TW201409728A - 化合物太陽電池及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係用以提供轉換效率高之化合物太陽電池及可以低成本製造其的方法，該化合物太陽電池係於基板上具有CIGS光吸收層、緩衝層、及表面電極層，並於CIGS光吸收層與緩衝層之間，設置由下述通式(1)所示組成的混晶構成的界面層。[化1]Zn(Ox,S1-x)‧‧‧(1) (但，X係0.9＜X≦1或0≦X<0.1)

Description

化合物太陽電池及其製造方法 技術領域
本發明係有關於在光吸收層使用由I族、III族及VI族元素構成的CuInSe2(CIS)或其中固溶有Ga之Cu(In,Ga)Se2(CIGS)化合物半導體(I-III-VI族化合物半導體)，並具有高光轉換效率(以下稱作「轉換效率」)之化合物太陽電池及有效率地製造該化合物太陽電池的方法。
背景技術
於太陽電池中，眾所周知於光吸收層使用有CIS或CIGS(以下稱作「CIGS系」)化合物半導體之化合物太陽電池，除了具有高轉換效率可形成薄膜以外，亦具有光照射等造成轉換效率劣化之情形少的優點。
此外，此種太陽電池的緩衝層，以往係使用以化學沉積法形成的Zn(O,S)等(參照專利文獻1)。但，以化學沉積法形成緩衝層時，係於真空下形成光吸收層後，暫時取出至大氣下形成緩衝層，再於真空下形成表面電極層，故未能連續地進行各步驟，有生產性下降的問題。因此，有人提出了一種非以化學沉積法形成緩衝層，而採濺鍍法形成緩衝層，以於真空下連續地進行前述各步驟，提高生產 性的方法(參照專利文獻2)。另一方面，眾所周知將光吸收層與緩衝層之傳導帶的差△Ec設為0≦△Ec≦0.4時，可有效地抑制光吸收層與緩衝層界面附近之載子的復合，得到高轉換效率(參照非專利文獻1)。又，於光吸收層使用CIGS系化合物半導體時，具有滿足前述條件之傳導帶的緩衝層，可舉由Zn(O,S,OH)、In(S,OH)、(Zn,Mg)O等混晶構成者為例。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2002-343987號公報
專利文獻2：日本專利特開2002-124688號公報
非專利文獻
非專利文獻1：Current Applied Physics, Volume 10, Issue 2, Supplement, March 2010, Pages S150-S153 (Minemoto et al)
發明概要
此處，光電轉換效率高之CIGS系化合物半導體之組成，若就Ga與In之比率而言目前係於0.2≦Ga/(In+Ga)≦0.5的範圍。為使如此富含Ga之CIGS系化合物半導體之傳導帶與緩衝層之傳導帶的偏移值為0≦△Ec≦0.4，需提高相對於ZnO之ZnS比率與MgO比率、相對於InS之InO比率，但提高InO比率時，結晶定向將容易 變成無規。使用此種結晶定向為無規之混晶作為緩衝層時，將於光吸收層與緩衝層的界面附近產生載子之復合，產生轉換效率下降的問題。因此，為可發揮效能又不損高轉換效率，正尋求改善之法。
本發明係有鑑於前述課題所作成者，目的係提供一種形成緩衝層時不需取出至大氣下，可緊接前後步驟連續進行製造，且具有高轉換效率之化合物太陽電池及其製造方法。
為達成前述目的，第1要旨在於一種於基板上具有由I-III-VI族化合物半導體構成之化合物光吸收層、緩衝層、及表面電極層的化合物太陽電池，其係於前述化合物光吸收層與緩衝層之間，設置由下述通式(1)所示組成的混晶構成之界面層。
[化1]Zn(Ox,S1-x)‧‧‧(1)
(但，X係0.9<X≦1或0≦X<0.1)
又，第2要旨在於一種製造第1要旨之化合物太陽電池的方法，該化合物太陽電池的製造方法係具有一面使長片狀之基板於長向上運行一面於前述基板上形成由I-III-VI族化合物半導體構成之化合物光吸收層的步驟、形成界面層的步驟、形成緩衝層的步驟、及形成表面電極層的步驟，並於真空下依序連續地進行各步驟。
本發明之化合物太陽電池係於化合物光吸收層與緩衝層之間設有由前述通式(1)所示組成的混晶構成之界面層。如此一來，因化合物光吸收層與由結晶定向較聚集於與化合物光吸收層面垂直之方向上的混晶所構成的界面層相接，故化合物光吸收層與界面層之界面不易產生晶格缺陷，可有效地抑制載子之復合，防止轉換效率下降。又，緩衝層因形成在結晶定向於與化合物光吸收層面垂直之方向上的界面層上，故受界面層之結晶定向的影響，結晶容易聚集於與化合物光吸收層面垂直之方向上。因此，於光吸收層生成之電子容易到達表面電極層，且復合受到抑制。此外，本發明之化合物太陽電池係使用I-III-VI族化合物半導體作為化合物光吸收層，可以薄膜得到高轉換效率且防止轉換效率下降，故具有優異之特性。
又，緩衝層係下述通式(2)所示組成的混晶時，緩衝層於可見光領域下形成透明，可消除緩衝層內之光吸收損失，故可更加提高轉換效率。
[化2]Zn(OY,S1-Y)‧‧‧(2)
(但，Y係0.5≦Y<1)
此外，前述緩衝層係下述通式(3)所示組成的混晶時，緩衝層於可見光領域下形成透明，可消除緩衝層內之光吸收損失，故可更加提高轉換效率。
[化3](ZnZ,Mg1-Z)O‧‧‧(3)
(但，Z係0.5≦Z<1)
又，一種製造本發明第1要旨之化合物太陽電池的方法，係具有一面使長片狀之基板於長向上運行一面於前述基板上形成由I-III-VI族化合物半導體構成之化合物光吸收層的步驟、形成界面層的步驟、形成緩衝層的步驟、及形成表面電極層的步驟，並於真空下依序連續地進行各步驟；藉由該方法，不需如以往於真空下形成化合物光吸收層後，暫時取出至大氣下形成緩衝層，再於真空下形成表面電極層。因此，可以低成本且有效率地製造具有優異特性之化合物太陽電池。
1‧‧‧基板
2‧‧‧裡面電極層
3‧‧‧CIGS光吸收層
4‧‧‧界面層
5‧‧‧緩衝層
6‧‧‧表面電極層
7,7’‧‧‧陰極靶材
α‧‧‧假想中心軸
θ‧‧‧角
圖1係本發明一實施形態之CIGS太陽電池的截面圖。
圖2係製造前述CIGS太陽電池所使用之濺鍍裝置中陰極靶材與基板之位置關係的說明圖。
圖3係顯示前述濺鍍裝置中陰極靶材與基板的位置關係之另一例的說明圖。
圖4係顯示前述濺鍍裝置中陰極靶材與基板的位置關係之又一例的說明圖。
用以實施發明之形態
接著，說明用以實施本發明之形態。
圖1係本發明一實施形態之CIGS太陽電池的截面圖。該CIGS太陽電池係依序具有基板1、裡面電極層2、 CIGS光吸收層(化合物光吸收層)3、緩衝層5、及表面電極層6，並成為於前述CIGS光吸收層3與緩衝層5之間，設有由下述通式(1)所示組成的混晶構成之界面層4的特殊構造。以下，詳細地說明各層。另，於圖1中，係典型地顯示各層之厚度、大小、外觀等，實際上係有所差異(以下之圖中亦相同)。
[化4]Zn(Ox,S1-x)‧‧‧(1)
(但，X係0.9<X≦1或0≦X<0.1)
前述基板1係作為支撐基板使用，可視目的或設計上所需自玻璃基板、金屬基板、樹脂基板等中選擇適當者使用。前述玻璃基板以使用鹼金屬元素含量極低之低鹼玻璃(高變形點玻璃)、未含鹼金屬元素之無鹼玻璃、藍板玻璃等為佳。其中，於使用藍板玻璃作為基板1時，因鹼金屬元素自基板1擴散至CIGS光吸收層3，提升太陽電池特性，故為佳。於使用未含有或含有少量之鹼金屬元素的基板時，以於形成CIGS光吸收層3前後或於形成中添加鹼金屬元素為佳。
又，前述基板1係長片狀且具有可撓性者時，因可以輥對輥(roll-to-roll)方式或步進輥(stepping-roll)方式製造CIGS太陽電池，故為佳。另，前述「長片狀」係指長度方向之長度為寬度方向之長度的10倍以上者，以使用30倍以上者較佳。
