CN104603957B - 化合物太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

为了提供转换效率高的化合物太阳能电池以及能够以低成本制造其的方法，提供在基板1上具备CIGS光吸收层3、缓冲层5和表面电极层6的化合物太阳能电池，在CIGS光吸收层3与缓冲层5之间，设置有由下述通式(1)所示组成的混晶形成的界面层4。Zn(OX，S1‑X)···(1)(其中，X为0.9<X≤1或0≤X<0.1)。

Description

化合物太阳能电池及其制造方法
技术领域
本发明涉及化合物太阳能电池及效率良好地制造该化合物太阳能电池的方法，所述化合物太阳能电池将由I族、III族及VI族的元素形成的CuInSe2(CIS)或使Ga固溶于其中而成的Cu(In，Ga)Se2(CIGS)化合物半导体(I-III-VI族化合物半导体)用于光吸收层，具有高的光转换效率(以下称为“转换效率”)。
背景技术
已知太阳能电池中，将CIS或CIGS(以下称为“CIGS系”)化合物半导体用于光吸收层的化合物太阳能电池具有高转换效率并可以形成薄膜，并且有光照射等导致的转换效率的劣化少之类的优点。
而且，这种太阳能电池的缓冲层以往使用通过化学析出法形成的Zn(O，S)等(参照专利文献1)。但是，通过化学析出法形成缓冲层时，在真空下形成光吸收层后，暂时取出至大气下形成缓冲层，并再次在真空下形成表面电极层，因此无法连续进行各工序，会产生生产率降低之类的问题。因此，提出了不通过化学析出法形成缓冲层，而是通过溅射法来形成，在真空下连续进行上述各工序，从而提高生产率的方法(参照专利文献2)。另一方面，已知将光吸收层与缓冲层的导带之差ΔEc设定为0≤ΔEc≤0.4，能够有效地抑制光吸收层与缓冲层之间的界面附近的载体的再结合，可以得到高转换效率(参照非专利文献1)。另外，将CIGS系化合物半导体用于光吸收层时，作为具有满足上述条件的导带的缓冲层，可列举出由Zn(O，S，OH)、In(S，OH)、(Zn，Mg)O等的混晶形成的缓冲层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-343987号公报
专利文献2：日本特开2002-124688号公报
非专利文献
非专利文献1:Current Applied Physics,Volume 10,Issue 2,Supplement,March 2010,Pages S150-S153(Minemoto et al)
发明内容
发明要解决的问题
此处，对于光电转换效率高的CIGS系化合物半导体的组成，若着眼于Ga与In的比率，则现在为0.2≤Ga/(In+Ga)≤0.5的范围。为了将这种Ga丰富的CIGS系化合物半导体的导带与缓冲层的导带的偏移值设为0≤ΔEc≤0.4，需要增大ZnS及MgO相对于ZnO的比率、InO相对于InS的比率，但提高InO比率时，结晶取向容易变为无规。将这种结晶取向无规的混晶用作缓冲层时，在光吸收层与缓冲层之间的界面附近发生载体的再结合，会产生转换效率降低之类的问题。因此，正在谋求能够不损害高转换效率地发挥的改善。
本发明是鉴于上述问题作出的，目的在于提供能够不在大气下进行缓冲层的形成工序而是连接前后工序地连续进行、并且具有高转换效率的化合物太阳能电池及其制造方法。
用于解决问题的方案
为了实现上述目的，本发明的第1要旨在于提供一种化合物太阳能电池，其为在基板上具备由I-III-VI族化合物半导体形成的化合物光吸收层、缓冲层和表面电极层的化合物太阳能电池，上述化合物光吸收层与缓冲层之间设置有由下述通式(1)所示组成的混晶形成的界面层。
