JP5792008B2 - カルコパイライト型太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Description
基板上に、少なくとも電極及び前記光吸収層を形成した積層物を得る工程と、
バッファ層の構成元素の供給源となる物質を含む溶液に前記積層物を浸漬し、前記溶液中に気泡を発生させながら、バッファ層を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
バッファ層の構成元素の供給源となる物質を含む溶液を貯留するための貯留槽と、
前記溶液内に0.5〜3.0mmの範囲内の径の気泡を発生させるための気泡発生手段と、
を備えることを特徴とする。
InSとIn(OH)3との混合層となる。
14…裏面電極 16…光吸収層
18…バッファ層 20…透明電極
22…In層 24…Cu−Ga合金層
26…積層物 30…バッファ層成膜装置
32…処理層 34…気泡発生器
40…エアストーン 44…気泡
Claims (5)
- カルコパイライト型化合物からなる光吸収層と、前記光吸収層上に積層されたバッファ層とを有するカルコパイライト型太陽電池の製造方法であって、
基板上に、少なくとも電極及び前記光吸収層を形成した積層物を得る工程と、
バッファ層の構成元素の供給源となる物質を含む溶液に前記積層物を浸漬し、前記溶液中に0.5〜3.0mmの範囲内の径の気泡を発生させながら、バッファ層を形成する工程と、
を有することを特徴とするカルコパイライト型太陽電池の製造方法。 - 請求項1記載の製造方法において、前記積層物を前記溶液に浸漬する際、前記光吸収層を鉛直方向に沿って延在させることを特徴とするカルコパイライト型太陽電池の製造方法。
- 請求項1又は2記載の製造方法において、前記溶液の温度を45℃以下とすることを特徴とするカルコパイライト型太陽電池の製造方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造方法において、前記溶液として、In源及びS源を含み、且つpHが3以上であるものを用い、InS系化合物からなるバッファ層を形成することを特徴とするカルコパイライト型太陽電池の製造方法。
- 請求項4記載の製造方法において、InSxOy(ただし、x+y=1)からなるバッファ層を形成することを特徴とするカルコパイライト型太陽電池の製造方法。
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