KR20150048728A - 화합물 태양 전지 및 그 제조 방법 - Google Patents

화합물 태양 전지 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150048728A
KR20150048728A KR1020157004311A KR20157004311A KR20150048728A KR 20150048728 A KR20150048728 A KR 20150048728A KR 1020157004311 A KR1020157004311 A KR 1020157004311A KR 20157004311 A KR20157004311 A KR 20157004311A KR 20150048728 A KR20150048728 A KR 20150048728A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
solar cell
light absorbing
substrate
buffer layer
Prior art date
Application number
KR1020157004311A
Other languages
English (en)
Inventor
세이키 데라지
가즈노리 가와무라
히로토 니시이
다이치 와타나베
유스케 야마모토
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20150048728A publication Critical patent/KR20150048728A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

변환 효율이 높은 화합물 태양 전지 및 그것을 저비용으로 제조할 수 있는 방법을 제공하기 위해, 기판(1) 상에, CIGS 광 흡수층(3)과, 버퍼층(5)과, 표면 전극층(6)을 구비한 화합물 태양 전지로서, CIGS 광 흡수층(3)과 버퍼층(5) 사이에, 하기의 일반식 (1)에 나타내는 조성의 혼정으로 이루어지는 계면층(4)을 마련하도록 하였다.
Zn(OX, S1-X)···(1)
(단, X는, 0.9<X≤1 또는 0≤X<0.1)

Description

화합물 태양 전지 및 그 제조 방법{COMPOUND SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}
본 발명은, I족, III족 및 VI족의 원소로 이루어지는 CuInSe2(CIS) 혹은 이것에 Ga를 고용시킨 Cu(In,Ga)Se2(CIGS) 화합물 반도체(I-III-VI족 화합물 반도체)를 광 흡수층에 이용하여, 높은 광 변환 효율(이하 「변환 효율」이라고 함)을 갖는 화합물 태양 전지 및 이 화합물 태양 전지를 효율적으로 제조하는 방법에 관한 것이다.
태양 전지 중에서도, CIS 또는 CIGS(이하 「CIGS계」라고 함) 화합물 반도체를 광 흡수층에 이용한 화합물 태양 전지는, 높은 변환 효율을 가지고 박막으로 형성할 수 있으며, 광 조사 등에 의한 변환 효율의 열화가 적다고 하는 이점을 가지고 있는 것이 알려져 있다.
그리고, 이러한 태양 전지의 버퍼층에는, 종래, 화학 석출법으로 형성한 Zn(O,S) 등이 이용된다(특허문헌 1 참조). 그러나, 화학 석출법으로 버퍼층을 형성하면, 광 흡수층을 진공 하에서 형성한 후, 일단 대기 하에 취출하여 버퍼층을 형성하고, 재차 진공 하에서 표면 전극층을 형성하게 되기 때문에, 각 공정을 연속적으로 행할 수 없어, 생산성이 저하한다고 하는 문제가 생기고 있다. 이 때문에, 버퍼층을 화학 석출법으로 형성하는 것이 아니라, 스퍼터링법으로 형성하도록 하여, 상기 각 공정을 진공 하에서 연속적으로 행하여, 생산성을 높이는 방법이 제안되어 있다(특허문헌 2 참조). 한편, 광 흡수층과 버퍼층의 전도대의 차(ΔEc)를, 0≤ΔEc≤0.4로 설정하면, 광 흡수층과 버퍼층의 계면 근방에 있어서의 캐리어의 재결합을 효과적으로 억제할 수 있어, 높은 변환 효율이 얻어지는 것이 알려져 있다(비특허문헌 1 참조). 또한, CIGS계 화합물 반도체를 광 흡수층에 이용한 경우에, 상기 조건을 만족시키는 전도대를 갖는 버퍼층으로서는, Zn(O,S,OH), In(S,OH), (Zn,Mg)O 등의 혼정(混晶)으로 이루어지는 것을 들 수 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2002-343987호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2002-124688호 공보
비특허문헌 1: Current Applied Physics, Volume 10, Issue 2, Supplement, March 2010, ㎩ges S150-S153(Minemoto et al)
여기서, 광전 변환 효율이 높은 CIGS계 화합물 반도체의 조성은, Ga와 In의 비율에 착안하면 현재는 0.2≤Ga/(In+Ga)≤0.5의 범위이다. 이러한 Ga 풍부 CIGS계 화합물 반도체의 전도대와 버퍼층의 전도대의 오프셋값을 0≤ΔEc≤0.4로 하기 위해서는, ZnO에 대한 ZnS 비율 및 MgO 비율, InS에 대한 InO 비율을 크게 할 필요가 있지만, InO 비율을 높게 하면 결정 배향이 랜덤이 되기 쉽다. 이러한 결정 배향이 랜덤인 혼정을 버퍼층으로서 이용하면, 광 흡수층과 버퍼층의 계면 근방에 있어서 캐리어의 재결합이 생겨, 변환 효율이 저하되는 문제가 생긴다. 따라서, 높은 변환 효율을 손상시키지 않고 발휘될 수 있도록 개선되는 것이 요구되고 있다.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 버퍼층 형성 공정을 대기 하에서 행하지 않고 전후의 공정에 이어서 연속적으로 행하여 제조할 수 있으며, 더구나, 높은 변환 효율을 갖는 화합물 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 기판 상에, I-III-VI족 화합물 반도체로 이루어지는 화합물 광 흡수층과, 버퍼층과, 표면 전극층을 구비한 화합물 태양 전지로서, 상기 화합물 광 흡수층과 버퍼층 사이에, 하기의 일반식 (1)에 나타내는 조성의 혼정으로 이루어지는 계면층을 마련하는 화합물 태양 전지를 제1 요지로 한다.