此外，前述基板1之厚度以於5~200μm之範圍為 佳，較佳者為10~100μm之範圍。換言之，係因厚度過厚時，CIGS太陽電池將失去可撓性，於折彎CIGS太陽電池時施加的應力變大，有對CIGS光吸收層3等積層構造造成損害的疑慮，反之，過薄時，於製造CIGS太陽電池時，基板1彎曲，有CIGS太陽電池之製品不良率上升的傾向。
形成於前述基板1上之表面電極層2係藉由例如，鉬(Mo)、鎢(W)、鉻(Cr)、鈦(Ti)等形成單層或複數層。
此外，前述裡面電極層2之厚度(為複數層時，係各層之合計)以於10~1000μm之範圍為佳。但，於前述基板1具有導電性，並具有裡面電極層2之機能時，亦可不設置該裡面電極層2。
又，來自於基板1之不純物熱擴散時，因CIGS太陽電池之性能受到不良影響，故亦可於基板1或裡面電極層2上設置障壁層(未圖示)，以防止受到不良影響。如此之障壁層可使用例如，Cr、鎳(Ni)、NiCr、鈷(Co)等形成材料，藉由濺鍍法、蒸鍍法、CVD法、溶膠凝膠法、液相沉積法等方法形成。
形成於裡面電極層2上之CIGS光吸收層3係以由銅(Cu)、銦(In)、鎵(Ga)、硒(Se)等4個元素所形成之黃銅礦型結晶構造的化合物半導體所形成。並且，其厚度以於1.0~3.0μm之範圍為佳，以1.5~2.5μm之範圍較佳。因過薄時，作為光吸收層使用時的光吸收量變少，有太陽電池之性能下降的傾向，反之，過厚時，形成CIGS光吸收層3所需之時間增加，有生產性變差的傾向。如此之CIGS光吸收層3 可藉由真空蒸鍍法、硒化/硫化法、濺鍍法等形成。
又，前述CIGS光吸收層3之Cu、In、Ga的組成比以滿足0.7<Cu/(Ga+In)<0.95(莫耳比)之式為佳。於滿足該式時，因可更加阻止Cu(2-X)Se過剩地進入前述CIGS光吸收層3內，且層全體可為僅不足Cu的狀態。又，作為類似元素之Ga與In的比，以於0.10<Ga/(Ga+In)<0.40(莫耳比)之範圍為佳。
於前述CIGS光吸收層3上(與緩衝層5之間)，形成由下述通式(1)所示組成之單晶或混晶構成的界面層4。如此，因提高有ZnO或ZnS之比率的界面層係與CIGS光吸收層3相接地形成，故可將界面附近之結晶的定向聚集於一定方向，具有可減少界面附近之載子的復合之優異特性。
[化5]Zn(Ox,S1-x)‧‧‧(1)
(但，X係0.9<X≦1或0≦X<0.1)
更詳而言之，前述界面層4(ZnOS膜)係單晶或混晶，ZnO與ZnS各具有不同之結晶構造，其離子半徑、晶格常數係相異。並且，於前述通式(1)中，X係0.9<X≦1時，因前述界面層4之ZnO的成份比率變大，成為依據ZnO之纖鋅礦型結晶構造，故ZnO與ZnS之離子半徑、晶格常數之差將未對結晶狀態造成大的影響。又，前述通式(1)中，X係0≦X<0.1時，因ZnS之成份比率變大，成為依據ZnS之鋅閃光型結晶構造，同樣地離子半徑、晶格常數之差異的影響少。然而，前述通式(1)中，X係0.1<X≦0.9時，界面層4於 (002)面以外亦確認(101)或(100)等之定向，可知結晶定向產生混亂。如此，於界面層4之結晶定向變無規時，於CIGS光吸收層3所生成的電子未能順利地到達表面電極層6，有太陽電池性能下降的疑慮。
接著，前述界面層4上所形成之緩衝層5係以包含II族或III族元素的化合物之混晶所形成。並且，為使前述CIGS光吸收層3可與pn接合，以高電阻之n型半導體為佳，可不僅為單層，亦可為積層有複數層者。如此之緩衝層5的形成材料，除了Mg及ZnO之混晶以外，可舉例如，CdS、ZnMgO、ZnCaO、ZnMgCaO、ZnMgSrO、ZnSrO、ZnO、ZnS、Zn(OH)2、In2O3、In2S3及該等之混晶的Zn(O,S,OH)、Zn(O,S)等。其中，於使用Zn(OY,S1-Y)(但，Y係0.5≦Y<1)、(ZnZ,Mg1-Z)(但，Z係0.5≦Z<1)時，可更加抑制因傳達帶不連續性造成的轉換效率下降，且可於可見光領域下形成透明，故可幾無光吸收之損失。又，其厚度以於50~200nm之範圍為佳。
此外，形成於前述緩衝層5上之表面電極6係使用透明導電層。如此之透明導電層以使用可成為高透射率且低電阻之薄膜的材料為佳，可舉GZO、ITO、IZO、氧化鋅鋁(Al：ZnO)等為例。又，其厚度以於50~300nm之範圍為佳。並且，該透明電極層6之光透射率以大於80%者為佳。
依據前述構造之CIGS太陽電池，如前述，於CIGS光吸收層3與緩衝層5之間設置由特定組成所構成的界面層4，於CIGS光吸收層3之界面將不易產生晶格缺陷，可有效 地抑制載子之復合。因此，可不損高轉換效率，充分地發揮優異之性能。又，CIGS光吸收層3係具有黃銅礦構造，可以薄膜實現高轉換效率，故可將太陽電池作成薄膜。因此，可高機率地透射未使用之波長的光，可擴大太陽電池之使用用途、利用部位的寬度。
前述CIGS太陽電池可藉由例如，如以下地製造。首先，準備長片狀之基板1，並於其表面以輥對輥方式連續地依序積層裡面電極層2、CIGS光吸收層3、界面層4、緩衝層5、表面電極層6後得到。以下，於各層之形成步驟中詳細地說明該製造方法。
[裡面電極層2之形成步驟]
藉由輥對輥方式一面使長片狀之基板1運行，一面於其表面使用Mo等形成材料，藉由例如，濺鍍法、蒸鍍法、噴墨法等形成裡面電極層2。
[CIGS光吸收層3之形成步驟]
接著，同樣地一面以輥對輥方式使形成有前述裡面電極層2之基板1運行，一面於該裡面電極層2上形成CIGS光吸收層3。CIGS光吸收層3之形成方法可舉真空蒸鍍法、硒化/硫化法、濺鍍法等為例。
[界面層4之形成步驟]
然後，同樣地一面以輥對輥方式使形成至前述CIGS光吸收層3之基板1運行，一面於該CIGS光吸收層3上形成界面層4。界面層4之形成方法，可舉濺鍍法、蒸鍍法等為例。特別是，由容易控制成所期之組成來看，以使用濺鍍法為 佳。前述濺鍍法可為使用如所期之組成的陰極靶材之靶材濺鍍法、亦可為於Zn材料之濺鍍中供給氧及硫化氫等硫族元素(chalcogen)分子或化合物的反應性濺鍍法、亦可為其他方法。又，濺鍍法中使用之裝置，除了通常之磁控型濺鍍裝置以外，可使用將2片陰極靶材對向配置之對向靶材型濺鍍裝置。於使用對向靶材型濺鍍裝置時，因可將電漿封入對向之陰極靶材之間，基板1未暴露於電漿中，由帶電粒子(電子、離子)或反衝氬所造成損害小，於成膜面或其基底之面不易產生缺陷或孔隙，故為佳。並且，對前述一對靶材之施加電壓雖因射頻(RF)電源而相異，但以於射頻(RF)電源重疊直流(DC)電源為佳。
其中，如圖2所示，於對向靶材型濺鍍裝置中，使用假設一條自基板1之層形成面垂直狀地延伸的假想中心軸α，並於夾著該假想中心軸α之兩側上，使該等2片陰極靶材7,7’對向配置成該兩者7,7’朝基板1之層形成面側(以下稱作「基板1側」)展開之略呈V字形者時，因可以較少之電力成膜，於成膜面或其基底之面將更不易受到損害，故為佳。特別是，以設定成前述陰極靶材7,7’中至少一者之靶材7,(7’)相對於假想中心軸α的角θ係5~15°之範圍為佳。另，於圖2中係省略形成於基板1之裡面電極層2及CIGS光吸收層3的圖示。
[緩衝層5之形成步驟]
接著，一面以輥對輥方式使形成至前述界面層4之基板1運行，一面於該界面層4上形成緩衝層5。緩衝層5之形成 方法，可舉例如，溶液生長法、真空蒸鍍法、CVD法、ALD法、濺鍍法等。特別是，由容易控制成所期之組成來看，以使用濺鍍法為佳，與前述界面層4之形成相同，如圖2所示，以使用特殊地配置有陰極靶材7,7’之對向靶材濺鍍裝置為佳。換言之，依據該裝置，可以更少之電力形成膜，係因成膜面或其基底之面更不易受到損害之故。
[表面電極層6之形成步驟]
然後，一面以輥對輥方式使形成至前述緩衝層5之基板1運行，一面於該緩衝層5上形成表面電極層6。表面電極層6之形成方法可舉濺鍍法、蒸鍍法、有機金屬氣相沉積法(MOCVD法)等為例。特別是，由容易控制成所期之組成來看，以使用濺鍍法為佳，與前述界面層4及緩衝層5之形成相同，如圖2所示，以使用將陰極靶材7,7’設定成特殊之配置的對向靶材濺鍍裝置為佳。其理由亦相同。
如此，可得本發明之CIGS太陽電池。藉此，不需經過如以往般地，於形成CIGS光吸收層3後暫時將基材1取出至大氣下形成緩衝層5，再於真空下形成表面電極層6的複雜步驟，可於真空下連續地進行各步驟。並且，即便連續地進行各步驟仍可維持高轉換效率，故可實現兼具縮短時間與高品質。
另外，於前述製法中，於基板1具有裡面電極層2之機能時(具有導電性時等)，不需前述[裡面電極層2之形成步驟]，可直接將前述基板1作為裡面電極層使用。
此外，於前述製法中，適合使用於界面層4之形 成、緩衝層5之形成、表面電極層6之形成的各步驟中之對向靶材濺鍍裝置中，藉由陰極靶材7,7’之組成與濺鍍條件，可不將前述陰極靶材7,7’配置成朝基板1側展開之略V字形，亦可如圖3所示，平行地配置兩靶材7,7’。又，亦可如圖4所示，配置成僅一邊之陰極靶材(該例中係陰極靶材7)相對於假想中心軸α傾斜角θ的方法。
並且，前述製法中係以輥對輥方式進行裡面電極層2、CIGS光吸收層3、界面層4、緩衝層5、表面電極層6之各層的形成，但未必需採用輥對輥方式，亦可使用先準備並排列好片狀之基板1，再於其上依序形成各層的方式。但，於以輥對輥方式連續地進行各層之形成時生產效率佳。特別是，一面使長片狀之基板於長向上運行，一面於真空下依序連續地於前述基板上形成CIGS光吸收層3、界面層4、緩衝層5、表面電極層6時，因可以低成本得到具優異特性之CIGS太陽電池，故為佳。
實施例
接著，一併說明實施例與比較例。但，本發明並未受以下實施例所限定。
[實施例1] (裡面電極層之形成)
首先，於由經脫脂的鈉鈣玻璃(厚度0.55mm、寬度20mm、長度20mm之平面視正方形)所構成的基板表面，使用磁控濺鍍裝置(ULVAC社製，SH-450)，並使用氬作為放電氣體，使用直流(DC)電源使濺鍍壓力為1Pa，以濺鍍速率 60nm/min之條件，形成厚度0.8μm之由Mo構成的裡面電極層。
(CIGS光吸收層之形成)
接著，於前述所形成之裡面電極層上形成CIGS光吸收層。換言之，於真空蒸鍍裝置之腔室內分別配置Ga、In、Cu、Se作為蒸鍍源，於將該腔室內設為真空度1×10-4Pa、基板溫度為250℃之狀態下，同時地蒸鍍In、Ga、Se32分鐘。之後，一面以20℃/分之升溫速度將基板溫度升溫至550℃，一面同時蒸鍍Cu及Se33分鐘，最後於將基板溫度保持在550℃下同時蒸鍍In、Ga及Se，於前述裡面電極層上形成有CIGS光吸收層。前述蒸鍍源之溫度係分別加熱至Ga：950℃、In：780℃、Cu：1100℃、Se：140℃。所得之CIGS光吸收層之組成(原子數%)係Cu/III族=0.89、Ga/III族=0.31，其厚度係2.1μm。
(界面層之形成)
然後，使用如圖2所示地呈略V字形地配置有一對陰極靶材的對向靶材濺鍍裝置(相對於假想中心軸α之角θ分別係10°)，於以前述所形成之CIGS光吸收層上形成界面層。另，使用由ZnO構成之組成者作為陰極靶材，使用Ar作為濺鍍時之放電氣體，藉由射頻(RF)電源，以電力100W、濺鍍壓力0.3Pa之條件下，藉由調整形成時間，得到膜厚0.5nm的界面層。
(緩衝層之形成)
