JP5488436B2 - 光電素子 - Google Patents
光電素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5488436B2 JP5488436B2 JP2010272946A JP2010272946A JP5488436B2 JP 5488436 B2 JP5488436 B2 JP 5488436B2 JP 2010272946 A JP2010272946 A JP 2010272946A JP 2010272946 A JP2010272946 A JP 2010272946A JP 5488436 B2 JP5488436 B2 JP 5488436B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- light absorption
- buffer layer
- buffer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
以下の手順に従い、図1の光電素子10と同様の構成を有する光電素子を備える評価用の太陽電池を作製した。
(1)低アルカリガラス(LAG)基板上に、下部電極14としてのMo膜をスパッタ法によって形成した。
(2)Mo膜上に、CZTS前駆体膜をスパッタ法によって形成した。
(3)大気圧、20体積%のH2SとN2との混合ガス雰囲気中、550〜580℃、3時間の硫化処理により、上記前駆体膜からCZTS膜(光吸収層16)を形成させた。
(4)CZTS膜を、チオアセトアミド(0.3モル/L)、塩酸(0.009モル/L)、塩化インジウム(25ミリモル/L)、及び酢酸(0.3モル/L)を含むCBD用の反応液(70℃、pH1.8)に浸漬させて、光吸収層16上にIn2S3膜を形成した。CBD浴は、70℃の水にチオアセトアミドを溶解し、そこに塩酸を加え、更に、塩化インジウムの酢酸溶液を加える方法により調整した。塩化インジウムの酢酸溶液を加えてから、反応液は約7分後に白濁し、徐々に黄色に変化した。反応液が黄色に変化してからすぐに、CZTS膜を反応液に浸漬した。In2S3の成膜が進行するのにしたがって、反応液は黄色からオレンジ色に変化した。形成されたIn2S3膜を200℃で20分の加熱により乾燥した。乾燥後のIn2S3膜の膜厚は、浸漬時間の調整により、20nm(実施例1)、27nm(実施例2)、30nm(実施例3)、43nm(実施例4)又は81nm(実施例5)とした。膜厚はFE−SEM(HITACHI S−4800)による断面観察で測定した。なお、膜厚20nm未満については本FE−SEMでは測定不可能であった。
チオウレア(0.15モル/L)、塩化インジウム(0.01モル/L)、酢酸(0.0016モル/L)及び塩化亜鉛(0.01モル/L)を含むCBD用の反応液(25℃)をビーカー中に準備し、そこにIn2S3膜を含む積層体を浸漬し、ビーカーを64℃のウォーターバスで加温しながら、In(OH)3の成膜を進行させた。その後、積層体を200℃で20分の加熱により乾燥した。
以上のCBD法による二段階の成膜により、主としてIn2S3を含む第一層と、In(OH)3を含む第二層とから構成されるバッファ層18を形成した。
(5)バッファ層上に、ZnO:Al膜(窓層20)をスパッタ法により形成した。
(6)窓層20上に、行列状に配列された12個の櫛形電極(Al膜)をスパッタ法によって形成した。
(7)1個の櫛形電極を囲む4mm×5mmの升目の下部に位置する柱状の部分以外の部分の窓層20、バッファ層18及び光吸収層16を除去して、下部電極14を露出させた。下部電極14上に、櫛形電極、窓層20、バッファ層18及び光吸収層16から構成される12個の柱状の積層体が4行×3列の行列状に配列された。
(8)露出した下部電極14の端部の表面に、銀ペーストを塗布した。
バッファ層の形成の際、In2S3膜上にIn(OH)3を成膜しなかったこと以外は、実施例4と同様の手順で評価用の太陽電池を作製した。
バッファ層としてCdS膜(厚さ80nm)を形成したこと以外は実施例と同様の手順で太陽電池を作製した。
エアマス(AM)1.5、1SUNの擬似太陽光を用い、各太陽電池のI−V測定を行った。開放端電圧VOC、短絡電流密度JSC、曲線因子FFを求め、発電効率(η)をη=Voc・Jsc・FF/(擬似太陽光単位面積当りのエネルギー)から算出した。
得られた結果を表1に示す。
Claims (3)
- p型半導体層である光吸収層と、バッファ層と、窓層と、を備え、前記光吸収層、前記バッファ層及び前記窓層がこの順に設けられている光電素子において、
前記光吸収層が、Cu、Zn、Sn及びSを含む硫化物系化合物半導体の膜であり、
前記バッファ層が、In 2 S 3 から形成されたIn 2 S 3 膜である第一層と、In(OH) 3 を含む第二層と、を有し、前記第二層が前記第一層よりも前記窓層側に形成されており、前記第一層の厚さが10〜120nmで、前記第二層の厚さが0.1〜10nmである、
光電素子。 - 前記バッファ層が、前記光吸収層上にIn2S3を成膜した後、In(OH)3をCBD法により成膜することより形成することのできる層である、請求項1に記載の光電素子。
- Cu、Zn、Sn及びSを含む硫化物系化合物半導体の膜である光吸収層上に、In2S3を成膜した後、In(OH)3をCBD法により成膜することにより、In 2 S 3 から形成されたIn 2 S 3 膜である第一層と、In(OH) 3 を含む第二層と、を有し、前記第一層の厚さが10〜120nmで、前記第二層の厚さが0.1〜10nmである、バッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層の前記光吸収層とは反対側に窓層を形成する工程と、
を備える、光電素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010272946A JP5488436B2 (ja) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | 光電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010272946A JP5488436B2 (ja) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | 光電素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012124284A JP2012124284A (ja) | 2012-06-28 |