Zn(OX, S1-X)···(1)
(단, X는, 0.9<X≤1 또는 0≤X<0.1)
또한, 제1 요지의 화합물 태양 전지를 제조하는 방법으로서, 장척형(長尺狀)의 기판을 길이 방향으로 주행시키면서, 상기 기판의 위에 I-III-VI족 화합물 반도체로 이루어지는 화합물 광 흡수층을 형성하는 공정과, 계면층을 형성하는 공정과, 버퍼층을 형성하는 공정과, 표면 전극층을 형성하는 공정을 포함하고, 각 공정을 진공 하에 있어서 이 순서로 연속적으로 행하는 화합물 태양 전지의 제조 방법을 제2 요지로 한다.
본 발명의 화합물 태양 전지는, 화합물 광 흡수층과 버퍼층 사이에, 상기 일반식 (1)에 나타내는 조성의 혼정으로 이루어지는 계면층이 마련되어 있다. 이와 같이, 화합물 광 흡수층이, 화합물 광 흡수층면에 수직인 방향으로 결정 배향이 비교적 고른 혼정으로 이루어지는 계면층과 접하고 있기 때문에, 화합물 광 흡수층과 계면층의 계면에서 격자 결함이 생기기 어렵고, 캐리어의 재결합이 효과적으로 억제되어, 변환 효율의 저하가 방지된다. 또한, 버퍼층은 화합물 광 흡수층면에 수직인 방향으로 결정 배향된 계면층 상에 형성되기 때문에 계면층의 결정 배향의 영향을 받아 화합물 광 흡수층면에 수직인 방향으로 결정이 고르게 되기 쉽다. 이 때문에, 광 흡수층에서 생성한 전자가 표면 전극층까지 도달하기 쉬워, 재결합이 억제된다. 또한, 본 발명의 화합물 태양 전지는, 화합물 광 흡수층으로서, I-III-VI족 화합물 반도체를 이용하고 있고, 박막으로 높은 변환 효율을 얻을 수 있으며, 변환 효율의 저하가 방지되어 있기 때문에, 우수한 특성을 갖는다.
또한, 버퍼층이, 하기의 일반식 (2)에 나타내는 조성의 혼정이면, 버퍼층이 가시광 영역에서 투명하게 형성되어, 버퍼층에 있어서의 광 흡수 손실을 없앨 수 있기 때문에, 한층 더 변환 효율을 높일 수 있다.
Zn(OY, S1-Y)···(2)
(단, Y는, 0.5≤Y<1)
그리고, 상기 버퍼층이, 하기의 일반식 (3)에 나타내는 조성의 혼정이면, 버퍼층이 가시광 영역에서 투명하게 형성되어, 버퍼층에 있어서의 광 흡수 손실을 없앨 수 있기 때문에, 한층 더 변환 효율을 높일 수 있다.
(ZnZ, Mg1-Z)O···(3)
(단, Z는, 0.5≤Z<1)
또한, 본 발명의 제1 요지의 화합물 태양 전지를 제조하는 방법으로서, 장척형의 기판을 길이 방향으로 주행시키면서, 상기 기판의 위에 I-III-VI족 화합물 반도체로 이루어지는 화합물 광 흡수층을 형성하는 공정과, 계면층을 형성하는 공정과, 버퍼층을 형성하는 공정과, 표면 전극층을 형성하는 공정을 구비하고, 각 공정을 진공 하에 있어서 이 순서로 연속적으로 행하는 화합물 태양 전지의 제조 방법에 따르면, 종래와 같이, 화합물 광 흡수층을 진공 하에서 형성한 후, 이 화합물 광 흡수층이 형성된 기판을 일단 대기 하에 취출하여 버퍼층을 형성하고, 재차 진공 하에서 표면 전극층을 형성하는 것이 불필요하게 된다. 따라서, 저비용으로 효율 좋게, 우수한 특성을 갖는 화합물 태양 전지를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시의 형태인 CIGS 태양 전지의 단면도이다.
도 2는 상기 CIGS 태양 전지의 제조에 이용되는 스퍼터링 장치에 있어서의 음극 타겟과 기판의 위치 관계의 설명도이다.
도 3은 상기 스퍼터링 장치에 있어서의 음극 타겟과 기판의 위치 관계의 다른 예를 나타내는 설명도이다.
도 4는 상기 스퍼터링 장치에 있어서의 음극 타겟과 기판의 위치 관계의 또 다른 예를 나타내는 설명도이다.
다음에, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시형태인 CIGS 태양 전지의 단면도이다. 이 CIGS 태양 전지는, 기판(1)과, 이면 전극층(2)과, CIGS 광 흡수층(화합물 광 흡수층)(3)과, 버퍼층(5)과, 표면 전극층(6)을 이 순서로 구비하고 있고, 상기 CIGS 광 흡수층(3)과 버퍼층(5) 사이에, 하기의 일반식 (1)에 나타내는 조성의 혼정으로 이루어지는 계면층(4)이 마련된 특수한 구성으로 되어 있다. 이하, 각 층을 상세하게 설명한다. 또한, 도 1에 있어서, 각 층의 두께, 크기, 외관 등은 모식적으로 나타낸 것이며, 실제와는 상이하다(이하의 도면에 있어서도 동일함).