接著，與前述界面層之形成相同，使用如圖2所示地呈 略V字形地配置有一對陰極靶材的對向靶材濺鍍裝置(相對於假想中心軸α之角θ分別係10°)，於以前述所形成之界面層上形成緩衝層。另，使用由Zn0.85Mg0.15O構成之組成者作為陰極靶材，使用Ar作為濺鍍時之放電氣體，藉由射頻(RF)電源，以電力密度0.7kW/cm2、濺鍍壓力0.3Pa之條件下，藉由調整電力及形成時間，得到膜厚70nm的緩衝層。
(表面電極層之形成)
然後，使用磁控濺鍍裝置(ULVAC社製，SH-450)於以前述所形成之緩衝層上形成表面電極層。另，使用ITO(In2o3：90[原子數%]、SnO2：10[原子數%])作為陰極靶材，並使用Ar與O2(Ar流量之1/10)之混合氣體作為放電氣體，使用射頻(RF)電源使濺鍍壓力為0.3Pa，以濺鍍速率20nm/min之條件下，形成厚度200nm的由ITO構成之表面電極層。
[實施例2~27]
除了如下述之表1~3所示地改變製造條件以外，與實施例1同樣地得到CIGS太陽電池。
[比較例1及2]
除了未形成界面層，並如下述之表4所示地改變製造條件以外，與實施例1同樣地得到CIGS太陽電池。
[比較例3~14]
除了如下述之表4所示地改變製造條件以外，與實施例1同樣地得到CIGS太陽電池。
如以下地測定如此所得到之實施例及比較例的 CIGS太陽電池之轉換效率，並於下述表1~4一併顯示。
<轉換效率>
分別準備20個實施例及比較例之CIGS太陽電池，並於該等照射擬似太陽光(Air Mass=1.5)，並使用IV計測系統(山下電裝社製)，測定各別之轉換效率。
由前述結果可知，實施例1~27之CIGS太陽電池均具有轉換效率9.0%以上之優異轉換效率。另一方面，如以往般地未設有界面層之比較例1及2的CIGS太陽電池之轉換效率變低。這可視為，於CIGS光吸收層與緩衝層之界面進行有載子的再吸收之故。又，即使設有界面層，其組成未滿足前述通式(1)之比較例3~14之CIGS太陽電池的轉換效率均係8.5%以下，顯示與未設有界面層之比較例1及2同樣低之轉換效率。
於前述實施例中，雖顯示出本發明之具體形態，但前述實施例僅為例示，並非限定地解釋本發明者。發明所屬技術領域中具通常知識者應知各種顯而易見之變形係於本發明範圍內。
產業上之可利用性
本發明之化合物太陽電池為薄膜且轉換效率高，故可應用於各種用途。又，本發明之化合物太陽電池的製造方法不需取出至大氣下而可接續前後步驟連續地進行緩衝層之形成，故可以低成本有效率地製造太陽電池。
1‧‧‧基板
2‧‧‧裡面電極層
3‧‧‧CIGS光吸收層
4‧‧‧界面層
5‧‧‧緩衝層
6‧‧‧表面電極層

Claims (4)

  1. 一種化合物太陽電池，係於基板上具有由I-III-VI族化合物半導體構成之化合物光吸收層、緩衝層、及表面電極層者，其特徵在於，於前述化合物光吸收層與緩衝層之間，設置由下述通式(1)所示組成的混晶構成之界面層，[化1]Zn(Ox,S1-x)‧‧‧(1)，(但，X係0.9<X≦1或0≦X<0.1)。
  2. 如請求項1之化合物太陽電池，其中前述緩衝層係下述通式(2)所示組成的混晶，[化2]Zn(OY,S1-Y)‧‧‧(2)，(但，Y係0.5≦Y<1)。
  3. 如請求項1之化合物太陽電池，其中前述緩衝層係下述通式(3)所示組成的混晶，[化3](ZnZ,Mg1-Z)O‧‧‧(3)，(但，Z係0.5≦Z<1)。
  4. 一種化合物太陽電池的製造方法，係製造如請求項1之化合物太陽電池的方法，其特徵在於，具有一面使長片狀之基板於長向上運行一面於前述基板上形成由I-III-VI族化合物半導體構成之化合物光吸收層的步驟、形成界面層的步驟、形成緩衝層的步驟、及形成表 面電極層的步驟，並於真空下依序連續地進行各步驟。
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