Zn(OX，S1-X)……(1)
(其中，X为0.9<X≤1或0≤X<0.1。)
另外，第2要旨为一种化合物太阳能电池的制造方法，其为制造第1要旨的化合物太阳能电池的方法，具备如下工序：一边使长条状基板沿纵向方向移动，一边在上述基板上形成由I-III-VI族化合物半导体形成的化合物光吸收层的工序；形成界面层的工序；形成缓冲层的工序和形成表面电极层的工序，在真空下依次连续进行各工序。
发明的效果
本发明的化合物太阳能电池在化合物光吸收层与缓冲层之间设置有由上述通式(1)所示组成的混晶形成的界面层。如此，化合物光吸收层与由结晶取向在垂直于化合物光吸收层面的方向比较整齐的混晶形成的界面层相接，因此难以在化合物光吸收层与界面层之间的界面发生晶格缺陷，载体的再结合得到有效抑制，防止转换效率降低。另外，缓冲层形成在结晶取向为垂直于化合物光吸收层面的方向的界面层上，因此受到界面层的结晶取向的影响，结晶容易一致为垂直于化合物光吸收层面的方向。因此，在光吸收层生成的电子容易到达表面电极层，使再结合受到抑制。进而，本发明的化合物太阳能电池使用I-III-VI族化合物半导体作为化合物光吸收层，可以得到薄膜且高转换效率，并且防止转换效率降低，因此具有优异的特性。
另外，缓冲层为下述通式(2)所示组成的混晶时，缓冲层在可见光区域形成为透明，能够减少缓冲层的光吸收损失，能够可以进一步提高转换效率。
Zn(OY，S1-Y)……(2)
(其中，Y为0.5≤Y<1。)
而且，上述缓冲层为下述通式(3)所示组成的混晶时，缓冲层在可见光区域形成为透明，能够减少缓冲层的光吸收损失，因此能够进一步提高转换效率。
(ZnZ，Mg1-Z)O……(3)
(其中，Z为0.5≤Z<1。)
进而，若根据如下的化合物太阳能电池的制造方法，则不需要像以往那样地在真空下形成化合物光吸收层后，将形成了该化合物光吸收层的基板暂时取出至大气下形成缓冲层并再次在真空下形成表面电极层，所述化合物太阳能电池的制造方法为制造本发明第1要旨的化合物太阳能电池的方法，其具备如下工序：一边使长条状基板沿纵向方向移动，一边在上述基板上形成由I-III-VI族化合物半导体形成的化合物光吸收层的工序；形成界面层的工序；形成缓冲层的工序和形成表面电极层的工序，在真空下依次连续进行各工序。因此，能够低成本且效率良好地制造具有优异特性的化合物太阳能电池。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的CIGS太阳能电池的截面图。
图2是用于上述CIGS太阳能电池制造的溅射装置中的阴极靶材与基板的位置关系的说明图。
图3是示出上述溅射装置中的阴极靶材与基板的位置关系的另一例的说明图。
图4是示出上述溅射装置中的阴极靶材与基板的位置关系的再一例的说明图。
具体实施方式
接着，对用于实施本发明的方式进行说明。
图1是本发明的一个实施方式的CIGS太阳能电池的截面图。该CIGS太阳能电池依次具备基板1、背面电极层2、CIGS光吸收层(化合物光吸收层)3、缓冲层5和表面电极层6，形成了在上述CIGS光吸收层3与缓冲层5之间设置有由下述通式(1)所示组成的混晶形成的界面层4的特殊构成。以下，对各层详细进行说明。另外，图1中示意性示出各层的厚度、大小、外观等，与实际情况有差别(以下图中也同样)。
Zn(Ox，S1-x)……(1)
(其中，X为0.9<X≤1或0≤X<0.1。)