Zn(OX, S1-X)···(1)
(단, X는, 0.9<X≤1 또는 0≤X<0.1)
상기 기판(1)은, 지지 기판으로서 이용되는 것이며, 유리 기판, 금속 기판, 수지 기판 등 중에서, 목적이나 설계 상의 필요에 따라 적절한 것이 선택되어 이용된다. 상기 유리 기판으로서는, 알칼리 금속 원소의 함유량이 매우 낮은 저알칼리 유리(고왜곡점 유리), 알칼리 금속 원소를 포함하지 않는 무알칼리 유리, 청판 유리 등이 바람직하게 이용된다. 그 중에서도, 기판(1)으로서 청판 유리를 이용하면, 기판(1)으로부터 CIGS 광 흡수층(3)에 알칼리 금속 원소가 확산되어 태양 전지 특성이 향상되기 때문에, 바람직하다. 알칼리 금속 원소를 포함하지 않는 혹은 함유가 적은 기판을 이용할 때에는, CIGS 광 흡수층(3)의 형성 전후 혹은 형성 중에, 알칼리 금속 원소를 첨가하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 기판(1)이 장척형이며 가요성을 갖는 것이면, 롤 투 롤 방식 또는 스텝핑 롤 방식으로 CIGS 태양 전지를 제조할 수 있기 때문에, 바람직하다. 또한, 상기 「장척형」이란, 길이 방향의 길이가 폭 방향의 길이의 10배 이상인 것을 말하며, 30배 이상인 것이 보다 바람직하게 이용된다.
그리고, 상기 기판(1)의 두께는, 5 ㎛∼200 ㎛의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 ㎛∼100 ㎛의 범위이다. 즉, 두께가 지나치게 두꺼우면, CIGS 태양 전지의 굴곡성이 없어져, CIGS 태양 전지를 구부렸을 때에 가해지는 응력이 커져, CIGS 광 흡수층(3) 등의 적층 구조에 데미지를 부여할 우려가 있고, 반대로 지나치게 얇으면, CIGS 태양 전지를 제조할 때에, 기판(1)이 좌굴(buckling)하여, CIGS 태양 전지의 제품 불량률이 상승하는 경향이 보여지기 때문이다.
상기 기판(1)의 위에 형성된 이면 전극층(2)은, 예컨대, 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 티탄(Ti) 등에 의해, 단층 또는 복층으로 형성되어 있다.
그리고, 상기 이면 전극층(2)의 두께(복층의 경우는, 각 층의 두께의 합계)는, 10 ㎛∼1000 ㎛의 범위인 것이 바람직하다. 단, 상기 기판(1)이 도전성을 가지며, 이면 전극층(2)의 기능을 갖는 경우에는, 이 이면 전극층(2)을 마련하지 않아도 좋다.
또한, 기판(1) 유래의 불순물이 열 확산되면 CIGS 태양 전지의 성능이 악영향을 받기 때문에, 이것을 방지하는 것을 목적으로 하여, 기판(1) 또는 이면 전극층(2)의 위에 배리어층(도시하지 않음)을 마련하여도 좋다. 이러한 배리어층은, 예컨대, Cr, 니켈(Ni), NiCr, 코발트(Co) 등의 형성 재료를 이용하여, 스퍼터링법, 증착법, CVD법, 졸·겔법, 액상 석출법 등의 방법에 의해 형성할 수 있다.
이면 전극층(2)의 위에 형성된 CIGS 광 흡수층(3)은, 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀렌(Se)의 4원소로 이루어지는 캘코파이라이트(chalcopyrite)형 결정 구조의 화합물 반도체로 형성되어 있다. 그리고, 그 두께는, 1.0 ㎛∼3.0 ㎛의 범위인 것이 바람직하고, 1.5 ㎛∼2.5 ㎛의 범위인 것이 보다 바람직하다. 두께가 지나치게 얇으면, 광 흡수층으로서 이용하였을 때의 광흡수량이 적어져, 태양 전지의 성능이 저하하는 경향이 보여지고, 반대로 지나치게 두꺼우면, CIGS 광 흡수층(3)의 형성에 드는 시간이 증가하여, 생산성이 뒤떨어지는 경향이 보여지기 때문이다. 이러한 CIGS 광 흡수층(3)은, 진공 증착법, 셀렌화/황화법, 스퍼터링법 등에 의해 형성할 수 있다.
또한, 상기 CIGS 광 흡수층(3)에 있어서의 Cu, In, Ga의 조성비는, 0.7<Cu/(Ga+In)<0.95(몰비)의 식을 만족시키는 것이 바람직하다. 이 식을 만족시키도록 되어 있으면, 상기 CIGS 광 흡수층(3) 내에 Cu(2-X)Se가 과도하게 취입되는 것을 더욱 저지할 수 있고, 더구나 층 전체로서 약간 Cu가 부족한 상태로 할 수 있기 때문이다. 또한, 동속 원소인 Ga와 In의 비는, 0.10<Ga/(Ga+In)<0.40(몰비)의 범위인 것이 바람직하다.
상기 CIGS 광 흡수층(3)의 위[버퍼층(5)과의 사이]에는, 하기의 일반식 (1)에 나타내는 조성의 단결정 또는 혼정으로 이루어지는 계면층(4)이 형성되어 있다. 이와 같이, ZnO 또는 ZnS의 비율을 높인 계면층을, CIGS 광 흡수층(3)에 접하여 형성하기 때문에, 계면 근방에 있어서의 결정의 배향을 일정 방향으로 고르게 할 수 있어, 계면 근방에 있어서의 캐리어의 재결합을 감소시킬 수 있다고 하는 우수한 특성을 갖는다.
Zn(OX, S1-X)···(1)
(단, X는, 0.9<X≤1 또는 0≤X<0.1)
보다 자세하게 설명하면, 상기 계면층(4)(ZnOS막)은 단결정 또는 혼정이지만, ZnO와 ZnS는 각각 상이한 결정 구조를 가지고 있어, 그 이온 반경, 격자 정수가 상이하다. 그리고, 상기 일반식 (1)에 있어서, X가 0.9<X≤1인 경우에는, 상기 계면층(4)은 ZnO의 구성 비율이 커, ZnO에 기초한 섬유아연석형(wurtzite type) 결정 구조를 취하기 때문에, ZnO와 ZnS의 이온 반경, 격자 정수의 차는 결정 상태에 크게 영향을 끼치지 않는다. 또한, 상기 일반식 (1)에 있어서, X가 0≤X<0.1인 경우에는, ZnS의 구성 비율이 커, ZnS에 기초한 섬아연광형(sphalerite type) 결정 구조를 취하기 때문에, 마찬가지로 이온 반경, 격자 정수의 차이의 영향이 적다. 그러나, 상기 일반식 (1)에 있어서, X가 0.1<X≤0.9인 경우에는, 계면층(4)에 (002)면 이외에도 (101)이나 (100) 등의 배향이 확인되어, 결정 배향에 혼란이 생겨 버리는 것이 판명되었다. 이와 같이, 계면층(4)의 결정 배향이 랜덤이 되면, CIGS 광 흡수층(3)에서 생성된 전자는 원활하게 표면 전극층(6)까지 도달할 수 없어, 태양 전지 성능을 저하시켜 버리게 된다.
다음에, 상기 계면층(4)의 위에 형성된 버퍼층(5)은, II족 또는 III족 원소를 포함하는 화합물의 혼정으로 형성되어 있다. 그리고, 상기 CIGS 광 흡수층(3)과 pn 접합할 수 있도록, 고저항의 n형 반도체인 것이 바람직하며, 단층뿐만 아니라, 복수의 층을 적층한 것이어도 좋다. 이러한 버퍼층(5)의 형성 재료로서는, Mg 및 ZnO의 혼정 외에, CdS, ZnMgO, ZnCaO, ZnMgCaO, ZnMgSrO, ZnSrO, ZnO, ZnS, Zn(OH)2, In2O3, In2S3 및 이들의 혼정인 Zn(O,S,OH), Zn(O,S) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, Zn(OY, S1-Y)(단, Y는 0.5≤Y<1), (ZnZ, Mg1-Z)O(단, Z는 0.5≤Z<1)를 이용하면, 보다 더, 전도대 불연속성에 의한 변환 효율의 저하를 억제할 수 있고, 더구나 가시광 영역에서 투명하게 형성할 수 있기 때문에, 광 흡수의 손실을 거의 없앨 수 있다. 또한, 그 두께는, 50 ㎚∼200 ㎚의 범위인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 버퍼층(5)의 위에 형성된 표면 전극층(6)으로서는, 투명 도전층이 이용된다. 이러한 투명 도전층으로서는, 고투과율이며 저저항의 박막이 되는 재료가 바람직하고, GZO, ITO, IZO, 산화아연알루미늄(Al:ZnO) 등을 들 수 있다. 또한, 그 두께는, 50 ㎚∼300 ㎚의 범위인 것이 바람직하다. 그리고, 이 투명전극층(6)의 광 투과율은, 80％를 넘는 것이 바람직하다.
상기 구성의 CIGS 태양 전지에 의하면, 상기한 바와 같이, CIGS 광 흡수층(3)과 버퍼층(5) 사이에, 특정 조성으로 이루어지는 계면층(4)이 마련되어 있고, CIGS 광 흡수층(3)의 계면에 있어서 격자 결함이 생기기 어려우며, 캐리어의 재결합이 효과적으로 억제되어 있다. 따라서, 높은 변환 효율을 손상시키는 일없이, 우수한 성능을 충분히 발휘시킬 수 있다. 또한, CIGS 광 흡수층(3)이 캘코파이라이트 구조를 가지며, 박막으로 높은 변환 효율을 실현할 수 있기 때문에, 태양 전지 그 자체를 박막으로 구성할 수 있다. 이 때문에, 이용하지 않는 파장의 광을 높은 확률로 투과시킬 수 있어, 태양 전지의 사용 용도, 이용 부위의 폭을 넓힐 수 있다.
상기 CIGS 태양 전지는, 예컨대, 다음과 같이 하여 제조할 수 있다. 우선, 장척형의 기판(1)을 준비하고, 그 표면에, 롤 투 롤 방식으로, 이면 전극층(2), CIGS 광 흡수층(3), 계면층(4), 버퍼층(5), 표면 전극층(6)을 이 순서로 연속적으로 적층함으로써 얻을 수 있다. 이하, 이 제조 방법을, 각 층의 형성 공정마다 상세하게 설명한다.
〔이면 전극층(2)의 형성 공정〕
롤 투 롤방식에 의해, 장척형의 기판(1)을 주행시키면서, 그 표면에, Mo 등의 형성 재료를 이용하여, 예컨대, 스퍼터링법, 증착법, 잉크젯법 등에 의해, 이면 전극층(2)을 형성한다.
