KR101081194B1 - 태양전지의 제조장치, 이를 이용한 태양전지의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
태양전지가 개시된다. 실시예에 따른 태양전지는, 기판 상에 형성되고, 그레인 사이즈가 제1 크기를 가지는 제1 도전층 및 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기를 가지는 제2 도전층을 포함하는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 형성된 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 형성된 전면전극층을 포함하고, 상기 제1 도전층 및 제2 도전층은 적어도 3개 이상의 층으로 형성된 것을 포함하는 것으로, 상기 후면전극층은 밀착성 및 전도성을 동시에 향상시킬 수 있다.
태양전지, 후면전극층
Description
실시예는 태양전지에 관한 것이다.
최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지에 대한 개발이 진행되고 있다.
특히, 유리기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고 저항 버퍼층, n형 창층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.
이러한 태양전지는 상기 후면전극층의 밀착력 및 전도성을 만족시킴으로써, 향상된 효율을 가질 수 있다.
실시예는 향상된 효율을 가지는 태양전지의 제조장치 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은, 기판 상에 그레인 사이즈가 제1 크기를 가지는 제1 도전층 및 제1 크기 보다 큰 제2 크기를 가지는 제2 도전층을 포함하는 후면전극층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 도전층 및 제2 도전층은 적어도 3개 이상의 층으로 형성되는 것을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지는, 기판 상에 형성되고, 그레인 사이즈가 제1 크기를 가지는 제1 도전층 및 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기를 가지는 제2 도전층을 포함하는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 형성된 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 형성된 전면전극층을 포함하고, 상기 제1 도전층 및 제2 도전층은 적어도 3개 이상의 층으로 형성된 것을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지의 제조장치는, 기판 상에 후면전극층을 형성하도록 적어도 하나 이상의 제1 캐소드 및 제2 캐소드를 포함하고, 이웃하는 상기 제1 캐소드와 상기 제2 캐소드는 서로 다른 전력을 가지는 것을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지는, 서로 다른 전력이 인가되는 제1 캐소드 및 제2 캐소드가 배치된 스퍼터링 장치에 의하여 적어도 3개 이상의 층으로 형성된 후면전극층을 제조할 수 있다.
상기 제1 캐소드는 저 전력이 인가되고 상기 제2 캐소드에는 고 전력이 인가되어, 상기 후면전극층의 밀착성 및 전도성을 동시에 만족시킬 수 있다.
또한, 한 번의 스퍼터링 공정에 의하여 상기 후면전극층이 형성되므로, 실시예에 따른 태양전지의 생산성은 향상시킬 수 있다.
상기 후면전극층이 3개 이상의 층으로 형성되므로 밀착력 및 전도성을 향상시킬 수 있다.
즉, 고 전력에 의해서 면저항을 확보하는 후면전극층을 형성하고, 저 전력에서는 상기 후면전극층이 빈 공극(void)을 채움으로써 밀착력을 향상시킬 수 있다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지 제조장치를 개략적으로 도시한 도면이다. 특히, 도 1은 태양전지의 후면전극층을 형성하기 위한 스퍼터링 장치의 프로세스 챔 버(Process Chamber)이다. 도 2 및 도 3은 도 1의 제조장치에 의하여 형성된 태양전지의 후면전극층을 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하여, 태양전지 제조장치는 기판을 투입하는 로딩 챔버(10), 기판에 박막을 증착하는 프로세스 챔버(20) 및 기판을 배출하는 언로딩 챔버(30)를 포함할 수 있다.
상기 프로세스 챔버(20)는 성막하고자 하는 물질을 캐소드(Cathode)로 하고 기판(100)을 애노드(anode)로 할 수 있다.
상기 캐소드(25)는 두개 이상의 캐소드들이 일렬로 배치되고, 각각의 캐소드에는 서로 다른 전력(power)이 인가될 수 있다.
예를 들어, 상기 캐소드(25)는 저 전력(Low power)이 인가되는 제1 캐소드(C1) 및 고 전력(High power)이 인가되는 제2 캐소드(C2)를 포함한다.
상기 제1 캐소드(C1)와 제2 캐소드(C2)는 교대로 배치될 수 있다. 즉, 상기 제1 캐소드(C1,), 제2 캐소드(C2), 제1 캐소드(C(2n-1) 및 제2 캐소드(C(2n)) 순서로 배치될 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하여, 상기 프로세스 챔버의 동작을 설명하면, 상기 로딩 챔버(10)에 의하여 상기 프로세스 챔버(20)로 진입한 기판(100)은 제1 캐소드(C1) 및 제2 캐소드(C2)를 순차적으로 통과하게 된다.
예를 들어, 상기 기판(100)은 유리 기판 일 수 있고, 상기 기판(100) 상에 적층되는 후면전극층(110)은 몰리브덴(Mo) 일 수 잇다.
상기 프로세스 챔버에 전원을 인가하면 반응가스는 캐소드 쪽에서 방출된 전 자와 충돌하여 여기(excite)되어 이온이 되고, 이러한 이온은 캐소드 쪽으로 끌려서 성막하고자 하는 물질(target)과 충돌한다. 이때 이온 입자는 에너지를 갖고 있으며 충돌시 그 에너지는 성막하고자 하는 물질(target) 쪽으로 전이된다. 전이된 에너지가 물질(target)을 이루고 있는 원소의 결합력과 전자의 일함수(work fuction)를 극복할 수 있을 때에 플라즈마를 방출하게 되고, 떨어져 나온 금속입자가 기판(100) 상에 적층된다.
이러한 동작에 의하여, 상기 제1 캐소드(C1)의 하부로 진행하는 기판(100)에는 제1 도전층(111)이 증착된다.
상기 제1 도전층(111)은 저 전력(low power)이 인가된 타겟 물질에 의하여 작은 그레인 사이즈(grain size)로 상기 기판(100) 상에 증착될 수 있다. 따라서, 상기 제1 도전층(111)은 치밀하게 증착될 수 있고, 밀착성을 향상시킬 수 있다.
그 다음, 상기 제2 캐소드(C2)의 하부로 진행하는 상기 기판(100)에는 제2 도전층(112)이 증착된다. 상기 제2 도전층(112)은 상기 제1 도전층(111) 상에 형성된다.
상기 제2 도전층(112)은 고 전력(high power)가 인가된 타겟 물질에 의하여 제1 도전층(111) 보다 큰 그레인 사이즈로 증착될 수 있다. 따라서, 상기 제2 도전층(112)은 전도성을 향상시킬 수 있다.
상기 제1 도전층(111)의 평균 입자크기(Crystalline Size,xs)는 15 ~ 20nm이고, 상기 제2 도전층의 평균 입자크기는 25 ~ 30nm일 수 있다.
즉 상기 제1 도전층(111)의 그레인이 작은 사이즈로 형성되어 고밀도로 증착 되고, 상기 제2 도전층(112)은 상기 제1 도전층(111)의 그레인 보다 큰 사이즈로 형성되어 높은 전도성을 가질 수 있게 된다.
또한, 상기 제2 도전층(112) 상에 제1 캐소드(C(2n-1))에 의한 제1 도전층을 형성함으로써 상기 후면전극층(110)은 3개 내지 10개의 층으로 형성할 수 있다.
실시예에서는 하나의 프로세스 챔버에 다른 파워를 가지는 캐소드(C1,C2,)를 이용하여 후면전극층(110)의 밀착력 및 면저항을 동시에 만족할 수 있다.
즉, 고밀도의 상기 제1 도전층(111)에 의하여 층간 밀착력을 향상시키고, 고 전도성의 상기 제2 도전층(112)에 의하여 면저항을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제2 도전층(112) 상에 저 전력(low power) 캐소드에 의한 제1 도전층(111)이 상기 제2 도전층(112)의 빈 공극(void)을 채울 수 있으므로 내부 밀착력을 향상시킬 수 있게 된다.
또한, 상기 제1 및 제2 캐소드(C1,C2)에 서로 다른 파워를 반복적을 인가하는 한번의 공정(one step)으로 기판(100) 상에 후면전극층(110)을 형성할 수 있다.
즉, 하나의 챔버에서 한번의 스퍼터링 공정(one step)으로 전도성 및 밀착성을 가지는 후면전극층(110)의 형성이 가능하여 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1 내지 도 6은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하여, 기판(100) 상에 후면전극층(110)이 형성된다.
상기 기판은 유리(glass)가 사용될 수 있으며, 세라믹 기판, 금속 기판 또는 폴리머 기판 등도 사용될 수 있다.
예를 들어, 유리 기판으로는 소다라임 유리(sodalime glass) 또는 고변형점 소다유리(high strained point soda glass)를 사용할 수 있다.
상기 기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 기판은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible) 할 수 있다.
상기 후면전극층(110)은 금속 등의 도전체로 형성될 수 있다.
상기 후면전극층(110)이 금속으로 형성되어 직렬저항 특성이 향상되고, 전기 전도도를 높일 수 있다. 예를 들어, 상기 후면전극층(110)은 500~1500nm의 두께를 가지며 0.15 ~ 0.25 Ω/□을 가질 수 있다.
상기 후면전극층(110)은 몰리브덴(Mo)으로 형성될 수 있다. 한편, 상기 후면전극층(110)을 형성하는 물질은 이에 한정되지 않고 나트륨(Na)이 도핑된 몰리브덴(Mo)으로 형성할 수도 있다.
이는 몰리브덴(Mo)이 가진 높은 전도도, 광 흡수층과의 오믹(ohmic) 접합, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다.
상기 후면전극층(110)인 몰리브덴 박막은 전극으로서의 비저항이 낮아야 하고, 열팽창 계수의 차이로 인하여 박리현상이 일어나지 않도록 상기 기판(100)에의 점착성이 뛰어나야 한다.
상기 후면전극층(110)은 고밀도의 제1 도전층(111) 및 고 전도성의 제2 도전층(112)을 포함한다. 상기 제1 도전층(111) 및 제2 도전층(112)은 교대로 적층되고, 적어도 3개 이상의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전층(111) 및 제2 도전층(112)은 3개 내지 10개의 층으로 형성될 수 있다.
상기 제1 도전층(111)은 고밀도로 형성되어 상기 기판(100)과의 밀착력을 향 상시킬 수 있고, 상기 제2 도전층(112)은 낮은 면저항을 가지므로 전도성을 높일 수 있다.
상기 제1 도전층(111) 및 제2 도전층(112)은 몰리브덴(Mo) 타겟을 사용한 스퍼터링(sputtering) 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제1 도전층(111) 및 제2 도전층(112)은 한번의 스퍼터링 공정에 의하여 형성될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 스퍼터링 공정을 위한 프로세스 챔버(20)는 서로 다른 파워를 가지는 한쌍의 캐소드(25)를 포함한다. 예를 들어, 한쌍의 캐소드(25)는 제1 캐소드(C1) 및 제2 캐소드(C2)이고, 적어도 한쌍 이상의 캐소드가 배치될 수 있다.
상기 제1 캐소드(C1) 및 제2 캐소드(C2)에는 서로 다른 파워가 인가될 수 있다. 상기 제1 캐소드(C1)에는 저 전력(low power)가 인가되고 상기 제2 캐소드(C2)에는 고 전력(high power)가 인가될 수 있다.
저 전력의 제1 캐소드(C1) 및 고 전력의 제2 캐소드(C2)의 하부로 상기 기판(100)의 이동이 진행되고 상기 후면전극층(110)은 서로 다른 파워에 의하여 상기 기판(100) 상에 적층될 수 있다.
즉, 상기 제1 캐소드(C1)에 의하여 상기 기판(100) 상에는 고밀도의 제1 도전층(111)이 증착되고, 상기 제2 캐소드(C2)에 의하여 면저항이 낮은 제2 도전층(112)이 증착되고, 실시예에 따른 상기 후면전극층(110)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 캐소드(C1)에는 1~2kW의 저 전력이 인가되고, 상기 제2 캐소드(C2)에는 4~10kW의 고 전력이 인가될 수 있다.
상기 스퍼터링 공정은 상기 프로세스 챔버(20)를 3~10mTorr의 압력으로 유지하고, 상기 제1 캐소드(C1) 및 제2 캐소드(C2)에 서로 다른 전력을 인가함으로써 진행될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 도전층(111)의 평균 입자크기(Crystalline Size:xs)는 15~20nm이고, 상기 제2 도전층(112)의 평균 입자크기(xs)는 25~30nm일 수 있다.
저 전력에 의하여 형성된 상기 제1 도전층(111)은 작은 결정입자 사이즈의 막으로 형성되어 높은 밀도를 가질 수 있기 때문에 상기 기판(100)과의 밀착력을 확보할 수 있다.
고 전력에 의하여 형성된 제2 도전층(112)은 상기 제1 도전층(111)에 비하여 큰 결정입자 사이즈의 막으로 형성되어, 비저항을 낮출 수 있기 때문에 전도성을 높일 수 있다.
스퍼터링 장치에 한쌍 이상의 상기 제1 캐소드(C1), 제2 캐소드(C2), 제1 캐소드(C(2n-1) 및 제2 캐소드(C(2n)가 번갈아 가며 배치되어 있다. 따라서, 상기 제2 캐소드(C2)에 의하여 형성된 제2 도전층(112)의 빈 공극(void)은 상기 제1 캐소드(C1)에 의하여 형성된 제1 도전층(111)이 채울 수 있게 되므로 상기 후면전극층(110)의 내부의 면저항 및 밀착력도 향상시킬 수 있다.
하나의 챔버 내부에 상기 제1 캐소드(C1) 및 제2 캐소드(C2)가 형성되어 있으므로 한번의 공정으로 후면전극층(110)을 형성할 수 있다. 이에 따라 후면전극층(110)을 형성하기 위한 공정 대기 시간을 낮추어 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 스퍼터링 공정 시 상기 기판(100)은 상기 제1 및 제2 캐소 드(C1,C2)들의 하부에서 적어도 1회 이상의 왕복이동하고, 적어도 3층 이상의 후면전극층(110)을 형성할 수도 있다. 이때, 각각의 후면전극층(110)은 전도성 및 밀착성을 동시에 확보할 수 있다.
도 3을 참조하여, 상기 후면전극층(110) 상에 광 흡수층(120)이 형성된다.
상기 광 흡수층(120)은 Ⅰb-Ⅲb-Ⅵb계 화합물을 포함한다.
더 자세하게, 상기 광 흡수층(120)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In, Ga)Se2, CIGS계) 화합물 또는 구리-인듐-셀레나이드계(CuInSe2, CIS계) 화합물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(120)을 형성하기 위해서, 구리타겟, 인듐 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하여, 상기 후면전극층(110) 상에 CIG계 금속 프리커서막(precusor)막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서 셀레늄(Se)과 반응하여 CIGS계 광 흡수층(120)이 형성된다.
또한, 상기 광 흡수층(120)은 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀레나이드(Se)를 동시증착법(co-evaporation)에 의해 형성할 수도 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(120)은 1000~2000nm의 두께로 형성될 수 있다.
상기 광 흡수층(120)은 외부의 광을 입사받아, 전기 에너지로 변환시킨다. 상기 광 흡수층(120)은 광전효과에 의해서 광 기전력을 생성한다.
도 4를 참조하여, 상기 광 흡수층(120) 상에 버퍼층(130) 및 고저항 버퍼층(140)이 형성된다.
상기 버퍼층(130)은 상기 광 흡수층(120) 상에 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있으며, 황화 카드뮴(CdS)이 적층되어 형성될 수 있다.
이때, 상기 버퍼층(130)은 n형 반도체 층이고, 상기 광 흡수층(120)은 p형 반도체 층이다. 따라서, 상기 광 흡수층(120) 및 버퍼층(130)은 pn접합을 형성한다.
상기 버퍼층(130)은 산화 아연(ZnO)을 타겟으로 한 스퍼터링 공정을 진행하여, 상기 황화 카드뮴(CdS) 상에 산화 아연층이 더 형성될 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(140)은 상기 버퍼층(130) 상에 투명전극층으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 고저항 버퍼층(140)은 ITO, ZnO, i-ZnO 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(130) 및 고저항 버퍼층(140)은 상기 광 흡수층(120)과 이후 형성될 전면전극층의 사이에 배치된다.
즉, 상기 광 흡수층(130)과 전면전극은 격자상수와 에너지 밴드 갭의 차이가 크기 때문에, 밴드갭이 두 물질의 중간에 위치하는 상기 버퍼층(130) 및 고저항 버퍼층(140)을 삽입하여 양호한 접합을 형성할 수 있다.
실시예에서는 두개의 버퍼층을 상기 광 흡수층(120) 상에 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 버퍼층은 한개의 층으로만 형성될 수도 있다.
도 5를 참조하여, 상기 고저항 버퍼층(140) 상에 투명한 도전물질을 적층하여 전면전극층(150)을 형성한다.
상기 전면전극층(150)은 알루미늄(Al), 알루미나(Al2O3), 마그네슘(Mg), 갈륨(Ga) 등의 불순물을 포함하는 아연계 산화물 또는 ITO(Indium Tin Oxide)로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 전면전극층(150)은 스퍼터링 공정을 진행하여 알루미늄 또는 알루미나로 도핑된 산화 아연으로 형성하여, 낮은 저항값을 갖는 전극을 형성할 수 있다.
즉, 상기 전면전극층(150)은 상기 광 흡수층(120)과 pn접합을 형성하는 윈도우(window)층으로서, 태양전지 전면의 투명전극 기능을 하기 때문에 광투과율이 높고 전기 전도성이 높은 산화 아연(ZnO)으로 형성된다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
<실험예 1>
| step | power (kW) |
공정압력 (mTorr) |
스캔속도 (mm/m) |
스캔회수 | 시간 (분) |
두께 (nm) |
면저항 (Ω/□) |
밀착력 (%) |
| 1 | cathode1 - 1 cathode2 - 5 |
3 | 1000 | 9 | 45 | 650 | 0.19 | 100 |
<실험예 2>
| step | power (kW) |
공정압력 (mTorr) |
스캔속도 (mm/m) |
스캔회수 | 시간 (분) |
두께 (nm) |
면저항 (Ω/□) |
밀착력 (%) |
| 1 | cathode1 - 1 cathode2 - 5 |
10 | 1000 | 9 | 45 | 700 | 0.21 | 100 |
제1 실시예와 제2 실시예는 하나의 스퍼터링 챔버에 제1 캐소드와 제2 캐소드가 함께 배치되어 있고, 한번의 스퍼터링 공정에 의하여 후면전극층을 형성하였다.