上述基板1用作支持基板，根据目的、设计上的需要，从玻璃基板、金属基板、树脂基板等中选择适宜的基板来使用。作为上述玻璃基板，优选使用碱金属元素的含量极低的低碱玻璃(高应变点玻璃)、不含碱金属元素的无碱玻璃、青板玻璃等。其中，使用青板玻璃作为基板1时，碱金属元素从基板1向CIGS光吸收层3扩散而提高太阳能电池特性，故为优选。使用不含碱金属元素或少量含有的基板时，优选在CIGS光吸收层3的形成前后或形成中添加碱金属元素。
另外，上述基板1为长条状且具有可挠性时，可以利用辊对辊方式或步进辊方式制造CIGS太阳能电池，故为优选。其中，上述“长条状”是指长度方向的长度为宽度方向的长度的10倍以上，优选使用30倍以上的形状。
并且，上述基板1的厚度优选处于5～200μm的范围，更优选为10～100μm的范围。即，厚度过厚时，CIGS太阳能电池会失去弯曲性，将CIGS太阳能电池弯曲时所施加的应力变大，存在对CIGS光吸收层3等层叠结构造成损害之虞；反之过薄时，在制造CIGS太阳能电池时，基板1发生纵曲，可观察到CIGS太阳能电池的制品不良率有上升的倾向。
形成于上述基板1上的背面电极层2可以由例如钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、钛(Ti)等形成为单层或多层。
并且，上述背面电极层2的厚度(多层时为各层厚度的总和)优选处于10～1000μm的范围。但是，前述基板1具有导电性、具有背面电极层2的功能时，也可以不设置该背面电极层2。
另外，来自基板1的杂质发生热扩散时，CIGS太阳能电池的性能受到不良影响，因此出于防止这种影响的目的，也可以在基板1或背面电极层2上设置阻挡层(未图示)。这种阻挡层可以使用例如Cr、镍(Ni)、NiCr、钴(Co)等形成材料，通过溅射法、蒸镀法、CVD法、溶胶·凝胶法、液相沉积法等方法来形成。
形成于背面电极层2上的CIGS光吸收层3由包含铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)、铯(Se)这4种元素的黄铜矿型晶体结构的化合物半导体来形成。而且，其厚度优选处于1.0～3.0μm的范围，更优选处于1.5～2.5μm的范围。厚度过薄时，用作光吸收层时的光吸收量减少，可观察到太阳能电池的性能下降的倾向；反之过厚时，形成CIGS光吸收层3所耗费的时间增加，可观察到生产率劣化的倾向。这种CIGS光吸收层3可以通过真空蒸镀法、硒化/硫化法、溅射法等来形成。
另外，上述CIGS光吸收层3中的Cu、In、Ga的组成比优选满足0.7<Cu/(Ga+In)<0.95(摩尔比)的式子。满足该式时，能够进一步阻止Cu(2-X)Se被过量吸收到上述CIGS光吸收层3内，而且层整体可呈Cu略微不足的状态。另外，同族元素即Ga与In之比优选处于0.10<Ga/(Ga+In)<0.40(摩尔比)的范围。
在上述CIGS光吸收层3上(与缓冲层5之间)，形成有由下述通式(1)所示组成的单晶或混晶形成的界面层4。如此，与CIGS光吸收层3相接地形成提高了ZnO或ZnS的比率的界面层，因此能够使界面附近的结晶取向一致为一定方向，具有能够减少界面附近的载体的再结合这样的优异特性。
Zn(Ox，S1-x)……(1)
(其中，X为0.9<X≤1或0≤X<0.1。)
若要更详细地说明，则上述界面层4(ZnOS膜)为单晶或混晶，但ZnO与ZnS分别具有不同的晶体结构，其离子半径、晶格常数不同。而且，上述通式(1)中，X为0.9<X≤1时，上述界面层4的ZnO的构成比率大，得到基于ZnO的纤锌矿型晶体结构，因此ZnO与ZnS的离子半径、晶格常数之差不会对晶体状态造成很大影响。另外，上述通式(1)中，X为0≤X<0.1时，ZnS的结构比率大，得到基于ZnS的闪锌矿型晶体结构，因此同样地离子半径、晶格常数的差异的影响小。但是，在上述通式(1)中，X为0.1<X≤0.9时，界面层4除了(002)面之外，还可确认到(101)、(100)等取向，判明会导致结晶取向发生混乱。如此，若界面层4的结晶取向变为无规，则CIGS光吸收层3中生成的电子无法顺利抵到达表面电极层6，会导致太阳能电池性能下降。
接着，形成于上述界面层4上的缓冲层5由含有II族或III族元素的化合物的混晶形成。而且，为了能够与上述CIGS光吸收层3产生pn结，优选高电阻n型半导体，不仅可以为单层，也可以层叠多个层。作为这种缓冲层5的形成材料，除了Mg及ZnO的混晶之外，还可列举出CdS、ZnMgO、ZnCaO、ZnMgCaO、ZnMgSrO、ZnSrO、ZnO、ZnS、Zn(OH)2、In2O3、In2S3及它们的混晶即Zn(O，S，OH)、Zn(O，S)等。其中，使用Zn(OY，S1-Y)(其中，Y为0.5≤Y<1)、(ZnZ，Mg1-Z)O(其中，Z为0.5≤Z<1)时，能够更进一步抑制导带不连续性导致的转换效率降低，而且能够在可见光区域形成为透明，因此能够基本消除光吸收的损失。另外，其厚度优选处于50～200nm的范围。
并且，作为形成于上述缓冲层5上的表面电极层6，可以使用透明导电层。作为这种透明导电层，优选形成高透过率且低电阻的薄膜的材料，可列举出GZO、ITO、IZO、氧化锌铝(Al：ZnO)等。另外，其厚度优选处于50～300nm的范围。而且该透明电极层6的透光率优选超过80％。
根据上述构成的CIGS太阳能电池，如上所述，在CIGS光吸收层3与缓冲层5之间设置有由特定组成形成的界面层4，在CIGS光吸收层3的界面处难以产生晶格缺陷，载体的再结合得到有效抑制。因此，能够充分发挥优异的性能而不损害高转换效率。另外，CIGS光吸收层3具有黄铜矿结构，可以实现薄膜且高转换效率，因此能够使太阳能电池本身构成为薄膜。因此，能够使未利用的波长的光以高概率透过，能够扩展太阳能电池的使用用途、利用部位的范围。
上述CIGS太阳能电池例如可以如下所述地制造。首先，准备长条状的基板1，以辊对辊方式在其表面依次连续层叠背面电极层2、CIGS光吸收层3、界面层4、缓冲层5、表面电极层6，由此可以得到。以下，关于该制造方法，依照各层的形成工序分别进行说明。
〔背面电极层2的形成工序〕
一边通过辊对辊方式使长方形基板1移动，一边使用Mo等形成材料，通过例如溅射法、蒸镀法、喷墨法等在其表面形成背面电极层2。
〔CIGS光吸收层3的形成工序〕
接着，一边同样地以辊对辊方式使形成有上述背面电极层2的基板1移动，一边在该背面电极层2上形成CIGS光吸收层3。作为CIGS光吸收层3的形成方法，例如可列举出真空蒸镀法、硒化/硫化法、溅射法等。
〔界面层4的形成工序〕
然后，一边同样地以辊对辊方式使形成至上述CIGS光吸收层3的基板1移动，一边在该CIGS光吸收层3上形成界面层4。作为界面层4的形成方法，例如可列举出溅射法、蒸镀法等。尤其，从容易控制为期望的组成的方面出发，优选使用溅射法。作为上述溅射法，可以是使用期望的组成的阴极靶材的靶材溅射法，也可以是向Zn材料的溅射中供给氧气及硫化氢等氧族分子或化合物的反应溅射法，还可以为其他方法。另外，用于溅射法的装置除了通常的磁控型溅射装置之外，可以使用将2张阴极靶材相对配置的对向靶材型溅射装置。使用对向靶材型溅射装置时，能够将等离子体封闭在相对的阴极靶材间，基板1不曝露于等离子体，因此带电粒子(电子、离子)、反冲氩气导致的损伤小，成膜面、作为其基底的面难以产生缺陷、空隙，因此是适宜的。而且，对上述一对靶材的外加，利用高频(RF)电源、或将高频(RF)电源与直流(DC)电源重叠是适宜的。
其中，对向靶材型溅射装置中，如图2所示，假设从基板1的层形成面垂直延伸的假想中心轴α，在夹持该假想中心轴α的两侧相对地配置这2张阴极靶材7、7’，这两者7、7’配置成朝向基板1的层形成面侧(以下称为“基板1侧”)张开的大致V字状，使用这样的配置时，能够以更少的电力成膜，因此成膜面、作为其基底的面变得更加难以受到损伤，是适宜的。尤其，上述阴极靶材7、7’中，至少一张靶材7、(7’)的、相对于假想中心轴α的角θ设定为5～15°的范围是特别适宜的。其中，图2中，省略了形成于基板1的背面电极层2及CIGS光吸收层3的图示。
〔缓冲层5的形成工序〕
接着，一边以辊对辊方式使形成至上述界面层4的基板1移动，一边在该界面层4上形成缓冲层5。作为缓冲层5的形成方法，例如可列举出溶液生长法、真空蒸镀法、CVD法、ALD法、溅射法等。尤其，从容易控制为期望的组成的方面出发，优选使用溅射法，与上述界面层4的形成同样地，使用如图2所示、阴极靶材7、7’被设定为特殊配置的对向靶材溅射装置是适宜的。即，这是因为，利用该装置，能够以更少的电力成膜，成膜面、作为其基底的面变得更加难以受到损伤。
〔表面电极层6的形成工序〕
然后，一边以辊对辊方式使形成至上述缓冲层5的基板1移动，一边在该缓冲层5上形成表面电极层6。作为表面电极层6的形成方法，例如可列举出溅射法、蒸镀法、有机金属化学气相沉积法(MOCVD法)等。尤其，从容易控制为期望的组成的方面出发，优选使用溅射法，与上述界面层4及缓冲层5的形成同样地，使用如图2所示、阴极靶材7、7’被设定为特殊配置的对向靶材溅射装置是适宜的，其原因也相同。
如此，能够得到本发明的CIGS太阳能电池。由此，不经由以往那样在形成CIGS光吸收层3后暂时将基材1取出至大气下来形成缓冲层5、并再次在真空下形成表面电极层6这样的复杂工序，能够在真空下连续进行各工序。而且，即使连续进行各工序，也能够将转换效率维持得较高，因此能够实现兼顾缩短时间和高品质。
需要说明的是，上述制法中，基板1具有背面电极层2功能时(具有导电性时等)，不需要上述〔背面电极层2的形成工序〕，可以将上述基板1直接用作背面电极层。
而且，上述制法中，界面层4的形成、缓冲层5的形成和表面电极层6的形成的各工序所适宜使用的对向靶材溅射装置中，根据阴极靶材7、7’的组成、溅射条件，也可以不将上述阴极靶材7、7’配置成朝向基板1侧张开的大致V字状，而是如图3所示地将两靶材7、7’平行配置。另外，还可以如图4所示地仅将一个阴极靶材(该例中，为阴极靶材7)配置为相对于假想中心轴α仅倾斜为角θ的形态。
进而，上述制法中，以辊对辊方式来进行背面电极层2、CIGS光吸收层3、界面层4、缓冲层5、表面电极层6的各层的形成，但并非必须采用辊对辊方式，也可以使用从最初开始以单片型准备基板1并排列，在其上依次形成各层的方式。但是，以辊对辊方式连续进行各层的形成时，生产效率良好。尤其，一边使长条状基板沿纵向方向移动，一边在真空下依次在上述基板上连续形成CIGS光吸收层3、界面层4、缓冲层5和表面电极层6时，能够得到低成本且具有优异特性的CIGS太阳能电池，故为优选。
实施例
接着，对实施例与比较例一并进行说明。但是，本发明不限定于以下实施例。
〔实施例1〕
(背面电极层的形成)
首先，在由经脱脂的钙钠玻璃(厚度0.55mm、宽度20mm、长度20mm的俯视正方形状)形成的基板的表面，利用磁控溅射装置(ULVAC,Inc.制造，SH-450)、放电气体使用氩气，以溅射压力达到1Pa的方式使用直流(DC)电源，在溅射速度60nm/min的条件下，形成厚度0.8μm的由Mo形成的背面电极层。
(CIGS光吸收层的形成)
接着，在上述形成的背面电极层上形成CIGS光吸收层。即，在真空蒸镀装置的腔室内分别配置Ga、In、Cu、Se作为蒸镀源，在将该腔室内设为真空度1×10-4Pa、将基板温度设为250℃的状态下，将In、Ga、Se同时蒸镀32分钟。其后，一边以20℃/分钟的升温速度使基板温度升温至550℃，一边将Cu及Se同时蒸镀33分钟，最后将基板温度保持在550℃，并同时蒸镀In、Ga及Se，在上述背面电极层上形成CIGS光吸收层。进行加热使得上述蒸镀源的温度分别达到Ga：950℃、In：780℃、Cu：1100℃、Se：140℃。获得的CIGS光吸收层的组成(原子数％)为Cu/III族＝0.89、Ga/III族＝0.31，其厚度为2.1μm。
(界面层的形成)
接着，使用图2所示的一对阴极靶材配置成大致V字状的对向靶材溅射装置(相对于假想中心轴α的角θ分别为10°)，在上述形成的CIGS光吸收层上形成界面层。另外，作为阴极靶材，使用包含ZnO的组成的靶材，溅射时的放电气体使用Ar，利用高频(RF)电源，在电力100W、溅射压力0.3Pa的条件下，通过调整形成时间而得到膜厚0.5nm的界面层。
(缓冲层的形成)
接着，与上述界面层的形成同样，使用图2所示的一对阴极靶材配置成大致V字状的对向靶材溅射装置(相对于假想中心轴α的角θ分别为10°)，在上述形成的界面层上形成缓冲层。另外，作为阴极靶材，使用包含Zn0.85Mg0.15O的组成的靶材，溅射时的放电气体使用Ar，利用高频(RF)电源，在电力密度0.7kW/cm2、溅射压力0.3Pa的条件下，通过调整电力及形成时间，得到膜厚70nm的缓冲层。
(表面电极层的形成)
接着，使用磁控管溅射装置(ULVAC,Inc.制造，SH-450)，在上述形成的缓冲层上形成表面电极层。另外，作为阴极靶材，使用TO(In2O3：90〔原子数％〕、SnO2：10〔原子数％〕)，放电气体使用Ar与O2(Ar流量的1/10)的混合气体，使用溅射压力达到0.3Pa的高频(RF)电源，在溅射速度20nm/min的条件下，形成膜厚200nm的由ITO形成的表面电极层。
〔实施例2～27〕
将制造条件变更为如后述表1～3所示，除此之外，与实施例1同样操作，得到CIGS太阳能电池。
〔比较例1及2〕
不形成界面层，且将制造条件变更为如后述表4所示，除此之外，与实施例1同样操作，得到CIGS太阳能电池。
〔比较例3～14〕
将制造条件变更为如后述表4所示，除此之外，与实施例1同样操作，得到CIGS太阳能电池。
如下所述地测定如此获得的实施例及比较例的CIGS太阳能电池的转换效率，一并示于下述表1～4。
<转换效率>
分别准备20个实施例及比较例的CIGS太阳能电池，对它们照射模拟太阳光(AirMass＝1.5)，使用IV测定系统(山下电装社制造)，测定各自的转换效率。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
由上述结果可知，实施例1～27的CIGS太阳能电池均具有转换效率为9.0％以上的优异转换效率。另一方面，如以往那样不设置界面层的比较例1及2的CIGS太阳能电池的转换效率降低。可以认为这是由于在CIGS光吸收层与缓冲层之间的界面处进行了载体的再吸收。另外，即使设置了界面层，其组成不满足前述通式(1)的比较例3～14的CIGS太阳能电池的转换效率也均为8.5％以下，显示了与未设置界面层的比较例1和2同样低的转换效率。