〔CIGS 광 흡수층(3)의 형성 공정〕
다음에, 상기 이면 전극층(2)이 형성된 기판(1)을, 마찬가지로 롤 투 롤 방식으로 주행시키면서, 그 이면 전극층(2)의 위에, CIGS 광 흡수층(3)을 형성한다. CIGS 광 흡수층(3)의 형성 방법으로서는, 예컨대, 진공 증착법, 셀렌화/황화법, 스퍼터링법 등을 들 수 있다.
〔계면층(4)의 형성 공정〕
그리고, 상기 CIGS 광 흡수층(3)까지가 형성된 기판(1)을, 마찬가지로 롤 투 롤 방식으로 주행시키면서, 그 CIGS 광 흡수층(3)의 위에, 계면층(4)을 형성한다. 계면층(4)의 형성 방법으로서는, 예컨대, 스퍼터링법, 증착법 등을 들 수 있다. 특히, 원하는대로의 조성으로 제어하기 쉬운 점에서, 스퍼터링법이 바람직하게 이용된다. 상기 스퍼터링법으로서는, 원하는대로의 조성의 음극 타겟을 이용하는 타겟 스퍼터링법이어도 좋고, Zn 재료의 스퍼터링 중에 산소 및 황화수소 등의 칼코겐 분자 또는 화합물을 공급하는 반응성 스퍼터링법이어도 좋으며, 다른 방법이어도 좋다. 또한, 스퍼터링법에 이용하는 장치는, 통상의 마그네트론형 스퍼터링 장치 외에, 2장의 음극 타겟을 대향하여 배치하는 대향 타겟형 스퍼터링 장치를 이용할 수 있다. 대향 타겟형 스퍼터링 장치를 이용하면, 대향하는 음극 타겟 사이에 플라즈마를 가둘 수 있어, 기판(1)이 플라즈마에 노출되지 않기 때문에, 하전 입자(전자, 이온)나 되튄(recoiled) 아르곤에 의한 손상이 적어, 성막(成膜)면이나 그 하지가 되는 면에 결함이나 보이드가 생기기 어렵기 때문에, 적합하다. 그리고, 상기 한쌍의 타겟에 대한 인가는, 고주파(RF) 전원에 의하거나, 고주파(RF) 전원에 직류(DC) 전원을 중첩하는 것이 적합하다.
그 중에서도, 대향 타겟형 스퍼터링 장치에 있어서, 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판(1)의 층 형성면으로부터 수직형으로 연장되는 가상 중심축(α)을 상정하고, 이 가상 중심축(α)을 사이에 끼운 양측에 이들 2장의 음극 타겟(7, 7')을 대향시켜, 그 양자(7, 7')가 기판(1)의 층 형성면측(이하 「기판(1)측」이라고 함)을 향하여 넓어지는 대략 V자형이 되도록 배치한 것을 이용하면, 보다 적은 전력으로 성막할 수 있기 때문에, 성막면이나 그 하지가 되는 면이, 더욱 데미지를 받기 어려워져, 적합하다. 특히, 상기 음극 타겟(7, 7') 중, 적어도 한쪽의 타겟(7, 7')의, 가상 중심축(α)에 대한 각(θ)이 5°∼15°의 범위로 설정되어 있는 것이 특히 적합하다. 또한, 도 2에 있어서는, 기판(1)에 형성된 이면 전극층(2) 및 CIGS 광 흡수층(3)의 도시를 생략하고 있다.
〔버퍼층(5)의 형성 공정〕
다음에, 상기 계면층(4)까지가 형성된 기판(1)을, 롤 투 롤 방식으로 주행시키면서, 그 계면층(4)의 위에, 버퍼층(5)을 형성한다. 버퍼층(5)의 형성 방법으로서는, 예컨대, 용액 성장법, 진공 증착법, CVD법, ALD법, 스퍼터링법 등을 들 수 있다. 특히, 원하는대로의 조성으로 제어하기 쉬운 점에서, 스퍼터링법이 바람직하게 이용되고, 상기 계면층(4)의 형성과 마찬가지로, 도 2에 나타내는 바와 같이, 음극 타겟(7, 7')이 특수한 배치로 설정된 대향 타겟 스퍼터링 장치를 이용하는 것이 적합하다. 즉, 이 장치에 의하면, 보다 적은 전력으로 성막할 수 있어, 성막면이나 그 하지가 되는 면이, 더욱 손상을 받기 어려워지기 때문이다.
〔표면 전극층(6)의 형성 공정〕
그리고, 상기 버퍼층(5)까지가 형성된 기판(1)을, 롤 투 롤 방식으로 주행시키면서, 그 버퍼층(5)의 위에, 표면 전극층(6)을 형성한다. 표면 전극층(6)의 형성방법으로서는, 예컨대, 스퍼터링법, 증착법, 유기 금속 기상 성장법(MOCVD법) 등을 들 수 있다. 특히, 원하는대로의 조성으로 제어하기 쉬운 점에서, 스퍼터링법이 바람직하게 이용되고, 상기 계면층(4) 및 버퍼층(5)의 형성과 마찬가지로, 도 2에 나타내는 바와 같이, 음극 타겟(7, 7')이 특수한 배치로 설정된 대향 타겟 스퍼터링 장치를 이용하는 것이 적합하며, 그 이유도 동일하다.
이와 같이 하여, 본 발명의 CIGS 태양 전지를 얻을 수 있다. 이에 의하면, 종래와 같이, CIGS 광 흡수층(3)을 형성한 후, 일단, 기재(1)를 대기 하에 취출하여 버퍼층(5)을 형성하고, 재차, 진공 하에서, 표면 전극층(6)을 형성한다고 하는 복잡한 공정을 경유시키지 않고, 진공 하에서 연속하여 각 공정을 행할 수 있다. 더구나, 각 공정을 연속하여 행함에도 불구하고, 변환 효율을 높게 유지할 수 있기 때문에, 시간의 단축화와 고품질의 양립을 실현할 수 있다.
또한, 상기 제법에 있어서, 기판(1)이 이면 전극층(2)의 기능을 갖는 경우(도전성을 갖는 경우 등)에는, 상기 〔이면 전극층(2)의 형성 공정〕은 불필요하여, 상기 기판(1)을 그대로 이면 전극층으로서 이용할 수 있다.
그리고, 상기 제법에서는, 계면층(4)의 형성과, 버퍼층(5)의 형성과, 표면 전극층(6)의 형성의 각 공정에 적합하게 이용되는 대향 타겟 스퍼터링 장치에 있어서, 음극 타겟(7, 7')의 조성이나 스퍼터링의 조건에 따라서는, 상기 음극 타겟(7, 7')을 기판(1)측을 향하여 넓어지는 대략 V자형으로 배치하지 않고, 도 3에 나타내는 바와 같이, 양 타겟(7, 7')을 평행하게 배치하도록 하여도 좋다. 또한, 도 4에 나타내는 바와 같이, 한쪽의 음극 타겟만[이 예에서는, 음극 타겟(7)]을, 가상 중심축(α)에 대하여, 각(θ)만큼 기울인 형태로 배치하도록 하여도 좋다.
또한, 상기 제법에서는, 이면 전극층(2), CIGS 광 흡수층(3), 계면층(4), 버퍼층(5), 표면 전극층(6)의 각 층의 형성을, 롤 투 롤 방식으로 행하였지만, 반드시 롤 투 롤 방식을 채용할 필요는 없고, 당초부터 기판(1)을 매엽(枚葉) 타입으로 준비하여 배열하고, 그 위에 순차, 각 층을 형성해 가는 방식을 이용하여도 지장 없다. 그러나, 각 층의 형성을, 롤 투 롤 방식으로 연속적으로 행하면, 생산 효율이 좋다. 특히, 장척형의 기판을 길이 방향으로 주행시키면서, 상기 기판의 위에 CIGS 광 흡수층(3), 계면층(4)과, 버퍼층(5)과, 표면 전극층(6)을, 진공 하에 있어서 이 순서로 연속적으로 형성하면, 저비용으로 우수한 특성을 갖는 CIGS 태양 전지를 얻을 수 있기 때문에, 적합하다.
실시예
다음에, 실시예에 대해서 비교예와 아울러 설명한다. 단, 본 발명은, 이하의 실시예에 한정되는 것이 아니다.
〔실시예 1〕
(이면 전극층의 형성)
우선, 탈지한 소다 석회 유리(두께 0.55 ㎜, 폭 20 ㎜, 길이 20 ㎜의 평면에서 보아 정사각 형상)로 이루어지는 기판의 표면에, 마그네트론 스퍼터링 장치(알박사 제조, SH-450)를 이용하여, 방전 가스에는 아르곤을 사용하고, 스퍼터링 압력이 1 ㎩가 되도록 직류(DC) 전원을 이용하여, 스퍼터링 비율 60 ㎚/min의 조건으로, 두께 0.8 ㎛의 Mo로 이루어지는 이면 전극층을 형성하였다.
(CIGS 광 흡수층의 형성)
다음에, 상기에서 형성된 이면 전극층의 위에, CIGS 광 흡수층을 형성하였다. 즉, 진공 증착 장치의 챔버 내에, Ga, In, Cu, Se의 각각을 증착원으로서 배치하고, 이 챔버 내를 진공도 1×10-4 ㎩로 하며, 기판 온도를 250℃로 한 상태로 In, Ga, Se를 동시에 32분간 증착하였다. 그 후, 기판 온도를 20℃/분의 승온 속도로 550℃까지 승온시키면서 Cu 및 Se를 동시에 33분간 증착하고, 마지막에 기판 온도를 550℃로 유지한 채로 In, Ga 및 Se를 동시에 증착하여 상기 이면 전극층의 위에 CIGS 광 흡수층을 형성하였다. 상기 증착원의 온도는 각각 Ga: 950℃, In: 780℃, Cu: 1100℃, Se: 140℃가 되도록 가열하였다. 얻어진 CIGS 광 흡수층의 조성(원자수％)는, Cu/III족=0.89, Ga/III족=0.31이며, 그 두께는 2.1 ㎛였다.
(계면층의 형성)
다음에, 도 2에 나타내는 한쌍의 음극 타겟이 대략 V자형으로 배치된 대향 타겟 스퍼터 장치[가상 중심축(α)에 대한 각(θ)이 각각 10°]를 이용하여, 상기에서 형성된 CIGS 광 흡수층의 위에, 계면층을 형성하였다. 또한, 음극 타겟으로서, ZnO로 이루어지는 조성의 것을 사용하고, 스퍼터링 시의 방전 가스에 Ar을 이용하여, 고주파(RF) 전원에 의해, 전력 100 W, 스퍼터링 압력 0.3 ㎩의 조건 하에서, 형성 시간을 조정함으로써, 막 두께 0.5 ㎚의 계면층을 얻었다.
(버퍼층의 형성)
다음에, 상기 계면층의 형성과 마찬가지로, 도 2에 나타내는 한쌍의 음극 타겟이 대략 V자형으로 배치된 대향 타겟 스퍼터 장치[가상 중심축(α)에 대한 각(θ)이 각각 10°]를 이용하여, 상기에서 형성된 계면층의 위에, 버퍼층을 형성하였다. 또한, 음극 타겟으로서, Zn0.85Mg0.15O로 이루어지는 조성의 것을 사용하고, 스퍼터링 시의 방전 가스에 Ar을 이용하여, 고주파(RF)전원에 의해, 전력 밀도 0.7 ㎾/㎠, 스퍼터링 압력 0.3 ㎩의 조건 하에서, 전력 및 형성 시간을 조정함으로써, 막 두께 70 ㎚의 버퍼층을 얻었다.
(표면 전극층의 형성)
다음에, 마그네트론 스퍼터링 장치(알박사 제조, SH-450)를 이용하여, 상기에서 형성된 버퍼층의 위에, 표면 전극층을 형성하였다. 또한, 음극 타겟으로서, ITO(In2O3: 90〔원자수％〕, SnO2: 10〔원자수％〕)를 이용하고, 방전 가스에는 Ar과 O2(Ar 유량의 1/10)의 혼합 가스를 사용하며, 스퍼터링 압력이 0.3 ㎩가 되도록 고주파(RF) 전원을 이용하여, 스퍼터링 비율 20 ㎚/min의 조건으로, 두께 200 ㎚의 ITO로 이루어지는 표면 전극층을 형성하였다.
〔실시예 2∼27〕
제조 조건을, 후기의 표 1∼3에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, CIGS 태양 전지를 얻었다.
〔비교예 1 및 2〕
계면층을 형성하지 않고, 제조 조건을 후기의 표 4에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, CIGS 태양 전지를 얻었다.
〔비교예 3∼14〕
제조 조건을, 후기의 표 4에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, CIGS 태양 전지를 얻었다.
이와 같이 하여 얻어진 실시예 및 비교예의 CIGS 태양 전지의 변환 효율을, 아래와 같이 측정하여, 하기의 표 1∼4에 아울러 나타낸다.
<변환 효율>
실시예 및 비교예의 CIGS 태양 전지를 각각 20개 준비하여, 이들에 가상 태양광(기단=1.5)을 조사하고, IV 계측 시스템(야마시타덴소사 제조)을 이용하여, 각각의 변환 효율을 측정하였다.
Figure pct00001
Figure pct00002
Figure pct00003
Figure pct00004
상기 결과로부터, 실시예 1∼27의 CIGS 태양 전지는, 모두 변환 효율이 9.0％ 이상의 우수한 변환 효율을 가지고 있는 것을 알았다. 한편, 종래대로, 계면층을 마련하지 않은 비교예 1 및 2의 CIGS 태양 전지는, 변환 효율이 낮게 되어 있었다. 이것은, CIGS 광 흡수층과 버퍼층의 계면에 있어서, 캐리어의 재흡수가 행해진 것에 기인하는 것으로 생각된다. 또한, 계면층을 마련하여도, 그 조성이 상기 일반식 (1)을 만족시키고 있지 않은 비교예 3∼14의 CIGS 태양 전지는, 모두 변환 효율이 8.5％ 이하이며, 계면층을 마련하지 않은 비교예 1 및 2와 마찬가지로 낮은 변환 효율을 나타내고 있었다.
상기 실시예에 있어서는, 본 발명에 있어서의 구체적인 형태에 대해서 나타내었지만, 상기 실시예는 단순한 예시에 지나지 않으며, 한정적으로 해석되는 것이 아니다. 당업자에게 분명한 여러가지 변형은, 본 발명의 범위 내인 것이 기도되어 있다.
본 발명의 화합물 태양 전지는, 박막이면서 변환 효율이 높기 때문에, 여러가지 용도에 응용할 수 있다. 또한, 본 발명의 화합물 태양 전지의 제조 방법은, 버퍼층의 형성을 대기 하에 취출하지 않고 전후의 공정에 이어서 연속적으로 행할 수 있기 때문에, 저비용으로 효율 좋게 태양 전지를 제조하는 데 적합하다.
1 기판
3 CIGS 광 흡수층
4 계면층
5 버퍼층
6 표면 전극층

Claims (4)

  1. 기판 상에, I-III-VI족 화합물 반도체로 이루어지는 화합물 광 흡수층과, 버퍼층과, 표면 전극층을 구비한 화합물 태양 전지로서, 상기 화합물 광 흡수층과 버퍼층 사이에, 하기의 일반식 (1)에 나타내는 조성의 혼정(混晶)으로 이루어지는 계면층을 마련하는 것을 특징으로 하는 화합물 태양 전지.
    Zn(OX, S1-X)···(1)
    (단, X는, 0.9<X≤1 또는 0≤X<0.1)
  2. 제1항에 있어서, 상기 버퍼층이, 하기의 일반식 (2)에 나타내는 조성의 혼정인 화합물 태양 전지.
    Zn(OY, S1-Y)···(2)
    (단, Y는, 0.5≤Y<1)
  3. 제1항에 있어서, 상기 버퍼층이, 하기의 일반식 (3)에 나타내는 조성의 혼정인 화합물 태양 전지.
    (ZnZ, Mg1-Z)O···(3)
    (단, Z는, 0.5≤Z<1)
  4. 제1항에 기재된 화합물 태양 전지를 제조하는 방법으로서, 장척형(長尺狀)의 기판을 길이 방향으로 주행시키면서, 상기 기판의 위에 I-III-VI족 화합물 반도체로 이루어지는 화합물 광 흡수층을 형성하는 공정과, 계면층을 형성하는 공정과, 버퍼층을 형성하는 공정과, 표면 전극층을 형성하는 공정을 포함하고, 각 공정을 진공 하에 있어서 이 순서로 연속적으로 행하는 것을 특징으로 하는 화합물 태양 전지의 제조 방법.
KR1020157004311A 2012-08-24 2013-06-18 화합물 태양 전지 및 그 제조 방법 KR20150048728A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-185197 2012-08-24
JP2012185197A JP6083785B2 (ja) 2012-08-24 2012-08-24 化合物太陽電池およびその製造方法
PCT/JP2013/066638 WO2014030412A1 (ja) 2012-08-24 2013-06-18 化合物太陽電池およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150048728A true KR20150048728A (ko) 2015-05-07

Family

ID=50149730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157004311A KR20150048728A (ko) 2012-08-24 2013-06-18 화합물 태양 전지 및 그 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10304978B2 (ko)
EP (1) EP2889919B1 (ko)
JP (1) JP6083785B2 (ko)
KR (1) KR20150048728A (ko)
CN (1) CN104603957B (ko)
TW (1) TWI589011B (ko)
WO (1) WO2014030412A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105914241B (zh) 2010-09-22 2018-07-24 第一太阳能有限公司 光伏装置和形成光伏装置的方法
JP6224532B2 (ja) * 2014-06-27 2017-11-01 京セラ株式会社 光電変換装置
JP7058460B2 (ja) * 2016-06-30 2022-04-22 ソーラーフロンティア株式会社 光電変換モジュール
CN111463307A (zh) * 2019-01-18 2020-07-28 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 薄膜太阳能电池及其制备方法
CN111463300A (zh) * 2019-01-18 2020-07-28 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 薄膜太阳能电池的制备方法及薄膜太阳能电池

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4442824C1 (de) * 1994-12-01 1996-01-25 Siemens Ag Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht
US6259016B1 (en) 1999-03-05 2001-07-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solar cell
JP3434259B2 (ja) * 1999-03-05 2003-08-04 松下電器産業株式会社 太陽電池
JP4662616B2 (ja) * 2000-10-18 2011-03-30 パナソニック株式会社 太陽電池
JP4549570B2 (ja) 2001-05-15 2010-09-22 昭和シェル石油株式会社 ヘテロ接合薄膜太陽電池の製造方法
JP4264801B2 (ja) * 2002-07-12 2009-05-20 本田技研工業株式会社 化合物薄膜太陽電池の製造方法
SE0301350D0 (sv) 2003-05-08 2003-05-08 Forskarpatent I Uppsala Ab A thin-film solar cell
JP2005228975A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池
JP4841173B2 (ja) 2005-05-27 2011-12-21 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層・窓層連続製膜方法及び製膜装置
US20100051105A1 (en) * 2008-08-26 2010-03-04 Mustafa Pinarbasi Flexible substrate for ii-vi compound solar cells
JP2010251525A (ja) * 2009-04-15 2010-11-04 Fujifilm Corp 集積型薄膜太陽電池の製造方法及び製造装置
JP4745450B2 (ja) * 2009-10-06 2011-08-10 富士フイルム株式会社 バッファ層とその製造方法、反応液、光電変換素子及び太陽電池
CN101764181A (zh) 2009-12-03 2010-06-30 郭玉钦 磁控溅射和共蒸发法组合工艺制备铜铟镓硒软体太阳能电池的方法
JP2012004287A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Showa Shell Sekiyu Kk Ｃｉｓ系薄膜太陽電池
JP2012235024A (ja) * 2011-05-06 2012-11-29 Toshiba Corp 光電変換素子および太陽電池
CN102337516A (zh) 2011-09-29 2012-02-01 中国建材国际工程集团有限公司 一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层的沉积方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104603957A (zh) 2015-05-06
US20150303329A1 (en) 2015-10-22
WO2014030412A1 (ja) 2014-02-27
JP6083785B2 (ja) 2017-02-22
EP2889919B1 (en) 2019-02-20
US10304978B2 (en) 2019-05-28
CN104603957B (zh) 2017-09-15
TW201409728A (zh) 2014-03-01
TWI589011B (zh) 2017-06-21
JP2014045000A (ja) 2014-03-13
EP2889919A1 (en) 2015-07-01
EP2889919A4 (en) 2016-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20160284882A1 (en) Solar Cell
JP6328018B2 (ja) 光電変換素子および太陽電池
KR20150048728A (ko) 화합물 태양 전지 및 그 제조 방법
US9947808B2 (en) CIGS compound solar cell
KR20140129037A (ko) 화합물 태양 전지의 제법
US9431558B2 (en) CIGS type compound solar cell
KR20100134879A (ko) 태양전지의 제조장치, 이를 이용한 태양전지의 제조방법
WO2015005091A1 (ja) 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法
US9640685B2 (en) Solar cell and method of fabricating the same
JP2015162524A (ja) 光電変換素子、太陽電池及び光電変換素子の製造方法
KR102212042B1 (ko) 원자층 증착법으로 형성된 버퍼층을 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법
JP5710369B2 (ja) 光電変換素子および太陽電池
KR20150136721A (ko) 고품질 cigs 광흡수층을 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법
JP2014017377A (ja) 化合物太陽電池およびその製法
US20150114455A1 (en) Solar cell and a manufacturing method thereof
US20140352785A1 (en) Solar cell and method of manufacturinig same
KR20150136722A (ko) 고품질 cigs 광흡수층을 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법
KR20150137161A (ko) 태양 전지 및 이의 제조방법
KR20120114768A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right