<비교예>
| step | power (kW) |
공정압력 (mTorr) |
스캔속도 (mm/m) |
스캔회수 | 시간 (분) |
두께 (nm) |
면저항 (Ω/□) |
밀착력 (%) |
| 1 | 2 | 10 | 1000 | 9 | 45 | 420 | 2.1 | 100 |
| 2 | 5 | 3 | 1000 | 6 | 30 | 600 | 0.34 | NG |
비교예는 저전력 및 높은 공정 압력을 가지는 제1 스퍼터링 챔버에 의하여 밀착력을 개선한 후면전극층을 형성하는 스텝 1 및 고전력 및 낮은 공정 압력을 가지는 제2 스퍼터링 챔버에 의하여 면저항을 개선한 후면전극층을 형성하는 스텝 2로 구분되어 있다.
위의 실험예에 기재된 바와 같이, 본 실시예에 따른 후면전극층은 한 번의 스퍼터링 공정에 의하여 밀착력 및 면저항을 동시에 만족할 수 있다. 또한, 한번의 스퍼터링 공정에 의하여 후면전극층을 제조하여 향상된 효율을 가질 수 있다.
공정압력(mTorr)가 증가 할 수록 증착 속도(deposition rate)가 증가하여 동일 시간 내 두꺼운 막을 형성함이 가능하나, 면저항의 손실을 가져올 수 있으므로 생산성과 면저항을 고려하여 공정압력을 선정할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지의 후면전극층을 형성하기 위한 태양전지 제조장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지의 후면전극층을 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.
Claims (7)
- 기판;상기 기판 상에 후면전극층;상기 후면전극층 상에 형성된 광 흡수층; 및상기 광 흡수층 상에 형성된 전면전극층을 포함하고,상기 후면전극층은상기 기판 상에 그레인 사이즈가 제1 크기를 가지는 제1 도전층;상기 제1 도전층 상에 그레인 사이즈가 상기 제1크기보다 큰 제2 크기를 가지는 제2 도전층;상기 제2 도전층 상에 그레인 사이즈가 상기 제1 크기를 가지는 제3 도전층; 및상기 제3 도전층 상에 그레인 사이즈가 상기 제2 크기를 가지는 제4 도전층을 포함하는 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 제1 크기 및 상기 제2 크기의 비는 1:1.25~1:2.0인 태양전지.
- 기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 후면전극층은상기 기판 상에 그레인 사이즈가 제1 크기를 가지는 제1 도전층;상기 제1 도전층 상에 그레인 사이즈가 상기 제1크기보다 큰 제2 크기를 가지는 제2 도전층;상기 제2 도전층 상에 그레인 사이즈가 상기 제1 크기를 가지는 제3 도전층; 및상기 제3 도전층 상에 그레인 사이즈가 상기 제2 크기를 가지는 제4 도전층을 포함하는 태양전지의 제조방법.
- 제3항에 있어서,상기 제1 크기 및 상기 제2 크기의 비는 1:1.25~1:2.0인 태양전지의 제조방법.
- 기판 상에 그레인 사이즈가 제1 크기를 가지는 제1 도전층 및 제1 크기 보다 큰 제2 크기를 가지는 제2 도전층을 포함하는 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 도전층 및 제2 도전층은 적어도 3개 이상의 층으로 형성되고,상기 제1 도전층은 제1 전력이 인가되는 제1 캐소드에 의하여 형성되고, 상기 제2 도전층은 상기 제1 전력보다 고전력의 제2 전력이 인가되는 제2 캐소드에 의하여 형성되는 태양전지의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 후면전극층을 형성하는 단계는,상기 제1 캐소드의 하부로 기판을 이동시켜 15~20nm의 평균 입자크기를 가지는 상기 제1 도전층을 증착하는 단계; 및상기 제2 캐소드의 하부로 기판을 이동시켜 25~30nm의 평균입자크기를 가지는 상기 제2 도전층을 증착하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법.
- 제3항에 있어서,상기 후면전극층은 몰리브덴(Mo)으로 형성된 태양전지의 제조방법.
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