JP5488436B2 true JP5488436B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=46505443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010272946A Expired - Fee Related JP5488436B2 (ja) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | 光電素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5488436B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5964683B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2016-08-03 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
KR101481912B1 (ko) * | 2013-08-28 | 2015-01-16 | 전남대학교산학협력단 | 태양전지 및 그 제조 방법 |
KR102227333B1 (ko) * | 2019-04-26 | 2021-03-12 | 영남대학교 산학협력단 | In2S3-CdS 이중버퍼층을 이용한 CIGS 박막의 핀홀 감소 방법 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4055053B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2008-03-05 | 本田技研工業株式会社 | 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法 |
JP4783908B2 (ja) * | 2007-07-18 | 2011-09-28 | 株式会社豊田中央研究所 | 光電素子 |
-
2010
- 2010-12-07 JP JP2010272946A patent/JP5488436B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012124284A (ja) | 2012-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6608257B2 (ja) | 光電変換素子、タンデム型光電変換素子および光充電型バッテリー装置 | |
JP4783908B2 (ja) | 光電素子 | |
JP5928612B2 (ja) | 化合物半導体太陽電池 | |
JP5309285B2 (ja) | 光電素子及びその製造方法 | |
WO2010095608A1 (ja) | 硫化物及び光電素子 | |
CN104143579A (zh) | 一种锑基化合物薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
JP4394366B2 (ja) | 両面受光太陽電池 | |
JP2012204617A (ja) | 光起電力素子、及び当該光起電力素子の製造方法 | |
JP5488436B2 (ja) | 光電素子 | |
TW201508935A (zh) | 光伏裝置及成型光伏裝置之方法 | |
JP5465860B2 (ja) | 光起電力素子、および、その製造方法 | |
JP5500059B2 (ja) | 光電素子 | |
JP2012209518A (ja) | 光電素子及び太陽電池 | |
JP5465859B2 (ja) | 光起電力素子、および、その製造方法 | |
EP2600420A2 (en) | Apparatus for generating electricity using solar power and method for manufacturing same | |
JP2013229572A (ja) | 光電素子 | |
TWI430466B (zh) | 高效率碲化鎘薄膜太陽能電池之元件結構 | |
JP5594949B2 (ja) | 光起電力素子、および、その製造方法 | |
WO2013111443A1 (ja) | 光電変換装置 | |
JP2012124285A (ja) | 光電素子 | |
JP2012124278A (ja) | 光電素子及び太陽電池 | |
JP2012124279A (ja) | 光電素子及び太陽電池 | |
JP5918042B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
JP5964683B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
JP2017017129A (ja) | 光電変換素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120502 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120502 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130730 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130731 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130917 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140210 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |