 발전장치 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 배리어층; 상기 배리어층 상에 배치되는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층; 및 상기 배리어층 및 상기 후면전극층 사이에 개재되는 후면 버퍼층을 포함하고, 상기 후면 버퍼층은 금속 또는 합금을 포함한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 기판 상에 배리어층을 형성하는 단계; 상기 배리어층 상에 후면 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 후면 버퍼층 상에 후면전극층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 후면 버퍼층은 금속 또는 합금을 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 배리어층 및 상기 후면전극층 사이에 개재되는 후면 버퍼층을 포함한다. 상기 후면 버퍼층은 금속 또는 합금을 포함한다. 특히, 상기 후면 버퍼층은 상기 배리어층에 포함되는 금속을 포함하고, 상기 후면전극층은 금속을 포함할 수 있다.
이에 따라서, 상기 후면 버퍼층은 상기 배리어층 및 상기 후면전극층 사이에서 기계적인 버퍼 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 후면 버퍼층은 상기 후면전극층의 전기 저항을 감소시킬 수 있다. 또한, 상기 후면 버퍼층은 상기 광 흡수층을 통과하는 적외선 등을 상방으로 반사시킬 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전 장치는 상기 배리어층 및 상기 후면전극층의 크랙 등을 방지할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 배리어층 및 상기 후면전극층 사이의 박리 현상을 방지할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 향상된 전기적 및 광학적 특성을 가지고, 향상된 광-전 변환 효율을 가질 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 단면도이다.
도 2 내지 도 6은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 태양전지는 지지기판(100), 배리어층(110), 후면 버퍼층(120), 후면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 전면전극층(600)을 포함한다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 배리어층(110), 상기 후면 버퍼층(120), 상기 후면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 상기 전면전극층(600)을 지지한다.
상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 스테인레스 스틸 기판일 수 있다. 즉, 상기 지지기판(100)은 스테인레스 스틸 등과 같은 철 합금을 포함할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 불투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 플렉서블할 수 있다.
상기 배리어층(110)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 배리어층(110)은 상기 지지기판(100)의 상면에 직접 배치된다. 상기 배리어층(110)은 상기 지지기판(100)의 상면에 전체적으로 배치된다. 상기 배리어층(110)은 상기 지지기판(100)의 상면에 전체적으로 코팅된다.
상기 배리어층(110)은 상기 지지기판(100)에 포함된 물질이 상기 광 흡수층(300) 등으로 확산되는 것을 방지한다. 상기 배리어층(110)의 두께는 약 100㎚ 내지 약 1000㎚일 수 있다.
상기 배리어층(110)은 금속 화합물을 포함한다. 더 자세하게, 상기 배리어층(110)은 제 1 금속의 화합물을 포함한다. 더 자세하게, 상기 배리어층(110)은 금속 산화물을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 배리어층(110)은 상기 제 1 금속의 산화물을 포함할 수 있다. 상기 제 1 금속의 예로서는 알루미늄 등을 들 수 있다. 즉, 상기 배리어층(110)은 알루미늄 옥사이드를 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 배리어층(110)은 전체적으로 알루미늄 옥사이드를 포함할 수 있다.
상기 후면 버퍼층(120)은 상기 배리어층(110) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 후면 버퍼층(120)은 상기 배리어층(110) 상에 직접 배치될 수 있다. 상기 후면 버퍼층(120)은 상기 배리어층(110)의 상면에 직접 코팅될 수 있다. 또한, 상기 후면 버퍼층(120)은 상기 배리어층(110) 및 상기 후면전극층(200) 사이에 개재된다. 상기 후면 버퍼층(120)은 상기 후면전극층(200)의 하면에 직접 배치될 수 있다.
상기 후면 버퍼층(120)은 상기 배리어층(110) 및 상기 후면전극층(200) 사이에서 버퍼 기능을 수행할 수 있다. 특히, 상기 후면 버퍼층(120)은 상기 배리어층(110) 및 상기 후면전극층(200) 사이에서 기계적 버퍼 기능을 수행할 수 있다. 상기 후면 버퍼층(120)의 두께는 약 5㎚ 내지 약 100㎚일 수 있다. 더 자세하게, 상기 후면 버퍼층(120)의 두께는 약 5㎚ 내지 약 10㎚일 수 있다.
상기 후면 버퍼층(120)은 금속 또는 합금을 포함한다. 더 자세하게, 상기 후면 버퍼층(120)은 상기 제 1 금속을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 후면 버퍼층(120)은 전체적으로 상기 제 1 금속으로 이루어질 수 있다. 더 자세하게, 상기 후면 버퍼층(120)은 알루미늄을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 배리어층(110)은 알루미늄 옥사이드를 포함하고, 상기 후면 버퍼층(120)은 알루미늄을 포함할 수 있다.
상기 후면 버퍼층(120)은 합금을 포함할 수 있다. 상기 후면 버퍼층(120)은 상기 제 1 금속의 합금을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 후면 버퍼층(120)은 전체적으로 상기 제 1 금속의 합금으로 이루어질 수 있다. 더 자세하게, 상기 후면 버퍼층(120)은 알루미늄 합금을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 배리어층(110)은 알루미늄 옥사이드를 포함하고, 상기 후면 버퍼층(120)은 알루미늄 합금을 포함할 수 있다.
상기 후면 버퍼층(120)은 상기 제 1 금속 및 제 2 금속의 합금을 포함할 수 있다. 상기 제 2 금속은 몰리브덴(Mo), 망간(Mn), 마그네슘(Mg), 나트륨(Na), 리튬(Li), 구리(Cu), 아연(Zn) 또는 니켈(Ni)로부터 선택될 수 있다.
상기 제 2 금속은 상기 후면전극층(200)으로 사용되는 금속일 수 있다. 예를 들어, 상기 배리어층(110)은 알루미늄 옥사이드를 포함하고, 상기 후면전극층(200)은 몰리브덴을 포함하고, 상기 후면 버퍼층(120)은 알루미늄-몰리브덴계 합금을 포함할 수 있다. 이와 같은 경우, 상기 후면 버퍼층(120)은 상기 배리어층(110)과 유사한 특성을 가지고, 상기 후면전극층(200)과 유사한 특성을 가질 수 있다. 이에 따라서, 상기 후면 버퍼층(120)은 상기 배리어층(110)에 견고하게 밀착되고, 상기 후면전극층(200)의 하면에도 견고하게 밀착될 수 있다.
또한, 상기 후면 버퍼층(120)은 나트륨 등과 같은 I족 금속의 합금을 포함할 수 있다. 이에 따라서, 상기 후면 버퍼층(120)에 포함되는 I족 금속은 상기 광 흡수층(300)을 형성하는 과정에서, 상기 광 흡수층(300) 내의 결함을 보상할 수 있다. 예를 들어, 상기 후면 버퍼층(120)이 알루미늄-나트륨계 합금을 포함하는 경우, 상기 후면 버퍼층(120)에 포함된 나트륨은 상기 광 흡수층(300)으로 확산되어, 상기 광 흡수층(300)에서 구리의 결핍을 보상할 수 있다. 즉, 상기 후면 버퍼층(120)의 나트륨은 상기 광 흡수층(300) 내의 결함을 제거할 수 있다. 이에 따라서, 상기 광 흡수층(300)은 향상된 결정 구조 및 광-전 변환 효율을 가질 수 있다.
상기 후면전극층(200)은 상기 후면 버퍼층(120) 상에 배치된다. 상기 후면전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면전극층(200)은 상기 제 2 금속을 포함할 수 있다. 상기 후면전극층(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴(Mo) 등의 금속을 들 수 있다.
또한, 상기 후면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 후면전극층(200) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300)에 직접 접촉한다. 상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴을 포함한다. 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 1.9eV 내지 약 2.3eV일 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV일 수 있다.
상기 전면전극층(600)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 전면전극층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다.
상기 전면전극층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다. 상기 전면전극층(600)은 투명하다. 상기 전면전극층(600)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnO;AZO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 등을 들 수 있다.
상기 전면전극층(600)의 두께는 약 500㎚ 내지 약 1.5㎛일 수 있다. 또한, 상기 전면전극층(600)이 알루니늄이 도핑되는 징크 옥사이드로 형성되는 경우, 알루미늄은 약 2.5wt% 내지 약 3.5wt%의 비율로 도핑될 수 있다. 상기 전면전극층(600)은 도전층이다.
앞서 설명한 바와 같이, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 배리어층(110) 및 상기 후면전극층(200) 사이에 개재되는 후면 버퍼층(120)을 포함한다. 상기 후면 버퍼층(120)은 금속 또는 합금을 포함한다. 특히, 상기 후면 버퍼층(120)은 상기 배리어층(110)에 포함되는 금속을 포함하고, 상기 후면전극층(200)은 금속을 포함할 수 있다.
이에 따라서, 상기 후면 버퍼층(120)은 상기 배리어층(110) 및 상기 후면전극층(200) 사이에서 기계적인 버퍼 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 후면 버퍼층(120)은 상기 후면전극층(200)의 전기 저항을 감소시킬 수 있다. 또한, 상기 후면 버퍼층(120)은 상기 광 흡수층(300)을 통과하는 적외선 등을 상방으로 반사시킬 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전 장치는 상기 배리어층(110) 및 상기 후면전극층(200)의 크랙 등을 방지할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 배리어층(110) 및 상기 후면전극층(200) 사이의 박리 현상을 방지할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 향상된 전기적 및 광학적 특성을 가지고, 향상된 광-전 변환 효율을 가질 수 있다.
도 2 내지 도 6은 실시예에 따른 태양전지를 제조하기 위한 공정을 도시한 도면들이다. 본 제조방법에서는 앞서 설명한 태양전지를 참고하여 설명한다. 본 제조방법에 대한 설명에, 앞선 태양전지에 관한 설명은 본질적으로 결합될 수 있다.
도 2를 참조하면, 지지기판(100) 상에 스퍼터링 공정 등에 의해서, 배리어층(110)이 형성된다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100) 상에 상기 배리어층(110)을 형성하기 위해서, 알루미늄 옥사이드 타겟 등과 같은 제 1 금속의 산화물을 포함하는 타겟이 사용될 수 있다. 상기 배리어층(110)을 형성하기 위한 공정은 스퍼터링 공정 등을 들 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 배리어층(110) 상에 후면 버퍼층(120)이 형성된다. 상기 배리어층(110) 상에 금속 또는 합금이 증착되어, 상기 후면 버퍼층(120)이 형성될 수 있다. 상기 후면 전극층을 형성하기 위해서, 상기 제 1 금속을 포함하는 타겟이 사용될 수 있다. 예를 들어, 알루미늄 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 후면 버퍼층(120)이 형성될 수 있다.
상기 후면 버퍼층(120)은 금속 합금 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 형성될 수 있다. 상기 후면 버퍼층(120)은 알루미늄 합금을 사용하는 스퍼티링 공정에 의해서, 형성될 수 있다.
이와는 다르게, 상기 후면 버퍼층(120)은 원자층 증착(atomic layer deposition;ALD) 공정에 의해서, 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 후면 버퍼층(120) 상에 스퍼터링 공정에 의해서 몰리브덴 등과 같은 금속이 증착되고, 후면전극층(200)이 형성된다. 상기 후면전극층(200)은 공정 조건이 서로 다른 두 번의 공정들에 의해서 형성될 수 있다.
특히, 상기 후면전극층(200)을 형성하기 위한 공정 및 상기 후면 버퍼층(120)을 형성하기 위한 공정은 동일한 챔버에서 진행될 수 있다. 특히, 상기 후면 버퍼층(120)이 형성된 후, 바로 상기 후면전극층(200)이 형성될 수 있다. 즉, 진공 챔버에서, 상기 후면 버퍼층(120)이 알루미늄 타겟 또는 알루미늄 합금 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정이 형성된 후, 상기 진공 챔버 내의 진공 상태가 유지된 상태에서, 몰리브덴 타겟을 사용하여, 상기 후면 전극층이 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 후면전극층(200) 상에 광 흡수층(300)이 형성된다.
상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CGS계 광 흡수층이 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)이 형성된다. 또한, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 전면전극층(600)이 형성된다.
상기 버퍼층(400)은 화학 용액 증착 공정(chemical bath deposition;CBD)에 의해서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)이 형성된 후, 상기 광 흡수층(300)은 황화 카드뮴을 형성하기 위한 물질들을 포함하는 용액에 침지되고, 상기 광 흡수층(300) 상에 황화 카드뮴을 포함하는 상기 버퍼층(400)이 형성된다.
이후, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
상기 고저항 버퍼층(500) 상에 전면전극층(600)이 형성된다. 상기 전면전극층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 투명한 도전물질이 적층되어 형성된다. 상기 투명한 도전물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드, 인듐 징크 옥사이드 또는 인듐 틴 옥사이드 등을 들 수 있다.
이상에서와 같이, 향상된 강도, 신뢰성 및 내구성을 가지는 태양광 발전장치가 제조될 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 배리어층;
    상기 배리어층 상에 배치되는 후면전극층;
    상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층;
    상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층; 및
    상기 배리어층 및 상기 후면전극층 사이에 개재되는 후면 버퍼층을 포함하고,
    상기 후면전극층은 제 2 금속을 포함하고,
    상기 후면 버퍼층은 상기 제2 금속 및 상기 제2 금속과 다른 제1 금속의 합금을 포함하는 태양광 발전장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 금속은 알루미늄을 포함하는 태양광 발전장치.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속은 몰리브덴, 망간, 마그네슘, 나트륨, 리튬, 구리, 아연 또는 니켈로부터 선택되는 태양광 발전장치.
  6. 삭제
  7. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 배리어층;
    상기 배리어층 상에 배치되는 후면전극층;
    상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층;
    상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층; 및
    상기 배리어층 및 상기 후면전극층 사이에 개재되는 후면 버퍼층을 포함하고,
    상기 후면 버퍼층은 I족 금속의 합금을 포함하는 태양광 발전장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 후면전극층의 두께는 5㎚ 내지 10㎚인 태양광 발전장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 철을 포함하고,
    상기 배리어층은 알루미늄 옥사이드를 포함하고,
    상기 후면 버퍼층은 알루미늄-몰리브덴계 합금을 포함하고,
    상기 후면전극층은 몰리브덴을 포함하는 태양광 발전장치.
  10. 기판 상에 배리어층을 형성하는 단계;
    상기 배리어층 상에 후면 버퍼층을 형성하는 단계;
    상기 후면 버퍼층 상에 후면전극층을 형성하는 단계;
    상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및
    상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 후면전극층은 제 2 금속을 포함하고,
    상기 후면 버퍼층은 상기 제2 금속 및 상기 제2 금속과 다른 제1 금속의 합금을 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 배리어층은 알루미늄 옥사이드를 포함하고,
    상기 후면전극층은 몰리브덴을 포함하고,
    상기 후면 버퍼층은 알루미늄-몰리브덴계 합금을 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법.
  12. 기판 상에 배리어층을 형성하는 단계;
    상기 배리어층 상에 후면 버퍼층을 형성하는 단계;
    상기 후면 버퍼층 상에 후면전극층을 형성하는 단계;
    상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및
    상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 배리어층 및 상기 후면전극층 사이에 개재되는 후면 버퍼층을 포함하고,
    상기 후면 버퍼층은 I족 금속의 합금을 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법.
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