虽然在上述实施例中给出了本发明的具体实施方式，但上述实施例仅仅是例示，不应做限定性解释。可预期本领域技术人员所清楚的本发明的变形例是包括在本发明的保护范围内的。
产业上的可利用性
本发明的化合物太阳能电池为薄膜且转换效率高，因此能够应用于各种各样的用途。另外，本发明化合物太阳能电池的制造方法的缓冲层的形成能够连接前后工序连续进行而不取出至大气下，因此适合低成本且效率良好地制造太阳能电池。
附图标记说明
1 基板
3 CIGS光吸收层
4 界面层
5 缓冲层
6 表面电极层

Claims (8)

1.一种化合物太阳能电池，其特征在于，其为在基板上具备由I-III-VI族化合物半导体形成的化合物光吸收层、缓冲层和表面电极层的化合物太阳能电池，所述化合物光吸收层与缓冲层之间设置有由下述通式(1)所示组成的混晶形成的界面层，并且所述缓冲层为下述通式(2)所示组成的混晶，
Zn(Ox，S1-x)…(1)
其中，X为0.9<X≤1，
Zn(OY，S1-Y)…(2)
其中，Y为0.5≤Y<1。
2.一种化合物太阳能电池，其特征在于，其为在基板上具备由I-III-VI族化合物半导体形成的化合物光吸收层、缓冲层和表面电极层的化合物太阳能电池，所述化合物光吸收层与缓冲层之间设置有由下述通式(1)所示组成的混晶形成的界面层，并且所述缓冲层为下述通式(3)所示组成的混晶，
Zn(Ox，S1-x)…(1)
其中，X为0.9<X≤1，
(Znz，Mg1-z)O…(3)
其中，Z为0.5≤Z<1。
3.根据权利要求1或2所述的化合物太阳能电池，其中，在上述基板上直接具备上述化合物光吸收层。
4.根据权利要求1或2所述的化合物太阳能电池，其中，在上述基板与上述化合物光吸收层之间，具备背面电极层。
5.根据权利要求1或2所述的化合物太阳能电池，其中，在上述基板与上述化合物光吸收层之间，依次具备阻挡层和背面电极层。
6.根据权利要求1或2所述的化合物太阳能电池，其中，在上述基板与上述化合物光吸收层之间，依次具备背面电极层和阻挡层。
7.一种化合物太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述化合物太阳能电池在基板上具备由I-III-VI族化合物半导体形成的化合物光吸收层、缓冲层和表面电极层，该方法具备如下工序：一边使长条状基板沿纵向方向移动，一边在所述基板上形成由I-III-VI族化合物半导体形成的化合物光吸收层的工序；形成界面层的工序；形成缓冲层的工序；和形成表面电极层的工序，在真空下依次连续进行各工序，
所述界面层为下述通式(1)所示组成的混晶，所述缓冲层为下述通式(2)所示组成的混晶，
Zn(Ox，S1-x)…(1)
其中，X为0.9<X≤1，
Zn(OY，S1-Y)…(2)
其中，Y为0.5≤Y<1。
8.一种化合物太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述化合物太阳能电池在基板上具备由I-III-VI族化合物半导体形成的化合物光吸收层、缓冲层和表面电极层，该方法具备如下工序：一边使长条状基板沿纵向方向移动，一边在所述基板上形成由I-III-VI族化合物半导体形成的化合物光吸收层的工序；形成界面层的工序；形成缓冲层的工序；和形成表面电极层的工序，在真空下依次连续进行各工序，
所述界面层为下述通式(1)所示组成的混晶，所述缓冲层为下述通式(3)所示组成的混晶，
Zn(Ox，S1-x)…(1)
其中，X为0.9<X≤1，
(Znz，Mg1-z)O…(3)
其中，Z为0.5≤Z<1。
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